WO2023152918A1 - パッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

基板配線部（２００）が設けられたセラミック基板部（１１０）が、基板グリーン体（ＧＳ）として形成される。セラミック枠部（１２０）が、キャビティ（ＣＶ）を囲む枠形状を有する枠状グリーンシート（ＧＦ）として形成される。基板グリーン体（ＧＳ）上に枠状グリーンシート（ＧＦ）が積層される。レーザー加工を施すことによって枠状グリーンシート（ＧＦ）に、基板配線部（２００）を貫通することなく基板配線部（２００）に到達するビア孔（ＶＨ）が形成される。枠状グリーンシート（ＧＦ）のビア孔（ＶＨ）内にビア電極（５１０）が、電極グリーン体（Ｇ５１０）として形成される。基板グリーン体（ＧＳ）と、枠状グリーンシート（ＧＦ）と、電極グリーン体（Ｇ５１０）とが焼成される。

Description

パッケージの製造方法

　本発明は、パッケージの製造方法に関し、特に、ビア電極が設けられたセラミック枠部を有するパッケージの製造方法に関するものである。

　セラミックグリーンシートを用いて製造されるセラミック部品として、水晶振動子用のパッケージが知られている。一般的な水晶振動子は、水晶ブランクと、水晶ブランクが収められるキャビティを有するパッケージと、キャビティを封止するための蓋とを有している。パッケージは、キャビティの底面をなす基板部と、キャビティを囲む枠部と、この枠部上に設けられたメタライズ層とを有している。メタライズ層に蓋が接合材（典型的には、ろう材）を用いて接合される。

　パッケージの枠部上のメタライズ層は、通常、接地電位用の電極パッドに電気的に短絡されている。この電気的経路は、典型的には、枠部を貫通するビア電極を介して確保される。しかしながら、パッケージの小型化の進展にともなって枠部の材料幅（枠部の内壁面と外壁面との間の寸法）が小さくなってきており、これに対応しての微細なビア電極を形成することが困難となってきている。具体的には、微細なビア電極用の微細なビア孔を、焼成されることによって枠部となるグリーンシートに形成することが、困難となってきている。ビア孔の典型的な形成方法として、ピン形状を有する金型が用いられる場合、ビア孔を微細化するためにピン形状を微細化すると、ピンの機械的強度が不足しやすい。よって、金型加工では、ビア孔が微細になるにつれて、量産における加工効率を確保することが難しくなってきている。

　たとえば特開２００７－２７５９２号公報（特許文献１）に開示された技術によれば、ビア電極に代わって、枠部の内壁面上に、略三日月状の形状を有するキャスタレーション電極が設けられている。しかしながら、上記公報の技術のようにビア電極に代わってキャスタレーション電極がキャビティの側壁に設けられている場合、ろう材を用いての蓋の接合工程において、ろう材がキャビティ中へキャスタレーション電極に沿って流れ込みやすい。流れ込んだろう材と水晶ブランクとが接触することによって、水晶振動子の性能に悪影響が生じることがある。なお、ろう材の流れ込みによる機械的特性への悪影響は、パッケージに実装される素子が水晶ブランクの場合に特に懸念されるが、水晶ブランクに限らず他の圧電素子の場合にも生じることがある。さらに、圧電素子に限らず他の電子部品にとっても、たとえば意図しない短絡のような、電気的特性への悪影響が懸念される。

　特開２００９－２３４０７４号公報（特許文献２）は、ビア孔としての微小な貫通孔を、セラミックグリーンシートに、レーザー加工技術によって形成する方法が開示されている。具体的には、厚みが２５０μｍ以下のセラミックグリーンシートに、直径３０μｍ乃至５０μｍの貫通孔が、紫外線レーザーを用いて形成される。このようなレーザー加工が、前述した金型加工に代わって用いられることによって、小型パッケージの量産におけるビア孔の加工効率を確保することができる。

特開２００７－２７５９２号公報 特開２００９－２３４０７４号公報

　上記のようにレーザー加工を用いることによってビア孔の加工効率は高めることができるものの、ビア孔の加工位置精度を確保する方法については、これまで十分に検討されていなかった。ビア孔の加工位置精度は、パッケージの小型化の進展にともなって、より一層、高めることが求められている。ビア孔の位置精度として、第１に、キャビティに対しての位置精度が求められる。位置ずれが過大な場合、ビア孔を囲む枠部の寸法が過小になることがあり、また極端な場合、ビア孔の加工が枠体から外れて行われてしまうことに起因しての不良が発生することがある。ビア孔の位置精度として、第２に、基板部上に設けられた配線部に対しての位置精度が求められる。なぜならば、ビア孔の中に設けられることなるビア電極の目的は、基板部上の配線部との電気的接続を得ることだからである。以上のように、ビア孔は、パッケージにおける位置精度、具体的にはキャビティおよび配線部の各々に対する位置精度、を有する必要がある。

　本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、パッケージにおけるビア孔の位置精度を高めることができる、パッケージの製造方法を提供することである。

　一の態様に従うパッケージの製造方法は、電子部品を収めるためのキャビティが設けられたパッケージの製造方法である。前記パッケージは、セラミック基板部と、前記セラミック基板部に設けられた基板配線部と、前記基板配線部が設けられた前記セラミック基板部上に配置され前記キャビティを囲むセラミック枠部と、前記セラミック枠部に設けられ前記基板配線部に到達するビア電極とを含む。前記製造方法は、前記基板配線部が設けられた前記セラミック基板部を、基板グリーン体として形成する工程と、前記セラミック枠部を、前記キャビティを囲む枠形状を有する枠状グリーンシートとして形成する工程と、前記基板グリーン体上に前記枠状グリーンシートを積層する工程と、レーザー加工を施すことによって前記枠状グリーンシートに、前記基板配線部を貫通することなく前記基板配線部に到達するビア孔を形成する工程と、前記枠状グリーンシートの前記ビア孔内に前記ビア電極を、電極グリーン体として形成する工程と、前記基板グリーン体と、前記枠状グリーンシートと、前記電極グリーン体とを焼成する工程と、を含む。

　前記ビア孔を形成する工程は、前記枠状グリーンシートの前記キャビティの位置を認識する工程と、前記枠状グリーンシートの前記キャビティの位置を認識する工程によって認識された位置を基準として、前記レーザー加工が施されることになる位置を定める工程と、を含んでよい。

