TWI653763B - 用於金屬化的多層障壁 - Google Patents
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Abstract
提供一種太陽能電池，其可包含基板、設置在基板中或基板上的半導體區；以及包含第一導電區、多層障壁區和第二導電區之導電堆疊。
Description
本揭露係關於一種用於金屬化的多層障壁。
光伏打電池，俗稱太陽能電池，是直接將太陽輻射轉換為電能的裝置。通常，太陽能電池可利用半導體製程技術在半導體晶圓或基板上製備以形成靠近基板表面的p-n接面。撞擊在基板表面上及進入基板的太陽能輻射在塊狀(bulk)基板中產生電子及電洞對。電子及電洞對遷移至在基板中的p-摻雜區及n-摻雜區，從而在摻雜區之間產生電壓差(voltage differential)。摻雜區連接至太陽能電池上的導電區域以從電池引導電流至連接至其的外部電路。
效率為太陽能電池的重要特徵，因為其與太陽能電池的發電能力直接相關。同樣的，生產太陽能電池的效率及成本係與此種太陽能電池的成本效益直接相關。據此，普遍期望有用於增加太陽能電池的效率的技術，或用於增加太陽能電池生產效率的技術。本揭露的一些實施例經由提供用於製備太陽能電池結構的新穎製程而允許增加太陽能電池的生產效率。本揭露的一些實施例經由提供新穎的太陽能電池結構而允許增加之太陽能電池效率。
本揭露係提供一種太陽能電池，其包含：基板；設置在基板中或基板上的半導體區；以及設置在半導體區上的導電接點。該導電接點包含：設
置在半導體區上的第一導電區；設置在第一導電區上的第一障壁區；設置在第一障壁區上的第二障壁區；以及設置在第二障壁區上的第二導電區。
本揭露係提供一種太陽能電池，其包含：單晶矽基板；設置在單晶矽基板中或單晶矽基板上的半導體區；以及導電堆疊。該導電堆疊包含：設置在半導體區上的第一導電層；設置在第一導電層上的複數個擴散阻擋導電層；以及設置在複數個擴散阻擋導電層上的第二導電層。
本揭露係提供一種製造太陽能電池的方法，該方法包含：形成第一導電區於半導體區上，半導體區設置在基板中或基板上：形成多層障壁區在第一導電區上；形成第二導電區在多層障壁區上。
100、200‧‧‧太陽能電池
102、202、402‧‧‧基板
104、205‧‧‧光線接收表面
106、124、224‧‧‧電介質層
116‧‧‧溝渠
120、220‧‧‧n型摻雜多晶矽區域
122、222‧‧‧p型摻雜多晶矽區域
128、228‧‧‧接點結構
130、230、430‧‧‧第一導電區
131、431‧‧‧第一障壁區
132、432‧‧‧第二障壁區
133、233、433‧‧‧第二導電區
134、234‧‧‧附加導電區
231、232‧‧‧障壁區
234‧‧‧第三導電區
302、304、306、308、310‧‧‧區塊
424‧‧‧電介質
802‧‧‧遮罩
834‧‧‧附加導電材料
第1圖描繪根據本揭露的實施例具有形成於構成在基板的射極區域上的接點結構之部分太陽能電池之剖面圖。
第2圖描繪根據本揭露的實施例之具有形成於構成在基板的射極區域上的接點結構之部分太陽能電池之剖面圖。
第3圖描繪根據本揭露的實施例之製造太陽能電池的方法的操作流程圖。
第4圖至第9圖描繪根據本揭露的實施例之以製造具有接點結構的太陽能電池的另一方法之各種處理操作之剖面圖。
第10圖、第11A圖和第11B圖描繪用於例示性金屬化結構的效率和短路電流的圖表。
第12圖描繪用於例示性金屬化結構的SEM剖面影像。
下列詳細描述在本質上僅為說明性且不意圖限制本申請之申請標的之實施例或此實施例的應用。如用於本文中，文字「例示性的(exemplary)」表示「作為一個實施例(example)、實例(instance)或說明(illustration)」。在本文中被描述為例示性之任何實施方式不必然被詮釋為較佳於或優於其他實施方式。此外，不意圖被前述之技術領域、先前技術、發明內容或下列實施方式中提出的任何明示或暗示的理論束縛。
