JP2001267607A - 太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
太陽電池およびその製造方法Info
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 太陽電池の形成において微細な保護膜パター
ンを実現し、つなぎ電極部および取り出し電極部での面
積の無駄を最小限に減らす。 【解決手段】 本発明の太陽電池は感光性樹脂を保護膜
として用いる。感光性樹脂を用いることにより、フォト
リソグラフィ法を使うことができ、微細な保護膜形状を
得ることができる。このことによって、接続部の面積を
小さくすることができ、太陽電池の発電面積を最大限に
拡げることができる。
ンを実現し、つなぎ電極部および取り出し電極部での面
積の無駄を最小限に減らす。 【解決手段】 本発明の太陽電池は感光性樹脂を保護膜
として用いる。感光性樹脂を用いることにより、フォト
リソグラフィ法を使うことができ、微細な保護膜形状を
得ることができる。このことによって、接続部の面積を
小さくすることができ、太陽電池の発電面積を最大限に
拡げることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池とその製
造方法に関する。更に具体的には小型電子機器に用いる
及び太陽電池時計に用いる太陽電池に関する。
造方法に関する。更に具体的には小型電子機器に用いる
及び太陽電池時計に用いる太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子腕時計、携帯電話等の小型携
帯電子機器が発達し、その電源として太陽電池が注目さ
れている。これら、小型携帯電子機器に太陽電池を用い
る場合は、常に機器が動かせるように、通常、太陽電池
を１次電池として用い、ニッケルリチウム電池等の充電
池を２次電池として用いる構成がとられる。
帯電子機器が発達し、その電源として太陽電池が注目さ
れている。これら、小型携帯電子機器に太陽電池を用い
る場合は、常に機器が動かせるように、通常、太陽電池
を１次電池として用い、ニッケルリチウム電池等の充電
池を２次電池として用いる構成がとられる。
【０００３】ここで、基板上に電極とｐ−ｉ−ｎ接合型
の非晶質シリコン膜を積層して形成した太陽電池は、動
作時の起電力が０．５Ｖ程度にとどまるため、１個の素
子ではニッケルリチウム電池等の２次電池に充電させる
ことができない。そこで、基板上に複数個の太陽電池素
子を配置して、これらの素子を直列接続した構成とする
ことにより加算された起電圧を得て、２次電池への充電
を行う構造が取られる。従って、太陽電池には取り出し
電極以外に各太陽電池をつなぐ接続電極も必要である。
の非晶質シリコン膜を積層して形成した太陽電池は、動
作時の起電力が０．５Ｖ程度にとどまるため、１個の素
子ではニッケルリチウム電池等の２次電池に充電させる
ことができない。そこで、基板上に複数個の太陽電池素
子を配置して、これらの素子を直列接続した構成とする
ことにより加算された起電圧を得て、２次電池への充電
を行う構造が取られる。従って、太陽電池には取り出し
電極以外に各太陽電池をつなぐ接続電極も必要である。
【０００４】図９に示すように接続電極付近では、太陽
電池素子の電極のショート不良を防ぐために保護膜によ
る保護が不可欠である。印刷法によって第２電極を覆う
場合には、Ｗ１の幅のマージンが必要である。このマー
ジンが無いと印刷が左方向にずれた場合、第２電極を保
護膜が覆っていない部分が発生してしまう。Ｗ１は通常
１００μｍ程度は必要である。
電池素子の電極のショート不良を防ぐために保護膜によ
る保護が不可欠である。印刷法によって第２電極を覆う
場合には、Ｗ１の幅のマージンが必要である。このマー
ジンが無いと印刷が左方向にずれた場合、第２電極を保
護膜が覆っていない部分が発生してしまう。Ｗ１は通常
１００μｍ程度は必要である。
【０００５】また、製造コスト低減のために、第１電極
膜と非晶質シリコン膜（以下ａ−Ｓｉ膜）と半導体膜と
第２電極膜を連続して成膜し、この後第１電極膜と第２
電極膜とをそれぞれを別の形状にパターニングする工程
で作製した太陽電池では、図９に示すように、素子間の
つなぎの中心部分にもショート不良を防ぐための保護膜
が必要となる。この印刷マージンＷ２は素子端面の両側
に必要であるから、Ｗ１の２倍の大きさが必要である。
具体的には印刷法の場合２００μｍ程度必要になる。
膜と非晶質シリコン膜（以下ａ−Ｓｉ膜）と半導体膜と
第２電極膜を連続して成膜し、この後第１電極膜と第２
