KR101147098B1 - 미세 패턴 형성 장치 및 이를 이용한 미세 패턴 형성방법 - Google Patents

미세 패턴 형성 장치 및 이를 이용한 미세 패턴 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 미세 패턴 공정을 1개의 챔버내에서 일련의 공정으로 진행하여 공정을 단순화시켜서 생산성을 향상시키고 생산비를 절감시키기에 알맞은 미세 패턴 형성용 장치 및 이를 이용한 미세 패턴 형성방법을 제공하기 위한 것으로, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 미세 패턴 형성용 장치는 챔버내에 소프트 몰드가 로딩 될 제 1 스테이지와; 미세 패턴을 형성하기 위한 기판이 로딩 될 제 2 스테이지와; 상기 제 1 스테이지를 고정하기 위한 상부 홀더와; 상기 제 2 스테이지를 z축 방향(상하 방향)으로 구동시킬 z축 구동부와; 상기 상부 홀더에 연결된 정전척과; 상기 챔버의 상부면에 배치된 얼라이너(aligner)와; 상기 챔버내에서 수평방향으로 스캐닝하면 이동할 수 있도록 일영역에 구비되어 있는 UV 램프로 구성됨을 특징으로 한다.
소프트 몰드, 정전척, UV, 챔버

Description

미세 패턴 형성 장치 및 이를 이용한 미세 패턴 형성방법{EQUIPMENT FOR FABRICATING DETAIL PATTERN METHOD FOR FABRICATING DETAIL PATTERN BY USING THE SAME}
도 1a 내지 도 1e는 종래에 따른 미세 패턴 형성방법을 도시한 공정 단면도
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 미세 패턴 형성 장치를 나타낸 구조 단면도
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 실시예에 따른 미세 패턴 형성방법을 나타낸 공정 단면도
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
20 : 챔버 21 : 소프트 몰드
22 : 제 1 스테이지 23 : 기판
24 : 제 2 스테이지 25 : 상부 홀더
26 : Z축 구동부
28 : 제 2 공기 구멍 29 : 제 1 공기 구멍
30 : 얼라이너 31 : UV 램프
32 : 액상 고분자 물질
본 발명은 미세 패턴 형성 장치에 대한 것으로, 특히 미세 패턴 형성 공정을 1개의 챔버내에서 일련의 공정으로 진행할 수 있는 미세 패턴 형성용 장치 및 이를 이용한 미세 패턴 형성방법에 관한 것이다.
전자회로등의 미세 패턴 형성 공정은 소자의 특성을 좌우하는 요소일 뿐만 아니라 소자의 성능과 용량을 결정하는 중요한 요소이다.
근래, 소자의 성능을 향상시키기 위한 여러 가지 노력이 이루어지고 있지만, 특히 미세 패턴을 형성하여 소자의 성능을 향상시키는 연구가 활발하게 이루어지고 있다.
이러한 미세 패턴 형성공정은 반도체소자, 인쇄회로기판(Printed Circuit Board), 액정표시소자(Liquid Crytal Display device)나 PDP(Plasma Display Panel)와 같은 평판표시소자(Flat Panel Display device) 등에도 필수적으로 사용된다.
패턴을 형성하기 위한 많은 연구가 진행되고 있지만, 종래에 가장 많이 사용되고 있는 패턴 형성 공정은 포토레지스트(photoresist)를 이용한 공정으로, 이하, 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1a 내지 도 1e는 종래에 따른 미세 패턴 형성방법을 도시한 공정 단면도이다.
먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 절연물질 또는 반도체물질로 이루어진 기판(10) 위에 형성된 금속층(11)위에 감광성물질인 포토레지스트를 코팅 하여 포토레지스트층(12)을 형성한다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스트층(12)에 소프트 베이킹(soft baking)공정을 진행한다.
이후에 투과영역과 차광영역이 정의된 노광 마스크(13)를 상기 포토레지스트층(12) 위에 위치시킨 후 자외선(UV)과 같은 광을 조사한다. 통상적으로 포토레지스트는 양성(positive) 포토레지스트와 음성(negative) 포토레지스트가 존재하지만, 여기에서는 설명의 편의상 음성 포토레지스트를 사용한 경우에 대하여 설명한다.