本說明書包含提到「一個實施例(one embodiment)」或「一個實施例(an embodiment)」。慣用語「在一個實施例中(in one embodiment)」或「在一實施例中(in an embodiment)」之出現不必然表示同一實施例。特定特徵、結構、或特性可以與本揭露一致之任何適當的方式組合。
用語。下列段落提供在本揭露(包含所附的申請專利範圍)中發現的用語的定義及/或語境：「包含(Comprising)」：此用語是開放式的。用於後附的申請專利範圍內時，此用語不排除額外的結構或步驟。
「配置以(Configured to)」：多種單元或部件可被描述或主張為「配置以」執行一任務或多個任務。在這樣的內文中，「配置以」被使用以藉由指明該單元/部件包含在操作期間執行一或多個任務的結構來意味著結構。如此，即便當特定的單元/部件目前不被操作(例如，不開啟/活化)，單元/部件亦可被說是被配置以執行任務。
「第一(First)」、「第二(Second)」等，如在本文中使用，這些用語係用作為其所前綴之名詞的標示，而不意味著任何形式的排序(例如，空間、時間、邏輯等)。舉例來說，參照「第一」障壁區不必然意味著此障壁區在順序上為第一個障壁區；而是用語「第一」用於區分此障壁區與另一障壁區(例如，「第二」障壁區)。
「基於(Based On)」：如在本文中使用，此用語係用以描述影響決定的一或多個因素。這個用語並不排擠可影響決定的其他因素。也就是說，決定可僅基於那些因素，或至少部分地基於那些因素。考慮片語「基於B決定A」，雖然B可被認為係影響A的決定的因素，然而這樣的片語並不排擠亦基於C決定A。在其他例子中，A可僅基於B而決定。
「耦接(Coupled)」：以下描述指稱元件或節點或特徵被「耦接」在一起。當用於本文時，除非另有明確說明，「耦接」表示一個元件/節點/特徵直接或間接接合到另一個元件/節點/特徵(或直接或間接地與另一個元件/節點/特徵聯通)，且不必然為機械上的。
「抑制(Inhibit)」：當用於本文中，抑制被用以描述效果的減少或最小化。當部件或特徵被描述為抑制一動作、作動或情況時，其可能完全阻止其結果或後果或未來狀態。另外，「抑制(Inhibit)」也可以表示可能額外發生的結果、性能及/或效果的減少或減輕。因此，當部件、元件、或特徵被稱為抑制一結果或狀態時，其不需要完全防止或消除該結果或狀態。
此外，一些用語也可僅為了參照之目的而被用在以下描述中，且因此不旨在為限制。舉例來說，用語諸如「上部(upper)」、「下部(lower)」、「以上(above)」、以及「以下(below)」表示所參照的圖式中的方向。用語諸如「前
(front)」、「後(back)」、「後方(rear)」、「側(side)」、「外側(outboard)」、及「內側(inboard)」描述在一致但任意的參考框架中的部件的部分的定向及/或位置，參考框架藉由參考描述討論部件之文本和相關聯的圖式而變得清楚。此種用語可包含以上具體提到的字詞、其衍生、和具有相似意涵的字詞。
本文描述用於太陽能電池的金屬化之方法和所產生太陽能電池。在下列描述中，闡述了眾多具體細節，例如具體製程流程操作，以提供本揭露的實施例的徹底理解。對於所屬技術領域具有通常知識者將顯而易見的是，本揭露實施例可無需此些具體細節地執行。於其他例子中，不詳細描述習知之製造技術，如光刻和圖樣化技術，以免不必要地模糊本揭露的實施例。此外，將被理解的是圖中所示的各種實施例係為例示性表示而不需按比例繪製。
本說明書首先描述具有配置以抑制金屬擴散至其他金屬及/或金屬擴散至矽的多層障壁區的例示性太陽能電池。接著描述一個製造具有多層障壁區的太陽能電池的例示性方法。在全文說明書中提供多個例子。雖然許多描述的例子是背接點式太陽能電池，但是多層障壁區可應用在其他上下文中，例如用於太陽能電池的前接點式金屬化或是用於半導體裝置的金屬結構。
