JPH07209439A - 時計用文字板およびその製造方法 - Google Patents

時計用文字板およびその製造方法

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JPH07209439A
JPH07209439A JP6003364A JP336494A JPH07209439A JP H07209439 A JPH07209439 A JP H07209439A JP 6003364 A JP6003364 A JP 6003364A JP 336494 A JP336494 A JP 336494A JP H07209439 A JPH07209439 A JP H07209439A
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JP
Japan
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electrode
forming
substrate
semiconductor layer
insulating film
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Application number
JP6003364A
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English (en)
Inventor
Noboru Taguchi
昇 田口
Takashi Toida
孝志 戸井田
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Citizen Watch Co Ltd
Original Assignee
Citizen Watch Co Ltd
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Publication date
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

(57)【要約】 【構成】 表面に凹凸を有する基板11と、基板の凹凸
面上に設ける第1の電極13と、第1の電極上に設ける
半導体層15と、半導体層上に設ける第2の電極17と
を有する時計用文字板およびその製造方法。 【効果】 従来より太陽電池の実質的な表面積が増加
し、面積が小さな文字板でも、時計を駆動するのに充分
な起電力を得ることができる。このため婦人用の小型の
文字板でも、時計を駆動するのに充分な起電力を得るこ
とができる。さらに文字板に占める太陽電池の面積を削
減することができ、文字板のデザイン上に制約が少なく
なり、従来より多様なデザインを有する時計用文字板を
提供することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は太陽電池を備える時計の
時刻表示手段である文字板の構成と、その製造方法とに
関するものである。
【0002】
【従来の技術】電池交換のわずらわしさを解消するため
や、地球環境を汚染しないクリーンなエネルギー源とし
て時計文字板に太陽電池を備えた時計が、たとえば特開
昭62−237385号公報に記載されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この文字板に太陽電池
を備えた時計としては、現在、男性用の時計のみが実用
化されている。
【0004】これは時計の風防の下に設置する文字板に
設ける太陽電池は、その起電力が太陽電池の表面積に比
例する。このため、婦人用の小型の時計に太陽電池を装
着すると、時計を駆動するのに充分な起電力が得られ
ず、止まりが発生してしまうためである。
【0005】さらにその起電力が太陽電池の表面積に比
例するため、文字板に設ける太陽電池は、文字板面のほ
ぼ全面に設けて、時計を駆動するための起電力を得てい
る。
【0006】このため時計としての外観的な調和をとろ
うとすると、太陽電池を備える文字板のデザインは大き
な制約を受けてしまう。
【0007】本発明の目的は、上記課題を解決して、小
型の文字板でも時計を駆動するのに充分な起電力が得ら
れる時計用文字板の構成と、その製造方法とを提供する
ことである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の時計用文字板およびその製造方法は、下記
記載の手段を採用する。
【0009】本発明の時計用文字板は、表面に凹凸を有
する基板と、基板の凹凸面上に設ける第1の電極と、第
1の電極上に設ける半導体層と、半導体層上に設ける第