자외선이 조사됨에 따라 자외선이 조사된 영역의 포토레지스트는 그 화학적 구조가 변하게 되어, 현상액을 적용하면 자외선이 조사되지 않은 영역의 포토레지스트가 제거되어 도 1c에 도시된 바와 같은 포토레지스트패턴(12a)이 형성된다.
이어서, 도 1d에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스트패턴(12a)으로 금속층(11)의 일부를 블로킹(blocking)한 상태에서 상기 결과물을 현상액에 담그고, 하드 베이킹(hard baking) 공정을 진행한 후에, 포토레스트패턴(12a) 하부를 제외한 나머지 부분의 금속을 식각하여 금속 패턴(11a)을 형성한다.
이후에, 도 1e에 도시된 바와 같이 스트리퍼(stripper)를 사용하여 상기 포토레지스트패턴(12a)을 제거하면, 기판(10) 위에는 금속 패턴(11a)만이 남게 된다.
상기에서 금속 대신에 반도체층이나 절연층 기타 다른 도전층을 식각할 수도 있다.
상기와 같은 종래 기술에 따른 포토레지스트를 이용하여 미세 패턴을 형성하 는 방법에는 다음과 같은 문제가 있다.
첫째, 포토레지스트 도포→소프트 베이킹→노광→현상→하드 베이킹을 위한 각각의 장비가 필요하므로 제조비용이 상승하게 된다.
둘째, 미세 패턴 형성시에 마스크로 사용되는 포토레지스트패턴을 형성하기 위해서, 포토레지스트를 도포하는 공정, 소프트 베이킹 및 하드 베이킹을 하는 공정, 노광 및 현상하는 공정을 개별적인 제조장비에서 각각 진행해야 하므로 제조 공정 및 시간이 많이 소요된다.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출한 것으로 특히, 미세 패턴 형성 공정을 1개의 챔버내에서 일련의 공정으로 진행하여 공정을 단순화시켜서 생산성을 향상시키고 생산비를 절감시키기에 알맞은 미세 패턴 형성 장치 및 이를 이용한 미세 패턴 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 미세 패턴 형성 장치는 챔버내에 소프트 몰드가 로딩 될 제 1 스테이지와; 미세 패턴을 형성하기 위한 기판이 로딩 될 제 2 스테이지와; 상기 제 1 스테이지를 고정하기 위한 상부 홀더와; 상기 제 2 스테이지를 z축 방향(상하 방향)으로 구동시킬 z축 구동부와; 상기 상부 홀더에 연결된 정전척과; 상기 챔버의 상부면에 배치된 얼라이너(aligner)와; 상기 챔버내에서 수평방향으로 스캐닝하면 이동할 수 있도록 일영역에 구비되어 있는 UV 램프로 구성됨을 특징으로 한다.
상기 정전척은 제 2 스테이지에도 연결될 수 있는 것을 더 포함함을 특징으로 한다.
상기 UV 램프는 365nm 파장이 메인 피크(main peak)로 조사되는 램프를 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 소프트 몰드는 표면에 소정의 형상이 양각(陽刻) 또는 음각(陰刻)되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 얼라이너는 상기 소프트 몰드와 상기 기판을 정렬시키기 위한 것으로, 상기 챔버의 상부면에 적어도 2개 이상 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 챔버 상면의 일영역에 공기를 유입시키기 위한 제 1 공기 구멍과, 상기 챔버 상면의 일영역에 상기 챔버를 진공 상태로 만들기 위한 제 2 공기 구멍이 더 구비됨을 특징으로 한다.
상기 구성을 갖는 장치를 이용한 미세 패턴 형성용 장치를 이용한 미세 패턴 형성방법은 챔버내의 제 1 스테이지에 표면에 소정의 형상이 양각(陽刻) 또는 음각(陰刻)되어 있는 소프트 몰드를 로딩하는 단계; 액상 고분자 물질이 코팅된 기판을 제 2 스테이지에 로딩하는 단계; 상기 제 1, 제 2 스테이지중 최소한 어느 하나를 구동시켜서 상부에 위치한 소프트 몰드와 상기 기판을 얼라인하는 단계; 상기 소프트 몰드와 상기 기판상에 형성된 액상 고분자 물질을 콘택시키는 단계; 상기 챔버내에서 상기 제 1, 제 2 스테이지 사이로 UV 램프를 수평으로 이동시키면서 UV 스캐닝하여 상기 액상 고분자 물질을 경화시켜서 미세 패턴용 마스크를 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
상기 제 2 스테이지에 상기 기판을 로딩하기 전에 상기 챔버가 적정 진공도에 도달하도록 펌핑 공정을 수행하는 것을 특징으로 한다.