電極膜とをそれぞれを別の形状にパターニングする工程
で作製した太陽電池では、図９に示すように、素子間の
つなぎの中心部分にもショート不良を防ぐための保護膜
が必要となる。この印刷マージンＷ２は素子端面の両側
に必要であるから、Ｗ１の２倍の大きさが必要である。
具体的には印刷法の場合２００μｍ程度必要になる。
【０００６】太陽電池を小型携帯電子機器に用いる場合
には、太陽電池を配設できる面積が限られるため、接続
電極や取り出し電極の面積はできるだけ小さいことが望
ましい。つまり、Ｗ１およびＷ２の大きさはできるだけ
小さい方がよい。
には、太陽電池を配設できる面積が限られるため、接続
電極や取り出し電極の面積はできるだけ小さいことが望
ましい。つまり、Ｗ１およびＷ２の大きさはできるだけ
小さい方がよい。
【０００７】図１０と図１１は太陽電池モジュールの模
式平面図である。簡単のために、ここでは実際には素子
にかぶっている保護膜を破線で示し、下にある素子を透
かして見る図面にしてある。
式平面図である。簡単のために、ここでは実際には素子
にかぶっている保護膜を破線で示し、下にある素子を透
かして見る図面にしてある。
【０００８】また、図１０は通常の太陽電池を示したも
ので、図１１は表示体の上に配置できるようパターニン
グを行った透過型の太陽電池を示したものである。透過
型の太陽電池は、ＰＣＴ／ＪＰ９９／０６４７において
本出願人が提案した。
ので、図１１は表示体の上に配置できるようパターニン
グを行った透過型の太陽電池を示したものである。透過
型の太陽電池は、ＰＣＴ／ＪＰ９９／０６４７において
本出願人が提案した。
【０００９】図１１にしめす透過型の太陽電池の場合に
は、接続部は製品としての外観を損ねるので、図１２の
ように目隠しをする構成が取られる。その場合、接続部
が大きいとその分太陽電池の有効エリアを狭くしてしま
うことになる。
は、接続部は製品としての外観を損ねるので、図１２の
ように目隠しをする構成が取られる。その場合、接続部
が大きいとその分太陽電池の有効エリアを狭くしてしま
うことになる。
【００１０】図１０に示した通常の太陽電池の場合で
も、電子腕時計など製品として外観が問題になる場合に
は同様に目隠しをする構成がとられ、同様に接続部が大
きいとその分太陽電池の有効エリアを狭くしてしまうこ
とになる。
も、電子腕時計など製品として外観が問題になる場合に
は同様に目隠しをする構成がとられ、同様に接続部が大
きいとその分太陽電池の有効エリアを狭くしてしまうこ
とになる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、通常行われる
スクリーン印刷やメタルマスク印刷、パッド印刷などの
印刷方法によれば、印刷パターンとの合わせマージンが
１００μｍ程度は必要である。このため、接続部の面積
を合わせマージン分大きくする必要があり、その分だけ
太陽電池の面積が減少し、発電量を落とさざるをえない
という問題があった。
スクリーン印刷やメタルマスク印刷、パッド印刷などの
印刷方法によれば、印刷パターンとの合わせマージンが
１００μｍ程度は必要である。このため、接続部の面積
を合わせマージン分大きくする必要があり、その分だけ
太陽電池の面積が減少し、発電量を落とさざるをえない
という問題があった。
【００１２】本発明は上記課題を解決して、微細な保護
膜パターンを実現し、つなぎ電極部および取り出し電極
部での面積の無駄を最小限に減らすことを目的とする。
膜パターンを実現し、つなぎ電極部および取り出し電極
部での面積の無駄を最小限に減らすことを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の太陽電池は、下記記載の手段を採用する。すな
わち、基板片面に、第１電極／光電変換層／第２電極を
順次積層した素子と、素子を覆う保護膜とを備え、前記
素子は所定の形状に分割された複数の発電層からなり、
前記保護膜は感光性樹脂であり、且つ該複数の発電層か
らなる一方の素子の第２電極が保護膜で覆われていて、
第１電極の一部が露出しており、他方の素子は第１電極
が保護膜で覆われて第２電極の一部が露出するように形
成され、該複数の発電層における一方の第１電極と他方
の第２電極が導電性部材で接続されていることを特徴と
する。
本発明の太陽電池は、下記記載の手段を採用する。すな
わち、基板片面に、第１電極／光電変換層／第２電極を
順次積層した素子と、素子を覆う保護膜とを備え、前記
素子は所定の形状に分割された複数の発電層からなり、
前記保護膜は感光性樹脂であり、且つ該複数の発電層か
らなる一方の素子の第２電極が保護膜で覆われていて、
