JP2010178327A - 光受信回路及び光結合装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】受光素子10と、第1の電圧信号を出力可能なTIA12と、パルスの切り替わりを判別する第2の電圧信号を供給可能な電圧源34と、第3の電圧信号を供給可能な電圧源38と、前記第1の電圧信号からレベルシフト電圧を減算して出力可能なレベルシフト回路14と、前記第1の電圧信号をパルスに変換可能なコンパレータ16と、前記第1の電圧信号の値が前記第3の電圧信号を超えた時には前記第1の電圧信号をローレベル側にシフトして出力する前記シフト制御信号を出力可能とし、前記レベルシフト回路の前記出力が前記第2の電圧信号よりも低下したのち前記レベルシフト回路の前記出力をハイレベル側に戻して出力するように前記シフト制御信号を出力可能な制御部とを備えた。
【選択図】図1
Description
工作機械やプロセスコントローラなどの用途において、パルス信号を用いたディジタル制御とすることが多いために、パルス幅歪を低減することが要求される。
図1は、本実施形態にかかる光受信回路のブロック図である。
光受信回路5は、入力光信号を電流信号に変換可能な第1の受光素子10と、電流信号が入力され第1の電圧信号S1を出力可能な第1のトランスインピーダンスアンプ(TIA)12と、パルスの切り替わりを判断する基準電圧とする第2の電圧信号S11と、第1の電圧信号S1と比較しシフト制御信号を作成するための基準電圧とする第3の電圧信号S12と、を出力可能な基準電圧生成回路33と、第1の電圧信号S1のレベルをシフト可能なレベルシフト(LS)回路14と、コンパレータ16と、出力回路18と、制御部27と、を備えている。
なお、通常、制御部27、及び出力検出部22などの回路は遅れ時間を持つためその内部が遅延手段として機能し、シフト制御信号S22がLS回路出力電圧信号S2に対して遅延する。しかし、遅延時間を適切に設定することによりコンパレータ16はより確実に切り替わり安定した出力が可能となる。これを実現可能な遅延手段の構成に関しては、後により詳細に説明する。
本実施形態では、制御部27は、検出部26及び遅延手段24を有している。なお、これらの回路構成は本図に限定されることはない。
Isft=ΔV/Rgm
但し、ΔV=S1−Vph
Rgm:トランスコンダクタンスの逆数
カレントミラー回路54ではトランスコンダクタンスアンプ52からトランジスタQ2へ注入される電流Isftと略同一の電流IsftがトランジスタQ1から出力される。本実施形態では遅延手段としてキャパシタCdを有している。入力側IsftがゼロになってもキャパシタCdにより点Pのバイアス電圧が維持され、Q1の出力電流は直ぐには停止しない。なお、トランジスタQ3及びキャパシタCdを設けなくとも、カレントミラー回路54及び出力検出部22などによる遅延時間を生じて、実質的に遅延手段として機能可能な場合もある。なお、出力検出部22は、コンパレータ16からの出力電圧信号S3がハイレベル側であるか、またはローレベル側であるかの検出信号を、内蔵しているバッファ回路を介してトランジスタQ3に入力する。
Vsft=Rsft×Isft
本実施形態にかかる光受信回路は、第1の受光素子10と、第1のTIA12と、基準電圧生成回路33と、LS回路14と、コンパレータ16と、出力検出部22と、制御部27と、出力回路18と、を備えている。制御部27は、トランスコンダクタンスアンプ52及びカレントミラー回路54を有する検出部26と、ゲイン切換回路29と、を有している。
第1の電圧信号S1が立ち上がり始め、時間t1でスレッシュホールド電圧Vth以上となると、コンパレータ16からの出力電圧信号S3をオンに転じることができる。また、第1の電圧信号S1が基準電圧Vphに到達したことを制御部27が検出するとレベルシフト電圧Vsftが生成され、LS回路出力電圧信号S2は第1の電圧信号S1から第2のレベルシフト電圧Vsft2が減算されローレベル側にシフトされ始める。このように、まずゲイン切換回路29のゲインはロー(L)レベル側にある。この場合、出力検出部22からの検出信号によりトランジスタQ5は、カレントミラー回路を構成するトランジスタQ4の電流を変化しゲイン切換回路29のゲインを制御できる。例えば、トランジスタQ5をオフとすると、時間t8において電流IsftはトランジスタQ1に流れる電流のみとなり、第2のレベルシフト電圧Vsft2が生成される。なお、基準電圧Vphは、スレッシュホールド電圧Vthと同一であってもよい。また、一般にコンパレータ16は、入力電圧がスレッシュホールド電圧Vthに到達してから出力が切り替わるまで遅延時間を持つ。立ち上がり遅延時間をTcom1、立ち下がり遅延時間をTcom2とする。立ち上がり遅延時間Tcom1が経過したのち、時間t3でゲイン切換回路29によりゲインがLレベル側からハイ(H)レベル側に切り換えられる。この場合、トランジスタQ5はオン状態であり、電流Isftは、トランジスタQ1のコレクタ電流と、トランジスタQ4のコレクタ電流と、の和となる。Hゲイン期間、LS回路出力電圧信号S2は、第1の電圧信号S1から第1のレベルシフト電圧Vsft1が減算され、ローレベル側にシフトされる。
入力レベルが大きい場合、尾引きの時間も長くなる。また、高速信号では本図のように次の信号の立ち上がりで第1の電圧信号S1がスレッシュホールド電圧Vth以下に低下しない場合も考えられる。
