JP2010199114A - 太陽電池 - Google Patents
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Abstract
【課題】光電変換効率を向上させることができる太陽電池を提供する。
【解決手段】ガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層を積層して構成した太陽電池であって、ガラス基板の表面には複数の凹凸が形成され表面積が増大されており、このガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層が積層されている。
【選択図】図10
【解決手段】ガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層を積層して構成した太陽電池であって、ガラス基板の表面には複数の凹凸が形成され表面積が増大されており、このガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層が積層されている。
【選択図】図10
Description
本発明は、太陽エネルギーを電力に変換する太陽電池、更に詳しくはガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層を積層して構成した太陽電池に関する。
太陽エネルギーを電力に変換する太陽電池としては、P型シリコン基板の表面にN型半導体層をプラズマCVD等によって積層した単結晶シリコン太陽電池が知られている。
しかるに、単結晶シリコン太陽電池はシリコン基板を用いるため、コスト高となる。
比較的安価な太陽電池として、ガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層を積層して構成した太陽電池も実用化されている。(例えば、特許文献1参照)
しかるに、単結晶シリコン太陽電池はシリコン基板を用いるため、コスト高となる。
比較的安価な太陽電池として、ガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層を積層して構成した太陽電池も実用化されている。(例えば、特許文献1参照)
而して、上述した太陽電池は、光電変換効率が必ずしも十分とはいえず、所定の光電変換量を得るためには大型化するという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、光電変換効率を向上させることができる太陽電池を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層を積層して構成した太陽電池において、
ガラス基板の表面には複数の凹凸が形成され表面積が増大されており、該複数の凹凸が形成され表面積が増大されたガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層が積層されている、
ことを特徴とする太陽電池が提供される。
ガラス基板の表面には複数の凹凸が形成され表面積が増大されており、該複数の凹凸が形成され表面積が増大されたガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層が積層されている、
ことを特徴とする太陽電池が提供される。
本発明に従って構成された太陽電池は、P型半導体層およびN型半導体層が積層されるガラス基板の表面は複数の凹凸が形成され表面積が増大されているので、このガラス基板の表面に積層されたP型半導体層およびN型半導体層の光を吸収する表面積も増大されるため、光電変換効率が良好となり、小型化が可能となる。
以下、本発明による半導体基板の加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。
図1には、太陽電池を構成する矩形状のガラス基板100が示されている。このガラス基板100の表面100aにP型半導体層およびN型半導体層を積層するが、その前にガラス基板100の表面100aに表面積を増大するための加工を施す。この加工を実施するために、図2の(a)および(b)に示すように示すようにガラス基板100の裏面100bをガラス板やセラミックス板等によって形成されたサブストレート11の表面にワックスによって固定する。このように、サブストレート11の表面に固定されたガラス基板100は、表面100aが上側となる。
図1には、太陽電池を構成する矩形状のガラス基板100が示されている。このガラス基板100の表面100aにP型半導体層およびN型半導体層を積層するが、その前にガラス基板100の表面100aに表面積を増大するための加工を施す。この加工を実施するために、図2の(a)および(b)に示すように示すようにガラス基板100の裏面100bをガラス板やセラミックス板等によって形成されたサブストレート11の表面にワックスによって固定する。このように、サブストレート11の表面に固定されたガラス基板100は、表面100aが上側となる。
以下、上述したようにサブストレート11の表面に固定されたガラス基板100の表面100aの表面積を増大する加工方法について説明する。
図3には、ガラス基板100の表面100aを加工するための研削装置の斜視図が示されている。図3に示す研削装置は、全体を番号2で示す装置ハウジングを具備している。この装置ハウジング2は、細長く延在する直方体形状の主部21と、該主部21の後端部(図3において右上端)に設けられ上下方向に延びる直立壁22とを有している。直立壁22の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール221、221が設けられている。この一対の案内レール221、221には、研削手段としての研削ユニット3が上下方向に移動可能に装着されている。
