JP2010177508A - 積層セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の積層セラミック電子部品101の製造方法では、レーザー加工工程により積層体220に貫通孔130を形成する。この工程では、レーザービーム250を反射及び集束させる光学系303を介して照射位置の制御を行う方式を採用する。光学系303を介して制御可能な加工エリアの最大幅を50mm以下とする。レーザービーム250の焦点距離を70mm以上、焦点深度を70μm以上、波長を2μm以上かつ20μm以下に設定する。レーザービーム250の照射方式をパルス方式とし、パルス幅を15μsec以上150μsec以下に設定する。特定の孔形成位置P1にn回にわけてレーザービームを照射するにあたり、特定の孔形成位置P2〜P5にn回の照射を連続的に行わない。
【選択図】図6
Description
以下、本実施形態をより具体化した実施例をいくつか挙げて説明する。
実施例1では、図5の炭酸ガスレーザー加工機301を用いて積層体220(厚さ1mm)に対するレーザー加工工程を行うにあたり、焦点距離(mm)及び焦点深度(μm)を変更して検討を行った。その一方で、レーザー照射に関する他のパラメータについては共通とした。具体的には、パルス方式をサイクル方式とし、レーザービーム250のパルス幅を100μsecとし、パルスあたりのエネルギーを8mJとし、波長を約10μmとした。また、光学系303を介して制御可能な加工エリアの最大幅を50mmとし、加工穴の径を120μmとした。そして、この加工によって得られたビアホール130のテーパー率(%)を調査した結果を表1に示す。
実施例2では、図5の炭酸ガスレーザー加工機301を用いて積層体220(厚さ1mm)に対するレーザー加工工程を行うにあたり、レーザービーム250の波長(μm)を変更して検討を行った。なお、パルス方式をサイクル方式とし、レーザービーム250のパルス幅を100μsecとし、焦点距離を60mm、焦点深度を60μmとし、光学系303を介して制御可能な加工エリアの最大幅を50mmとし、加工穴の径を120μmとした。また、形成すべきビアホール130の数を3000穴とした。そして、3000穴のビアホール130を貫通形成するのに要する時間(sec)を測定した結果を表2に示す。
実施例3では、図5の炭酸ガスレーザー加工機301を用いて積層体220(厚さ1mm)に対するレーザー加工工程を行うにあたり、レーザービーム250のパルス幅(μsec)を変更して検討を行った。なお、パルス方式をサイクル方式とし、波長を10.6μmとし、レーザービーム250のパルス幅を100μsecとし、焦点距離を100mm、焦点深度を100μmとし、光学系303を介して制御可能な加工エリアの最大幅を50mmとし、加工穴の径を120μmとした。また、パルス幅が短い試験区ではショット数nを多く設定し、パルス幅が長い試験区ではショット数nを少なく設定した。そして、この加工によって得られたビアホール130のテーパー率(%)を調査した結果を表3に示す。
実施例4では、図5の炭酸ガスレーザー加工機301を用いて積層体220(厚さ1mm)に対するレーザー加工工程を行うにあたり、レーザービーム250の照射方式としてサイクル方式あるいはバースト方式を採用した試験区を設定し、両者の比較検討を行った。なお、レーザービーム250の波長を10.6μmとし、パルス幅を100μsecとし、パルスあたりのエネルギーを8mJとし、ショット数nを30とし、焦点距離を100mm、焦点深度を100μmとし、光学系303を介して制御可能な加工エリアの最大幅を50mmとし、加工穴の径を120μmとした。照射間隔については、サイクル方式では0.1secとし、バースト方式では0.002sec(即ちバーストパルス周波数500Hz)とした。そして、この加工によって得られたビアホール130のテーパー率(%)を調査した結果を表4に示す。
実施例5では、図5の炭酸ガスレーザー加工機301を用いて積層体220(厚さ1mm)に対するレーザー加工工程を行うにあたり、加工エリアの中心からの距離(mm)を変更して検討を行った。ちなみに、当該距離が大きくなるほど、加工エリアの最大幅が大きくなる。なお、パルス方式としてはサイクル方式とし、レーザービーム250の波長を10.6μmとし、パルス幅を100μsecとし、パルスあたりのエネルギーを8mJとし、ショット数nを30とし、焦点距離を100mm、焦点深度を100μmとし、加工穴の径を120μmとした。そして、この加工によって得られたビアホール130について、レーザービーム250の入射位置と出射位置との位置ずれ量(μm)を調査した結果を表5に示す。
従って、本実施形態の積層セラミックコンデンサ101の製造方法では、上記各実施例にて示したように、レーザー加工工程における諸条件の適切化を図っている。その結果、ワークである積層体220が比較的厚いものであるにもかかわらず、その積層体220に対して、垂直性が高くかつテーパー率が高いビアホール130を形成することが可能である。ゆえに、このようにして得られたビアホール130に導電材料を充填することを行えば、形状が良好なビア導体131,132を確実に形成することができる。
(1)焼結後に内部電極として機能する未焼結金属層を焼結後に誘電体層として機能する未焼結セラミック層上に設けたグリーンシートを複数枚積層してなる積層体に対してレーザービームを照射し、前記積層体をその厚さ方向に貫通する複数の貫通孔を形成するレーザー加工工程を含む積層セラミック電子部品の製造方法であって、前記レーザー加工工程では、前記レーザービームを反射及び集束させる光学系を介して前記レーザービームの照射位置の制御を行う方式を採用するとともに、前記光学系を介して制御可能な加工エリアの最大幅を50mm以下とし、前記レーザービームの焦点距離を70mm以上、焦点深度を70μm以上、波長を2μm以上かつ20μm以下に設定し、前記レーザービームの照射方式をパルス方式とし、そのパルス幅を15μsec以上150μsec以下に設定し、特定の1つの孔形成位置に対してn回にわけて前記レーザービームを照射するにあたり、前記特定の1つの孔形成位置に対してn回の照射を連続的に行わず、n回の照射が完了するまでの間に他の孔形成位置に対する照射も含めるようにして加工を行うとともに、前記レーザー加工工程の後に前記積層体の前記貫通孔に対して導電材料を充填する充填工程を行い、次いで前記充填工程の後に前記積層体上に貫通孔を形成していない表層カバー用グリーンシートを積層する積層工程を行った後、前記積層体及び前記表層カバー用グリーンシートを焼成する焼成工程を行うことで、非貫通状態のビア導体を備える積層セラミック電子部品を得ることを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
105…誘電体層としてのセラミック誘電体層
130…貫通孔としてのビアホール
131,132…ビア導体
141,142…内部電極
205…未焼結セラミック層
210…グリーンシート
215…保護層としての熱保護シート
220…積層体
241,242…未焼結金属層
250…レーザービーム
301…炭酸ガスレーザー加工機
303…光学系
P1〜P5…孔形成位置
Claims (6)
