JP2010159416A - 切り替え可能な反応器を含む、200重量ppm〜2重量%のアスファルテンを含有する原料の水素化分解方法 - Google Patents
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-
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Abstract
【解決手段】200重量ppm〜2重量%のアスファルテンおよび/または10重量ppm超の金属を有する炭化水素原料を、少なくとも2つの切り替え可能な反応帯域M1,M2であって、水素化脱金属触媒および場合による水素化脱窒触媒を含む反応帯域において水素化脱金属処理し、次いで、有機窒素含有量を低下させる水素化精製処理、その後の固定床水素化分解処理および蒸留工程を経て軽油留分を回収する。
【選択図】図1
Description
− 前記原料は、50〜300バールの全圧および200〜2,000Nm3/m3の水素/炭化水素比で、300℃および450℃の水素化脱金属処理に供され、前記処理は、少なくとも2つの切り替え可能な反応帯域(switchable reaction zone)において行われ、それぞれは、少なくとも1種の水素化脱金属触媒を含み、場合によっては水素化脱窒触媒を含み、
− 次いで、少なくとも一部は脱金属化され且つ場合によっては一部が脱窒化された流出物の少なくとも一部が、少なくとも1種の水素化処理触媒を含む水素化精製区間において水素化精製されて、有機窒素含有量が20重量ppm未満に低減させられ、該水素化精製は、300℃および450℃の温度、50〜300バールの全圧下、200〜2,000Nm3/m3の水素/炭化水素比で行われ、
− 次いで、少なくとも一部が脱窒化された流出物の少なくとも一部が、少なくとも1種の固定床水素化分解触媒を含む水素化分解区間において、300℃および450℃、50〜300バールの全圧下、300〜3,000Nm3/m3の水素/炭化水素比で水素化分解され、
− 次いで、水素化分解された流出物の少なくとも一部が常圧蒸留によって蒸留されて、少なくとも1種の軽油留分、ナフサ留分および常圧残渣が得られ、前記残渣は、場合によっては、少なくとも一部が減圧下に蒸留されて、少なくとも1種の減圧留出液および減圧残渣が得られる、
方法に関する。
本発明に従って処理され得るHDM区間に入る原料は通常、少なくとも200重量ppm(多くの場合、少なくとも300重量ppm、または更には少なくとも500重量ppm、またはそれ以外には少なくとも1,000重量ppm)かつ多くとも2重量%(多くの場合、多くとも1重量%)のアスファルテンおよび/または10重量ppm超の金属(一般的に、10重量ppm超のNi+V)を含有する。
水素化脱金属区間は、アスファルテンおよび金属の含有量に関して上に定義されたような処理されるべき原料を受け取る。
− 脱金属率:少なくとも10%から最大95%
− マクロ孔容積(25nm超の径を有する細孔):全細孔容積の5%超
− 金属保持容量:新触媒の重量に対して通常10%超、より長い操作運転が得られる、
−390℃超の温度であっても高いコークス化耐性;これによって、原料の損失の増大およびコークスの生成に起因する活性の損失によって多くの場合制限される運転期間を長くすることができる。
a)反応帯域の1つを失活および/または目詰まりさせる時間に最大でも等しい期間にわたって、反応帯域が全部一緒に用いられる工程、
b)切り替え可能な反応帯域の少なくとも1つがバイパスされ、該切り替え可能な反応帯域が含む触媒が再生され、かつ/または新触媒または再生済み触媒と交換される工程、
c)反応帯域が全部一緒に用いられ、反応帯域(その触媒は、先行する工程の過程にわたって再生され、かつ/または交換される)は、それらの最初の位置(「単純」態様として知られた位置)または切り替え可能な反応帯域の中の別の位置(「交換」態様として知られた位置)のいずれかに再連結され、前記工程は、反応ゾーンの1つを失活および/または目詰まりさせる時間に最大でも等しい期間にわたって実行される工程。