図3には、ガラス基板100の表面100aを加工するための研削装置の斜視図が示されている。図3に示す研削装置は、全体を番号2で示す装置ハウジングを具備している。この装置ハウジング2は、細長く延在する直方体形状の主部21と、該主部21の後端部(図3において右上端)に設けられ上下方向に延びる直立壁22とを有している。直立壁22の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール221、221が設けられている。この一対の案内レール221、221には、研削手段としての研削ユニット3が上下方向に移動可能に装着されている。
研削ユニット3は、移動基台31と該移動基台31に装着されたスピンドルユニット4を具備している。移動基台31は、後面両側に上下方向に延びる一対の脚部311、311が設けられており、この一対の脚部311、311に上記一対の案内レール221、221と摺動可能に係合する被案内溝312、312が形成されている。このように直立壁22に設けられた一対の案内レール221、221に摺動可能に装着された移動基台31の前面には前方に突出した支持部313が設けられている。この支持部313にスピンドルユニット4が取り付けられる。
スピンドルユニット4は、支持部313に装着されたスピンドルハウジング41と、該スピンドルハウジング41に回転自在に配設された回転スピンドル42と、該回転スピンドル42を回転駆動するための駆動源としてのサーボモータ43とを具備している。スピンドルハウジング41に回転可能に支持された回転スピンドル42は、一端部(図1において下端部)がスピンドルハウジング41の下端から突出して配設されており、その一端(図1において下端)にホイールマウント44が設けられている。そして、このホイールマウント44の下面に研削ホイール45が取り付けられる。この研削ホイール45は、環状の砥石基台451と、該環状の砥石基台451の下面に環状に装着された複数の研削砥石452とによって構成されており、環状の砥石基台451が締結ねじ453によってホイールマウント44に装着される。
図示の実施形態における研削装置は、上記研削ユニット3を上記一対の案内レール221、221に沿って上下方向(後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向)に移動せしめる研削送り手段5を備えている。この研削送り手段5は、直立壁22の前側に配設され実質上鉛直に延びる雄ねじロッド51を具備している。この雄ねじロッド51は、その上端部および下端部が直立壁22に取り付けられた軸受部材52および53によって回転自在に支持されている。上側の軸受部材52には雄ねじロッド51を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ54が配設されており、このパルスモータ54の出力軸が雄ねじロッド51に伝動連結されている。移動基台31の後面にはその幅方向中央部から後方に突出する連結部(図示していない)が設けられ、この連結部には上下方向に延びる貫通雌ねじ穴(図示していない)が形成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド51が螺合せしめられている。従って、パルスモータ54が正転すると移動基台31即ち研削ユニット3が下降即ち前進せしめられ、パルスモータ54が逆転すると移動基台31即ち研削ユニット3が上昇即ち後退せしめられる。
上記装置ハウジング2の主部21にはチャックテーブル機構6が配設されている。チャックテーブル機構6は、図4に示すように支持台61とこの支持台61に回転不能な状態で配設されたチャックテーブル62とを含んでいる。支持台61は、ハウジング2の主部21に前後方向(直立壁22の前面に垂直な方向)である矢印23aおよび23bで示す方向に延在する一対の案内レール23、23上に摺動自在に載置されており、後述する加工送り手段66によって図3に示す被加工物搬入・搬出域24(図4において実線で示す位置)と上記スピンドルユニット4を構成する研削ホイール45と対向する加工域25(図4において2点鎖線で示す位置)との間で移動せしめられる。
上記チャックテーブル62は、チャックテーブル本体621と、該チャックテーブル本体621の上面に配設された吸着保持チャック622とからなっており、吸着保持チャック622の上面に被加工物であるウエーハを図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持するように構成されている。なお、図示の実施形態におけるチャックテーブル機構6は、チャックテーブル62を挿通する穴を有し上記支持台61等を覆い支持台61とともに移動可能に配設されたカバー部材64を備えている。
