JP2010199131A - 熱電素子の成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 エッチングガスにより熱電素子1をエッチング処理するエッチング工程S1と、熱電素子1にPVD法によりPVD膜2を成膜するPVD成膜工程S2と、PVD膜2を形成した熱電素子1にメッキ法によりバリア膜3を成膜するメッキ成膜工程S3と、を備える。
【選択図】 図3
Description
2 PVD膜
3 バリア膜
10 スパッタリング装置(PVD装置)
20 メッキ装置
S1 エッチング工程
S2 PVD成膜工程
S3 メッキ成膜工程
Claims (3)
- エッチングガスにより熱電素子をエッチング処理するエッチング工程と、
前記熱電素子にPVD法によりPVD膜を成膜するPVD成膜工程と、
前記PVD膜を形成した前記熱電素子にメッキ法によりバリア膜を成膜するメッキ成膜工程と、
を備える熱電素子の成膜方法。 - 前記エッチングガスは、アルゴンとアンモニアの混合ガスであることを特徴とする請求項1に記載の熱電素子の成膜方法。
- 前記PVD成膜工程では、前記熱電素子に正のバイアス電圧を付与しながら前記PVD膜を成膜することを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれかに記載の熱電素子の成膜方法。
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JP2001023930A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-01-26 | Ulvac Japan Ltd | バリア膜製造方法、及びバリア膜 |
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