JP6598150B2 - 単結晶SiC基板の製造方法 - Google Patents
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Description
正極:SiC+4H2O→SiO2+CO2+8H++8e- (1)
負極:8H++8e-→4H2 (2)
[1]厚みが1mmよりも小さい円板状の単結晶SiC基板であって、一方の面が鏡面であり、他方の面のRaが1nmより大きい値であり、かつ、SORIが30μmより小さい値であることを特徴とする単結晶SiC基板。
[2]結晶の方位の指標となる、オリエンテーションフラットまたはノッチを有することを特徴とする[1]に記載の単結晶SiC基板。
これらの指標が形成された単結晶SiC基板を製造する場合であっても、その過程において、当該指標を形成することによる支障はなく、製造された単結晶SiC基板は、当該指標が形成されていることにより、後続の処理中の向きを正しく制御することができる等の利点を有している。
[3]直径が70mmより大きい値であることを特徴とする[1]または[2]のいずれかに記載の単結晶SiC基板。
[4]前記厚みが0.6mmより小さい値であることを特徴とする[1]〜[3]のいずれか一つに記載の単結晶SiC基板。
[5]前記厚みが0.4mmより小さい値であることを特徴とする[1]〜[4]のいずれか一つに記載の単結晶SiC基板。
[6]前記Raが10nmより大きい値であることを特徴とする[1]〜[5]のいずれか一つに記載の単結晶SiC基板。
本発明の単結晶SiC基板の形状の制御方法は、陽極酸化処理を行って、単結晶SiC基板の少なくとも片面における加工変質層を構成するSiCのうち、一部をSiO2に変換(改質)させるとともに、残部を除去する工程(第1工程)と、陽極酸化処理後の単結晶SiC基板の形状を測定する工程(第2工程)と、を有している。
まず、陽極酸化処理を行う単結晶SiC基板を準備する。陽極酸化する単結晶SiC基板の少なくとも片面は、CMP工程に進める前段階であるため、機械的加工により、平坦化されたものを用いる。
続いて、陽極酸化処理後の単結晶SiC基板の形状(例えば、基板の反り具合を示すパラメータであるSORI)を測定する。測定する基板は、CMPが行われておらず、表面に改質した一部の加工変質層が残存しているが、上述した通り、この加工変質層による残留応力は除去されているため、CMPを行った場合と同等の反り状態になっている。したがって、ここでの測定結果から、CMP加工を行った場合の基板の反り状態を実現することが可能となる。つまり、CMPを行わないで、CMP後の単結晶SiC基板の形状を評価することもできる。
本発明の単結晶SiC基板の製造方法は、上述した第1工程の陽極酸化処理を行い、それに伴って生成した生成物(不純物)を除去する工程を有している。生成物の除去は、例えばフッ化水素酸を用いて行うことができる。なお、フッ化水素酸を用いた生成物除去は、基板をフッ化水素酸に浸漬して行う洗浄処理に相当するものであり、電解エッチングとは異なり、安全上の問題は存在しない。
市販のas−slicedの状態の100mm径n型(0001)4H−SiC(4°オフ)単結晶基板を、株式会社東京精密製の研削装置HRG300にダイヤモンドホイールを装着して研削加工を行った。最終仕上げとして、Si面、C面ともに、#8000ダイヤモンドホイールを使用し、ホイール回転速度を1250rpm、ワーク回転速度を300rpm、ホイール送り速度を0.4μm/sとした研削条件にて、約10μm除去することで、鏡面に仕上げた。
第1の実施例で使用した単結晶SiC基板と共通の基板IDを有するものを、第1の実施例と同様に、Si面、C面ともに、#8000ダイヤモンドホイールを使用し、ホイール回転速度を1250rpm、ワーク回転速度を300rpm、ホイール送り速度を0.4μm/sとした研削条件にて、約10ミクロン除去することで鏡面に仕上げた。なお、使用した単結晶SiC基板は、処理ロット、加工条件が同じであれば、CMP後の反り状態も同じになるものと考えてよい。
市販の両鏡面加工された100mm径n型(0001)4H−SiC(4°オフ)単結晶基板を、#8000ダイヤモンドホイールを使用し、ホイール回転速度を1250rpm、ワーク回転速度を300rpm、ホイール送り速度を0.4μm/sとした研削条件にて、C面、Si面の順に、それぞれ約10ミクロンずつ除去した。基板のSi面で測定した厚みは333.8μmで、SORIの値は13.6μmであった。この基板を第1の実施例と同様に陽極酸化したところ、基板のSi面で測定したSORIの値は9.2μmであった。
