JP2010184831A - 高純度多結晶シリコン製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 反応炉1から排出される排ガスAを凝縮器2に通し、主に排ガスA中のクロロシラン類を凝縮除去する。その後、凝縮器2を通過した排ガスBをコンプレッサ3で加圧して吸収塔4、吸着塔6に通し、精製水素ガスDとして反応塔1に戻す。凝縮器2において増設等により容量を増大し、排ガス滞留時間を長くして、メタンガスの凝縮液への溶解を促進することにより、メタン濃度を3/4以下にする。精製水素ガスDのメタン濃度が下がり、排ガスA中のメタン濃度が15ppm以上の場合も、精製水素ガスDのメタン濃度を1ppm未満にすることができる。
【選択図】 図1
Description
2 凝縮器
3 コンプレッサ
4 吸収塔
5 冷却装置
6,61 ,62 吸着塔
Claims (3)
- 反応炉内でクロロシランと水素とを反応させて多結晶シリコンを製造するシリコン製造方法において、反応炉から排出される排ガス中の水素ガスを精製し循環使用するために、前記排ガスを凝縮器に通して未反応のクロロシランを凝縮分離する際に、凝縮温度をメタンの沸点より高い−70〜−20℃に維持しつつ、前記凝縮器で排ガス中のメタン濃度を3/4以下に低下させることを特徴とする高純度多結晶シリコン製造方法。
- 請求項1に記載の高純度多結晶シリコン製造方法において、前記凝縮器から排出される排ガス中のメタン濃度が15ppm以上であり、前記反応炉に還流する排ガス中のメタン濃度が1ppm未満である高純度多結晶シリコンの製造方法。
- 請求項1又は2に記載の高純度多結晶シリコン製造方法において、前記凝縮器から排出された排ガスを、吸収塔又は凝縮器、及び吸着塔を経て前記反応炉に還流させる高純度多結晶シリコン製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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JP2010184831A true JP2010184831A (ja) | 2010-08-26 |
JP5339948B2 JP5339948B2 (ja) | 2013-11-13 |
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Country Status (1)
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JP (1) | JP5339948B2 (ja) |
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