JP2010182782A - 炭化珪素単結晶基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の炭化珪素単結晶基板の製造方法は、機械研磨が施された主面を有する炭化珪素単結晶基板を用意する工程(A)と、過酸化水素、オゾン、過マンガン酸塩、過酢酸、過塩素酸塩、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸塩および次亜塩素酸塩のうちから選ばれる少なくとも一種を含む酸化剤が溶媒に溶解した第1溶液中に第1砥粒が分散した第1研磨スラリーを用いて、炭化珪素単結晶基板の主面に化学機械研磨を施し、主面を鏡面に仕上げる工程(B)と、過酸化水素、オゾン、過マンガン酸塩、過酢酸、過塩素酸塩、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸塩および次亜塩素酸塩のいずれも含まない第2溶液中に第2砥粒が分散した第2研磨スラリーを用いて、鏡面に仕上げられた主面に化学機械研磨を施す工程(C)とを包含する。
【選択図】図2
Description
実験例の結果から、強い酸化剤を含まない第2研磨スラリーを用いてCMPを行なうことにより、強い酸化剤を含む第1研磨スラリーを用いたCMP後の炭化珪素単結晶基板の変質層が除去され、高品質な炭化珪素半導体層を形成することができるのが分かる。
10d ステップ構造
10S、10R 主面
11 加工変質層
61 炭化珪素半導体層
61a スクラッチ
Claims (7)
- 機械研磨が施された主面を有する炭化珪素単結晶基板を用意する工程(A)と、
過酸化水素、オゾン、過マンガン酸塩、過酢酸、過塩素酸塩、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸塩および次亜塩素酸塩のうちから選ばれる少なくとも一種を含む酸化剤が溶媒に溶解した第1溶液中に第1砥粒が分散した第1研磨スラリーを用いて、前記炭化珪素単結晶基板の前記主面に化学機械研磨を施し、前記主面を鏡面に仕上げる工程(B)と、
過酸化水素、オゾン、過マンガン酸塩、過酢酸、過塩素酸塩、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸塩および次亜塩素酸塩のいずれも含まない第2溶液中に第2砥粒が分散した第2研磨スラリーを用いて、前記鏡面に仕上げられた主面に化学機械研磨を施す工程(C)と
を包含する炭化珪素単結晶基板の製造方法。 - 前記第1砥粒および第2砥粒は酸化珪素砥粒である、請求項1に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
- 前記工程(B)および(C)における化学機械研磨を同一研磨パット上で連続的に行なう請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
- 前記工程(B)後の前記鏡面に仕上げられた主面は、炭化珪素の単結晶構造に由来するステップ構造を有している請求項1から3のいずれかに記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
- 前記工程(C)後の前記化学機械研磨が施された主面は、炭化珪素の単結晶構造に由来するステップ構造を有している請求項4に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
- 前記炭化珪素単結晶基板は六方晶構造を有する単結晶基板であり、前記主面の(0001)面のC軸に対するオフ角は4°以内である請求項1から5のいずれかに記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
- 請求項1から6のいずれかの製造方法を用いて作製した炭化珪素単結晶基板。
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5267177B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013054883A1 (ja) | 2011-10-13 | 2013-04-18 | 三井金属鉱業株式会社 | 研摩材スラリー及び研摩方法 |
JP2015057864A (ja) * | 2011-10-07 | 2015-03-26 | 旭硝子株式会社 | 炭化ケイ素単結晶基板 |
JP2015199840A (ja) * | 2014-04-08 | 2015-11-12 | 山口精研工業株式会社 | 研磨用組成物 |
JP2015199838A (ja) * | 2014-04-08 | 2015-11-12 | 山口精研工業株式会社 | 炭化ケイ素基板研磨用組成物 |
JP2015199839A (ja) * | 2014-04-08 | 2015-11-12 | 山口精研工業株式会社 | 研磨用組成物 |
KR20160054403A (ko) * | 2014-11-06 | 2016-05-16 | 가부시기가이샤 디스코 | 연마액 및 SiC 기판의 연마 방법 |
JP2016093884A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-26 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨方法およびポリシング用組成物 |
JP2016174162A (ja) * | 2014-10-23 | 2016-09-29 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板およびその製造方法 |
CN106536793A (zh) * | 2015-02-02 | 2017-03-22 | 富士电机株式会社 | 碳化硅半导体装置的制造方法以及碳化硅半导体装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004327952A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-11-18 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP2007027663A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP2007021704A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及び研磨方法 |
JP2007311586A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶ウェハ表面の仕上げ研磨方法 |
JP2008068390A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Noritake Co Ltd | 結晶材料の研磨加工方法 |
JP2008166329A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Showa Denko Kk | 炭化珪素単結晶基板の研磨用水系研磨スラリー及び研磨法。 |
JP2008179655A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP2008264952A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 多結晶シリコン基板の平面研磨加工方法 |