図4を参照して説明を続けると、図示の実施形態における研削装置は、上記チャックテーブル62を一対の案内レール23に沿ってチャックテーブル62の上面である保持面と平行に矢印23aおよび23bで示す方向に移動せしめる加工送り手段66を具備している。加工送り手段66は、一対の案内レール23、23間に配設され案内レール23、23と平行に延びる雄ねじロッド661と、該雄ねじロッド661を回転駆動するサーボモータ662を具備している。雄ねじロッド661は、上記支持台61に設けられたねじ穴611と螺合して、その先端部が一対の案内レール23、23を連結して取り付けられた軸受部材663によって回転自在に支持されている。上記サーボモータ662は、その駆動軸が雄ねじロッド661の基端と伝動連結されている。従って、サーボモータ662が正転すると支持台61即ちチャックテーブル機構6が矢印23aで示す方向に移動し、サーボモータ662が逆転すると支持台61即ちチャックテーブル機構6が矢印23bで示す方向に移動せしめられる。矢印23aおよび23bで示す方向に移動せしめられるチャックテーブル機構6は、図4において実線で示す被加工物搬入・搬出域と2点鎖線で示す加工域に選択的に位置付けられる。
図3に戻って説明を続けると、上記チャックテーブル機構6を構成する支持台61の移動方向両側には、横断面形状が逆チャンネル形状であって、上記一対の案内レール23、23や雄ねじロッド661およびサーボモータ662等を覆っている蛇腹手段67および68が付設されている。蛇腹手段67および68はキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。蛇腹手段67の前端は前面壁に固定され、後端はチャックテーブル機構6のカバー部材64の前端面に固定されている。蛇腹手段68の前端はチャックテーブル機構6のカバー部材64の後端面に固定され、後端は装置ハウジング2の直立壁22の前面に固定されている。チャックテーブル機構6が矢印23aで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段67が伸張されて蛇腹手段68が収縮され、チャックテーブル機構6が矢印23bで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段67が収縮されて蛇腹手段68が伸張せしめられる。
以上のように構成された研削装置を用いて、上記ガラス基板100の表面100a(被加工面)の表面積を増大する研削加工について説明する。
先ず、被加工物搬入・搬出域24に位置付けられたチャックテーブル62の上面である保持面に上記図2に示すように表面にガラス基板100を固定したサブストレート11を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル62の保持面にサブストレート11を介してガラス基板100を吸引保持する(ガラス基板保持工程)。従って、チャックテーブル62上にサブストレート11を介して保持されたガラス基板100は、表面100aが上側となる。
先ず、被加工物搬入・搬出域24に位置付けられたチャックテーブル62の上面である保持面に上記図2に示すように表面にガラス基板100を固定したサブストレート11を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル62の保持面にサブストレート11を介してガラス基板100を吸引保持する(ガラス基板保持工程)。従って、チャックテーブル62上にサブストレート11を介して保持されたガラス基板100は、表面100aが上側となる。
このようにして、チャックテーブル62上にサブストレート11を介してガラス基板10を吸引保持したならば、上記加工送り手段66のサーボモータ662を作動してチャックテーブル62を図3および図4において矢印23aで示す方向に移動し、図5に示すように研削開始位置に位置付ける。次に、研削送り手段5を作動して図5に示すように研削手段としての研削ユニット3の研削ホイール45を構成する研削砥石452の下面である研削面452aをチャックテーブル62に保持されたガラス基板100の表面100aである被加工面(上面)より所定量(切り込み送り量:図示の実施形態においては10μmに設定されている)下側の研削位置に位置付ける(研削ホイール位置付け工程)。
上述した研削ホイール位置付け工程を実施したならば、研削ホイール45を所定の回転速度で回転するとともに、加工送り手段66を作動してチャックテーブル62を所定の加工送り速度で移動し、チャックテーブル62に保持されたガラス基板100の一端から他端に向けて研削砥石452を作用させることにより、ジャダー現象を生じさせてガラス基板100の表面100aである被加工面を研削する研削工程を実施する。即ち、図6に示すように上記スピンドルユニット4のサーボモータ43を駆動して研削ホイール45を例えば6000rpmで回転するとともに、上記加工送り手段66のサーボモータ662を正転駆動してチャックテーブル62を矢印23a示す方向に例えば5mm/秒の加工送り速度で加工送りし、図6においてに2点鎖線で示す研削終了位置まで移動せしめる。なお、研削終了位置は、ガラス基板100の左端が研削砥石452の下面である研削面452aを通過した所定位置に設定されている。この結果、チャックテーブル62に保持されたガラス基板100の表面100aである被加工面は、一端(右端)から他端(左端)に向けて研削砥石452の研削面452aが作用し、研削加工される。
上記加工条件によって研削工程を実施すると、切り込み送り量と加工送り速度との関係でチャックテーブル62に保持されたガラス基板100と研削ホイール45との間にジャダー現象が生じ、ガラス基板100の表面100aには、図7に示すように縞模様の凹凸が形成される。
