JP2010184819A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010184819A5 JP2010184819A5 JP2009028444A JP2009028444A JP2010184819A5 JP 2010184819 A5 JP2010184819 A5 JP 2010184819A5 JP 2009028444 A JP2009028444 A JP 2009028444A JP 2009028444 A JP2009028444 A JP 2009028444A JP 2010184819 A5 JP2010184819 A5 JP 2010184819A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass crucible
- quartz glass
- single crystal
- crystallization accelerator
- silicon single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 19
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 10
- 230000005712 crystallization Effects 0.000 claims 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 9
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 5
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium(0) Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral Effects 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
Claims (11)
- シリコン単結晶引き上げ用の石英ガラスルツボであって、結晶化促進剤含有層を内表面に有し、シリコン単結晶の引き上げ時に、内表面に結晶化促進剤によりその全面積が石英ガラスルツボの内表面の30〜80%を占める斑状の結晶化領域が形成されることを特徴とする石英ガラスルツボ。
- 斑状の結晶化領域は、シリコン単結晶の引き上げ時に石英ガラスルツボの内表面に点在的に発生した結晶化物質が連続的に結合して形成されることを特徴とする請求項1に記載の石英ガラスルツボ。
- 斑状の結晶化領域は、実質的に周縁部が閉じて独立した形状を有し当該形状の面積が10〜100mm2の範囲にある単位領域を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の石英ガラスルツボ。
- 斑状の結晶化領域の単位領域のうち少なくとも一部は、単位領域同士がさらに連続的に結合していることを特徴とする請求項3に記載の石英ガラスルツボ。
- 斑状の結晶化領域には、シリコン単結晶の引上げ時に10〜100μmの微少穴が発生しないことを特徴とする請求項4に記載の石英ガラスルツボ。
- 結晶化促進剤は、マグネシウム、ストロンチウム、カルシウム、およびバリウムから選ばれる2a族元素の少なくとも1種であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の石英ガラスルツボ。
- 結晶化促進剤はバリウムであり、結晶化促進剤含有層は、バリウムをコーティングした高純度シリカ粉を石英ガラスルツボの内表面に供給し溶融させて形成したものであることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の石英ガラスルツボ。
- 結晶化促進剤含有層は、厚さが30〜200μmであることを特徴とする請求項7または8に記載の石英ガラスルツボ。
- 結晶化促進剤含有層は、バリウム濃度が100〜200ppmであることを特徴とする請求項7から9のいずれかに記載の石英ガラスルツボ。
- 結晶化促進剤含有層は、バリウム濃度が130〜170ppmであることを特徴とする請求項7から10のいずれかに記載の石英ガラスルツボ。
- 請求項1から10のいずれかに記載の石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法であって、多結晶シリコンを石英ガラスルツボ内に投入する工程と、多結晶シリコンを加熱溶解してシリコン融液とする工程と、種結晶を用いて石英ガラスルツボ内のシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げる工程とを含むことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/148,768 US20120006254A1 (en) | 2009-02-10 | 2009-02-09 | Quartz glass crucible for pulling single-crystal silicon and process for producing single-crystal silicon |
JP2009028444A JP4866924B2 (ja) | 2009-02-10 | 2009-02-10 | シリコン単結晶引き上げ用の石英ガラスルツボおよびシリコン単結晶の製造方法 |
EP10741232A EP2397582A1 (en) | 2009-02-10 | 2010-02-09 | Quartz glass crucible for pulling single-crystal silicon and process for producing single-crystal silicon |
SG2011057502A SG173618A1 (en) | 2009-02-10 | 2010-02-09 | Quartz glass crucible for pulling single-crystal silicon and process for producing single-crystal silicon |
KR1020117018531A KR20120013300A (ko) | 2009-02-10 | 2010-02-09 | 실리콘 단결정 인상용의 석영 유리 도가니 및 실리콘 단결정의 제조방법 |
PCT/JP2010/051893 WO2010092955A1 (ja) | 2009-02-10 | 2010-02-09 | シリコン単結晶引き上げ用の石英ガラスルツボおよびシリコン単結晶の製造方法 |
CN2010800073695A CN102317511A (zh) | 2009-02-10 | 2010-02-09 | 硅单结晶拉升用石英玻璃坩埚及硅单结晶的制造方法 |
TW099104108A TW201035392A (en) | 2009-02-10 | 2010-02-10 | Quartz glass crucible for pulling silicon single crystal and method for producing silicon single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009028444A JP4866924B2 (ja) | 2009-02-10 | 2009-02-10 | シリコン単結晶引き上げ用の石英ガラスルツボおよびシリコン単結晶の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010184819A JP2010184819A (ja) | 2010-08-26 |
JP2010184819A5 true JP2010184819A5 (ja) | 2011-10-06 |
JP4866924B2 JP4866924B2 (ja) | 2012-02-01 |
Family
ID=42561797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009028444A Expired - Fee Related JP4866924B2 (ja) | 2009-02-10 | 2009-02-10 | シリコン単結晶引き上げ用の石英ガラスルツボおよびシリコン単結晶の製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120006254A1 (ja) |
EP (1) | EP2397582A1 (ja) |
JP (1) | JP4866924B2 (ja) |
KR (1) | KR20120013300A (ja) |
CN (1) | CN102317511A (ja) |
SG (1) | SG173618A1 (ja) |
TW (1) | TW201035392A (ja) |