2の電極とを有することを特徴とする。
【0010】本発明の時計用文字板の製造方法は、基板
の表面に凹凸を形成する工程と、基板の凹凸面上に第1
の電極を形成し、半導体層を形成し、さらに第2の電極
を形成する工程とを有することを特徴とする。
【0011】
【作用】本発明においては、光照射により起電力を発生
する半導体層を、凹凸を有する基板の凹凸面上に形成す
る。
【0012】このため半導体層の実質的な表面積が大き
くなり、太陽電池における起電力の増加を達成すること
ができる。
【0013】このため婦人用の小型の文字板でも、時計
を駆動するのに充分な起電力が得られ、さらに文字板に
占める太陽電池の面積を削減することが可能となり、文
字板のデザイン上の制約がなくなる。
【0014】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図1は本発明の実施例における時計用文字板を示す
断面図であり、図3は本発明の文字板を時計に組み込ん
だ状態を示す断面図である。図1と図3とを用いて、ま
ず本発明の時計用文字板の構成を説明する。
【0015】図3に示すように、透明ガラスからなる風
防31を設けた外装29内に、指針25を駆動するムー
ブメント27を設ける。このムーブメント27内には、
図3には図示しないが、水晶振動子と、パルスモータを
駆動するための半導体集積回路と、指針25を駆動する
輪列機構とを備えている。
【0016】そして時計の時刻表示手段として文字板2
1は、風防31の下面側に配置し、文字板21には太陽
電池を備える。文字板21は、その下面に文字板21を
ムーブメント27に固定するための2つの文字板足23
を設ける。
【0017】この文字板足23は、ムーブメント27と
文字板21との相互の位置決めを行い、文字板足23の
側面からネジ止めすることによって、文字板21をムー
ブメント27に固定する。
【0018】つぎに本発明の太陽電池を備える文字板2
1の詳細な構成を、図1を用いて説明する。図1に示す
ように、凹凸を有する基板11の凹凸面上に第1の電極
13を設ける。
【0019】第1の電極13としては、アルミニウム、
アルミニウム合金、モリブデン、モリブデン合金、タン
グステン、タングステン合金、タンタル、タンタル合
金、チタン、あるいはチタン合金で構成する。
【0020】さらにこの第1の電極13上に光照射によ
り起電力を発生する半導体層15を設ける。
【0021】この半導体層15は、導電型がp型層と不
純物濃度が低いi型層と導電型がn型層との積層のp−
i−n構造、あるいは導電型がp型層と導電型がn型層
との積層のp−n構造からなる。
【0022】さらにこの半導体層15上面に第2の電極
17を設けている。第1の半導体層15a上に設ける第
2の電極17は、隣接する第2の半導体層15bの下面
に設ける第1の電極13と接続している。
【0023】これは太陽電池の光起電力は、およそ0.
8Vなので、時計を単個の太陽電池の光起電力では駆動
することができず、第2の電極17によって複数の太陽
電池を直列に接続して、充分な起電力を得ている。
【0024】第2の電極17は、この第2の電極17の
上面側から光照射を行う関係上、酸化インジウムスズ
(ITO)や酸化亜鉛(ZnO2 )などの透明導電膜で
構成する。
【0025】なお図1には図示していないが、文字板2
1の第2の電極17上の全面に保護膜を設ける。
【0026】この保護膜は、太陽電池への水分の侵入を
防ぐ働きをもたせる。したがって保護膜を設けることに
よって、文字板の信頼性が一層向上するという効果を付
加することができる。
【0027】なおこの保護膜は光の透過率が良好な絶縁
性を有する被膜、酸化シリコンで構成する。
【0028】なお図3に示す文字板21をムーブメント
27に固定するための文字板足23は、なくてもよい。
【0029】文字板足23を形成しないときは、たとえ
ば文字板21の外周部に突起、あるいは切り欠きを設
け、図3に示すムーブメント27に対する文字板21の
位置決めを行う。
【0030】さらに別のムーブメント27に対する文字
板21の固定手段としては、ムーブメント27に、文字
板21に対応する段差を設け、この段差内に文字板21
を配置し、文字板21をムーブメント27に固定しても
よい。
【0031】つぎにこの図1に示す時計用文字板の製造
方法を、図1を用いて説明する。
【0032】まずはじめに絶縁材料、たとえばガラスか
らなる基板11に凹凸を形成する。この基板11に形成
する凹凸の形成方法としては、砥粒を基板11表面に吹
き付けるサンドブラスト法で行う。
【0033】このサンドブラスト法では、たとえば砥粒