HDMを行うための操作条件は、一般的に、300〜450℃、好ましくは360〜420℃の温度、50〜300バール、好ましくは80〜180バールの全圧、200〜2,000Nm3/m3、好ましくは500〜1,500Nm3/m3の水素対炭化水素比である。種々のHDM反応帯域の操作条件は互いに異なっていてもよい。
HDM区間から得られた流出物の少なくとも一部(一般的には全部)はHDR区間に送られる。通常、その流出物は気相を分離することなく直ちに送られるが、分離(例えばフラッシュ分離)は非常に可能性がある。
− 少なくとも1つのマトリクス:1〜99%、好ましくは10〜98%、より好ましくは15〜95%、
− 少なくとも1種の第VIB族金属:3〜60%、好ましくは3〜45%、より好ましくは3〜30%、
− 場合による、少なくとも1種の第VIII族金属:0〜30%、好ましくは0〜25%、より好ましくは0〜20%
− ホウ素:0.1〜20%、好ましくは0.1〜15%、より好ましくは0.1〜10%および/またはケイ素:0.1〜20%、好ましくは0.1〜15%、より好ましくは0.1〜10%、
− 場合による、リン:0〜20%、好ましくは0.1〜15%、より好ましくは0.1〜10%、および
− 場合による、第VIIA族から選択される少なくとも1種の元素、例えば、フッ素:0〜20%、好ましくは0.1〜15%、より好ましくは0.1〜10%
を含む。
− 少なくとも1種のマトリクス、好ましくはアルミナ:1〜95重量%(酸化物%)、
− 少なくとも1種の第VIB族元素および第VIII族非金属元素:5〜40重量%(酸化物%)、
− リン、ホウ素、ケイ素から選択される少なくとも1種のプロモーター元素:0〜20重量%(酸化物%)、好ましくは0.1〜20重量%、
− 少なくとも1種の第VIIB族元素(例えば、マンガン):0〜20重量%(酸化物%)、
− 少なくとも1種の第VIIA族元素(例えば、フッ素、塩素):0〜20重量%(酸化物%)、および
− 少なくとも1種の第VB族元素(例えば、ニオブ):0〜60重量%(酸化物%)
を含む。
− 第VIII族金属/第VIB族金属の原子比:0〜1;
− Bが存在する場合のB/第VIB族金属の原子比:0.01〜3;
− Siが存在する場合のSi/第VIB族金属の原子比:0.01〜1.5;
− Pが存在する場合のP/第VIB族金属の原子比:0.01〜1;および
− 第VIIA族元素/第VIB族金属の原子比:0.01〜2。
好ましくは、HDM帯域およびHDR帯域は、少なくとも2種の触媒を含み、その一方は水素化脱金属用であり、他方は水素化精製用である、特定の触媒系(本明細書では「グレーディング(grading)」と呼ぶ)により操作し;
− 前記触媒は、多孔性の耐火性酸化物からなる少なくとも1種の担体と、少なくとも1種の第VIB族金属と、少なくとも2種の第VIII族金属とを含み、該少なくとも2種の第VIII族金属のうちの一つは、VIII-1と呼ばれる主要プロモータ(majority promoter)であり、1種以上の他のものは、共プロモータ(co-promoter)VIII-iと呼ばれ、ここで、iは2〜5であり、これらの触媒において、第VIII族元素は、原子比[VIII-1/(VIII-1+…+VIII-i)]によって定められる比率0.5〜0.85で存在し、少なくとも1種の水素化脱金属触媒および少なくとも1種の水素化精製触媒は同じ原子比率を有し;
− 水素化脱金属触媒(単数または複数)は、1種以上の第VIB族金属を、触媒の全質量に対する1種以上の第VIB族金属の三酸化物の重量で2〜9%の含有量で有し、複数種の第VIII族金属含有量の合計は、全触媒質量に対する複数種の第VIII族金属の酸化物の重量で0.3〜2%であり、