상기 소프트 몰드와 상기 액상 고분자 물질을 콘택시키는 공정은, 상기 제 2 스테이지를 Z축 방향으로 구동하는 Z축 구동부를 상부로 상승시키거나 상기 제 1 스테이지를 구동시키는 상부 홀더를 하부로 하강시켜서 진행함을 특징으로 한다.
상기 소프트 몰드가 상기 액상 고분자 물질에 콘택되면, 상기 정전척에 0V의 전압을 가하여 상기 제 1 스테이지에서 상기 소프트 몰드를 떼어내는 것을 특징으로 한다. 상기 소프트 몰드는 글라스(glass) 등 투명한 기판(이하 백플레인)에 부착되어 있으며, 정전척에 0V 전압을 가함에 의해 제 1 스테이지와 백플레인(백플레인이 부착된 소프트 몰드)이 분리된다.
상기 소프트 몰드와 상기 기판상에 형성된 액상 고분자 물질이 콘택되면 상기 액상 고분자 물질이 상기 소프트 몰드의 음각부에 채워지는 것을 특징으로 한다.
상기에서 UV 램프는 365nm 파장이 메인 피크(main peak)로 조사되는 램프를 사용함을 특징으로 한다.
상기 UV 스캐닝은 상기 챔버가 진공일때 진행하거나 대기압 상태일 때 진행하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 미세 패턴 형성 장치 및 이를 이용한 미세 패턴 형성방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 미세 패턴 형성 장치를 나타낸 구조 단면도이고, 도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 실시예에 따른 미세 패턴 형성방법을 나타낸 공정 단면도이다.
본 발명에 따른 미세 패턴 형성 장치는 도 2에 도시한 바와 같이, 챔버(20)내에 소프트 몰드(21)가 로딩 될 제 1 스테이지(22)와, 미세 패턴을 형성하기 위한 기판(23)이 로딩되는 제 2 스테이지(24)와, 상기 제 1 스테이지(22)를 고정하기 위한 상부 홀더(25)와, 상기 제 2 스테이지(24)를 z축 방향(상하 방향)으로 구동시킬 z축 구동부(26)와, 상기 챔버(20) 상면의 일영역에 공기를 유입시키기 위한 제 2 공기 구멍(28)과, 상기 챔버(20) 상면의 일영역에 챔버(20)를 진공 상태로 만들기 위한 제 1 공기 구멍(29)과, 상기 챔버(20)의 상부면에 배치된 얼라이너(aligner)(30)와, 상기 챔버(20)내에서 수평방향으로 스캐닝하면서 이동할 수 있도록 일영역에 구비되어 있는 UV 램프(31)로 구성되어 있다.
그리고 상기 제 1 스테이지(22)와 제 2 스테이지(24)중 최소한 하나를 정전척으로 사용한다.
좀 더 자세하게는, 상기 제 1 스테이지(22)는 정전척으로 사용되고, 제 2 스테이지(24)는 정전척으로 사용될 수도 있고, 정전척으로 사용되지 않고 기판(23)이 로딩되는 일반 스테이지로 사용될 수도 있다.
상기 제 2 스테이지(24)도 정전척으로 사용된다면, 기판(23)이 제 2 스테이지(24)에 보다 안정적으로 고정될 수 있다.
부연 설명하면, 상기 소프트 몰드(21)는 글라스(glass) 등 투명한 기판(이하 백플레인)에 부착되어 있으며, 정전척 즉, 제 1 스테이지(22)에 0V 전압을 가함에 의해 제 1 스테이지(22)와 백플레인 즉, 백플레인이 부착된 소프트 몰드(이하, 소프트 몰드(백플레인:21)로 설명)가 분리된다.