の大きさとして10μmのものを用いて凹凸形成加工を
行うと、基板11に20μmの凹凸面を形成することが
できる。
【0034】このサンドブラスト法以外に、砥粒を水な
どの液体とともに基板11に噴射する液体ホーニング法
や、フォトエッチング法によっても、基板11に凹凸を
形成することができる。フォトエッチング法としては、
エッチングマスクを用いて、フッ化アンモニウムを用い
た湿式エッチング法や、エッチングガスとして四フッ化
炭素を用いた乾式エッチングが適用可能である。
【0035】つぎに物理気相成長法であるスパッタリン
グ装置を用いて基板11の全面に絶縁膜(図示せず)を
形成する。絶縁膜としては、酸化シリコン膜を100n
m程度の膜厚で設ける。
【0036】この絶縁膜の形成方法としては、真空蒸着
法やイオンプレーティング法などの物理気相成長法、あ
るいは化学気相成長法を適用することが可能である。さ
らに絶縁膜材料としては、酸化シリコン以外に、窒化シ
リコン、酸化アルミニウム、あるいは酸化タンタルも適
用できる。
【0037】さらに別の絶縁膜の形成方法としては、塗
布法がある。そして、この塗布法により形成する酸化シ
リコン、あるいは透明ポリイミドなどの樹脂膜が、絶縁
膜として適用可能である。
【0038】なおこの基板11の上面に形成する絶縁膜
は形成しなくてもよい。
【0039】つぎに同じスパッタリング装置を用いて第
1の電極13を200nm程度の膜厚で形成する。この
第1の電極13としては、シリコンを1重量%程度含む
アルミニウムを用いる。その後、この第1の電極13を
パターニングする。
【0040】この第1の電極13のパターニング方法
は、メタルマスクを用いて行う。メタルマスクは薄板の
金属材料で構成し、第1の電極13を形成する対応する
領域に開口部を設ける。そしてこの開口部を形成したメ
タルマスクを基板11上に重ねて、スパッタリング装置
内に配置し、メタルマスク開口部内に第1の電極13を
形成する。
【0041】つぎに第1の電極13の上面の全面に薄膜
の非単結晶シリコン膜からなる半導体層15を形成す
る。この半導体層15は非単結晶シリコンとして、アモ
ルファスシリコンで構成し、導電型としてはp−i−n
構造を採用する。半導体層15は多結晶シリコンでもよ
い。
【0042】この半導体層15の形成は、プラズマ化学
気相成長装置を用いて行う。反応ガスとしてはシランガ
ス(SiH4 )を使用し、導電型がp型のアモルファス
シリコンは不純物としてフォスフィンガス(PH3 )を
添加して形成し、導電型がn型のアモルファスシリコン
は不純物としてジボランガス(B26 )を添加して形
成する。なおi型のアモルファスシリコンは不純物を添
加しないで形成すればよい。
【0043】そしてp層、n層の膜厚は、それぞれの5
0〜100nmとし、i層の膜厚は50〜300nmと
する。
【0044】このp−i−n構造のアモルファスシリコ
ンからなる半導体層15は、プラズマ化学気相成長装置
内で連続的に形成する。
【0045】この半導体層15のパターニング方法は、
第1の電極13のパターニング方法と同じ、メタルマス
クを用いて行う。
【0046】ここで半導体層15は図1に示すように、
図1の第1の半導体層15aの右端部は第1の電極13
パターンより大きく形成し、第2の半導体層15bの左
端部は第1の電極13パターンより小さく形成する。
【0047】つぎに半導体層15の上面の全面に第2の
電極17として透明電極膜をスパッタリング装置を用い
て膜厚200nm程度で形成する。透明電極膜は酸化イ
ンジウムスズ(ITO)を用いる。
【0048】第2の電極17としては、酸化インジウム
スズ以外に酸化亜鉛(ZnO2 )などの透明導電膜が適
用可能である。
【0049】第2の電極17のパターニング方法は、前
述の第1の電極13と半導体層15のパターニング方法
と同じ、メタルマスクを用いて行う。
【0050】この結果、第1の半導体層15a上面に形
成した第2の電極17と、第2の半導体層15b下面の
第1の電極13とは、第2の電極17によって接続する
ことができる。
【0051】その後、図1には示していないが、酸化シ
リコンからなる保護膜を全面に形成する。この保護膜は
化学気相成長法により、膜厚500nm程度形成する。
【0052】保護膜は酸化シリコン以外に、透光性を有
する透明ポリイミド膜も適用可能である。この透明ポリ
イミドは回転塗布法によって形成する。なおこの保護膜
の形成は省略することもできる。
【0053】さらにその後、図1には図示していない
が、2つの文字板足を形成したしんちゅうからなる金属
板を基板11の下面に接着法により接合し、時計用文字
板が完成する。なおこの文字板足を形成した金属板は、