第１電極の一部が露出しており、他方の素子は第１電極
が保護膜で覆われて第２電極の一部が露出するように形
成され、該複数の発電層における一方の第１電極と他方
の第２電極が導電性部材で接続されていることを特徴と
する。
【００１４】そして、前記保護膜はアクリル系樹脂、ポ
リイミド系樹脂、エポキシ系樹脂からなる感光性樹脂の
いずれかであることが好ましい。
リイミド系樹脂、エポキシ系樹脂からなる感光性樹脂の
いずれかであることが好ましい。
【００１５】また、前記基板が絶縁性透明基板であり、
且つ前記第１電極が金属膜または透明導電膜であり、第
２電極が金属膜または透明導電膜であることが好まし
い。
且つ前記第１電極が金属膜または透明導電膜であり、第
２電極が金属膜または透明導電膜であることが好まし
い。
【００１６】さらに、前記絶縁性透明基板がガラスもし
くは樹脂材料からなることが好ましい。
くは樹脂材料からなることが好ましい。
【００１７】また、前記光電変換層がアモルファスシリ
コンを主成分とする半導体であり、発電層の接合形態が
ｐ−ｉ−ｎ接合構造からなることが好ましい。
コンを主成分とする半導体であり、発電層の接合形態が
ｐ−ｉ−ｎ接合構造からなることが好ましい。
【００１８】また、前記導電性部材が導電ペーストであ
ることが好ましい。
ることが好ましい。
【００１９】本発明の太陽電池の製造方法は、回転塗布
法あるいは押し出しコーティング法により、基板上に前
記保護膜として用いる感光性樹脂層を形成する工程と該
感光性樹脂層をフォトリソグラフィ法により所定のパタ
ーンに形成する工程を有することを特徴とする。
法あるいは押し出しコーティング法により、基板上に前
記保護膜として用いる感光性樹脂層を形成する工程と該
感光性樹脂層をフォトリソグラフィ法により所定のパタ
ーンに形成する工程を有することを特徴とする。
【００２０】本発明の太陽電池では、感光性樹脂を用い
ることにより、フォトリソグラフィ法を使うことがでる
き、微細な保護膜形状を得ることができる。このことに
よって、接続部の面積を小さくすることができ、太陽電
池の発電面積を最大限に拡げることができる。
ることにより、フォトリソグラフィ法を使うことがでる
き、微細な保護膜形状を得ることができる。このことに
よって、接続部の面積を小さくすることができ、太陽電
池の発電面積を最大限に拡げることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図１〜
８を基に説明する。本発明においては、太陽電池素子を
形成するための基板１として、ガラスやプラスチック等
の透明基板を用いる。
８を基に説明する。本発明においては、太陽電池素子を
形成するための基板１として、ガラスやプラスチック等
の透明基板を用いる。
【００２２】太陽電池素子を作成する手順としては、図
２に示すように、まず、基板１上に第１電極膜２を成膜
し、その上に光電変換層３を成膜し、さらにこの上に第
２電極膜４を成膜する。そして、その上にフォトリソグ
ラフィー法（以下フォトリソ）によりレジスト５パター
ンを形成する。
２に示すように、まず、基板１上に第１電極膜２を成膜
し、その上に光電変換層３を成膜し、さらにこの上に第
２電極膜４を成膜する。そして、その上にフォトリソグ
ラフィー法（以下フォトリソ）によりレジスト５パター
ンを形成する。
【００２３】ここでは、基板１としてガラスを用い、第
１電極膜２として透明導電膜である酸化インジウム錫
（以下、ＩＴＯ）を用い、光電変換層３としてアモルフ
ァスシリコン膜（以下、ａ−Ｓｉ膜）を用い、第２電極
膜４として金属膜であるチタンを用いる場合について説
明する。
１電極膜２として透明導電膜である酸化インジウム錫
（以下、ＩＴＯ）を用い、光電変換層３としてアモルフ
ァスシリコン膜（以下、ａ−Ｓｉ膜）を用い、第２電極
膜４として金属膜であるチタンを用いる場合について説
明する。
【００２４】ＩＴＯの成膜はスパッタリング法により行
う。このときのスパッタリングの条件は、ターゲット材
としてＩＴＯを用い、スパッタリング装置内に１００ｓ
ｃｃｍのアルゴンガスと２ｓｃｃｍの酸素ガスを導入
し、装置内の圧力を５ｍＴｏｒｒ〜３０ｍＴｏｒｒとし
て、これに１ＫＷ〜３ＫＷの高周波電力（１３．５６Ｍ
Ｈｚ）を印加して生成したプラズマによって行う。
う。このときのスパッタリングの条件は、ターゲット材
としてＩＴＯを用い、スパッタリング装置内に１００ｓ
ｃｃｍのアルゴンガスと２ｓｃｃｍの酸素ガスを導入
し、装置内の圧力を５ｍＴｏｒｒ〜３０ｍＴｏｒｒとし
て、これに１ＫＷ〜３ＫＷの高周波電力（１３．５６Ｍ
Ｈｚ）を印加して生成したプラズマによって行う。