　レーザー光の加工レート比を、前記枠状グリーンシートにおける前記セラミック枠部の材料にとっての加工レートに対する、前記基板グリーン体における前記基板配線部の材料にとっての加工レートの比と定義する。前記ビア孔を形成する工程は、第１加工レート比のレーザー光を照射することによって前記枠状グリーンシートの前記ビア孔を部分的に形成する工程と、第２加工レート比のレーザー光を照射することによって前記枠状グリーンシートの前記ビア孔を前記基板配線部に到達させる工程と、を含んでよい。前記第２加工レート比は前記第１加工レート比よりも低い。

　前記ビア孔を形成する工程は、前記枠状グリーンシートへパルスレーザー光を第１パルスエネルギーで照射することによって、前記枠状グリーンシートの前記ビア孔を部分的に形成する工程と、前記枠状グリーンシートへパルスレーザー光を第２パルスエネルギーで照射することによって、前記枠状グリーンシートの前記ビア孔を前記基板配線部に到達させる工程と、を含んでよい。前記第２パルスエネルギーは前記第１パルスエネルギーよりも低い。前記第１パルスエネルギーは１ｍＪ以上４０ｍＪ以下であってよく、前記第２パルスエネルギーは１０μＪ以上２００μＪ以下であってよい。

　前記ビア孔を形成する工程は、第１波長のレーザー光を照射することによって、前記枠状グリーンシートの前記ビア孔を部分的に形成する工程と、第２波長のレーザー光を照射することによって、前記枠状グリーンシートの前記ビア孔を前記基板配線部に到達させる工程と、を含んでよい。前記第２波長は前記第１波長よりも短い。前記第１波長は９．４μｍ以上１０．７μｍ以下であってよく、かつ、前記第２波長は３４３ｎｍ以上１０６４ｎｍ以下であってよい。

　他の態様に従うパッケージの製造方法は、電子部品を収めるためのキャビティが設けられたパッケージの製造方法である。前記パッケージは、セラミック基板部と、前記セラミック基板部に設けられた基板配線部と、前記基板配線部が設けられた前記セラミック基板部上に配置され前記キャビティを囲むセラミック枠部と、前記セラミック枠部に設けられ前記基板配線部に到達するビア電極とを含む。前記製造方法は、前記基板配線部が設けられた前記セラミック基板部を、基板グリーン体として形成する工程と、前記セラミック枠部を、前記キャビティを囲む枠形状を有する枠状グリーンシートとして形成する工程と、前記基板グリーン体上に前記枠状グリーンシートを積層する工程と、前記枠状グリーンシートへＣＯ_２レーザー光を照射することによって、後にビア孔となる凹部を前記枠状グリーンシートに形成する工程と、前記枠状グリーンシートへＣＯ_２レーザー光を照射することによって前記凹部を形成する工程の後に、前記凹部へ固体レーザー光を照射することによって、前記基板配線部を貫通することなく前記基板配線部に到達する前記ビア孔を前記枠状グリーンシートに形成する工程と、を含む。前記固体レーザー光の波長は前記ＣＯ_２レーザー光の波長よりも短くてよい。

　一の態様によれば、基板配線部が設けられたセラミック基板部上においてキャビティを囲む枠状グリーンシートに、ビア孔が形成される。これにより、キャビティの位置を基準として、ビア孔を形成することができる。よって、パッケージにおけるビア孔の位置精度を高めることができる。

　他の態様によれば、ビア孔へと拡張されることになる凹部を、ＣＯ_２レーザー光を用いることによって効率的に形成することができる。その後、凹部をビア孔へと拡張するために固体レーザー光を用いることによって、ビア孔の形成を、基板配線部を貫通することなく基板配線部上で精度よく停止させやすくなる。以上から、十分な製造効率と十分な製造歩留まりとを両立させることができる。

　この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。

実施の形態１における水晶振動子の構成を概略的に示す平面図である。 図１の線ＩＩ－ＩＩに沿う概略的な断面図である。 図１の水晶振動子の製造方法の一工程を概略的に示す平面図である。 図３の線ＩＶ－ＩＶに沿う概略的な断面図である。 本発明の一実施の形態１におけるパッケージの構成を概略的に示す平面図である。 図５の線ＶＩ－ＶＩに沿う概略的な断面図である。 図５におけるメタライズ層とビア電極が設けられたセラミック枠部との図示を省略した平面図である。 図７における基板部および基板ビア電極を、パッケージ電極パッドを破線で示しつつ、概略的に示す平面図である。 図５におけるセラミック枠部上のメタライズ層の図示を省略した平面図である。 図９の線Ｘ－Ｘに沿う概略的な部分断面図である。 実施の形態１におけるパッケージの製造方法を概略的に示すフロー図である。 実施の形態１におけるパッケージの製造方法の一工程を概略的に示す平面図である。 図１２における基板部および基板ビア電極を、パッケージ電極パッドを破線で示しつつ、概略的に示す平面図である。 図１２および図１３の線ＸＩＶ－ＸＩＶに沿う概略的な部分断面図である。 実施の形態１におけるパッケージの製造方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。 実施の形態１におけるパッケージの製造方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。 実施の形態１におけるパッケージの製造方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。 実施の形態１におけるパッケージの製造方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。 実施の形態１におけるパッケージの製造方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。 実施の形態１におけるパッケージの製造方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。 実施の形態１におけるパッケージの製造方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。 第１の比較例におけるパッケージの製造方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。 第１の比較例におけるパッケージの製造方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。 第１の比較例におけるパッケージの製造方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。 第１の比較例におけるパッケージの製造方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。 第２の比較例におけるパッケージの製造方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。 第２の比較例におけるパッケージの構成を概略的に示す部分断面図である。

　以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。

　＜実施の形態１＞
　図１は、本実施の形態１における水晶振動子９００の構成を概略的に示す平面図である。図２は、図１の線ＩＩ－ＩＩに沿う概略的な断面図である。図３は、水晶振動子９００（図１）の製造方法における、水晶ブランク８９０（電子部品）が実装された直後の構成を概略的に示す平面図である。図４は、図３の線ＩＶ－ＩＶに沿う概略的な断面図である。