前述のように形成は省略することができる。
【0054】つぎに図1と異なる構成の時計用文字板を
図2の断面図に示す。図1に示す文字板21との構成上
の相違点は、層間絶縁膜19を設けて、そしてこの層間
絶縁膜19に接続穴を設ける点である。
【0055】この層間絶縁膜19は、酸化シリコン、あ
るいはボロンやリンなどの不純物を含む酸化シリコンな
どの透光性の高い絶縁膜で構成する。
【0056】そしてこの接続穴を介して、第1の半導体
層15aと、第2の半導体層15bの下面の第1の電極
13とを第2の電極17によって接続することができ
る。
【0057】この図2に示すように、層間絶縁膜19を
形成することにより、第1の半導体層15aの側面部
は、絶縁性被膜で被覆することができる。
【0058】このため半導体層15側面部を介してのリ
ーク電流を低減することができ、特性が向上した太陽電
池を備える時計用文字板が得られる。
【0059】この図2に示す文字板21の製造方法は、
図1に示す文字板とほとんど同じ処理方法をおこなえば
よい。以下の説明は図1を用いて説明した製造方法を異
なる点を中心に説明する。
【0060】凹凸を形成した基板11の上に第1の電極
13と半導体層15とを形成する。その後、全面に酸化
シリコンからなる層間絶縁膜19を形成する。この層間
絶縁膜19の形成は、気相成長法を用いて300nm程
度の膜厚で形成する。
【0061】その後、層間絶縁膜19上面に感光性樹脂
(図示せず)を回転塗布法により形成し、接続穴パター
ンを形成したフォトマスクを用いて露光、現像処理を行
い、感光性樹脂をパターニングする。
【0062】その後、このパターニングした感光性樹脂
をエッチングマスクに用いて、層間絶縁膜19をエッチ
ングすることにより接続穴を形成する。層間絶縁膜19
のエッチングは、フッ酸系のエッチング液を用いた湿式
エッチングにより行う。
【0063】その後、図1を用いて説明した処理方法と
同じように第2の電極17を形成する。さらに第2の電
極17上の全面に保護膜を形成する。
【0064】なお以上の説明では、基板11としてガラ
スを使用した例で説明したが、セラッミクスなどの絶縁
材料、あるいはしんちゅうやステンレスやアルミニウム
や鉄系などの金属材料も、基板11として使用可能であ
る。
【0065】基板11としてセラッミクスを使用すると
きは、グリーンシートから基板を形成するときに、セラ
ッミクス表面に凹凸を形成すればよい。
【0066】さらにガラスからなる基板11表面に凹凸
を形成する方法としては、前述の方法以外に、加熱した
状態で圧力を加え、凹凸を形成した型に基板を押しつけ
て、基板11表面に凹凸を形成することもできる。
【0067】さらに第1の電極13と半導体層15と第
2の電極17のパターニング方法としては、メタルマス
クを用いたパターニング方法で説明したが、以下に記載
する感光性樹脂を用いた方法によっても、パターニング
することができる。
【0068】パターニングしようとする被膜上の全面
に、感光性樹脂を回転塗布法により形成する。そして所
定の形状にパターニングしたフォトマスクを用いて露
光、および現像処理を行い、所定形状のパターンを形成
した感光性樹脂を形成する。
【0069】その後、このパターニングした感光性樹脂
をエッチングマスクに用いて、被膜を湿式エッチング、
あるいは乾式エッチングによりパターニングする。
【0070】なお感光性樹脂としては、ネガ型のフォト
レジスト、あるいはポジ型のフォトレジストを使用す
る。
【0071】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
時計用文字板においては、凹凸を形成した基板上に太陽
電池を設けている。このため従来より太陽電池の実質的
な表面積が増加し、面積が小さな文字板でも、時計を駆
動するのに充分な起電力を得ることができる。
【0072】このため婦人用の小型の文字板でも、時計
を駆動すうのに充分な起電力を得ることができる。さら
に文字板に占める太陽電池の面積を削減することがで
き、文字板のデザイン上に制約が少なくなり、従来より
多様なデザインを有する時計用文字板を提供することが
できる。
【0073】ここで本発明の20μmの凹凸を形成した
太陽電池を有する文字板と、従来の表面平坦な基板に太
陽電池を形成した文字板とにおける光起電力を比較し
た。その結果、本発明は従来よりおよそ1.5倍の光起
電力が得られている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例における時計用文字板の構成お
よびその製造方法を示す断面図である。
【図2】本発明の実施例における時計用文字板の構成お