參照第1圖，描繪包含多層障壁區的例示性太陽能電池的部分。如圖所示，太陽能電池100可包含設置在複數個n型摻雜多晶矽區域120上、複數個p型摻雜多晶矽區域122和藉由溝渠116露出的部分基板102上之圖樣化電介質層124。接點結構128設置在設置於電介質層124中的複數個接點開口且耦接至複數個n型摻雜多晶矽區域120和耦接至複數個p型摻雜多晶矽區域122。
溝渠116可形成在n型摻雜多晶矽區域120與p型摻雜多晶矽區域122之間。部分的溝渠116可被紋理化以具有紋理特徵。電介質層124可形成在複
數個n型摻雜多晶矽區域120、複數個p型摻雜多晶矽區域122和藉由溝渠116露出的部分基板102上。在一實施例中，電介質層124的下表面形成與複數個n型摻雜多晶矽區域120、複數個p型摻雜多晶矽區域122和露出的部分基板102共形(conformal)，而電介質層124的上表面為實質上平坦。在特定的實施例中，電介質層124為抗反射塗佈(ARC)層。
在一實施例中，複數個接點開口可形成在電介質層124中。該複數個接點開口可提供暴露於複數個n型摻雜多晶矽區域120和複數個p型摻雜多晶矽區域122。在一實施例中，複數個接點開口藉由雷射剝蝕來形成。
此外，在一實施例中，複數個n型摻雜多晶矽區域120和複數個p型摻雜多晶矽區域122可提供用於太陽能電池100的射極區域。因此，在一實施例中，接點結構128設置在射極區域上。在一實施例中，接點結構128可為用於背接點式太陽能電池的背接點並位於相對於太陽能電池100的光接收表面(如第1圖標示的104)之太陽能電池的表面。此外，在一實施例中，射極區域可形成在薄電介質層或穿隧電介質層106上。薄的電介質層106可由二氧化矽所組成且可具有範圍為約5至50埃(Angstroms)的厚度。在一實施例中，薄的電介質層106作為穿隧氧化物層。在該實施例中，用語「穿隧氧化物層(tunneling oxide laye)」係指非常薄(例如小於約10nm)的電介質層，通過其可達成導電性(electrical conduction)。導電可由於量子穿隧(quantum tunneling)及/或在電介質層中通過薄點(thin spots)的直接物理性連接之小區域的存在。
在一實施例中，基板102為塊狀單晶矽基板，例如n型摻雜單晶矽基板。然而，在一替代的實施例中，基板102包含設置在整體太陽能電池基板上的多晶矽層。此外，在一些實施例中，基板102可為多晶矽基板。
在一些實施例中，每一個接點結構128可包含設置在太陽能電池100的射極區域上的種晶堆疊(seed stack)。種晶堆疊可包含第一導電區130、設置在第一導電區130上的多層障壁區131和132、以及在一些實施例中，設置在多層障壁區的上的第二導電區133。雖然多層障壁區描繪成第一障壁區131和第二障壁區132的兩層，但是在其他例子中，多層障壁區可包含兩層以上。
另外如圖所示，接點結構128可包含設置在第二導電區133上的附加導電區134。作為一例子，導電區134可包含鍍金屬(plated metal)，例如鍍鎳、鍍銅及/或鍍錫等。在一些實施例中，如本文所述，種晶堆疊本身可不包含第二導電區133，然而替代地附加的導電區(例如，鍍金屬)可直接設置在多層障壁區上，例如作為直接設置於多層障壁區上的鍍金屬。在這個例子中，設置在多層障壁區上的附加的金屬可稱之為第二導電區。
在一實施例中，第一導電區130可為含金屬的區域。例如，第一導電區130可包含鋁(Al)及/或鋁/矽(Al/Si)合金。在一實施例中，第一導電區為大約50至100奈米(nm)的厚度。