WO (1) | WO2010092955A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5610570B2 (ja) * | 2010-07-20 | 2014-10-22 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボ、シリコンインゴットの製造方法 |
CN102453956B (zh) * | 2010-10-27 | 2016-03-23 | 杭州先进石英材料有限公司 | 一种石英玻璃坩埚及其制备方法 |
JP5509189B2 (ja) | 2011-12-26 | 2014-06-04 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | 単結晶シリコンの製造方法 |
JP5509188B2 (ja) | 2011-12-26 | 2014-06-04 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | 単結晶シリコンの製造方法 |
KR101680215B1 (ko) * | 2015-01-07 | 2016-11-28 | 주식회사 엘지실트론 | 실리콘 단결정 잉곳 제조 방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 실리콘 단결정 잉곳 |
KR101829291B1 (ko) * | 2016-08-05 | 2018-02-19 | 에스케이실트론 주식회사 | 도가니 및 이를 포함하는 단결정 성장 장치 |
CN109477239A (zh) * | 2016-09-23 | 2019-03-15 | 胜高股份有限公司 | 石英玻璃坩埚及其制造方法以及使用了石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法 |
TWI651283B (zh) * | 2017-04-28 | 2019-02-21 | 友達晶材股份有限公司 | 坩堝結構及其製作方法與矽晶結構及其製作方法 |
DE102020000701A1 (de) * | 2020-02-03 | 2021-08-05 | Siltronic Ag | Quarzglastiegel zur Herstellung von Siliciumkristallen und Verfahren zur Herstellung von Quarzglastiegel |
CN115142121B (zh) * | 2021-03-31 | 2023-06-20 | 晶科能源股份有限公司 | 提高复投单晶硅成晶率的方法及单晶硅制备装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6641663B2 (en) * | 2001-12-12 | 2003-11-04 | Heracus Shin-Estu America | Silica crucible with inner layer crystallizer and method |
JP2003095678A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-04-03 | Heraeus Shin-Etsu America | シリコン単結晶製造用ドープ石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
JP2005145731A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Kuramoto Seisakusho Co Ltd | 結晶化石英ルツボ |
JP2006021985A (ja) * | 2004-06-10 | 2006-01-26 | Kuramoto Seisakusho Co Ltd | 石英ルツボ |
-
2009
- 2009-02-09 US US13/148,768 patent/US20120006254A1/en not_active Abandoned
- 2009-02-10 JP JP2009028444A patent/JP4866924B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-02-09 CN CN2010800073695A patent/CN102317511A/zh active Pending
- 2010-02-09 KR KR1020117018531A patent/KR20120013300A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-02-09 WO PCT/JP2010/051893 patent/WO2010092955A1/ja active Application Filing
- 2010-02-09 SG SG2011057502A patent/SG173618A1/en unknown
- 2010-02-09 EP EP10741232A patent/EP2397582A1/en not_active Withdrawn
- 2010-02-10 TW TW099104108A patent/TW201035392A/zh unknown
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010184819A5 (ja) | ||
TW200730672A (en) | Quartz glass crucible, method of producing the same, and application thereof | |
KR101081994B1 (ko) | 다층 구조를 갖는 석영 유리 도가니 | |
JP5229778B2 (ja) | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボの製造方法 | |
JP4866924B2 (ja) | シリコン単結晶引き上げ用の石英ガラスルツボおよびシリコン単結晶の製造方法 | |
JP2007153625A (ja) | 結晶化し易い石英ガラス部材とその用途 | |
KR101357740B1 (ko) | 실리콘 단결정 인상용 실리카 유리 도가니 | |
JP2009161364A (ja) | 内面結晶化ルツボおよび該ルツボを用いた引上げ方法 | |
ATE499328T1 (de) | HOCHREINER QUARZGLASTIEGEL ZUM ZIEHEN EINES EINKRISTALL-SILICIUMBLOCKS MIT GROßEM DURCHMESSER SOWIE HERSTELLUNGSVERFAHREN | |
TW200936820A (en) | Quartz glass crucible, method for manufacturing the same and single crystal pulling method | |
WO2008095111A3 (en) | Method and system for forming a higher purity semiconductor ingot using low purity semiconductor feedstock | |
JP5500684B2 (ja) | シリカガラスルツボ及びその製造方法、シリコンインゴットの製造方法 | |
EP1905872A4 (en) | QUARTZER GLASS CUP WITH SILICON SINGLE CRYSTAL EXCURSION AND METHOD OF MANUFACTURING THE QUARTZ GLASS CUP | |
JP2010030884A (ja) | 石英ガラスルツボおよび石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の引き上げ方法 | |
JP2011088755A (ja) | 石英ガラスルツボおよびその製造方法 | |
EP2067883A3 (en) | Vitreous silica crucible | |
JP4601437B2 (ja) | 内表面が半結晶化した石英ガラスルツボとその製造方法 | |
JP4678667B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 | |
JP2009084085A (ja) | シリカガラスルツボ | |
JP5500689B2 (ja) | シリカガラスルツボ | |
JP2013224232A (ja) | シリコン単結晶育成用石英るつぼ、シリコン単結晶育成用石英るつぼの製造方法、およびシリコン単結晶の製造方法 | |
JP5453677B2 (ja) | シリカガラスルツボ、シリコンインゴットの製造方法 | |
WO2012147231A1 (ja) | シリコン結晶成長用石英坩堝のコーティング方法及びシリコン結晶成長用石英坩堝 | |
JP2010042968A5 (ja) | ||
JP2010202515A (ja) | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法 |