　水晶振動子９００は、パッケージ７０１と、水晶ブランク８９０と、ろう材９６０と、蓋９８０とを有している。パッケージ７０１にはキャビティＣＶが設けられている。水晶ブランク８９０は、キャビティＣＶ内に収められており、パッケージ７０１の素子電極パッド２１１および素子電極パッド２１２の上に実装されている。蓋９８０は、ろう材９６０によってパッケージ７０１のメタライズ層６００に接合されており、これによりキャビティＣＶが封止されている。ろう材９６０は、典型的には、金を含む合金からなることが好ましく、たとえば、金およびスズを含む合金、言い換えればＡｕ－Ｓｎ系合金、からなる。蓋９８０は、金属からなり、例えば、鉄およびニッケルを含む合金からなる。なお本明細書において、合金は金属の一種とみなす。

　メタライズ層６００は、例えば、モリブデンおよびタングステンの少なくともいずれかを含む金属からなる。メタライズ層６００の表面（ろう材９６０に面する面）には、めっき層が設けられていてよく、典型的には金めっき層が設けられている。また金めっき層の下地としてニッケルめっき層が設けられていてよい。本実施の形態においては、パッケージ７０１のセラミック枠部１２０の枠上面ＳＦ１上に直接設けられたメタライズ層６００と、蓋９８０との間が、ろう材９６０のみによって接合されている。

　図５は、パッケージ７０１の構成を概略的に示す平面図である。図６は、図５の線ＶＩ－ＶＩに沿う概略的な断面図である。パッケージ７０１は、セラミック部１００と、素子電極パッド２１１と、素子電極パッド２１２と、パッケージ電極パッド３０１～３０４とを有している。また詳しくは後述するが、パッケージ７０１は、セラミック部１００に設けられた、電気的配線のための構成を有している。

　セラミック部１００は、セラミックからなり、好ましくは酸化物を主成分として有しており、より好ましくはアルミナを主成分として有しており、例えば実質的にアルミナからなる。セラミック部１００は、セラミック基板部１１０と、セラミック枠部１２０とを含む。セラミック基板部１１０の材料と、セラミック枠部１２０の材料とは、同じであってよい。セラミック枠部１２０は厚み方向（図６における縦方向）においてセラミック基板部１１０に積層されている。これにより、セラミック枠部１２０は、セラミック基板部１１０上に配置されており、キャビティＣＶを囲んでいる。セラミック枠部１２０は、枠上面ＳＦ１（第１面）と、枠下面ＳＦ２（厚み方向において第１面と反対の第２面）とを有している。またセラミック枠部１２０は、枠上面ＳＦ１と枠下面ＳＦ２とを互いにつなぐ内壁面を有しており、当該内壁面はキャビティＣＶの側壁である。セラミック基板部１１０は基板上面ＳＦ３（第３面）を有している。基板上面ＳＦ３は、セラミック枠部１２０の枠下面ＳＦ２を支持する支持面部分ＳＦ３Ｓと、キャビティＣＶに面するキャビティ面部分ＳＦ３Ｃとを有している。キャビティ面部分ＳＦ３ＣはキャビティＣＶの底面をなしている。

　素子電極パッド２１１および素子電極パッド２１２（図５）はキャビティＣＶに面してセラミック部１００（図６）に配置されている。具体的には、素子電極パッド２１１および素子電極パッド２１２は、セラミック基板部１１０（図６）の基板上面ＳＦ３のキャビティ面部分ＳＦ３Ｃ上に配置されている。パッケージ電極パッド３０１～３０４（図５）はキャビティＣＶ外においてセラミック部１００（図６）に配置されている。具体的には、パッケージ電極パッド３０１～３０４は、セラミック基板部１１０（図６）の下面（基板上面ＳＦ３とは反対の面）上に配置されている。

　中継電極２２０（図５）は、セラミック基板部１１０（図６）の基板上面ＳＦ３上に設けられている。中継電極２２０は、少なくとも部分的に支持面部分ＳＦ３Ｓ（図６）上に配置されている。よって、中継電極２２０（図５）は、少なくとも部分的にセラミック枠部１２０に覆われている。中継電極２２０はさらに、セラミック枠部１２０には覆われずにキャビティＣＶの底面に配置された部分を有していてよい。言い換えれば、中継電極２２０はセラミック枠部１２０に部分的にのみ覆われていてよい。

　図７は、図５におけるメタライズ層６００と、ビア電極５１０（図９参照）が設けられたセラミック枠部１２０と、の図示を省略した平面図である。図８は、図７におけるセラミック基板部１１０および基板ビア電極４１１～４１４を、パッケージ電極パッド３０１～３０４を破線で示しつつ、概略的に示す平面図である。

　セラミック部１００のセラミック基板部１１０にはその上面近傍において配線層４０１～４０３が埋め込まれている。配線層４０１は素子電極パッド２１１に接触しており、配線層４０２は素子電極パッド２１２に接触しており、配線層４０３は中継電極２２０に接触している。これらの接触を阻害しない範囲で配線層４０１～４０３は、セラミック基板部１１０の一部としての絶縁膜１１０ｉ（図１０参照）に被覆されていてよく、特に素子電極パッド２１１と配線層４０３との間は、絶縁膜１１０ｉによって絶縁されている。配線層４０３および中継電極２２０によって基板配線部２００が構成されている。基板配線部２００はセラミック基板部１１０に設けられている。

　パッケージ７０１は、セラミック部１００のセラミック基板部１１０中に埋め込まれた基板ビア電極４１１～４１４を有している。基板ビア電極４１１は配線層４０２とパッケージ電極パッド３０１とを互いに接続している。基板ビア電極４１２は配線層４０３とパッケージ電極パッド３０２とを互いに接続している。基板ビア電極４１３は配線層４０１とパッケージ電極パッド３０３とを互いに接続している。基板ビア電極４１４は配線層４０３とパッケージ電極パッド３０４とを互いに接続している。

　以上の構成から、素子電極パッド２１１はパッケージ電極パッド３０３に電気的に接続されており、素子電極パッド２１２はパッケージ電極パッド３０１に電気的に接続されており、中継電極２２０はパッケージ電極パッド３０２およびパッケージ電極パッド３０４に電気的に接続されている。

　図９は、図５におけるメタライズ層６００の図示を省略した平面図である。図１０は、図５および図７～図９の各々の線Ｘ－Ｘに沿う概略的な部分断面図である。

　セラミック枠部１２０の内壁面（図９においてキャビティＣＶに面する面）と外壁面ＳＦ４（内壁面と反対の面）との間の最小寸法は、２００μｍ以下であってよく、典型的には２０μｍ以上１１０μｍ以下である。