- 焼結後に内部電極として機能する未焼結金属層を焼結後に誘電体層として機能する未焼結セラミック層上に設けたグリーンシートを複数枚積層してなる積層体に対してレーザービームを照射し、前記積層体をその厚さ方向に貫通する複数の貫通孔を形成するレーザー加工工程を含む積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記レーザー加工工程では、
前記レーザービームを反射及び集束させる光学系を介して前記レーザービームの照射位置の制御を行う方式を採用するとともに、前記光学系を介して制御可能な加工エリアの最大幅を50mm以下とし、
前記レーザービームの焦点距離を70mm以上、焦点深度を70μm以上、波長を2μm以上かつ20μm以下に設定し、
前記レーザービームの照射方式をパルス方式とし、そのパルス幅を15μsec以上150μsec以下に設定し、
特定の1つの孔形成位置に対してn回にわけて前記レーザービームを照射するにあたり、前記特定の1つの孔形成位置に対してn回の照射を連続的に行わず、n回の照射が完了するまでの間に他の孔形成位置に対する照射も含めるようにして加工を行う
ことを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。 - 特定の1つの孔形成位置に対してn回にわけて前記レーザービームを照射するにあたり、前記複数の孔形成位置に対して前記レーザービームをサイクリックに順次移動させながら照射して加工を行うことを特徴とする請求項1に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 前記レーザービームのパルス当たりのエネルギーが2mJ以上20mJ以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 炭酸ガスレーザー加工機を用いて前記レーザー加工工程を行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 前記レーザー加工工程では、前記積層体におけるレーザー入射側の表面に保護層を設けておき、その保護層を介して前記レーザービームを前記積層体に対して照射することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 前記積層セラミック電子部品は、全体としてアレイ状に配置された前記複数の貫通孔内に前記内部電極に接続する複数のビア導体を有するビアアレイタイプの積層セラミックコンデンサであり、前記グリーンシートは、ニッケルを主体とする前記未焼結金属層を、チタン酸バリウムを主体とする前記未焼結セラミック層上に設けたものであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170012805A (ko) * | 2015-07-24 | 2017-02-03 | 한국세라믹기술원 | 프로브 카드용 세라믹 가이드 플레이트의 제조방법 및 그에 의한 세라믹 가이드 플레이트 |
KR20170113941A (ko) * | 2016-03-29 | 2017-10-13 | 한국세라믹기술원 | 프로브 카드용 세라믹 가이드 플레이트의 제조방법 및 세라믹 가이드 플레이트 |
CN112185701A (zh) * | 2019-07-05 | 2021-01-05 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电容器 |
JP7428960B2 (ja) | 2019-10-08 | 2024-02-07 | Tdk株式会社 | 積層電子部品およびその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004158571A (ja) * | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2005243842A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | コンデンサの製造方法 |
WO2008069099A1 (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 集光光学系、レーザ加工方法及び装置、並びに脆性材料素材の製造方法 |
-
2009
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004158571A (ja) * | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2005243842A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | コンデンサの製造方法 |
WO2008069099A1 (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 集光光学系、レーザ加工方法及び装置、並びに脆性材料素材の製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170012805A (ko) * | 2015-07-24 | 2017-02-03 | 한국세라믹기술원 | 프로브 카드용 세라믹 가이드 플레이트의 제조방법 및 그에 의한 세라믹 가이드 플레이트 |
KR101719912B1 (ko) * | 2015-07-24 | 2017-03-27 | 한국세라믹기술원 | 프로브 카드용 세라믹 가이드 플레이트의 제조방법 및 그에 의한 세라믹 가이드 플레이트 |
KR20170113941A (ko) * | 2016-03-29 | 2017-10-13 | 한국세라믹기술원 | 프로브 카드용 세라믹 가이드 플레이트의 제조방법 및 세라믹 가이드 플레이트 |
KR101871570B1 (ko) * | 2016-03-29 | 2018-06-27 | 한국세라믹기술원 | 프로브 카드용 세라믹 가이드 플레이트의 제조방법 |
CN112185701A (zh) * | 2019-07-05 | 2021-01-05 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电容器 |
US11322304B2 (en) * | 2019-07-05 | 2022-05-03 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
US11657974B2 (en) | 2019-07-05 | 2023-05-23 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
CN112185701B (zh) * | 2019-07-05 | 2023-10-31 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电容器 |
JP7428960B2 (ja) | 2019-10-08 | 2024-02-07 | Tdk株式会社 | 積層電子部品およびその製造方法 |
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