在各種實施例中，多層障壁區可包含第一障壁區131，其最靠近基板而選擇性地抑制自第一導電區130或往第一導電區130的擴散及/或自第二障壁區132或往第二障壁區132的擴散。同樣地，比第一障壁區131更遠離基板的第二障壁區132可選擇性地抑制自第二導電區133或往第二導電區133的擴散及/或自第一障壁區131或往第一障壁區131的擴散。
在一些實施例中，含有TiW的障壁層可占種晶堆疊的材料成本的三分之二，且亦可需要複雜的多重步驟和昂貴的蝕刻製程以圖樣化種晶堆疊的TiW和其他金屬。除此之外，在一些例子，一些障壁層可剝落的比其他還多，使
得對於製造設備的預防維護必須更頻繁地執行。此外，較低成本和較易於蝕刻例如Mo或Ni的單層障壁層可能遭受性能問題，如第11圖所示和描述。本發明者所理解的一件事是，藉由使用多層障壁區可製造較低成本但高效能的裝置。
在一實施例中，一或多個障壁區可為擴散障壁導電層且可包含耐火金屬，例如鎢(W)及/或鉬(Mo)，而在一些實施例中，可包含近貴金屬或過渡金屬(例如鈦(Ti))。在一些實施例中，鎳或鎳合金可用於障壁區。在一特定例子中，第一障壁區可包含Mo(例如Mo、Mo-Ti合金)而第二障壁區可包含Ni(例如Ni-釩合金、Ni-鉻合金)及/或Ti。
在各種實施例中，可形成集體的多層障壁區，以使其具有下列一或多個特性：第一區域和第二區域(例如，Al和Cu)在溫度範圍(例如達到攝氏約400度的退火溫度)的低可溶性且不與第一區域或第二區域的任一反應、具有不助於沿著晶粒邊界的導電區域的金屬傳輸的晶粒結構、用低成本的蝕刻化學進行蝕刻及/或有良好的濺鍍特性(例如，導電和導熱、抑制剝落)。
在一些實施例中，多層障壁區的厚度可為約60奈米(nm)或小於60奈米，但是在一些例子可大於60nm，如100nm。在一些例子中，厚度可為約10nm或小於10nm且仍適當地抑制擴散。例如，在一實施例中，可使用大約5nm的鉬(Mo)的第一擴散區和大約5nm的鎳-釩(NiV)的第二擴散區且所產生的太陽能電池結構可達到在其他公制的性能中的現有技術的效率和短路電流。利用此薄的且較低成本障壁區可以顯著地減少材料成本，且可藉由減少沉積及/或蝕刻堆疊所需的時間量而提高沉積及/或蝕刻製程的產出量。雖然上述的例子假設第一障壁區和第二障壁區的厚度約相等，但在一些實施例中，障壁區的厚度可彼
此不同。例如，一實施例中，Mo障壁區的厚度可約為5nm而NiV障壁區的厚度可約為10nm。其他例子亦存在。
雖然描繪的例子顯示兩層障壁堆疊，在其他實施例中，多層障壁堆疊可以包含兩層以上。各區/層可具有相異組成(例如，Mo第一障壁區、Ti第二障壁區、NiV第三障壁區)或一個層可重複(例如，Mo第一障壁區、NiV第二障壁區、Mo第三障壁區)。
在各種實施例中，在多層障壁堆疊中的所述障壁區可具有高結晶溫度，其可允許在非晶質狀態或小晶粒狀態下沉積，使其可減少穿透障壁的晶粒邊界擴散率。
在一實施例中，如上所述的第一導電區130、第二導電區133也可為含金屬區。在其他例子中，第二導電區133可為Cu。在一實施例中，第二導電區為約為50至200奈米(nm)的厚度。
在實施例中，晶種堆疊的層/區可藉由濺鍍或其他沉積技術形成在半導體區上。種晶堆疊的區域中的各種區域可包含溶劑、熔合材料(frit material)及/或黏結劑以使糊狀物黏性夠且黏著性足以用於對半導體區的沉積或其他應用。
在一實施例中，接點結構128可進一步包含附加的導電區，例如約35微米的鍍Cu。
在第二例示性電池中，多層障壁堆疊是使用於具有形成在太陽能電池的基板之射極區域的太陽能電池。例如，第2圖描繪根據本揭露的實施例之具有形成於構成在基板的射極區域上的接點結構之部分太陽能電池之剖面圖。
參考第2圖，部分的太陽能電池200可包含設置在複數個n型摻雜擴散區域220、複數個p型摻雜擴散區域222和部分的基板202上，例如塊狀結晶矽基板(例如，n型單晶矽基板)之圖樣化的電介質層224。接點結構228可設置在配置於電介質層224中的複數個接點開口，且可耦接至複數個n型摻雜擴散區域220和複數個p型摻雜擴散區域222。在一實施例中，擴散區域220和222分別藉由以n型摻質和p型摻質摻雜矽基板的區域來形成。