　前述したように、配線層４０３および中継電極２２０によって、セラミック基板部１１０の基板上面ＳＦ３上に基板配線部２００が構成されている。また、前述したようにセラミック基板部１１０がその一部として絶縁膜１１０ｉ（図１０）を有している。

　なお変形例として、絶縁膜１１０ｉはパッケージの設計によっては省略されてよい。また基板配線部２００は、配線層４０３および中継電極２２０のいずれか一方のみによって構成されてよい。例えば、基板配線部２００は、中継電極２２０が省略されつつ配線層４０３を有していてよく、その場合において、配線層４０３と絶縁膜１１０ｉとの境界位置（図１０における配線層４０３の右端位置）が支持面部分ＳＦ３Ｓ上の中継電極２２０の端位置（図１０における中継電極２２０の右端位置）へずらされてよく、中継電極２２０は省略されてよい。またキャビティＣＶに面している絶縁膜１１０ｉの端は、セラミック枠部１２０に達するように変形されてよく、その場合、基板配線部２００は絶縁膜１１０ｉによってキャビティＣＶから隔てられてよい。また、基板配線部２００は、典型的には図１０に示されているように支持面部分ＳＦ３Ｓとキャビティ面部分ＳＦ３Ｃとにまたがっているが、変形例として、支持面部分ＳＦ３Ｓ上にのみ配置されていてよい。また基板配線部２００は、本実施の形態においてはセラミック枠部１２０の枠下面ＳＦ２の外縁（図１０においては、枠下面ＳＦ２の右端）から離れた端を有しているが、この端は外縁に達していてよい。

　パッケージ７０１は、セラミック枠部１２０に設けられたビア電極５１０を有している。ビア電極５１０は枠上面ＳＦ１と枠下面ＳＦ２との間でセラミック枠部１２０を貫通している。ビア電極５１０は、枠上面ＳＦ１で端面ＳＦＡを有しており、また枠下面ＳＦ２で底面ＳＦＢを有している。ビア電極５１０の端面ＳＦＡの直径は５０μｍ以下であってよい。これに比してビア電極５１０の底面ＳＦＢの直径は小さくてよい。平面視において、端面ＳＦＡの中心位置と、底面ＳＦＢの中心位置とは、おおよそ同じであってよい。端面ＳＦＡおよび底面ＳＦＢの形状は、おおよそ円形形状であるが、これら形状は幾何学的に厳密な円形状から、何らかの理由（例えば製造誤差）に起因して若干異なっていてもよい。その場合、直径は円形形状で近似することによって算出されてよい。ビア電極５１０の厚み（図１０における縦方向の寸法）は、例えば、５０μｍ以上２５０μｍ以下である。

　ビア電極５１０は、基板配線部２００に到達しており、具体的には中継電極２２０に到達している。前述したように、中継電極２２０は配線層４０３に接触しており、配線層４０３（図７）には基板ビア電極４１２および基板ビア電極４１４が接続されている。よって基板ビア電極４１２および基板ビア電極４１４は、ビア電極５１０に電気的に接続されている。さらに、ビア電極５１０の端面ＳＦＡは、メタライズ層６００に接している。よってメタライズ層６００は、図８を参照して、基板ビア電極４１２および基板ビア電極４１４のそれぞれを介して、パッケージ電極パッド３０２およびパッケージ電極パッド３０４に電気的に接続されている。

　図１１は、本実施の形態１におけるパッケージ７０１の製造方法を概略的に示すフロー図である。図１２は実施の形態１におけるパッケージの製造方法の一工程を概略的に示す平面図であり、図１３は図１２における基板部および基板ビア電極を、パッケージ電極パッドを破線で示しつつ、概略的に示す平面図であり、図１４は図１２および図１３の線ＸＩＶ－ＸＩＶに沿う概略的な部分断面図である。図１５～図２１は、実施の形態１におけるパッケージの製造方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。

　図１２～図１４を参照して、ステップＳＴ１００（図１１）にて、基板配線部２００が設けられたセラミック基板部１１０が、基板グリーン体ＧＳとして形成される。なお本明細書において、「グリーン体」は、焼成されることによってセラミック体となる構成のことを意味する。グリーン体は、典型的には粉末成形体である。粉末成形およびハンドリングを容易とするために、グリーン体は、主成分に加えて、ガラス成分と有機成分とを、添加物として含んでよい。有機成分は、例えば、ポリビニルブチラールまたはアクリルを含んでいてよい。グリーン体の成形方法は任意であるが、例えばドクターブレード法により、グリーン体としてのグリーンシートが形成される。このグリーンシート上にさらなるグリーン体が付加されてよく、この付加は、典型的には、当該グリーンシート上での印刷、または、他のグリーンシートの積層によって行われる。当該印刷は、典型的にはスクリーン印刷法によって行われる。焼成されることによってセラミック部１００となるグリーン体の主成分は、例えばアルミナ粉末であってよい。焼成されることによって基板配線部２００およびビア電極５１０となるグリーン体の主成分は、例えば、タングステン（Ｗ）粉末、モリブデン（Ｍｏ）粉末、Ｗ粉末とＭｏ粉末との混合粉末、または、Ｗ－Ｍｏ合金粉末であってよい。

　具体的には、まず、セラミック基板部１１０となるグリーンシートが形成される。このグリーンシートに対して、パンチ加工によるビア孔の形成と、当該ビア孔中への電極ペーストの印刷とが行われることによって、基板ビア電極４１１～４１４となるグリーン体が形成される。電極ペースト中には、例えば、タングステンおよびモリブデンの少なくともいずれかの粉末が分散されている。続いて、このグリーンシートに対して電極ペーストの印刷が行われることによって、配線層４０１～４０３となるグリーン体が形成される。続いて、このグリーンシートに対してセラミックペーストの印刷が行われることによって、絶縁膜１１０ｉとなるグリーン体が形成される。続いて、このグリーンシートに対して電極ペーストの印刷が行われることによって、素子電極パッド２１１，２１２、および中継電極２２０となるグリーン体が形成される。また、上記のように基板ビア電極４１１～４１４となるグリーン体が形成された後の任意のタイミングで、このグリーンシートに対して電極ペーストの印刷が行われることによって、パッケージ電極パッド３０１～３０４となるグリーン体が形成される。