この縞模様の凹凸を計測したところ、図8に示す結果が得られた。図8において縦軸は縞模様の凹凸の高さおよび深さ(μm)を示し、横軸は縞模様の凹凸の間隔(μm)を示している。図8から判るように、ガラス基板100の表面100aには、加工前の上面より所定量(図示の実施形態においては10μm)下側の切り込み位置を基準として高さが3μm程度で深さが1.5μm程度の凹凸が25μm程度の間隔で縞模様が形成されている。このようにガラス基板100の表面100aに縞模様の凹凸を形成することにより、ガラス基板100の表面100aの表面積を増大させることができる。なお、図9にジャダー現象が生じない研削加工を施したガラス基板100の表面100aの面粗さが示されている。この研削加工は研削ホイール45を構成する研削砥石452の研削面(下面)をチャックテーブル62に保持された半導体基板としてのガラス基板100の表面100aより2μm下側の研削位置に位置付け、チャックテーブル62を2mm/秒の速度で加工送りしたものである。図9に示すようにジャダー現象が生じない研削加工を施した場合には、0.1〜0.2μm程度の面粗さで一様に研削され、被加工面100aの表面積が実質的に増大することはない。
この縞模様の凹凸を計測したところ、図8に示す結果が得られた。図8において縦軸は縞模様の凹凸の高さおよび深さ(μm)を示し、横軸は縞模様の凹凸の間隔(μm)を示している。図8から判るように、ガラス基板100の表面100aには、加工前の上面より所定量(図示の実施形態においては10μm)下側の切り込み位置を基準として高さが3μm程度で深さが1.5μm程度の凹凸が25μm程度の間隔で縞模様が形成されている。このようにガラス基板100の表面100aに縞模様の凹凸を形成することにより、ガラス基板100の表面100aの表面積を増大させることができる。なお、図9にジャダー現象が生じない研削加工を施したガラス基板100の表面100aの面粗さが示されている。この研削加工は研削ホイール45を構成する研削砥石452の研削面(下面)をチャックテーブル62に保持された半導体基板としてのガラス基板100の表面100aより2μm下側の研削位置に位置付け、チャックテーブル62を2mm/秒の速度で加工送りしたものである。図9に示すようにジャダー現象が生じない研削加工を施した場合には、0.1〜0.2μm程度の面粗さで一様に研削され、被加工面100aの表面積が実質的に増大することはない。
以上のようにしてガラス基板100の表面100aに縞模様の凹凸を形成し表面積を増大する加工を実施したならば、図10に示すようにガラス基板100の表面100aにP型アモルファスシリコンをプラズマCVD法によって成膜してP型半導体層110を形成し、該P型半導体層110の表面にN型アモルファスシリコンをプラズマCVD法によって成膜してN型半導体層120を形成する。このようにガラス基板100の表面100aにP型半導体層110およびN型半導体層120を積層して形成することにより、図11に示すように太陽電池10を得ることができる。そして、P型半導体層110およびN型半導体層120に電極板を装着する。このようにして構成された太陽電池10は、ガラス基板100の表面100aに縞模様の凹凸が形成され表面積が増大せしめられているので、このガラス基板100の表面100aに積層されたP型半導体層110およびN型半導体層120の光を吸収する表面積も増大されるため、光電変換効率が良好となり、小型化が可能となる。
2:装置ハウジング
3:研削ユニット
4:スピンドルユニット
42:回転スピンドル
45:研削ホイール
452:研削砥石
5:研削送り手段
6:チャックテーブル機構
62:チャックテーブル
66:加工送り手段
10:太陽電池
100:ガラス基板
110:P型半導体層
120:N型半導体層
11:サブストレート
3:研削ユニット
4:スピンドルユニット
42:回転スピンドル
45:研削ホイール
452:研削砥石
5:研削送り手段
6:チャックテーブル機構
62:チャックテーブル
66:加工送り手段
10:太陽電池
100:ガラス基板
110:P型半導体層
120:N型半導体層
11:サブストレート
Claims (1)
- ガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層を積層して構成した太陽電池において、
ガラス基板の表面には複数の凹凸が形成され表面積が増大されており、該複数の凹凸が形成され表面積が増大されたガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層が積層されている、
ことを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
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Publications (1)
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JP2010199114A true JP2010199114A (ja) | 2010-09-09 |
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Family Applications (1)
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2009
- 2009-02-23 JP JP2009039014A patent/JP2010199114A/ja active Pending
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