【００２５】ａ−Ｓｉ膜３の成膜はプラズマＣＶＤ法に
より行う。このときＰ型のａ−Ｓｉ膜３を成膜するに
は、プラズマＣＶＤ装置内にシランガス５００ｓｃｃｍ
と０．１ｓｃｃｍ〜１ｓｃｃｍのジボランガスを導入
し、装置内の圧力を０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒとし、
５０Ｗ〜３００Ｗの高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）を
印加して生成したプラズマを用いてガスを分解し、温度
を２５０℃とした電極上に基板１をおいて行う。
より行う。このときＰ型のａ−Ｓｉ膜３を成膜するに
は、プラズマＣＶＤ装置内にシランガス５００ｓｃｃｍ
と０．１ｓｃｃｍ〜１ｓｃｃｍのジボランガスを導入
し、装置内の圧力を０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒとし、
５０Ｗ〜３００Ｗの高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）を
印加して生成したプラズマを用いてガスを分解し、温度
を２５０℃とした電極上に基板１をおいて行う。
【００２６】Ｉ型のａ−Ｓｉ膜３を成膜するには、プラ
ズマＣＶＤ装置内にシランガス５００ｓｃｃｍを導入
し、装置内の圧力を０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒとし、
５０Ｗ〜３００Ｗの高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）を
印加して生成したプラズマを用いてガスを分解し、温度
を２５０℃とした電極上に基板１をおいて行う。
ズマＣＶＤ装置内にシランガス５００ｓｃｃｍを導入
し、装置内の圧力を０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒとし、
５０Ｗ〜３００Ｗの高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）を
印加して生成したプラズマを用いてガスを分解し、温度
を２５０℃とした電極上に基板１をおいて行う。
【００２７】Ｎ型のａ−Ｓｉ膜３を成膜するには、プラ
ズマＣＶＤ装置内にシランガス５００ｓｃｃｍと０．１
ｓｃｃｍ〜１ｓｃｃｍのホスフィンガスを導入し、装置
内の圧力を０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒとし、５０Ｗ〜
３００Ｗの高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）を印加して
生成したプラズマを用いてガスを分解し、温度を２５０
℃とした電極上に基板１をおいて行う。
ズマＣＶＤ装置内にシランガス５００ｓｃｃｍと０．１
ｓｃｃｍ〜１ｓｃｃｍのホスフィンガスを導入し、装置
内の圧力を０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒとし、５０Ｗ〜
３００Ｗの高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）を印加して
生成したプラズマを用いてガスを分解し、温度を２５０
℃とした電極上に基板１をおいて行う。
【００２８】以上ｐ−ｉ−ｎ接合型の光電変換層につい
て説明したが、ｐ−ｎ接合型、ＣＩＳ構造、ＭＩＳ構造
を採用しても良い。
て説明したが、ｐ−ｎ接合型、ＣＩＳ構造、ＭＩＳ構造
を採用しても良い。
【００２９】チタンの成膜はスパッタリング法により行
う。このときのスパッタリングの条件は、ターゲット材
としてチタンを用い、スパッタリング装置内に１００ｓ
ｃｃｍのアルゴンガスを導入し、装置内の圧力を５ｍＴ
ｏｒｒ〜３０ｍＴｏｒｒとして、これに１ＫＷ〜３ＫＷ
の高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）を印加して生成した
プラズマによって行う。
う。このときのスパッタリングの条件は、ターゲット材
としてチタンを用い、スパッタリング装置内に１００ｓ
ｃｃｍのアルゴンガスを導入し、装置内の圧力を５ｍＴ
ｏｒｒ〜３０ｍＴｏｒｒとして、これに１ＫＷ〜３ＫＷ
の高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）を印加して生成した
プラズマによって行う。
【００３０】つぎに、上記のレジスト５膜をマスクパタ
ーンとしてチタンとａ−Ｓｉ膜３とＩＴＯのエッチング
をおこなう。
ーンとしてチタンとａ−Ｓｉ膜３とＩＴＯのエッチング