　図１５および図１６を参照して、ステップＳＴ２００（図１１）にて、セラミック枠部１２０が、キャビティＣＶを囲む枠形状を有する枠状グリーンシートＧＦとして形成される。具体的には、まず、図１５に示されているように、セラミック枠部１２０となるグリーンシートが形成される。次に、図１６に示されているように、パンチ加工によってキャビティＣＶが形成される。なお、ステップＳＴ１００およびステップＳＴ２００（図１１）の順番は任意である。

　図１７を参照して、ステップＳＴ３００（図１１）にて、基板グリーン体ＧＳ（図１４参照）上に枠状グリーンシートＧＦ（図１６参照）が積層される。

　図１８および図１９を参照して、ステップＳＴ４００（図１１）にて、レーザー加工を施すことによって枠状グリーンシートＧＦに、基板配線部２００を貫通することなく基板配線部２００に到達するビア孔ＶＨが形成される。ここで、基板配線部２００の厚みは、例えば、５μｍ以上２０μ以下である。またビア孔ＶＨの厚みは、例えば、５０μｍ以上２５０μｍ以下である。

　レーザー加工を行うためのシステムであるレーザー加工システムは、レーザー光が照射されることになるワークを支持するテーブルと、所望のレーザー光をワークへと照射するレーザー装置と、当該テーブルおよびレーザー装置を制御する制御部と、を含む。

　レーザー装置は、レーザー発振器と、コリメータレンズと、マスクと、ベントミラーと、スキャンヘッドと、テーブルと、カメラと、を含む。レーザー発振器は、例えばＣＯ_２レーザー発振器であり、レーザー光を生成する。生成されたレーザー光はコリメータレンズによってコリメートされる。コリメートされた光は、マスクを通過することによって、ビーム幅が調整されたレーザービームとされる。レーザービームは、必要に応じて、ベントミラーによってその進行方向が調整されてよい。レーザービームが供されたスキャンヘッドは、テーブルに支持されたワーク上の所望の位置へレーザービームを集光する。この位置を制御するために、スキャンヘッドは、レーザービームが照射される位置をテーブルに平行な２次元における任意の位置へ調整可能とするためのガルバノスキャナを有していてよい。またスキャンヘッドは、レーザービームを集光するために、ガルバノスキャナとワークとの間に集光レンズを有していてよい。

　制御部は、電気回路を有する一般的なコンピュータによって構成されていてよい。一般的なコンピュータは、中央演算処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ　ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　ｕｎｉｔ、すなわち、ＣＰＵ）、リードオンリーメモリー（ｒｅａｄ　ｏｎｌｙ　ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリー（ｒａｎｄｏｍ　ａｃｃｅｓｓ　ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＡＭ）、記憶装置、入力部、表示部および通信部と、これらを相互に接続するバスラインとを有している。

　本実施の形態においては、上記ステップＳＴ４００は、以下のステップＳＴ４１１，ＳＴ４１２，ＳＴ４２１，ＳＴ４２２を含む。

　ステップＳＴ４１１（図１１）にて、枠状グリーンシートＧＦのキャビティＣＶの位置が認識される。具体的には、レーザー加工システムはそのカメラを用いて枠状グリーンシートＧＦのキャビティＣＶの位置を認識する。この認識は、通常の画像認識技術を用いて行われてよい。

　ステップＳＴ４１２（図１１）にて、ステップＳＴ４１１（図１１）によって認識された位置を基準として、レーザー加工が施されることになる位置が定められる。例えば、レーザー加工システムの制御部は、認識された位置から、予め定められた相対的位置を、レーザー加工が施されることになる位置と定める。

　ステップＳＴ４２１およびステップＳＴ４２２（図１１）にて、異なる特性を有するレーザー光を用いての２段階でのレーザー加工が行われる。本明細書において、レーザー光の「加工レート比」を、枠状グリーンシートＧＦにおけるセラミック枠部１２０の材料にとっての加工レートに対する、基板グリーン体ＧＳにおける基板配線部２００の材料にとっての加工レートの比と定義する。なお加工レートは、加工によって形成される孔の深さが伸展する程度によって評価されてよい。

　上記ステップＳＴ４２１（図１１）にて、第１加工レート比のレーザー光を照射することによって、枠状グリーンシートＧＦのビア孔ＶＨ（図１９参照）が部分的に形成される。言い換えれば、図１８に示されているように、枠状グリーンシートＧＦに非貫通孔ＶＨｐ（凹部）が形成される。非貫通孔ＶＨｐ（図１８）は、未完成のビア孔ＶＨ（図１９）である。言い換えれば、非貫通孔ＶＨｐは、後に、延長されることによってビア孔ＶＨとなるものである。具体的には、非貫通孔ＶＨｐ（図１８）は、セラミック枠部１２０を完全には貫通しておらず、よって非貫通孔ＶＨｐの底面ＳＨｐと基板配線部２００との間に、さらに除去される必要のあるセラミック枠部１２０が残っている。

　上記ステップＳＴ４２２（図１１）にて、非貫通孔ＶＨｐ（図１８）へ第２加工レート比のレーザー光を照射することによって、図１９に示されているように、枠状グリーンシートＧＦのビア孔ＶＨが、基板配線部２００を貫通することなく基板配線部２００に到達させられる。よって、ビア孔ＶＨの底面ＳＨは、基板配線部２００上に位置している。このステップＳＴ４２２において、基板配線部２００が若干除去されてもよいが、上述したように、ビア孔ＶＨは基板配線部２００を貫通はしない。

　上記ステップＳＴ４２２で用いられる第２加工レート比は、上記ステップＳＴ４２１で用いられた第１加工レート比よりも低い。例えば、第２加工レート比は、第１加工レート比の０．１％以上１０％以下である。加工レート比を決定する要因の第１の例は、レーザー光の強度である。なぜならば、強度が低くされると、枠状グリーンシートＧＦにおけるセラミック枠部１２０の材料にとっての加工レートの低下に比して、基板グリーン体ＧＳにおける基板配線部２００の材料にとっての加工レートの低下が顕著となりやすいからである。この理由は、基板グリーン体ＧＳにおける基板配線部２００の材料が、一般に反射率の高い材料である金属材料を多く含むからである。反射率が高いことによってレーザー光による昇温効果が元々抑制されている状態でレーザー光の強度が低くされると、加工を高速で進行させるには温度が足りなくなりやすいからである。このように、レーザー加工における加工レート比は、反射率の影響を強く受けるという特徴があり、この特徴を利用して加工レート比を調整することができる。第２の例は、レーザー光の波長である。なぜならば、材料に依存して、レーザー光の吸収率が相違するからである。これらの例については、後述の実施の形態２および３において、より詳しく説明する。

