JP2010182404A - 偽造に耐えられる固定記憶のオプションをもつ不揮発性記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、記憶ユニットFM、アクセス変更の指示を受信する手段CON、及びアクセス変更の指示に応答して記憶ユニットへのアクセスを変更する手段WPを有する不揮発性記憶装置を提案する。アクセス変更の指示の受信前のアクセスは、データが記憶ユニットに記憶することができ、且つ既に記憶されているデータを変更することができるように行われ、アクセス変更の後のアクセスは、既に記憶されているデータの少なくとも幾つかが変更不可能であるが、なお読取ることができるように行われる。既に記憶されているデータの少なくとも幾つかへのアクセスは、アクセス変更の指示の受信に応答してアクセス変更の後に逆にできない。
【選択図】図2
Description
より詳細には、本発明は、データの記憶及び既に記憶されているデータの変更を可能にする不揮発性記憶装置に関する。
たとえば、アクセスは、アクセス変更の指示の受信後に読取り専用に変更される。
CON:コントローラ
FM:フラッシュモジュール
WP:書込み保護モジュール
Claims (13)
- 記憶ユニット、アクセス変更の指示を受信する手段、及び前記アクセス変更の指示に応答して前記記憶ユニットへのアクセスを変更する手段を有する不揮発性記憶装置であって、
前記アクセス変更の指示の受信前のアクセスは、データが前記記憶ユニットに記憶することができ、且つ既に記憶されているデータを変更することができるように行われ、
アクセス変更の後のアクセスは、既に記憶されているデータの少なくとも幾つかが変更不可能であるが、なお読取ることができるように行われ、
前記既に記憶されているデータの少なくとも幾つかへのアクセスは、前記アクセス変更の指示の受信に応答してアクセス変更の後に逆にできない、
ことを特徴とする不揮発性記憶装置。 - 当該記憶装置は、前記アクセス変更の指示に応答して、不作動電圧及び/又は不作動電流を発生する書込み制御する手段を更に有する、
請求項1記載の不揮発性記憶装置。 - 前記アクセス変更の指示の受信と前記不作動電圧及び/又は前記不作動電流の発生との間に遅延が設けられ、
アクセスの変更は、アクセス変更の指示の受信後であって、前記アクセス変更の前に記憶されているデータに制限される、
請求項2記載の不揮発性記憶装置。 - 前記記憶ユニットは、電荷ポンプをもつフラッシュメモリセルを有し、
前記不作動電圧及び/又は前記不作動電流は、電荷ポンプを動作不能にするアンチヒューズの作動のために使用される、
請求項2又は3記載の不揮発性記憶装置。 - 前記電荷ポンプは、前記アンチヒューズの作動後に該アンチヒューズに接続されるソース及びドレインが短絡されるように、該アンチヒューズに接続されるソース及びドレインをもつ少なくとも1つのパストランジスタを有する、
請求項4記載の不揮発性記憶装置。 - 前記記憶ユニットは、非破壊的読み出しをもつ強誘電体ランダムアクセスメモリセルと、前記強誘電体ランダムアクセスメモリセルをプログラミングする電場を発生する手段とを有し、
前記不作動電圧及び/又は前記不作動電流は、電場を発生する手段を動作不能にするために使用される、
請求項2又は3記載の不揮発性記憶装置。 - 前記記憶ユニットは、磁気抵抗性ランダムアクセスメモリセルと、前記磁気抵抗性ランダムアクセスメモリをプログラミングする電流を発生する手段とを有し、
前記不作動電圧及び/又は前記不作動電流は、前記電流を発生する手段により発生することができる電流を制限するために使用される、
請求項2又は3記載の不揮発性記憶装置。 - 前記既に記憶されているデータは、前記アクセス変更の指示の受信後に削除不可能である、
請求項1乃至7の何れか記載の不揮発性記憶装置。 - 前記アクセス変更の指示の受信後にアクセスは読取り専用に変更される、
請求項1乃至8の何れか記載の不揮発性記憶装置。 - 不揮発性記憶装置を使用する方法であって、
前記記憶装置に記憶されるデータの変更を可能にするステップと、
アクセス変更の指示を受信するステップと、
前記アクセス変更の指示の受信後に、前記記憶装置に記憶されているデータの変更を永久に禁止するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記変更を禁止するステップは、前記アクセス変更の指示に応答して、不可逆的な方法で前記記憶装置の記憶ユニットに含まれるフラッシュメモリセルの電荷ポンプを動作不能にするステップを含む、
請求項10記載の方法。 - 前記電荷ポンプを動作不能にするステップは、前記電荷ポンプに含まれる少なくとも1つのパストランスジスタのソース及びドレインを短絡するステップを含む、
請求項11記載の方法。 - 前記短絡は、前記ソース及びドレインに接続されるアンチヒューズを作動するステップを含む、
請求項12記載の方法。
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