JP2010139876A - フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び塗布装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液槽20と、該液槽20に貯留されたレジスト液21を毛細管現象により上昇させる塗布ノズル22とを含む塗布手段2により上昇させたレジスト液21を下方に向けられた基板10の被塗布面10aに接液させ、塗布ノズル22と基板10とを相対的に移動させて基板10の被塗布面10aにレジスト膜21を形成する方法であって、基板10へのレジスト液21の塗布による該レジスト液21の消費により低下する液槽20のレジスト液21の液面高さの低下量dと、基板10の被塗布面10aに形成されるレジスト膜の膜厚変化との関係に基づいて決定された、レジスト膜の膜厚変化を許容範囲内に収めるための液槽20のレジスト液21の液面面積を少なくとも有する塗布手段2によりレジスト膜を形成することとした。
【選択図】図4
Description
上記でレジスト膜厚は、塗布直後のウエット膜厚いう。このウェット膜厚は、レジスト乾燥後の乾燥膜厚と相関する。
前記基板への前記レジスト液の塗布による該レジスト液の消費により低下する前記液槽のレジスト液の液面高さの低下にかかわらず、一辺が1000mm以上の矩形形状をもつ前記基板に形成される前記レジスト膜の面内膜厚変化が、塗布直後の膜厚面内変化量として、20nm以下となる、前記液槽のレジスト液の液面面積を有する前記塗布手段を具備する塗布装置である。
S=(A×W)/B ……(1)
によって表すことができる。図10に示した関係から、面内膜厚レンジ(膜厚変化)Cに許容される膜厚レンジxを代入し、これに対応する液面低下量Bを図10の関係から求めることにより、許容される低下量が得られる(図9:ステップST12)。そして、この液面低下量Bを下限とするような液面21aの面積Sを上記演算式によって求める(図9:ステップST13)。このようにして求められた面積S以上となるように液槽20及び塗布ノズル22の形状を決定することにより、基板10の被塗布面10aに形成されるレジスト膜の膜厚を許容される膜厚レンジxに収めることができる。
第1の実施の形態においては、液槽20の形状として、図3及び図4について上述したように、液槽20に第1の領域AR1を設けて液面面積を拡大する場合について述べたが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、図13及び図14に示すように、液槽20の内壁面の一部である傾斜面120dにおいて、液面21aと平行な液面拡大部120bを形成するようにしてもよい。この液面拡大部120bが設けられた領域AR11においては、液面拡大部120bの深さd´の範囲内に液面21aが存在する場合に液面21aが拡大されることになる。この液面拡大部120bの大きさは、基板10に形成されるレジスト膜の膜厚変化が許容される変化以内に収まるような液面面積が得られる大きさとなっており、さらにこの液面拡大部120bの深さd´は、少なくとも1枚の基板10へのレジスト液21の塗布過程において拡大された液面21aが維持される程度の深さに形成されている。
なお上述の実施の形態においては、液槽20の形状、または液槽20及び塗布ノズル22の形状によってレジスト液21の液面21aを拡大する場合について述べたが、本発明ではこれに限られるものではなく、例えば図15に示すように、液槽20本体とは別にサブタンク220を設け、このサブタンク220における液面221aの分だけ液槽20のレジスト液21の液面21aを実質的に拡大させるようにしても上述の場合と同様の効果を得ることができる。
2 塗布手段
3 吸着手段
4 移動手段
5 保持手段
10 基板
10a 被塗布面
10c 縁部
11 ベースフレーム
12 移動フレーム
20 液槽
20a 透孔部
20b 透孔
20c 天井部
20d 内側面
20e 傾斜面
21 レジスト液
21a、221a 液面
22 塗布ノズル
22a 突起部
22b 第1の側面部
22c 第2の側面部
23 毛管状隙間
120b 液面拡大部
120d 傾斜部
220 サブタンク
Claims (8)
- 液槽と、該液槽に貯留されたレジスト液を毛細管現象により上昇させる塗布ノズルとを含む塗布手段により前記上昇させた前記レジスト液を下方に向けられた基板の被塗布面に接液させ、前記塗布ノズルと前記基板とを相対的に移動させて前記基板の被塗布面にレジスト膜を形成することを含むフォトマスクブランクの製造方法であって、