− 水素化精製触媒(単数または複数)は、第VIB族金属を、全触媒質量に対する1種以上の第VIB族金属の三酸化物の重量で厳密に9%超かつ17%未満の1種以上の含有量で有し、複数種の第VIII族金属の含有量の合計は、全触媒質量に対する複数種の第VIII族金属の酸化物の重量で厳密に2%超且つ5%未満である。
HDRを行うための操作条件は通常、300〜450℃、好ましくは360〜420℃の温度、50〜300バール、好ましくは80〜180バールの全圧、200〜2,000Nm3/m3、好ましくは600〜1,600Nm3/m3の水素対炭化水素の比である。種々のHDR反応帯域の操作条件は互いに異なっていてもよい。
HDR区間から得られた流出物の少なくとも一部(一般的には全部)はHCK区間に送られる。通常、その流出物は気相を分離することなく直ちに送られるが、分離(例えばフラッシュ分離)は非常に可能性がある。
HCK区間から得られた生成物は、少なくとも1つのフラッシュタンクおよび常圧蒸留残、および場合によっては減圧蒸留を含む蒸留帯域に送られる。少なくとも1種の常圧留出液および1種の常圧残渣が、常圧蒸留から回収される。
原料としての脱アスファルト油
本発明の方法は脱アスファルト油を処理するのに特に適している。特定の実施形態によれば、原油の又は別の装置からの常圧残渣および/または減圧残渣は、溶媒、例えば炭化水素溶媒または溶媒混合物を用いて脱アスファルト化に供される。次いで、脱アスファルト化生成物は、有利には、少なくとも一部、本発明による方法の反応帯域の1つの入口、通常は操作中の第1の反応帯域の入口に注入される。
本方法の触媒床の少なくとも1つの入口に、好ましくは操作中の第1の帯域の入口に、初留点が140〜260℃であり終留点が300〜440℃である少なくとも1種の軽油、または初留点が300〜450℃であり終留点が400〜600℃であるヘビーサイクルオイルHCOを注入することも可能である。
本方法の別の変形例によれば、本発明の方法から得られる常圧残渣および/または減圧留出液および/または減圧残渣の少なくとも一部は、接触分解装置、好ましくは流動床接触分解(fluidised-bed catalytic cracking:FCC)装置に送られる。この接触分解装置から、特に、LCO(ライトサイクルオイル)フラクションおよびHCO(ヘビーサイクルオイル)フラクションが回収され、これらは、少なくとも一部(これらのいずれか一方または両方の混合物)、本発明の方法の、本方法(HDMおよび/またはHDRおよび/またはHCK、好ましくはHDRおよび/またはHCK)の反応帯域の少なくとも1つの入口に、好ましくは、前記区間(単数または複数)のために操作中の第1の反応帯域の入口に送られ得る。一般に、HCOは、HDM区間に送られ、LCOは、HDRおよび/またはHCK区間に送られる。その時本発明による方法に送られるLCOおよび/またはHCOの量は、上記に記載された全量に含まれる。
本方法の別の変形例によれば、本発明の方法から得られた常圧残渣および/または減圧留出液および/または減圧残渣の少なくとも一部は、水蒸気分解装置に送られる。この水蒸気分解装置から、特に、芳香族化合物含有量が高いC5+フラクション、オレフィンおよび/またはジオレフィン生成物が回収され、(直ちにまたは蒸留による分留の後にまたは芳香族化合物の抽出の後にまたは別の処理の後に)、少なくとも一部、本発明の方法の、本方法(HDMおよび/またはHDRおよび/またはHCK、好ましくはHDRおよび/またはHCK)の反応帯域の少なくとも1つの入口に、好ましくは前記区間(単数または複数)のために操作中の第1の反応帯域の入口に送られ得る。本発明による方法に送られるC5+フラクションの量は、前述の総量に含まれる。
本方法は以下の選択肢の1つに従って操作し得る:
− 水素化精製区間および水素化分解区間は切り替え可能な反応帯域を含む;
− 全区間が切り替え可能な反応帯域およびバイパス可能な反応帯域を含む;
