JP2010192692A - 熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不純物が注入された基板に光照射熱処理を行うフラッシュランプの発光出力を、1ミリセカンド以上100ミリセカンド以下の時間をかけて目標値L1にまで上昇させ、続いて目標値L1から±30%以内の変動幅の範囲内に5ミリセカンド以上100ミリセカンド以下維持し、その後1ミリセカンド以上100ミリセカンド以下の時間をかけて目標値L1から0まで減衰させる。すなわち、従来のフラッシュランプアニールに比較して、フラッシュランプの発光出力を緩やかに上昇させてしばらく一定に維持した後に緩やかに下降させている。その結果、基板の表面が受けるトータル熱量は従来より増大しつつもその表面温度は従来より緩やかに昇温してから緩やかに降温する。
【選択図】図11
Description
3 制御部
4 保持部昇降機構
5 ランプハウス
6 チャンバー
7 保持部
12 ソース・ドレイン領域
13 エクステンション領域
15 ゲート電極
16 サイドウォール
31 パルス発生器
32 波形設定部
33 入力部
60 上部開口
61 チャンバー窓
65 熱処理空間
71 ホットプレート
72 サセプタ
91 トリガー電極
92 ガラス管
93 コンデンサ
94 コイル
95 電源ユニット
96 スイッチング素子
97 トリガー回路
FL フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (10)
- 不純物が注入された基板を加熱して不純物の活性化を行う熱処理方法であって、
基板に形成される半導体素子の所定領域に不純物を注入する不純物注入工程と、
前記所定領域を含む基板の表面に10ミリセカンド以上1000ミリセカンド以下の時間範囲にて光を照射して加熱する光照射工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記光照射工程は、
発光出力を目標値から±30%以内の変動幅の範囲内に5ミリセカンド以上100ミリセカンド以下維持する定出力照射工程と、
前記定出力照射工程の後に、発光出力を1ミリセカンド以上100ミリセカンド以下の時間をかけて減衰させる出力減衰工程と、
を含むことを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記光照射工程は、
発光出力を1ミリセカンド以上100ミリセカンド以下の時間をかけて目標値にまで上昇させる出力上昇工程と、
前記出力上昇工程の後に、発光出力を前記目標値から±30%以内の変動幅の範囲内に5ミリセカンド以上100ミリセカンド以下維持する定出力照射工程と、
を含むことを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記光照射工程は、
発光出力を1ミリセカンド以上100ミリセカンド以下の時間をかけて目標値にまで上昇させる出力上昇工程と、
前記出力上昇工程の後に、発光出力を前記目標値から±30%以内の変動幅の範囲内に5ミリセカンド以上100ミリセカンド以下維持する定出力照射工程と、
前記定出力照射工程の後に、発光出力を1ミリセカンド以上100ミリセカンド以下の時間をかけて減衰させる出力減衰工程と、
を含むことを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記光照射工程は、
発光出力を1ミリセカンド以上100ミリセカンド以下の時間をかけて第1目標値にまで上昇させる出力上昇工程と、
前記出力上昇工程の後に、発光出力を前記第1目標値から±30%以内の変動幅の範囲内に5ミリセカンド以上100ミリセカンド以下維持する第1定出力照射工程と、
前記第1定出力照射工程の後に、発光出力を前記第1目標値から前記第1目標値よりも小さな第2目標値にまで1ミリセカンド以上100ミリセカンド以下の時間をかけて減衰させる第1出力減衰工程と、
前記第1出力減衰工程の後に、発光出力を前記第2目標値から±30%以内の変動幅の範囲内に5ミリセカンド以上100ミリセカンド以下維持する第2定出力照射工程と、
前記第2定出力照射工程の後に、発光出力を1ミリセカンド以上100ミリセカンド以下の時間をかけて減衰させる第2出力減衰工程と、
を含むことを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記光照射工程は、
発光出力を5ミリセカンド以下にて目標値にまで上昇させる出力上昇工程と、
前記出力上昇工程の後に、発光出力を1ミリセカンド以上100ミリセカンド以下の時間をかけて減衰させる出力減衰工程と、
を含むことを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記不純物注入工程は、基板に形成される電界効果トランジスタのソース・ドレイン領域に不純物を注入する工程を含むことを特徴とする熱処理方法。 - 請求項7に記載の熱処理方法において、
前記不純物注入工程は、電界効果トランジスタのエクステンション領域に不純物を注入する工程をさらに含むことを特徴とする熱処理方法。 - 請求項7または請求項8記載の熱処理方法において、
前記光照射工程よりも前に、基板の表面に電界効果トランジスタのゲート電極を形成するゲート電極形成工程をさらに備えることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1から請求項9のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記光照射工程の光照射をフラッシュランプから行うことを特徴とする熱処理方法。
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