前記基板への前記レジスト液の塗布による該レジスト液の消費により低下する前記液槽のレジスト液の液面高さの低下量と、前記基板の被塗布面に形成される前記レジスト膜の膜厚面内変化との関係を把握し、
該関係に基づいて、前記レジスト膜の膜厚面内変化を許容範囲内に収めるための前記液槽のレジスト液の液面面積を決定し、
該液面面積を有する前記塗布手段により前記レジスト膜を形成することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。 - 前記レジスト膜の膜厚面内変化の許容範囲は、塗布直後の膜厚の面内膜厚変化が、一辺が1000mm以上の矩形の基板に形成されるレジスト膜において20〔nm〕以下であることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記液槽は、前記塗布ノズルの上下動に伴って該塗布ノズルが通る透孔部を前記液槽の天井部に具備し、前記透孔部の大きさは、前記液槽に貯留されるレジスト液の液面面積よりも小さいことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 塗布の開始時から終了時の間に、レジスト液面面積が最大になる液面高さとなるように、液槽内のレジスト量を調整することと特徴とする、請求項1から請求項3のいずれかに記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 塗布の開始時から終了時の間に、基板に塗布されたレジスト膜厚の変動が、2%以下となるように、レジスト液面面積が調整されることを特徴とする、請求項1から請求項4のいずれかに記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 液槽と、該液槽に貯留されたレジスト液を毛細管現象により上昇させる塗布ノズルとを含む塗布手段により前記上昇させた前記レジスト液を下方に向けられた基板の被塗布面に接液させ、前記塗布ノズルと前記基板とを相対的に移動させて前記基板の被塗布面にレジスト膜を形成することにより製造されたレジスト膜付フォトマスクブランクを用意する工程と、
前記レジスト膜付フォトマスクブランクのレジスト膜にパターンを描画し、現像することによってレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして該遮光膜をエッチング処理する工程とを含むフォトマスクの製造方法であって、
前記レジスト膜付フォトマスクブランクは、
請求項1から請求項5のいずれかの製造方法によって製造されたものであることを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 液槽と、該液槽に貯留されたレジスト液を毛細管現象により上昇させる塗布ノズルとを含む塗布手段により前記上昇させた前記レジスト液を下方に向けられた基板の被塗布面に接液させ、前記塗布ノズルと前記基板とを相対的に移動させて前記基板の被塗布面にレジスト膜を形成する塗布装置であって、
前記基板への前記レジスト液の塗布による該レジスト液の消費により低下する前記液槽のレジスト液の液面高さの低下量と、前記基板の被塗布面に形成される前記レジスト膜の面内膜厚変化との関係に基づいて決定された、前記レジスト膜の面内膜厚変化を許容範囲内に収めるための前記液槽のレジスト液の液面面積を有する前記塗布手段を具備することを特徴とする塗布装置。 - 液槽と、該液槽に貯留されたレジスト液を毛細管現象により上昇させる塗布ノズルとを含む塗布手段により前記上昇させた前記レジスト液を下方に向けられた基板の被塗布面に接液させ、前記塗布ノズルと前記基板とを相対的に移動させて前記基板の被塗布面にレジスト膜を形成する塗布装置であって、
前記基板への前記レジスト液の塗布による該レジスト液の消費により低下する前記液槽のレジスト液の液面高さの低下にかかわらず、一辺が1000mm以上の矩形形状をもつ前記基板に形成される前記レジスト膜の面内膜厚変化が、塗布直後の膜厚面内変化量として、20nm以下となる、前記液槽のレジスト液の液面面積を有する前記塗布手段を具備する塗布装置。
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