상기 정전척으로 사용되는 제 1 스테이지(22)에 대략 5000V의 전압을 걸어주면 제 1 스테이지(22)에 소프트 몰드(백플레인:21)가 안정적으로 고정된다. 그리고 정전척에 전압을 인가시키지 않으면 제 1 스테이지(22)로부터 소프트 몰드(백플레인:21)가 떨어진다.
상기 얼라이너(30)는 상기 소프트 몰드(21)와 기판(23)을 정렬시키기 위한 것으로 상기 챔버(20)의 상부면에 적어도 2개 이상 배치되어 있다.
상기 UV 램프(31)는 상기 소프트 몰드(21)를 이용해서 상기 기판(23)에 미세 패턴 형성할 때 UV를 스캐닝하여 액상 고분자 물질(32)을 경화시키기 위해서 구비된 것으로, 제 1, 제 2 스테이지(22,24) 사이로 수평 이동하면서 UV를 스캐닝한다. 도면에는 도시되지 않았지만, 이와 같이 수평 이동하면서 UV를 스캐닝할 수 있도록 UV 램프(31)를 이동시키는 이동 수단이 더 구비되어 있다.
이때, 상기 UV 램프(31)는 365nm 파장이 메인 피크(main peak)로 조사되는 램프를 사용한다.
상기 소프트 몰드(soft mold)는 마이크로 단위 이하의 미세한 패턴을 형성하는데 사용되는 것으로, 탄성 중합체를 경화하여 제작할 수 있으며, 이러한 탄성 중합체로는 대표적으로 PDMS(polydimethylsiloxane)가 널리 사용되고 있다.
상기 소프트 몰드(21)는 표면에 소정의 형상이 양각(陽刻) 또는 음각(陰刻)되어 있다.
상기와 같이 구성된 미세 패턴 형성용 장치는 미세 패턴을 형성할 소프트 몰드(21)를 로딩할 제 1 스테이지(22)와, 액상 고분자 물질(32)이 형성된 기판(23)이 로딩될 제 2 스테이지(24)와, 상기 액상 고분자 물질(32)을 경화시키기 위한 UV 램프(31)가 하나의 챔버내에 모두 구성되어 있으므로, 기판(23)상에 미세 패턴 형성 공정을 일련의 공정으로 한 챔버 내에서 진행할 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 상기 구성을 갖는 장치를 이용하여 1개의 챔버 내에서 일련의 공정으로 미세 패턴을 형성하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이, 챔버(20)내의 제 1 스테이지(22)에 표면에 소정의 형상이 양각(陽刻) 또는 음각(陰刻)되어 있는 소프트 몰드(21)를 로딩한다.
이후에 도 3b에 도시한 바와 같이, 액상 고분자 물질(32)이 코팅된 기판(23)을 제 2 스테이지(24)에 로딩시킨다. 다음에 상기 챔버(20)가 적정 진공도에 도달하도록 제 1 공기 구멍(29)으로 펌핑 공정을 수행한다.
상기와 같이 챔버(20)를 진공 상태로 만드는 이유는, 차후에 소프트 몰드(21)와 액상 고분자 물질(32)을 콘택시킬 때 버블(bubble) 발생을 방지하기 위해서 이다. 본 발명에서 버블이 발생하지 않는 진공 레벨은 1torr 이하이며 더 구체적으로는 0.5 torr이하에서는 버블 프리(free) 공정이 가능하다.
그리고 상기 제 1 스테이지(22)와 제 2 스테이지(24)중 최소한 하나를 정전척으로 사용한다.
좀 더 자세하게는, 상기 제 1 스테이지(22)는 정전척으로 사용되고, 제 2 스테이지(24)는 정전척으로 사용될 수도 있고, 정전척으로 사용되지 않고 기판(23)이 로딩되는 일반 스테이지로 사용될 수도 있다.
상기 제 2 스테이지(24)도 정전척으로 사용된다면, 기판(23)이 제 2 스테이지(24)에 보다 안정적으로 고정될 수 있다.
다음에 도 3c에 도시한 바와 같이, 제 1, 제 2 스테이지(22,24)중 최소한 어느 하나를 구동시켜서 상부에 위치한 소프트 몰드(21)와 기판(23)을 얼라인한다.