− 水素化脱金属区間は、切り替え可能な反応帯域のほか少なくとも1つのバイパス可能な反応帯域も含む;HDR区間およびHCK区間はバイパス可能な反応帯域からなり、HDR区間およびHCK区間における前記帯域の少なくとも1つはバイパスされない;
− 水素化脱金属区間は、(好ましくは2つの)切り替え可能な反応帯域のみを含み、水素化精製区間および水素化分解区間は単一の非バイパス反応帯域を含む。
a)反応帯域の1つを失活および/または目詰まりさせる時間に最大でも等しい期間、ある区間の反応帯域が全部一緒に用いられる工程、
b)反応帯域の少なくとも1つがバイパスされ、それが含む触媒が再生され、かつ/または新しい触媒または再生済み触媒と交換される工程、
c)ある区間の反応帯域が全部一緒に用いられ、単数または複数の反応帯域(先行する工程の過程にわたってその触媒が再生され、かつ/または交換された)が、その最初の位置(「単純態様として知られた位置)か切り替え可能な反応帯域の中の別の位置(「交換」態様として知られた位置)のいずれかで再連結され、該工程は、反応帯域の1つを失活および/または目詰まりさせる時間に最大でも等しい期間にわたって実行される工程。
a)反応帯域の1つを失活および/または目詰まりさせる時間に最大でも等しい期間、一つの区間の反応帯域が全部一緒に用いられる工程、
b)反応帯域の少なくとも1つがバイパスされ、それが含む触媒が再生され、かつ/または新しい触媒または再生済み触媒と交換される工程、
c)一つの区間の反応帯域が全部一緒に用いられ、単数または複数の反応帯域(その触媒が先行する工程の過程に亘って再生されかつ/または再生された)が、その最初の位置(「単純」態様として知られた位置)か並べ替え可能な反応帯域の中の別の位置(「交換」態様として知られた位置)のいずれかで再連結され、該工程は、反応帯域の1つを失活および/または目詰まりさせる時間に最大でも等しい期間にわたって実行される工程、
d)水素化脱金属区間および/または深度水素化精製区間および/または水素化分解区間の反応帯域の少なくとも1つが、触媒が失活および/または目詰まりし、それが含む触媒が再生され、かつ/または新しい触媒または再生済み触媒と交換されるときに、運転の過程に亘ってバイパスされ得る工程、
e)反応帯域(その触媒が先行する工程の過程にわたって再生され、かつ/または交換された)がそれらの最初の位置において再連結される工程。
a)処理原料の全体的な移動方向に関連して最も上流の反応帯域を失活および/または目詰まりさせる時間に最大でも等しい期間、反応帯域が全部一緒に用いられる工程、
b)原料が、先行する工程の過程に亘って最も上流にある反応帯域の直後に位置する反応帯域中に直接的に入り、且つ、先行する工程の過程に亘って最も上流にある反応ゾーンの直後に位置する反応帯域がバイパスされ、それが含む触媒が再生され、かつ/または新しい触媒または再生済み触媒と交換される工程、
c)反応帯域が全部一緒に用いられ、反応帯域(その触媒が先行する工程の過程に亘って再生されかつ/または交換された)が、その区間の全切り替え可能な反応帯域の下流になるように再連結される工程であり、該工程は、この工程の過程にわたって処理原料の全体的な移動方向に関して最も上流である反応帯域を失活および/または目詰まりさせる時間に最大でも等しい期間にわたって実行される、工程、
d)水素化脱金属区間および/または深層性水素化精製区間および/または水素化分解区間の反応帯域の少なくとも1つが、触媒が失活および/または目詰まりし、それが含む触媒が再生されかつ/または新しい触媒または再生済み触媒と交換されるときに、運転の過程に亘ってバイパスされ得る工程、
e)反応帯域(その触媒が、先行する工程の過程にわたって再生されかつ/または交換された)がその最初の位置において再連結される工程。
a)反応帯域の1つを失活および/または目詰まりさせる時間に最大でも等しい期間、HDM区間の反応帯域(M1〜M5)が全部一緒に用いられる工程(流体の流れは最初の構成として前述されている)、