此外，在一實施例中，複數個n型摻雜擴散區域220和複數個p型摻雜擴散區域222可提供用於太陽能電池200的射極區域。因此，在一實施例中，接點結構228設置在射極區域的上面。在一實施例中，接點結構228為用於背接點式太陽能電池的背接點且並位於相對於光接收表面之太陽能電池的表面，例如如第2圖所繪，相對的紋理化光接收表面205。在一實施例中，再次參考第2圖，各接點結構228可包含含有第一導電區230、多層障壁區域(例如，障壁區231和障壁區232)、第二導電區233和第三導電區234之種晶堆疊。第1圖所描述的接點結構128和多層障壁區同樣適用於第2圖的接點結構228和多層障壁區且為了簡潔且容易理解而不重複。
雖然某些材料已參照第1圖及第2圖中具體地描述如上，但是部分材料可輕易地被其他的材料替代，而此種實施例仍在本揭露的實施例的精神與範圍內。例如，在實施例中，不同材料的基板，例如III-V族材料基板可使用矽基板替代。在另一實施例中，除了或替代Al(或Al合金)或Cu(或Cu合金)粒子，銀(Ag)、(例如，銀粒子)等可使用在導電層。
除此之外，形成的接點不需直接形成在塊狀基板上，如第2圖所示。例如，在一實施例中，接點結構如上所敘地形成在如形成於塊狀基板上的半導體區域形成在主體基板之上(例如其背側上)，如第1圖所描述。
現參照第3圖，其描繪根據部分實施例製造所示的太陽能電池的方法的流程圖。在各種實施例中，第3圖的方法可包含除了描繪之外的附加(或較少)區塊。例如，在一實施例中，附加金屬可被鍍在第二導電區上。此外，在各種實施例中，第3圖所描繪的流程圖的區塊可能以與所示不同的順序執行。第4圖至第9圖描繪第3圖的方法的各種處理操作的剖面圖。
如302所示，第一導電區可形成在設置於基板中或上的半導體區域上。形成於設置在基板402中或是其上的半導體區域(未圖示)上的第一導電區430的形成例子顯示在第4圖。亦描繪電介質424。如本文描述，第一導電區可以為含金屬區，像是鋁或鋁合金(例如Al-Si)。第一導電區可藉由沉積，例如藉由濺鍍方式形成，但亦存在其他例子。在各種實施例中，第一導電區可以形成為約50-100nm的厚度。
回到第3圖的304區塊以及在第5圖及第6圖的剖面表示，多層障壁區可形成在第一導電區之上。形成的多層障壁區域可包含形成第一障壁區431以抑制自第一導電區(例如Al)或往第一導電區的擴散且第二障壁區432以抑制擴散自第二導電區(例如Cu)或往第二導電區的擴散。同樣的，障壁區域也可配置以抑制自其他障壁區域或往其他障壁區域的擴散不是進就是出。
類似於形成第一導電區，多層障壁區也是藉由沉積方式形成。在一實施例中，多層障壁區域的各層可為一次施加一個層。
在各種例子中，如整個說明書中描述，最靠近基板的障壁區可包含Mo而其他障壁區可包含一或多個Ti、Ni、V、W等。多層障壁區域的集體厚度可為大約100nm或以下，而在一些例子中，可為約10nm或以下、或20nm或以下、或60nm或以下等。藉由具有較薄的障壁區域，實際金屬層和蝕刻劑的材料成本可藉由單一蝕刻製程(例如氯化鐵、硫酸、磷酸和過氧化物的單一槽的稀釋溶液)來蝕刻全部的種晶堆疊層而不是用於各層的各別的蝕刻劑和各別的步驟而可顯著地降低處理時間(例如，蝕刻時間)。
將注意的是一些實施例中，可在多層障壁區域使用兩層以上。
在306，第二導電區可形成在多層障壁區域上。形成第二導電區的例子顯示在第7圖的第二導電區433。第二導電區433可以沉積50-135nm範圍的Cu來形成。亦可使用其他金屬替代Cu。
在一些實施例中，種晶堆疊本身可不具有第二導電區。替代地，在此實施例中，第二導電區可為直接鍍在多層障壁區域的鍍金屬。在一實施例中，在區塊308的退火之後，可執行將第二導電區電鍍在多層障壁區。