상기에서 로딩된 기판(23)상부에는 액상 고분자 물질(32)이 형성되어 있다.
다음에 도 3d에 도시된 바와 같이, z축 구동부(26)를 상부로 상승시키거나 상부 홀더(25)를 하부로 하강시켜서 소프트 몰드(21)와 기판(23)상에 형성된 액상 고분자 물질(32)을 콘택시킨다.
도면에서는 상부 홀더(25)를 하부로 하강시킨 후, 소프트 몰드(21)가 액상 고분자 물질(32)에 콘택되도록 하였다. 이때 정전척으로 사용되는 제 1 스테이지(22)에 0V의 전압을 가하여 제 1 스테이지(22)에서 소프트 몰드(백플레인:21)를 떼어내었다.
상기에서 소프트 몰드(21)의 양각 부분에 콘택된 액상 고분자 물질(32)은 소프트 몰드(21)의 음각 부분으로 완전히 이동하여 충진된다. 이에 따라서 소프트 몰드(21)의 양각 부분에는 액상 고분자 물질(32)이 남아 있지 않다.
상기에서 소프트 몰드(21)와 액상 고분자 물질(32)은 그 표면 성질이 상반된 특성을 갖는 것을 사용한다. 예를 들면 소프트 몰드(21)의 표면이 소수성이면 액상 고분자 물질(32)은 친수성이고, 소프트 몰드(21) 표면이 친수성이면 액상 고분자 물질(32)은 소수성이다. 이와 같이 상반된 특성을 갖도록 하는 이유는 콘택시 소프 트 몰드(21)와 액상 고분자 물질(32)간 반발력이 작용하여 액상 고분자 물질(32)의 일부 또는 대부분이 소프트 몰드(21)의 음각부에 채워지게 하기 위한 것이다.
이어서, 도 3e에 도시한 바와 같이, 동일한 챔버(20)내에서 제 1, 제 2 스테이지(22,24) 사이로 UV 램프(31)를 수평으로 이동시키면서 UV를 조사하여 상기 액상 고분자 물질(32)을 경화시킨다. 이에 의해서 기판(23)상에 미세 패턴(32a)이 형성된다.
상기 조사된 UV는 상기 소프트 몰드(백플레인:21)의 상부를 통해서 액상 고분자 물질(32)에 전달된다.
상기와 같이 본 발명은 제 1, 제 2 스테이지(22,24)의 사이로 UV 램프(31)를 수평으로 이동시키면서 UV 스캐닝을 한다.
상기에서 UV 램프(31)는 365nm 파장이 메인 피크(main peak)로 조사되는 램프를 사용한다.
상기 UV 조사는 챔버(20)가 진공 상태에서 진행할 수도 있고, 제 2 공기 구멍(28)으로 공기를 벤트(vent) 후 챔버(20)를 대기압 상태로 만든 후에 진행할 수도 있다.
이후에 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 기판(23)으로부터 상기 소프트 몰드(백플레인:21)를 떼어낸다.
상기와 같이 1개의 챔버(20)내에서 일련의 공정을 통해서 미세 패턴을 형성할 수 있으므로, 공정이 단순화되어 시간을 단축시킬 수 있고, 생산비를 절감할 수 있다.
상술한 공정은 액정표시소자(Liquid Crytal Display device:LCD), 반도체 소자, OLED, PDP(Plasma Display Panel)와 같이 패턴 공정이 요구되는 모든 분야에 적용 가능하다.
예를 들어, TFT-LCD에서 박막트랜지스터(TFT)를 패터닝할 때, 종래 기술의 포토리소그래피로 형성할 때와 본 발명으로 형성할 때의 필요한 공정 및 그 장비를 [표1]을 참조하여 비교하면 다음과 같다.
[표1]에 나타낸 바와 같이, 종래의 포토리소그래피 기술로 미세 패턴 형성용 마스크를 형성할 때는, 코팅 공정시 코팅→진공상태에서 건조→에지 리무브→소프트 베이킹 공정이 필요하고 각 공정을 위한 장비가 별도로 필요하다. 또한, 현상 공정시 현상→린즈→하드 베이킹 공정이 필요하고, 각 공정을 위한 장비도 별도로 필요하다.