b)第1の切り替え可能な反応帯域(M1)がバイパスされ、それが含む触媒が再生されかつ/または新しい触媒または再生済み触媒と交換され、反応混合物が導管(11)を介して切り替え可能な反応帯域(M2)に入り、導管(4)を介して反応帯域(M3)に入り、導管(5)を介して反応帯域(M4)に入り、導管(6)を介して反応帯域(M5)に入り、その後、導管(7)を介してHDM区間から出て行く工程、
c)HDM区間の反応帯域が全部一緒に用いられ、反応帯域(M1)(その触媒が先行する工程の過程に亘って再生されかつ/または再生された)が、導管(12)を介して反応帯域(M2)の後に再連結され(「交換」態様として知られたものである)、この帯域からの流出物が導管13を介して反応帯域(M3)に送られ、該工程は、反応帯域の1つを失活および/または目詰まりさせる時間に最大でも等しい期間にわたって実行される、工程、
d)HDM区間のバイパス可能な反応帯域(M3)、(M4)および(M5)の少なくとも1つが、触媒が失活および/または目詰まりして、それが含む触媒が再生されかつ/または新しい触媒または再生済み触媒と交換されるときに、それぞれ導管(14)、(15)および(16)を介してバイパスされる工程(例えば、帯域(M3)がバイパスされ;すぐに、動作中の最後の切り替え可能な反応帯域から得られた流出物が導管(14)を介して直接帯域(M4)に入り、帯域(M3)の触媒が再生されかつ/または新鮮触媒または再生済み触媒と交換される)、
e)反応帯域(その触媒が先行する工程の過程にわたって再生されかつ/または交換された)がそれらの最初の位置において再連結される工程(例えば、帯域(M3)からの触媒が再生されると、帯域(M3)は再連結され、動作中の最後の切り替え可能な反応帯域から得られた流出物が導管(4)を介して帯域(M3)に入り、導管(14)が閉じられる)。
− HDR区間:切り替え用導管:(31)、(32)、(33);バイパス用導管:(34)、(35)、(36)
− HCK区間:切り替え用導管:(51)、(52)、(53);バイパス用導管:(54)、(55)、(56)
切り替え可能な反応帯域またはバイパス可能な反応帯域の操作は、図1の説明からすぐに理解されよう。図1は例示としてこれら区間における帯域の特定の構成を示している。あらゆる組み合わせが可能である。前述のように、好適な態様は、HDM区間用の2つの切り替え可能な反応帯域、HDR区間用の1または2のバイパス可能な反応帯域あるいはHCK区間用の1または2のバイパス可能な反応帯域を含む(またはそれらからなる)。
本実施例は200重量ppm未満のアスファルテンおよび10重量ppm未満の金属を含有する標準的原料に関する水素化分解を例証する。特徴を表1に示す。
本実施例は200重量ppm超のアスファルテンおよび10重量ppm超の金属を含有する困難な原料に関する水素化分解を例証する。特徴を表2に示す。
本実施例は200重量ppm超のアスファルテンおよび10重量ppm超の金属を含有する困難な原料(実施例2からの原料)の水素化分解中にHDM触媒が運転期間に及ぼす効果を例証する。特徴を表3に示す。
本実施例は、200重量ppm超のアスファルテンおよび10重量ppm超の金属を含有する困難な原料の水素化分解中に、HDM区間において切り替え可能な反応帯域を使用することによって運転期間に及ぼす効果を例証する。特徴を表4に示す。
Claims (18)
- 200重量ppm〜2重量%のアスファルテンおよび/または10重量ppm超の金属を含有する炭化水素原料の水素化分解法であって、
− 前記原料が、300℃および450℃において、50〜300バールの全圧下、200〜2,000Nm3/m3の水素/炭化水素比で水素化脱金属処理に供され、前記処理は、少なくとも2つの切り替え可能な反応器であって、各々は、少なくとも1種の水素化脱金属触媒を含み、場合によっては水素化脱窒触媒を含む、反応器において実行され、前記反応器は、以下に定義される工程b)およびc)を連続的に反復することに存する循環的様式で使用されるために直列に配置され:
a)反応器の1つを失活および/または目詰まりさせる時間に最大でも等しい期間、反応器が全部一緒に用いられる工程、
b)反応器の少なくとも1つがバイパスされ、該反応器が含む触媒が再生され、かつ/または新しい触媒または再生済み触媒と交換される工程、
c)反応器が全部一緒に用いられ、切り替え可能な反応器(単数または複数)であって、その触媒が、先行する工程の過程に亘って再生されかつ/または交換された切り替え可能な反応器(単数または複数)が、その最初の位置か、または切り替え可能な反応器の中の別の位置のいずれかで再連結され、該工程は、切り替え可能な反応器の1つを失活および/または目詰まりさせる時間に最大でも等しい期間にわたって実行される工程、
− 次いで、流出物の少なくとも一部であって、少なくとも一部、脱金属化され且つ場合によっては部分的に脱窒化されたものが、少なくとも1種の水素化処理触媒を含む水素化精製区間において水素化精製されて、有機窒素含有量が20重量ppm未満に低減させられ、該水素化精製は、300℃および450℃の温度において、50〜300バールの全圧下に、200〜2,000Nm3/m3の水素/炭化水素比により行われ、
− 次いで、流出物の少なくとも一部であって、少なくとも部分的に脱窒されたものが、少なくとも1種の固定床水素化分解触媒を含む水素化分解区間において、300℃および450℃において、50〜300バールの全圧下、300〜3,000Nm3/m3の水素/炭化水素比で水素化分解され、
− 次いで、水素化分解された流出物の少なくとも一部が、常圧蒸留によって蒸留されて、少なくとも1種の軽油留分、ナフサ留分および常圧残渣が得られ、該残渣は、場合によっては、少なくとも一部、減圧下に蒸留されて、少なくとも1種の減圧留出液および減圧残渣が得られる、
炭化水素原料の水素化分解法。 - 切り替え可能な反応器であって、その触媒が再生されかつ/または交換されたものが、一連の切り替え可能な反応器において、原料の流れ方向に対して最後の位置であるように再連結される、請求項1に記載の方法。
- 請求項1または2に記載の方法であって、該方法は、以下の選択肢の1つに従って操作する方法;
− 水素化精製区間および水素化分解区間が切り替え可能な反応器を含む;
− 全区間が切り替え可能な反応器およびバイパス可能な反応器または触媒床を含む;
− 水素化脱金属区間は、切り替え可能な反応器のほか少なくとも1つのバイパス可能な反応器または触媒床も含む;HDR区間およびHCK区間はバイパス可能な反応器または触媒床からなる、
− 水素化脱金属区間は、(好ましくは2つの)切り替え可能な反応器のみを含み、水素化精製区間および水素化分解区間は、単一の非バイパス可能な反応器または触媒床を含む。 - 水素化脱金属区間および/または水素化精製区間は、それぞれ一連の2種以上の水素化脱金属および/または水素化精製触媒により操作し、該触媒の平均径は、原料の流れ方向に小さくなる、請求項1〜3のいずれか1つに記載の方法。
- 水素化脱金属区間および/または水素化精製区間は、一連の2種以上の水素化脱金属触媒および/または水素化精製触媒により操作し、該触媒の活性は、原料の流れ方向に増大する、請求項1〜4のいずれか1つに記載の方法。
- 水素化脱金属区間の切り替え可能な反応器の各々は、水素化脱金属触媒および水素化脱窒触媒を含む、請求項1〜5のいずれか1つに記載の方法。
- 請求項1〜6のいずれか1つに記載の方法であって、水素化脱金属区間および水素化精製区間は、少なくとも2種の触媒を含む触媒系により操作し、一方は、水素化脱金属用であり、他方は、水素化精製用であり、