をおこなう。
【００３１】チタンのエッチングは、ドライエッチング
装置内に１００ｓｃｃｍ〜３００ｓｃｃｍのＢＣｌ３ガ
スと０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍのＣｌ２ガスを導入
し、全体の圧力を１０ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒと
して、これに１０００Ｗ〜３０００Ｗの高周波電力（１
３．５６ＭＨｚ）を印加して生成したプラズマによって
行う。
装置内に１００ｓｃｃｍ〜３００ｓｃｃｍのＢＣｌ３ガ
スと０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍのＣｌ２ガスを導入
し、全体の圧力を１０ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒと
して、これに１０００Ｗ〜３０００Ｗの高周波電力（１
３．５６ＭＨｚ）を印加して生成したプラズマによって
行う。
【００３２】ａ−Ｓｉ膜３のエッチングは、ドライエッ
チング装置内に５０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍのＳＦ６
ガスと５０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍのＣｌ２ガスを導
入し、全体の圧力を１０ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ
として、これに１０００Ｗ〜３０００Ｗの高周波電力
（１３．５６ＭＨｚ）を印加して生成したプラズマによ
って行う。
チング装置内に５０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍのＳＦ６
ガスと５０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍのＣｌ２ガスを導
入し、全体の圧力を１０ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ
として、これに１０００Ｗ〜３０００Ｗの高周波電力
（１３．５６ＭＨｚ）を印加して生成したプラズマによ
って行う。
【００３３】ＩＴＯのエッチングは、ドライエッチング
装置内に１００ｓｃｃｍ〜３００ｓｃｃｍのＨＢｒガス
と０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍのＡｒガスを導入し、全
体の圧力を１０ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒとして、
これに１０００Ｗ〜３０００Ｗの高周波電力（１３．５
６ＭＨｚ）を印加して生成したプラズマによって行う。
装置内に１００ｓｃｃｍ〜３００ｓｃｃｍのＨＢｒガス
と０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍのＡｒガスを導入し、全
体の圧力を１０ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒとして、
これに１０００Ｗ〜３０００Ｗの高周波電力（１３．５
６ＭＨｚ）を印加して生成したプラズマによって行う。
【００３４】この後、レジスト５を剥離して、図３に示
すように所望のパターンを得る。
すように所望のパターンを得る。
【００３５】さらに図４に示すように、この上にフォト
リソによりレジスト５パターンを形成する。そして、こ
のレジスト５パターンをエッチングマスクとしてチタン
とａ−Ｓｉ膜３のエッチングを行う。これにより、第１
電極膜であるＩＴＯの一部をむき出しにする。この工程
は、第１電極を取り出すことをことを目的としている。
リソによりレジスト５パターンを形成する。そして、こ
のレジスト５パターンをエッチングマスクとしてチタン
とａ−Ｓｉ膜３のエッチングを行う。これにより、第１
電極膜であるＩＴＯの一部をむき出しにする。この工程
は、第１電極を取り出すことをことを目的としている。
【００３６】チタンとａ−Ｓｉ膜３のエッチングは、前
述と同様にして、ドライエッチング装置にて行う。
述と同様にして、ドライエッチング装置にて行う。
【００３７】この後、レジスト５パターンを剥離して図
５に示すように隣接する第２電極と第１電極がむき出し
になった構造をえる。
５に示すように隣接する第２電極と第１電極がむき出し
になった構造をえる。
【００３８】つぎに、本発明では図６に示すように保護
膜として用いる感光性樹脂（ここでは、ネガ型の感光性