이에 비해서, 본 발명은 기판상에 액상 고분자 물질을 코팅한 후에 1개의 챔버내에서 UV 경화하여 미세 패턴을 형성할 수 있으므로 공정을 단순화시킬 수 있다.
공정(process) 종래 기술(포토리소그래피) 본 발명
서브-프로세스 장비(machine) 서브-프로세스 장비(machine)
코팅(coating) 스핀 코팅 코팅 장비(coater) 스핀 코팅 코팅 장비(coater)
진공에서 건조 건조기(drier)
?
?
에지 리무브 리무버
(remover)
소프트 베이크 H/P, C/P
UV경화
(UV cure)		 얼라인 얼라이너
(aligner)		 IPP(In plane printing) IPP 시스템
현상(develop) 현상 현상기
(developer)		 ? ?
린즈
하드 베이크 H/P, C/P
습식각
(wet etch)		 습식각 습식각기
(wet etcher)		 습식각 습식각기
(wet ethcher)
린즈 린즈
건조 건조
스트립(strip) 스트립 스트립퍼
(stripper)		 스트립 스트립퍼
(stripper)
린즈 린즈
건조 드라이
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술 범위는 상기 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라, 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.
상기와 같은 본 발명에 따른 미세 패턴 형성 장치 및 이를 이용한 미세 패턴 형성방법은 다음과 같은 효과가 있다.
1개의 챔버내에서 일련의 공정으로 미세 패턴을 형성할 수 있으므로 공정을 단순화시킬 수 있고 공정을 위한 공간이 적게 필요하다.
이에 의해서 생산성을 향상시킬 수 있고 생산 투자비를 절감시킬 수 있다.

Claims (13)

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  7. 챔버내의 정전척으로 구성된 제 1 스테이지 표면에 소정의 형상이 양각(陽刻) 또는 음각(陰刻)되어 있는 소프트 몰드를 로딩하는 단계;
    액상 고분자 물질이 코팅된 기판을 제 2 스테이지에 로딩하는 단계;
    상기 제 1, 제 2 스테이지중 최소한 어느 하나를 구동시켜서 상부에 위치한 소프트 몰드와 상기 기판을 얼라인하는 단계;
    상기 소프트 몰드와 상기 기판상에 형성된 액상 고분자 물질을 콘택시키는 단계;
    상기 챔버내에서 상기 제 1, 제 2 스테이지 사이로 UV 램프를 수평으로 이동시키면서 UV 스캐닝하여 상기 액상 고분자 물질을 경화시켜서 미세 패턴용 마스크를 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 장치를 이용한 미세 패턴 형성방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 스테이지에 상기 기판을 로딩하기 전에 상기 챔버가 적정 진공도에 도달하도록 펌핑 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 장치를 이용한 미세 패턴 형성방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 소프트 몰드와 상기 액상 고분자 물질을 콘택시키는 공정은,
    상기 제 2 스테이지를 Z축 방향으로 구동하는 Z축 구동부를 상부로 상승시키거나 상기 제 1 스테이지를 구동시키는 상부 홀더를 하부로 하강시켜서 진행함을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 장치를 이용한 미세 패턴 형성방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 소프트 몰드가 상기 액상 고분자 물질에 콘택되면, 상기 정전척에 0V의 전압을 가하여 상기 제 1 스테이지에서 상기 소프트 몰드(백플래인)를 떼어내는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 장치를 이용한 미세 패턴 형성방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 소프트 몰드와 상기 기판상에 형성된 액상 고분자 물질이 콘택되면 상기 액상 고분자 물질이 상기 소프트 몰드의 음각부에 채워지는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 장치를 이용한 미세 패턴 형성방법.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기에서 UV 램프는 365nm 파장이 메인 피크(main peak)로 조사되는 램프를 사용함을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 장치를 이용한 미세 패턴 형성방법.
  13. 제 7 항에 있어서,
    상기 UV 스캐닝은 상기 챔버가 진공일때 진행하거나 대기압 상태일 때 진행하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 장치를 이용한 미세 패턴 형성방법.
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