− 前記触媒は、多孔性の耐火性酸化物からなる少なくとも1種の担体と、少なくとも1種の第VIB族金属と、少なくとも2種の第VIII族金属とを含み、該少なくとも2種の第VIII族金属のうちの1種は、VIII-1と呼ばれる主要プロモータであり、1種以上の他のものは、VIII-iと呼ばれる共プロモータであり、ここでiは2〜5であり、これらの触媒において、第VIII族元素は、原子比[VIII-1/(VIII-1+…+VIII-i)]で定められる比率0.5〜0.85で存在し、少なくとも1種の水素化脱金属触媒および少なくとも1種の水素化精製触媒は、同一の原子比を有し;
− 水素化脱金属触媒(単数または複数)は、1種以上の第VIB族金属を、触媒の全質量に対する1種以上の第VIB族金属の三酸化物の重量で2〜9%の含有量で有し、複数種の第VIII族金属含有量の合計は、全触媒質量に対する複数種の第VIII族金属の酸化物の重量で0.3〜2%であり、
− 水素化精製触媒(単数または複数)は、1種以上の第VIB族金属を、全触媒質量に対する1種以上の第VIB族金属の三酸化物の重量で厳密に9%超かつ17%未満の含有量で有し、複数種の第VIII族金属の含有量の合計は、全触媒質量に対する複数種の第VIII族金属の酸化物の重量で厳密に2%超且つ5%未満である、方法。 - 前記触媒系は、HDN区間の第1の切り替え可能な反応器(単数または複数)上およびHDR区間の第1の入口反応器(単数または複数)または第1の入口触媒床(単数または複数)上で用いられる、請求項7に記載の方法。
- HDR区間は、一般的に、1つ以上のバイパス可能な反応器または1つ以上のバイパス可能な触媒床を含み、該1つ以上のバイパス可能な触媒床は、反応器(単数または複数)または前記触媒系を含む触媒床(単数または複数)の下流であり、該1つ以上のバイパス可能な触媒床は、触媒系のものより高い金属含有量を有する1種以上の触媒を含む、請求項8に記載の方法。
- 水素化分解される前に、流出物は、ガス分離に供される、請求項1〜9のいずれか1つに記載の方法。
- 水素化分解触媒上に入る流出物は、10重量ppm未満の有機窒素含有量および200重量ppm未満のアスファルテン含有量を有する、請求項1〜10のいずれか1つに記載の方法。
- 常圧残渣および/または軽油留分および/または減圧留出液の少なくとも一部が、水素化脱金属区間および/または水素化分解区間および/または水素化精製区間に再循環させられる、請求項1〜11のいずれか1つに記載の方法。
- 減圧残渣の少なくとも一部が水素化分解区間および/または水素化精製区間に再循環させられる、請求項1〜12のいずれか1つに記載の方法。
- 常圧残渣および/または軽油および/または減圧留出液の再循環量が、区間に入る新しい原料に対する重量として、約1〜60重量%、好ましくは5〜25重量%、より好ましくは約10〜20重量%を示す、請求項1〜13のいずれか1つに記載の方法。
- 原料は、脱金属化され、次いで、反応器または触媒床Kにおいて水素化精製および水素化分解され、流出物は、少なくとも一部、常圧蒸留において蒸留され、得られた常圧残渣は、少なくとも一部、反応器または触媒床K’において水素化分解され、該触媒床K’は、反応器または触媒床Kとは異なり、少なくとも1種の水素化分解触媒を含み、得られた流出物は、少なくとも一部、蒸留帯域において蒸留される、請求項1〜14のいずれか1つに記載の方法。
- 原料は、減圧留出液および/または脱アスファルト油である、請求項1〜15のいずれか1つに記載の方法。
- 原料は、単独のまたは転化装置から得られた流出物と混合された、減圧留出液(VGO)および/または脱アスファルト油(DAO)である、請求項1〜16のいずれか1つに記載の方法。
- 初留点が140〜260℃であり終留点が300〜440℃である少なくとも1種の軽油または初留点が300〜450℃であり終留点が400〜600℃であるヘビーサイクルオイルHCOが、該方法の触媒床の少なくとも1つの入口に、好ましくは運転中の第1の反応器または触媒床の入口に注入される、請求項1〜17のいずれか1つに記載の方法。
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