樹脂を用いる場合について説明する。）を回転塗布法も
しくは、押し出しコーティング法により基板上に形成す
る。そして、感光性樹脂に含まれる溶剤成分を飛ばすた
めに、９０℃で２分間の焼成を行う。
膜として用いる感光性樹脂（ここでは、ネガ型の感光性
樹脂を用いる場合について説明する。）を回転塗布法も
しくは、押し出しコーティング法により基板上に形成す
る。そして、感光性樹脂に含まれる溶剤成分を飛ばすた
めに、９０℃で２分間の焼成を行う。
【００３９】そして、図７に示すように遮光パターン２
１を有するフォトリソマスク２０を介してこの感光性樹
脂に光を照射し、光照射部の感光性樹脂を硬化させる。
つぎに、現像液を用いて、シャワー式現像処理を行い、
未照射部の感光性樹脂を取り除く。この後、２００℃で
３０分の焼成処理を行い、図８に示すような保護膜パタ
ーンが形成される。
１を有するフォトリソマスク２０を介してこの感光性樹
脂に光を照射し、光照射部の感光性樹脂を硬化させる。
つぎに、現像液を用いて、シャワー式現像処理を行い、
未照射部の感光性樹脂を取り除く。この後、２００℃で
３０分の焼成処理を行い、図８に示すような保護膜パタ
ーンが形成される。
【００４０】フォトリソ法を用いれば、ショート不良を
防ぐための保護膜の合わせマージンは１０μｍ程度でよ
く、印刷法を使った場合に必要な１００μｍ程度の合わ
せマージンと比較すると１０分の１程度にすることが可
能である。
防ぐための保護膜の合わせマージンは１０μｍ程度でよ
く、印刷法を使った場合に必要な１００μｍ程度の合わ
せマージンと比較すると１０分の１程度にすることが可
能である。
【００４１】この結果、取り出し電極及び、接続電極部
の面積を大幅に減少させることができ、その減少分を太
陽電池の面積に割り当てることができる。
の面積を大幅に減少させることができ、その減少分を太
陽電池の面積に割り当てることができる。
【００４２】最後に、印刷により導電性ペーストを塗布
し焼成することによって、図１に示すように素子が直列
接続され太陽電池が完成する。
し焼成することによって、図１に示すように素子が直列
接続され太陽電池が完成する。
【００４３】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明の太陽電池で
は、感光性樹脂を保護膜として用いる。そして、太陽電
池の製造方法として、フォトリソグラフィ法を用い、感
光性樹脂をパターニングする。これによって、接続部の
面積を小さくすることができ、太陽電池の発電面積を最
大限に拡げることができる。
は、感光性樹脂を保護膜として用いる。そして、太陽電
池の製造方法として、フォトリソグラフィ法を用い、感
光性樹脂をパターニングする。これによって、接続部の
面積を小さくすることができ、太陽電池の発電面積を最
大限に拡げることができる。
【図１】本発明による太陽電池を示す断面図である。
【図２】本発明による太陽電池の製造方法を示す断面図
である。
である。
【図３】本発明による太陽電池の製造方法を示す断面図
である。
である。
【図４】本発明による太陽電池の製造方法を示す断面図
である。
である。
【図５】本発明による太陽電池の製造方法を示す断面図
である。
である。
【図６】本発明による太陽電池の製造方法を示す断面図
である。
である。
【図７】本発明による太陽電池の製造方法を示す断面図
である。
である。
【図８】本発明による太陽電池の製造方法を示す断面図
である。
である。
【図９】従来の太陽電池を示す断面図である。
【図１０】太陽電池の平面図である。
【図１１】透過型の太陽電池を示す平面図である。
【図１２】目隠しをした透過型の太陽電池を示す平面図
である。
である。
１ 基板 ２ 第１電極膜 ３ 光電変換層 ４ 第２電極膜 ５ レジスト １０ 従来の保護膜 １１ 感光性樹脂保護膜 １２ 導電ペースト ２０ フォトリソマスク ２１ 遮光膜
Claims (8)
- 【請求項１】 基板片面に、第１電極／光電変換層／第
２電極を順次積層した素子と素子を覆う保護膜とを備
え、前記素子は所定の形状に分割された複数の発電層か
らなり、前記保護膜は感光性樹脂であり、且つ該複数の
発電層からなる一方の素子の第２電極が保護膜で覆われ
ていて、第１電極の一部が露出しており、他方の素子は
第１電極が保護膜で覆われて第２電極の一部が露出する
ように形成され、該複数の発電層における一方の第１電
極と他方の第２電極が導電性部材で接続されていること
を特徴とする太陽電池。 - 【請求項２】 前記保護膜はアクリル系樹脂、ポリイミ
ド系樹脂、エポキシ系樹脂からなる感光性樹脂のいずれ
かであることを特徴とする特許請求の範囲１項記載の太