　さらに図２０を参照して、ステップＳＴ５００（図１１）にて、枠状グリーンシートＧＦのビア孔ＶＨ（図１９）内に、ビア電極５１０（図１０参照）が電極グリーン体Ｇ５１０として形成される。電極グリーン体Ｇ５１０は、焼成されることによってビア電極５１０（図１０参照）となるグリーン体である。電極グリーン体Ｇ５１０は、電極ペーストがスクリーン印刷によってビア孔ＶＨ中へ充填されることによって形成されてよい。

　図２１を参照して、メタライズ層（図１０参照）が、メタライズグリーン体Ｇ６００として形成される。メタライズグリーン体Ｇ６００は、焼成されることによってメタライズ層６００（図１０参照）となるグリーン体である。メタライズグリーン体Ｇ６００は、電極ペーストの塗布によって形成され、当該塗布は、例えばスクリーン印刷法によって行われる。

　ステップＳＴ６００（図１１）にて、基板グリーン体ＧＳと、枠状グリーンシートＧＦと、電極グリーン体Ｇ５１０と、メタライズグリーン体Ｇ６００とが焼成される。なお必要に応じて、焼成後に、めっき処理が行われてよい。以上により、パッケージ７０１（図１０）が得られる。

　なお、上記図１２～図２１を参照しての説明においては、説明を単純化するために、１つのパッケージを製造する方法について説明した。一方で、効率的な量産のために、複数のパッケージが面内方向において互いにつながった構成を有する焼結体が形成された後、当該焼結体を分割することによって複数のパッケージを得ることは、周知技術であり、それが本実施の形態へ適用されてよい。その場合、パッケージ７０１の外壁面ＳＦ４は、焼成後の分割工程によって形成されてよい。

　図２２～図２５は、第１の比較例における枠状グリーンシートＧＦｃの形成方法を示す部分断面図である。図２２を参照して、キャビティＣＶ（図１６参照）が形成される前にビア孔ＶＨが形成される。さらに図２３を参照して、ビア孔ＶＨ（図２２）内に、ビア電極５１０（図１０参照）が電極グリーン体Ｇ５１０として形成される。図２４を参照して、メタライズ層（図１０参照）が、メタライズグリーン体Ｇ６００として形成される。図２５を参照して、次に、キャビティＣＶが形成される。このとき、メタライズグリーン体Ｇ６００の不要部分が除去される。以上により、枠状グリーンシートＧＦｃが形成される。この枠状グリーンシートＧＦｃ（図２５）が基板グリーン体ＧＳ（図１４参照）上に積層される。これにより、本実施の形態１における図２１と同様の構成が得られる。しかしながら本比較例においては、ビア孔ＶＨを形成する際に、キャビティＣＶの位置を基準とすることができない。その結果、キャビティＣＶおよび基板配線部２００の各々に対するビア孔ＶＨの位置精度を十分に確保しにくい。

　図２６は、第２の比較例におけるパッケージの製造方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。本比較例においては、レーザー加工の結果として、本実施の形態１における図１９に示された構成とは異なり、ビア孔ＶＨｔの底面ＳＴｔが基板配線部２００を貫通する。その後の工程は、本実施の形態１における製造方法と同じである。図２７は、本比較例におけるパッケージ７０１ｔの構成を概略的に示す部分断面図である。上記レーザー加工に起因して、本比較例におけるビア電極５１０ｔは基板配線部２００を貫通しており、その結果、ビア電極５１０ｔの底面ＳＦＢは、基板配線部２００よりも深く（図中、下方に）位置している。本比較例における焼成工程においては、図２７において矢印で示されているように、基板配線部２００がビア電極５１０ｔから引けやすい。なぜならば、基板配線部２００の熱膨張係数の方が、その周囲の絶縁セラミック部分（典型的にはアルミナセラミック部分）の熱膨張係数に比して低いからである。この引けによって断線部ＢＫが生じると、ビア電極５１０ｔと基板配線部２００との間の電気的接続に不良が生じる。

　本実施の形態によれば、図１９に示されているように、基板配線部２００が設けられたセラミック基板部１１０上においてキャビティＣＶを囲む枠状グリーンシートＧＦに、ビア孔ＶＨが形成される。これにより、キャビティＣＶの位置を基準として、ビア孔ＶＨを形成することができる。よって、パッケージ７０１におけるビア孔ＶＨの位置精度を高めることができる。

　また、ビア孔ＶＨが形成される際に、ステップＳＴ４１１（図１１）にてキャビティＣＶの位置が認識され、ステップＳＴ４１２（図１１）にて、そのように認識された位置を基準として、レーザー加工が施されることになる位置が定められる。これにより、キャビティＣＶとビア孔ＶＨとの相対位置の精度を高めることができる。また、この相対位置の確保のために認識される構成が、比較的大きな寸法を有する構成であるキャビティＣＶであることによって、当該認識（典型的には画像認識）を容易に行うことができる。なお、ビア孔ＶＨと基板配線部２００との相対位置の精度は、基板グリーン体ＧＳ（図１４）と枠状グリーンシートＧＦ（図１６）との積層工程において、キャビティＣＶの位置と基板配線部２００の位置（またはそれに対応する位置）とが参照されることによってこれらの相対位置の精度が確保されることにより、通常は十分に確保される。ただし、ビア孔ＶＨと基板配線部２００との相対位置の精度が特に求められる場合は、キャビティＣＶの位置の認識（ステップＳＴ４１１）に加えて、基板配線部２００の位置（またはそれに対応する位置）も認識された後、これら両方の位置を基準として、ビア孔ＶＨのレーザー加工が行われてよい。

　また、第１加工レート比のレーザー光を用いての図１８に示された状態へのレーザー加工（図１１：ステップＳＴ４２１）と、第２加工レート比のレーザー光を用いての図１９に示された状態へのレーザー加工（図１１：ステップＳＴ４２２）と、が行われる。これにより、第１加工レート比のレーザー光を用いて、ビア孔ＶＨの一部となる非貫通孔ＶＨｐ（図１８）の形成を効率的に進行させることができる。そしてその後、第２加工レート比のレーザー光を用いることによって、ビア孔ＶＨ（図１９）の形成を、基板配線部２００を貫通することなく基板配線部２００上で精度よく停止させやすくなる。よって、十分な製造効率と十分な製造歩留まりとを両立させることができる。