本比較例において、LS回路出力電圧信号S62が低下し時間t34においてスレッシュホールド電圧Vthとなると、シフトON/OFFタイミングは立ち下がり遅延時間Td2が経過した時間t37でオフに切り替わり始める。また、レベルシフト電圧Vsft3も低下を始める。もし、尾引時間が長く、時間t38で第1の電圧信号S1がスレッシュホールド電圧Vthよりも高くかつレベルシフト電圧Vsft3がゼロとなるとコンパレータ16が切り替わる。時間t38で、ハイレベル側に戻ったLS回路出力電圧信号S62が、時間t39でスレッシュホールド電圧Vthまで再び低下しコンパレータの出力電圧信号S63が切り替わる。このようにして生じたパルスWPは誤動作によるものであり、好ましくない。
さらに、ゲイン切換回路29によりレベルシフト電圧Vsftを低減し、LS回路出力電圧信号S2をバイアスレベルVBに近づけることが容易となる。なお、2つめ以降のパルスが入力される場合、LS回路出力電圧信号S2は、第1の電圧信号S1からゼロになっていない第2のレベルシフト電圧Vsft2が減算された値となる。このようにして、図8に実線で表したLS回路出力電圧信号S2をバイアスレベルVBに近づけて、LS回路出力電圧信号S2の立ち上がり遅延時間Tlagを低減できる。すなわち、立ち上がり時におけるパルス幅歪を低減することが容易となる。
光結合装置は、光受信回路5と、発光素子50と、を有している。
発光素子50は、入力端子A、Bに接続され、電気信号が入力される。また、光受信回路は出力端子C、D、及び電源端子Eに接続され、発光素子50からの光信号を電気信号として出力可能である。このようにして、入力端子A、Bと、出力端子C、D(接地)、及び電源端子Eとは、電源系間を絶縁した状態で信号伝達を行うことができる。広い入力レベル範囲内においてパルス幅歪を抑制可能な光受信回路を有する本実施形態にかかる光結合装置は、産業用、OA用、データ伝送用、及び家庭用の電子機器に広く使用することができる。
Claims (6)
- 光信号を電流信号に変換可能な第1の受光素子と、
前記電流信号が入力され第1の電圧信号を出力可能な第1のトランスインピーダンスアンプと、
前記第1の電圧信号に対してパルスの切り替わりを判別する基準電圧とする第2の電圧信号を供給可能な電圧源と、
前記第1の電圧信号と比較しシフト制御信号を作成するための基準電圧とする第3の電圧信号を供給可能な電圧源と、
前記シフト制御信号に応じて前記第1の電圧信号からレベルシフト電圧を減算して出力可能なレベルシフト回路と、
前記レベルシフト回路の出力が第1の端子に入力され、前記第2の電圧信号が第2の端子に入力され、前記第1の電圧信号をパルスに変換可能なコンパレータと、
前記第1の電圧信号の値が前記第3の電圧信号を超えた時には前記レベルシフト回路により前記第1の電圧信号をローレベル側にシフトして出力する前記シフト制御信号を出力可能とし、前記レベルシフト回路の前記出力が前記第2の電圧信号よりも低下したのち前記レベルシフト回路の前記出力をハイレベル側に戻して出力する前記シフト制御信号を出力可能とする制御部と、
を備えたことを特徴とする光受信回路。 - 前記第1の電圧信号の値が前記第3の電圧信号を超えかつ前記コンパレータの出力が切り替わった後に前記制御部は前記第1の電圧信号をローレベル側にシフトする前記シフト制御信号を遅延して出力し、
前記第1の電圧信号が立ち下がる時、前記制御部は前記コンパレータの前記出力が切り替わるまで前記第1の電圧信号のシフト状態を維持するように前記シフト制御信号を遅延して出力することを特徴とする請求項1記載の光受信回路。 - 前記レベルシフト回路の前記出力が前記第2の電圧信号よりも低下した時、前記コンパレータの切り替わり検出を可能とする出力検出部をさらに備え、
前記切り替わり検出してから所定期間が経過したのち、前記制御部が前記レベルシフト回路の前記出力をハイレベル側へ戻して出力することを特徴とする請求項1または2に記載の光受信回路。 - 光信号を電流信号に変換可能な第1の受光素子と、
前記電流信号が入力され第1の電圧信号を出力可能な第1のトランスインピーダンスアンプと、
前記第1の電圧信号に対してパルスの切り替わりを判別する基準電圧とする第2の電圧信号を供給可能な電圧源と、
前記第1の電圧信号と比較しシフト制御信号を作成するための基準電圧とする第3の電圧信号を供給可能な電圧源と、
前記シフト制御信号に応じて前記第1の電圧信号からレベルシフト電圧を減算して出力可能なレベルシフト回路と、
前記レベルシフト回路の出力が第1の端子に入力され、前記第2の電圧信号が第2の端子に入力され、前記第1の電圧信号をパルスに変換可能なコンパレータと、
前記コンパレータ出力の検出を可能とする出力検出部と、
前記第1の電圧信号の値が前記第3の電圧信号を超えた時、前記コンパレータの出力が切り替わった後に第1のレベルシフト電圧を出力可能な前記シフト制御信号を出力し、
前記第1の電圧信号が立ち下がり前記コンパレータの前記出力が切り替わったことを前記出力検出部が検出した時、前記第1のレベルシフト電圧よりも低い第2のレベルシフト電圧を出力可能な前記シフト制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする光受信回路。 - 前記制御部は、少なくともキャパシタを有し、前記レベルシフト回路へ入力される前記シフト制御信号の経路に設けられた遅延手段を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の光受信回路。
- 請求項1〜5のいずれか1つに記載の光受信回路と、
前記光信号を放出可能な発光素子と、
を備えたことを特徴とする光結合装置。
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