陽電池。 - 【請求項３】 前記基板が絶縁性透明基板であり、且つ
前記第１電極が金属膜または透明導電膜であり、第２電
極が金属膜または透明導電膜であることを特徴とする特
許請求の範囲１または２項記載の太陽電池。 - 【請求項４】 前記絶縁性透明基板がガラスもしくは樹
脂材料からなることを特徴とする特許請求の範囲３項記
載の太陽電池。 - 【請求項５】 前記光電変換層がアモルファスシリコン
を主成分とする半導体であることを特徴とする特許請求
の範囲１から４項いずれかに記載の太陽電池。 - 【請求項６】 前記発電層の接合形態がｐ−ｉ−ｎ接合
構造からなることを特徴とする特許請求の範囲１から５
項いずれかに記載の太陽電池。 - 【請求項７】 前記導電性部材が導電ペーストであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲１から６項いずれかに記
載の太陽電池。 - 【請求項８】 回転塗布法あるいは押し出しコーティン
グ法により、基板上に前記保護膜として用いる感光性樹
脂層を形成する工程と該感光性樹脂層をフォトリソグラ
フィ法により所定のパターンに形成する工程を有するこ
とを特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000079832A JP2001267607A (ja) | 2000-03-22 | 2000-03-22 | 太陽電池およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000079832A JP2001267607A (ja) | 2000-03-22 | 2000-03-22 | 太陽電池およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001267607A true JP2001267607A (ja) | 2001-09-28 |
Family
ID=18597026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000079832A Pending JP2001267607A (ja) | 2000-03-22 | 2000-03-22 | 太陽電池およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001267607A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004277708A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-10-07 | Nitto Denko Corp | 樹脂シート、それを用いた液晶セル基板 |
| JP2012244181A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 有機保護膜組成物およびこれから製造される有機保護膜を含む薄膜トランジスタ、並びに電子素子 |
| KR20180120372A (ko) * | 2017-04-27 | 2018-11-06 | 연세대학교 산학협력단 | 광전 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 바이오 센서 키트 |
-
2000
- 2000-03-22 JP JP2000079832A patent/JP2001267607A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2012244181A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 有機保護膜組成物およびこれから製造される有機保護膜を含む薄膜トランジスタ、並びに電子素子 |
| KR20180120372A (ko) * | 2017-04-27 | 2018-11-06 | 연세대학교 산학협력단 | 광전 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 바이오 센서 키트 |
| KR101958082B1 (ko) * | 2017-04-27 | 2019-07-04 | 연세대학교 산학협력단 | 광전 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 바이오 센서 키트 |
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