よびその製造方法を示す断面図である。
【図3】本発明の実施例における時計用文字板を適用し
た時計を示す断面図である。
【符号の説明】
11 基板 13 第1の電極 15 半導体層 17 第2の電極 19 層間絶縁膜 21 文字板

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面に凹凸を有する基板と、基板の凹凸
    面上に設ける第1の電極と、第1の電極上に設ける半導
    体層と、半導体層上に設ける第2の電極とを有すること
    を特徴とする時計用文字板。
  2. 【請求項2】 表面に凹凸を有する基板と、基板の凹凸
    面上に設ける絶縁膜と、絶縁膜上に設ける第1の電極
    と、第1の電極上に設ける半導体層と、半導体層上に設
    ける第2の電極とを有することを特徴とする時計用文字
    板。
  3. 【請求項3】 表面に凹凸を有する基板と、基板の凹凸
    面上に設ける第1の電極と、第1の電極上に設ける半導
    体層と、半導体層上に設ける層間絶縁膜と、層間絶縁膜
    に設ける接続穴と、第2の電極とを有することを特徴と
    する時計用文字板。
  4. 【請求項4】 表面に凹凸を有する基板と、基板の凹凸
    面上に設ける絶縁膜と、絶縁膜上に設ける第1の電極
    と、第1の電極上に設ける半導体層と、半導体層上に設
    ける層間絶縁膜と、層間絶縁膜に設ける接続穴と、第2
    の電極とを有することを特徴とする時計用文字板。
  5. 【請求項5】 表面に凹凸を有する基板と、基板の凹凸
    面上に設ける第1の電極と、第1の電極上に設ける半導
    体層と、半導体層上に設ける第2の電極と、保護膜とを
    有することを特徴とする時計用文字板。
  6. 【請求項6】 表面に凹凸を有する基板と、基板の凹凸
    面上に設ける絶縁膜と、絶縁膜上に設ける第1の電極
    と、第1の電極上に設ける半導体層と、半導体層上に設
    ける第2の電極と、保護膜とを有することを特徴とする
    時計用文字板。
  7. 【請求項7】 表面に凹凸を有する基板と、基板の凹凸
    面上に設ける第1の電極と、第1の電極上に設ける半導
    体層と、半導体層上に設ける層間絶縁膜と、層間絶縁膜
    に設ける接続穴と、第2の電極と、保護膜とを有するこ
    とを特徴とする時計用文字板。
  8. 【請求項8】 表面に凹凸を有する基板と、基板の凹凸
    面上に設ける絶縁膜と、絶縁膜上に設ける第1の電極
    と、第1の電極上に設ける半導体層と、半導体層上に設
    ける層間絶縁膜と、層間絶縁膜に設ける接続穴と、第2
    の電極と、保護膜とを有することを特徴とする時計用文
    字板。
  9. 【請求項9】 基板は、絶縁材料、あるいは金属材料か
    らなることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、
    6、7、あるいは8記載の時計用文字板。
  10. 【請求項10】 半導体層は、導電型がp−i−n構
    造、あるいはp−n構造からなることを特徴とする請求
    項1、2、3、4、5、6、7、あるいは8記載の時計
    用文字板。
  11. 【請求項11】 第1の電極は、アルミニウム、アルミ
    ニウム合金、モリブデン、モリブデン合金、タングステ
    ン、タングステン合金、タンタル、タンタル合金、チタ
    ン、あるいはチタン合金からなることを特徴とする請求
    項1、2、3、4、5、6、7、あるいは8記載の時計
    用文字板。
  12. 【請求項12】 第2の電極は、透明導電膜からなるこ
    とを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、あ
    るいは8記載の時計用文字板。
  13. 【請求項13】 層間絶縁膜は、酸化シリコン、あるい
    は不純物を含む酸化シリコンからなることを特徴とする
    請求項3、4、7、あるいは8記載の時計用文字板。
  14. 【請求項14】 基板の表面に凹凸を形成する工程と、
    基板の凹凸面上に第1の電極を形成し、半導体層を形成
    し、さらに第2の電極を形成する工程とを有することを
    特徴とする時計用文字板の製造方法。
  15. 【請求項15】 基板の表面に凹凸を形成する工程と、
    基板の凹凸面上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に
    第1の電極を形成し、半導体層を形成し、さらに第2の
    電極を形成する工程とを有することを特徴とする時計用