如308所示，第一導電區、多層障壁區和第二導電區可進行退火。退火可以在小於攝氏約450度的溫度形成氣體退火執行。退火可幫助改善電接點且移除雜質及/或濺鍍損壞。
在一實施例中，在退火之後，多層障壁區域的各層可實質上保持分開，使得該層實質上不會一起成為合金。因此，多層障壁區域的各層可因而維持其用於抑制部分材料的擴散之各別特性。例如，退火之後，Mo可保持與NiV分開，以使Mo仍然可抑制Al對Ni的擴散，反之亦然，且NiV可保持與Mo分開，以使NiV仍然可抑制Cu對Al或Si的擴散，反之亦然。
此外，在一些實施例中，除了抑制Al到達Ni之外，含Mo層也可抑制Ni從Ni或Ni合金層擴散到Al。更普遍來說，可選擇障壁區層中的其一，以使其可抑制其他障壁區域的擴散以及進入任一導電層中。
如310所示，退火的第一導電區、多層障壁區和第二導電區可進行圖樣化。圖樣化可包含用單一蝕刻劑，例如包含氯化鐵、硫酸、磷酸和過氧化物的稀釋溶液之蝕刻劑來蝕刻第一導電區、多層障壁區和第二導電區。
在一實施例中，在圖樣化種晶堆疊310之前，如第8圖的遮罩802所示之圖樣化遮罩可施加位於摻雜區域上或在摻雜區域之間的種晶堆疊。附加導電材料(如銅、錫)，如第8圖的834所示，可被電鍍在種晶堆疊的露出(例如，沒有被遮罩覆蓋)區域。在替代的實施例中，附加金屬可(如電鍍)在執行圖樣化種晶堆疊之後形成(例如，電鍍)。圖樣化金屬接點可用來當作太陽能電池的指狀物，例如第9圖所示。
第10圖和第11圖係為描繪用於例示性金屬化結構的效率和短路電流(JSC)的圖表。第10圖具體地顯示在使用NiV當作單獨障壁區與使用TiW當作單獨障壁區的金屬種晶堆疊上執行實驗所顯示的效率和JSC的比較。如第10圖的
左邊所示，使用NiV當作單獨障壁區的裝置的效率和JSC較低。雖然未顯示，但對於使用Mo當作單獨障壁區的裝置存在相似的結果。
第11A圖和第11B圖分別地描繪在使用具有Mo層和NiV層的多層障壁區域與使用TiW當作單獨障壁區的金屬種晶堆疊上執行實驗所顯示的效率和JSC的比較。如圖所示，多層障壁區域展現出比第10圖的NiV單獨障壁區的結果還高的效率和JSC以及比具有TiW障壁區的裝置還高的性能。
第12圖描繪用於例示性金屬化結構的SEM剖面影像。具體上，第12圖描繪所揭露的多層障壁區域即使具有薄層，例如第12圖的(a)部分中的5nm的Mo和5nm的NiV和第12圖的(b)部分中的30nm的Mo和30nm的NiV，亦沒有觀察到顯著的金屬層互相擴散(inter-diffusion)，其也反應如第11圖所示的改善的性能。此對比於第12圖的(c)部分中，其使用NiV的單層障壁且觀察到Al和Ni的互相擴散。
雖然特定的實施例已於上文中描述，但這些實施例並不意於限制本揭露之範疇，即使其中相對於特定特徵僅描述單個實施例。提供於本揭露中之特徵之範例意為說明而非限制，除非另有敘述。以上描述意於涵蓋對於所屬技術領域中具有通常知識者而言將為顯而易見之具有本揭露之效益的此類替換物、修改物以及等效物。
本揭露之範疇包含文中所揭露之任意特徵或特徵之結合(明示地或暗示地)，或是任何其概括，而不論其是否減少任何或所有文中所處理之問題。因此，於本申請(或是對其主張優先權之申請)之審查期間新的申請專利範圍可制定為任意此類特徵之結合。具體地，參閱後附之申請專利範圍，來自附屬項之
特徵可與獨立項之特徵結合且來自個別獨立項之特徵可用任何適合的方式結合而不僅是於後附申請專利範圍中所列舉之特定組合。
Claims (20)