JP2008280207A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | SiC単結晶基板の製造方法 |
JP2008288240A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Panasonic Corp | SiC結晶研磨方法 |
-
2009
- 2009-02-04 JP JP2009023580A patent/JP5267177B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004327952A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-11-18 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP2007027663A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP2007021704A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及び研磨方法 |
JP2007311586A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶ウェハ表面の仕上げ研磨方法 |
JP2008068390A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Noritake Co Ltd | 結晶材料の研磨加工方法 |
JP2008166329A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Showa Denko Kk | 炭化珪素単結晶基板の研磨用水系研磨スラリー及び研磨法。 |
JP2008179655A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP2008264952A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 多結晶シリコン基板の平面研磨加工方法 |
JP2008280207A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | SiC単結晶基板の製造方法 |
JP2008288240A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Panasonic Corp | SiC結晶研磨方法 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015057864A (ja) * | 2011-10-07 | 2015-03-26 | 旭硝子株式会社 | 炭化ケイ素単結晶基板 |
US9318339B2 (en) | 2011-10-13 | 2016-04-19 | Mitsui Mining & Smelting, Ltd | Polishing slurry and polishing method |
WO2013054883A1 (ja) | 2011-10-13 | 2013-04-18 | 三井金属鉱業株式会社 | 研摩材スラリー及び研摩方法 |
JP2015199840A (ja) * | 2014-04-08 | 2015-11-12 | 山口精研工業株式会社 | 研磨用組成物 |
JP2015199838A (ja) * | 2014-04-08 | 2015-11-12 | 山口精研工業株式会社 | 炭化ケイ素基板研磨用組成物 |
JP2015199839A (ja) * | 2014-04-08 | 2015-11-12 | 山口精研工業株式会社 | 研磨用組成物 |
US10704163B2 (en) | 2014-10-23 | 2020-07-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide substrate and method for manufacturing the same |
JP2016174162A (ja) * | 2014-10-23 | 2016-09-29 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板およびその製造方法 |
KR20160054403A (ko) * | 2014-11-06 | 2016-05-16 | 가부시기가이샤 디스코 | 연마액 및 SiC 기판의 연마 방법 |
JP2016092246A (ja) * | 2014-11-06 | 2016-05-23 | 株式会社ディスコ | 研磨液及びSiC基板の研磨方法 |
KR102363562B1 (ko) * | 2014-11-06 | 2022-02-16 | 가부시기가이샤 디스코 | 연마액 및 SiC 기판의 연마 방법 |
JP2016093884A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-26 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨方法およびポリシング用組成物 |
KR20170081191A (ko) * | 2014-11-07 | 2017-07-11 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마 방법 및 폴리싱용 조성물 |
US10759981B2 (en) | 2014-11-07 | 2020-09-01 | Fujimi Incorporated | Polishing method and polishing composition |
US11015098B2 (en) | 2014-11-07 | 2021-05-25 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
KR102617024B1 (ko) * | 2014-11-07 | 2023-12-26 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마 방법 및 폴리싱용 조성물 |
US10208400B2 (en) | 2015-02-02 | 2019-02-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device |
CN106536793A (zh) * | 2015-02-02 | 2017-03-22 | 富士电机株式会社 | 碳化硅半导体装置的制造方法以及碳化硅半导体装置 |
DE112015002906B4 (de) | 2015-02-02 | 2022-12-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung und Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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