　＜実施の形態２＞
　本実施の形態２においては、図１８の構成に至るステップＳＴ４１１（図１１）として、枠状グリーンシートＧＦへパルスレーザー光を第１パルスエネルギーで照射することによって、枠状グリーンシートＧＦの非貫通孔ＶＨｐが形成される。言い換えれば、枠状グリーンシートＧＦのビア孔ＶＨ（図１９）が部分的に形成される。そして、図１９の構成に至るステップＳＴ４１２（図１１）として、枠状グリーンシートＧＦへパルスレーザー光を第２パルスエネルギーで照射することによって、枠状グリーンシートＧＦのビア孔ＶＨが基板配線部２００に到達させられる。第２パルスエネルギーは第１パルスエネルギーよりも低い。具体的には、第１パルスエネルギーは１ｍＪ以上４０ｍＪ以下であってよく、第２パルスエネルギーは１０μＪ以上２００μＪ以下であってよい。なお本実施の形態２の、これら特徴以外については、前述した実施の形態１とほぼ同様であるため、その説明を繰り返さない。

　本実施の形態によれば、第１パルスエネルギーのレーザー光を用いての図１８に示された状態へのレーザー加工（図１１：ステップＳＴ４２１）と、第２パルスエネルギーのレーザー光を用いての図１９に示された状態へのレーザー加工（図１１：ステップＳＴ４２２）と、が行われる。これにより、第１パルスエネルギーのレーザー光を用いて、十分に深い非貫通孔ＶＨｐ（図１８）を少ないパルス数で効率的に形成した後、第２パルスエネルギーのレーザー光を用いることによって、ビア孔ＶＨの底面ＳＨ（図１９）を、基板配線部２００を貫通することなく基板配線部２００上で精度よく停止させやすくなる。よって、十分な製造効率と十分な製造歩留まりとを両立させることができる。また、総パルス数が過多となることを避けることによって、ビア孔ＶＨの肩部分の形状が過度に丸みを帯びることが避けられる。

　＜実施の形態３＞
　本実施の形態３においては、図１８の構成に至るステップＳＴ４１１（図１１）として、第１波長のレーザー光を照射することによって、枠状グリーンシートＧＦの非貫通孔ＶＨｐが形成される。言い換えれば、枠状グリーンシートＧＦのビア孔ＶＨ（図１９）が部分的に形成される。そして、図１９の構成に至るステップＳＴ４１２（図１１）として、第２波長のレーザー光を照射することによって、枠状グリーンシートＧＦのビア孔ＶＨが基板配線部２００に到達させられる。第２波長は第１波長よりも短い。具体的には、第１波長は９．４μｍ以上１０．７μｍ以下であってよく、かつ、第２波長は３４３ｎｍ以上１０６４ｎｍ以下であってよい。

　第１波長のレーザー光はＣＯ_２レーザー光であってよく、かつ第２波長のレーザー光は固体レーザー光であってよい。固体レーザー光の波長はＣＯ_２レーザー光の波長よりも短い。なお、固体レーザー光は、第２波長のレーザー光を生成するレーザー発振器によって直接生成されてよく、あるいは、第２波長よりも長い波長を生成する固体レーザー発振器からのレーザー光を波長変換することによって間接的に生成されてよい。

　なお本実施の形態３の、これら特徴以外については、前述した実施の形態１とほぼ同様であるため、その説明を繰り返さない。本実施の形態によっても、前述した実施の形態２とおおよそ同様の効果が得られる。また本実施の形態によれば、ビア孔ＶＨへと拡張されることになる非貫通孔ＶＨｐを、ＣＯ_２レーザー光を用いることによって効率的に形成することができる。その後、非貫通孔ＶＨｐをビア孔ＶＨへと拡張するために固体レーザー光を用いることによって、ビア孔ＶＨの形成を、基板配線部２００を貫通することなく基板配線部２００上で精度よく停止させやすくなる。以上から、十分な製造効率と十分な製造歩留まりとを両立させることができる。

　以上、本発明の実施の形態１～３およびその変形例について説明した。これら実施の形態および変形例は、互いに矛盾しない限り、互いに自由に組み合わされてよい。例えば、レーザー加工用のレーザー光について、実施の形態２で説明されているようにパルスエネルギーが調整され、かつ、実施の形態３で説明されているように波長が調整されてよい。

　１１０　　　　：セラミック基板部
　１１０ｉ　　　：絶縁膜
　１２０　　　　：セラミック枠部
　２００　　　　：基板配線部
　２１１，２１２：素子電極パッド
　２２０　　　　：中継電極
　３０１～３０４：パッケージ電極パッド
　４０１～４０３：配線層
　４１１～４１４：基板ビア電極
　５１０　　　　：ビア電極
　６００　　　　：メタライズ層
　７０１　　　　：パッケージ
　８９０　　　　：水晶ブランク（電子部品）
　９６０　　　　：ろう材
　９８０　　　　：蓋
　ＣＶ　　　　　：キャビティ
　Ｇ５１０　　　：電極グリーン体
　Ｇ６００　　　：メタライズグリーン体
　ＧＦ　　　　　：枠状グリーンシート
　ＧＳ　　　　　：基板グリーン体
　ＶＨ　　　　　：ビア孔

Claims (9)