- 一種太陽能電池，其包含：一基板；一半導體區，其設置在該基板中或該基板上；以及一導電接點，其設置在該半導體區上，該導電接點包含：一第一導電區，其設置在該半導體區上；一第一障壁區，其設置在該第一導電區上；一第二障壁區，其設置在該第一障壁區上；以及一第二導電區，其設置在該第二障壁區上。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該第一障壁區包含一耐火金屬。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該第一導電區包含鋁而該第二導電區包含銅。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該第一障壁區和該第二障壁區各具有30nm或30nm以下的厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該第一障壁區包含鉬。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該第二障壁區包含鎳-釩合金。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該第一障壁區的厚度不同於該第二障壁區的厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其進一步包含設置在該第 二障壁區上的一第三障壁區，其中該第二導電區設置在該第三障壁區上。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該導電接點位於與該太陽能電池的一向陽側相對的該太陽能電池的背側。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其進一步包含設置在該第二導電區上的一附加金屬。
- 一種太陽能電池，其包含：一單晶矽基板；一半導體區，其設置在該單晶矽基板中或該單晶矽基板上；以及一導電堆疊，其包含：一第一導電層，其設置在該半導體區上；複數個擴散阻擋導電層，其設置在該第一導電層上；以及一第二導電層，其設置在該複數個擴散阻擋導電層上。
- 如申請專利範圍第11項所述之太陽能電池，其中該複數個擴散阻擋導電層包含一鉬層和一鎳-釩合金層。
- 如申請專利範圍第11項所述之太陽能電池，其中該複數個擴散阻擋導電層的第一層的厚度不同於該複數個擴散阻擋導電層的第二層的厚度。
- 如申請專利範圍第11項所述之太陽能電池，其中該複數個擴散阻擋導電層的集體厚度小於20nm。
- 如申請專利範圍第11項所述之太陽能電池，其進一步包含設置在該導電堆疊上的鍍金屬。
- 一種製造太陽能電池的方法，該方法包含：形成一第一導電區於一半導體區上，該半導體區設置在一基板中或該基板上：形成一多層障壁區在該第一導電區上；形成一第二導電區在該多層障壁區上。
- 如申請專利範圍第16項所述之方法，其進一步包含：在小於450℃的範圍之溫度下退火該第一導電區、該多層障壁區和該第二導電區；以及圖樣化退火的該第一導電區、該多層障壁區和該第二導電區。
- 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中圖案化包含以一單一蝕刻劑蝕刻該第一導電區、該多層障壁區和該第二導電區。
- 如申請專利範圍第16項所述之方法，其進一步包含：退火該第一導電區、該多層障壁區和該第二導電區；施加一圖樣化抗鍍劑至退火的該第一導電區、該多層障壁區和該第二導電區；電鍍一金屬在該第一導電區、該多層障壁區和該第二導電區上，以形成複數個金屬接點；以及蝕刻在該複數個金屬接點之間的該第一導電區、該多層障壁區和該第二導電區的部分。
- 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中形成該多層障壁區包含形成一第一障壁層，以抑制自包含鋁的該第一導電區或至該第一導電區的擴散；以及形成一第二障壁層，以抑制自包含銅的該第二導電區或至該第二導電區的擴散。
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