第2の実施例で使用した単結晶SiC基板と共通の基板IDを有するものを、第2の実施例と同様に、#8000ダイヤモンドホイールを使用し、ホイール回転速度を1250rpm、ワーク回転速度を300rpm、ホイール送り速度を0.4μ/sの研削条件にて、C面、Si面の順に、それぞれ約10μmずつ除去した。基板のSi面で測定した厚みは334.7μmで、SORIの値は14.4μmであった。この基板を第1の比較例と同様にCMP加工したところ、Si面で測定したSORIの値は9.3μmであった。
Alをドープしたp型(0001)4H−SiC(4°オフ)単結晶基板の小片を準備し、電解質水溶液との接液面(Si面、C面)の一部を樹脂でマスキングすることで、陽極酸化が起こるか否かを確認するための試験を、実施例1と同様の手法で行った。
市販の両鏡面加工された100mm径n型(0001)4H−SiC(4°オフ)単結晶基板のC面を、#4000ダイヤモンドホイールを使用し、ホイール回転速度を1250rpm、ワーク回転速度を300rpm、ホイール送り速度を1μm/sとした研削条件にて、基板の厚み方向に約8μm除去した。さらに、#8000ダイヤモンドホイールを使用し、ホイール回転速度を1250rpm、ワーク回転速度を300rpm、ホイール送り速度を0.4μm/sとした研削条件にて、基板の厚み方向に約8μm除去した。
市販の両鏡面加工された100mm径n型(0001)4H−SiC(4°オフ)単結晶基板C面を、#4000ダイヤモンドホイールを使用し、ホイール回転速度を1250rpm、ワーク回転速度を300rpm、ホイール送り速度を1μm/sとした研削条件にて約14μm除去した。
Claims (7)
- 単結晶SiC基板の形状を制御する方法であって、
単結晶SiC基板は少なくとも片面が機械的加工により加工され、容器に入れた電解質水溶液に機械加工された片面のみを接液させ、
前記単結晶SiC基板が陽極となり、前記単結晶SiC基板の接液面との距離が一定になるよう陰極を配置した上で、前記陽極と前記陰極との間に直流電圧を印加し、
前記単結晶SiC基板の接液面を、生成物の溶解を伴わない状態で陽極酸化させ、前記生成物を当該単結晶SiC基板の表面に残存させる陽極酸化処理を行い、
前記単結晶SiC基板の反り形状を、CMPを行うことなく制御することを特徴とする単結晶SiC基板の形状を制御する方法。 - 前記陽極酸化処理において、前記電解質水溶液を、フッ化水素酸を含まないものとすることを特徴とする請求項1に記載の単結晶SiC基板の形状を制御する方法。
- 前記機械的加工が、ラップ、ポリッシュ、研削の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1〜2のいずれか一項に記載の単結晶SiC基板の形状を制御する方法。
- 前記電解質水溶液の導電率が1ミリジーメンス/メートル(10マイクロジーメンス/センチメートル)以上、10ジーメンス/メートル(100ミリジーメンス/センチメートル)以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の単結晶SiC基板の形状を制御する方法。
- 前記少なくとも片面が機械的加工により加工された単結晶SiC基板が、第1の面と第2の面の両方の面が機械的加工により加工された単結晶SiC基板であって、第1の面と第2の面の両方の面の表面粗さRaが10nm以下となるまで機械的加工を行い、片面ずつ両面を陽極酸化させ、両面の加工変質層を除去することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の単結晶SiC基板の形状を制御する方法。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の単結晶SiC基板の形状を制御する方法で製造することを特徴とする単結晶SiC基板の製造方法。
- 前記陽極酸化処理の後において、当該処理後の前記単結晶SiC基板のSORIを測定する工程を、更に有することを特徴とする請求項6に記載の単結晶SiC基板の製造方法。
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Cited By (13)
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