1. 　電子部品（８９０）を収めるためのキャビティ（ＣＶ）が設けられたパッケージ（７０１）の製造方法であって、前記パッケージ（７０１）は、セラミック基板部（１１０）と、前記セラミック基板部（１１０）に設けられた基板配線部（２００）と、前記基板配線部（２００）が設けられた前記セラミック基板部（１１０）上に配置され前記キャビティ（ＣＶ）を囲むセラミック枠部（１２０）と、前記セラミック枠部（１２０）に設けられ前記基板配線部（２００）に到達するビア電極（５１０）とを含み、前記製造方法は、
   　前記基板配線部（２００）が設けられた前記セラミック基板部（１１０）を、基板グリーン体（ＧＳ）として形成する工程と、
   　前記セラミック枠部（１２０）を、前記キャビティ（ＣＶ）を囲む枠形状を有する枠状グリーンシート（ＧＦ）として形成する工程と、
   　前記基板グリーン体（ＧＳ）上に前記枠状グリーンシート（ＧＦ）を積層する工程と、
   　レーザー加工を施すことによって前記枠状グリーンシート（ＧＦ）に、前記基板配線部（２００）を貫通することなく前記基板配線部（２００）に到達するビア孔（ＶＨ）を形成する工程と、
   　前記枠状グリーンシート（ＧＦ）の前記ビア孔（ＶＨ）内に前記ビア電極（５１０）を、電極グリーン体（Ｇ５１０）として形成する工程と、
   　前記基板グリーン体（ＧＳ）と、前記枠状グリーンシート（ＧＦ）と、前記電極グリーン体（Ｇ５１０）とを焼成する工程と、
   を備える、パッケージ（７０１）の製造方法。
2. 　前記ビア孔（ＶＨ）を形成する工程は、
   　　前記枠状グリーンシート（ＧＦ）の前記キャビティ（ＣＶ）の位置を認識する工程と、
   　　前記枠状グリーンシート（ＧＦ）の前記キャビティ（ＣＶ）の位置を認識する工程によって認識された位置を基準として、前記レーザー加工が施されることになる位置を定める工程と、
   を含む、請求項１に記載のパッケージ（７０１）の製造方法。
3. 　レーザー光の加工レート比を、前記枠状グリーンシート（ＧＦ）における前記セラミック枠部（１２０）の材料にとっての加工レートに対する、前記基板グリーン体（ＧＳ）における前記基板配線部（１１０）の材料にとっての加工レートの比と定義して、
   　前記ビア孔（ＶＨ）を形成する工程は、
   　　第１加工レート比のレーザー光を照射することによって前記枠状グリーンシート（ＧＦ）の前記ビア孔（ＶＨ）を部分的に形成する工程と、
   　　第２加工レート比のレーザー光を照射することによって前記枠状グリーンシート（ＧＦ）の前記ビア孔（ＶＨ）を前記基板配線部（２００）に到達させる工程と、
   を含み、前記第２加工レート比は前記第１加工レート比よりも低い、請求項１または２に記載のパッケージ（７０１）の製造方法。
4. 　前記ビア孔（ＶＨ）を形成する工程は、
   　　前記枠状グリーンシート（ＧＦ）へパルスレーザー光を第１パルスエネルギーで照射することによって、前記枠状グリーンシート（ＧＦ）の前記ビア孔（ＶＨ）を部分的に形成する工程と、
   　　前記枠状グリーンシート（ＧＦ）へパルスレーザー光を第２パルスエネルギーで照射することによって、前記枠状グリーンシート（ＧＦ）の前記ビア孔（ＶＨ）を前記基板配線部（２００）に到達させる工程と、
   を含み、前記第２パルスエネルギーは前記第１パルスエネルギーよりも低い、請求項１または２に記載のパッケージ（７０１）の製造方法。
5. 　前記第１パルスエネルギーは１ｍＪ以上４０ｍＪ以下であり、前記第２パルスエネルギーは１０μＪ以上２００μＪ以下である、請求項４に記載のパッケージ（７０１）の製造方法。
6. 　前記ビア孔（ＶＨ）を形成する工程は、
   　　第１波長のレーザー光を照射することによって、前記枠状グリーンシート（ＧＦ）の前記ビア孔（ＶＨ）を部分的に形成する工程と、
   　　第２波長のレーザー光を照射することによって、前記枠状グリーンシート（ＧＦ）の前記ビア孔（ＶＨ）を前記基板配線部（２００）に到達させる工程と、
   を含み、前記第２波長は前記第１波長よりも短い、請求項１または２に記載のパッケージ（７０１）の製造方法。
7. 　前記第１波長は９．４μｍ以上１０．７μｍ以下であり、かつ、前記第２波長は３４３ｎｍ以上１０６４ｎｍ以下である、請求項６に記載のパッケージ（７０１）の製造方法。
8. 　電子部品（８９０）を収めるためのキャビティ（ＣＶ）が設けられたパッケージ（７０１）の製造方法であって、前記パッケージ（７０１）は、セラミック基板部（１１０）と、前記セラミック基板部（１１０）に設けられた基板配線部（２００）と、前記基板配線部（２００）が設けられた前記セラミック基板部（１１０）上に配置され前記キャビティ（ＣＶ）を囲むセラミック枠部（１２０）と、前記セラミック枠部（１２０）に設けられ前記基板配線部（２００）に到達するビア電極（５１０）とを含み、前記製造方法は、
   　前記基板配線部（２００）が設けられた前記セラミック基板部（１１０）を、基板グリーン体（ＧＳ）として形成する工程と、
   　前記セラミック枠部（１２０）を、前記キャビティ（ＣＶ）を囲む枠形状を有する枠状グリーンシート（ＧＦ）として形成する工程と、
   　前記基板グリーン体（ＧＳ）上に前記枠状グリーンシート（ＧＦ）を積層する工程と、
   　前記枠状グリーンシート（ＧＦ）へＣＯ_２レーザー光を照射することによって、後にビア孔（ＶＨ）となる凹部（ＶＨｐ）を前記枠状グリーンシート（ＧＦ）に形成する工程と、
   　前記枠状グリーンシート（ＧＦ）へＣＯ_２レーザー光を照射することによって前記凹部（ＶＨｐ）を形成する工程の後に、前記凹部（ＶＨｐ）へ固体レーザー光を照射することによって、前記基板配線部（２００）を貫通することなく前記基板配線部（２００）に到達する前記ビア孔（ＶＨ）を前記枠状グリーンシート（ＧＦ）に形成する工程と、
   　前記枠状グリーンシート（ＧＦ）の前記ビア孔（ＶＨ）内に前記ビア電極（５１０）を、電極グリーン体（Ｇ５１０）として形成する工程と、
   　前記基板グリーン体（ＧＳ）と、前記枠状グリーンシート（ＧＦ）と、前記電極グリーン体（Ｇ５１０）とを焼成する工程と、
   を備える、パッケージ（７０１）の製造方法。
9. 　前記固体レーザー光の波長は前記ＣＯ_２レーザー光の波長よりも短い、請求項８に記載のパッケージ（７０１）の製造方法。

Images