    文字板の製造方法。
  16. 【請求項16】 基板の表面に凹凸を形成する工程と、
    基板の凹凸面上に第1の電極を形成し、半導体層を形成
    する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜に
    接続穴を形成する工程と、さらに第2の電極を形成する
    工程とを有することを特徴とする時計用文字板の製造方
    法。
  17. 【請求項17】 基板の表面に凹凸を形成する工程と、
    基板の凹凸面上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に
    第1の電極を形成し、半導体層を形成する工程と、全面
    に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜に接続穴を形成する
    工程と、さらに第2の電極を形成する工程とを有するこ
    とを特徴とする時計用文字板の製造方法。
  18. 【請求項18】 基板の表面に凹凸を形成する工程と、
    基板の凹凸面上に第1の電極を形成し、半導体層を形成
    し、さらに第2の電極を形成する工程と、保護膜を形成
    する工程とを有することを特徴とする時計用文字板の製
    造方法。
  19. 【請求項19】 基板の表面に凹凸を形成する工程と、
    基板の凹凸面上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に
    第1の電極を形成し、半導体層を形成し、さらに第2の
    電極を形成する工程と、保護膜を形成する工程とを有す
    ることを有することを特徴とする時計用文字板の製造方
    法。
  20. 【請求項20】 基板の表面に凹凸を形成する工程と、
    基板に第1の電極を形成し、半導体層を形成する工程
    と、全面に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜に接続穴を
    形成する工程と、さらに第2の電極を形成する工程と、
    保護膜を形成する工程とを有することを特徴とする時計
    用文字板の製造方法。
  21. 【請求項21】 基板の表面に凹凸を形成する工程と、
    絶縁膜を形成する工程と、基板に第1の電極を形成し、
    半導体層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成
    し、層間絶縁膜に接続穴を形成する工程と、さらに第2
    の電極を形成する工程と、保護膜を形成する工程とを有
    することを有することを特徴とする時計用文字板の製造
    方法。
  22. 【請求項22】 絶縁膜は、化学気相成長法や物理気相
    成長法により形成する酸化シリコン、窒化シリコン、酸
    化アルミニウム、あるいは酸化タンタルからなることを
    特徴とする請求項15、17、19、あるいは21記載
    の時計用文字板の製造方法。
  23. 【請求項23】 絶縁膜は、塗布法により形成する酸化
    シリコン、あるいは樹脂膜からなることを特徴とする請
    求項15、17、19、あるいは21記載の時計用文字
    板の製造方法。
  24. 【請求項24】 基板表面に凹凸を形成する方法は、砥
    粒を基板表面に吹き付けるサンドブラスト法または砥粒
    と液体との混合物を基板表面に噴射する液体ホーニング
    処理、あるいはエッチング処理であることを特徴とする
    請求項14、15、16、17、18、19、20、あ
    るいは21記載の時計用文字板の製造方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001217444A (ja) * 1999-12-27 2001-08-10 Asulab Sa 有色外観を持つ特に時計文字盤用光電池
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JP2002222976A (ja) * 2001-01-29 2002-08-09 Kyocera Corp 光電変換装置
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JP2010199114A (ja) * 2009-02-23 2010-09-09 Disco Abrasive Syst Ltd 太陽電池

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