KR101048712B1

KR101048712B1 - 소프트 몰드를 이용한 미세패턴 형성방법

Info

Publication number: KR101048712B1
Application number: KR1020050055196A
Authority: KR
Inventors: 조규철; 채기성; 김진욱; 이창희; 박미경
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2005-06-24
Filing date: 2005-06-24
Publication date: 2011-07-14
Also published as: KR20060135308A

Abstract

본 발명은 공정을 단순화 시켜서 생산성을 향상시키기에 알맞은 소프트 몰드를 이용한 미세패턴 형성방법을 제공하기 위한 것으로, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 소프트 몰드를 이용한 미세패턴 형성방법은 액상 고분자 물질이 도포된 기판을 진공 챔버에 로딩하고 그 상부에 소프트 몰드를 셋팅하는 단계; 상기 진공 챔버를 대기압 상태에서 진공 상태로 만든 후에 상기 소프트 몰드와 상기 액상 고분자 물질을 콘택시키는 단계; 상기 소프트 몰드의 음각부에 상기 액상 고분자 물질이 채워지도록 하는 단계; 상기 소프트 몰드의 상부에서 UV를 조사하여 상기 액상 고분자 물질을 경화시켜서 미세 패턴 형성용 마스크층을 형성하는 단계; 상기 소프트 몰드와 상기 기판을 분리시키는 단계; 상기 마스크층을 이용하여 패턴 형성층을 식각하여 미세 패턴층을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.

소프트 몰드, 미세 패턴, 진공

Description

소프트 몰드를 이용한 미세패턴 형성방법{method for fabricating detail pattern by using soft mold}

도 1a 내지 도 1e는 종래에 따른 미세 패턴 형성방법을 도시한 공정 단면도

도 2는 본 발명에 따른 소프트 몰드를 이용한 미세패턴 형성방법을 나타낸 플로우챠트

도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 실시예에 따른 소프트 몰드(soft mold)를 이용한 미세패턴 형성방법을 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

30 : 백 프레인용 기판

31: 소프트 몰드 40 : 기판

41 : 패턴 형성층 41a : 미세 패턴층

42 : 액상 고분자 물질 42a : 마스크층

본 발명은 미세패턴 형성방법에 관한 것으로, 특히, 공정을 단순화 시켜서 생산성을 향상시키기에 알맞은 소프트 몰드(soft mold)를 이용한 미세패턴 형성방 법에 대한 것이다.

전자회로등의 미세 패턴 형성 공정은 소자의 특성을 좌우하는 요소일 뿐만 아니라 소자의 성능과 용량을 결정하는 중요한 요소이다.

근래, 소자의 성능을 향상시키기 위한 여러 가지 노력이 이루어지고 있지만, 특히 미세 패턴을 형성하여 소자의 성능을 향상시키는 연구가 활발하게 이루어지고 있다.

이러한 미세 패턴 형성공정은 반도체소자, 인쇄회로기판(Printed Circuit Board), 액정표시소자(Liquid Crytal Display device)나 PDP(Plasma Display Panel)와 같은 평판표시소자(Flat Panel Display device) 등에도 필수적으로 사용된다.

패턴을 형성하기 위한 많은 연구가 진행되고 있지만, 종래에 가장 많이 사용되고 있는 패턴 형성 공정은 포토레지스트(photoresist)를 이용한 공정으로, 이하, 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

도 1a 내지 도 1e는 종래에 따른 미세 패턴 형성방법을 도시한 공정 단면도이다.

먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 절연물질 또는 반도체물질로 이루어진 기판(10) 위에 형성된 금속층(11)위에 감광성물질인 포토레지스트를 코팅하여 포토레지스트층(12)을 형성한다.

도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스트층(12)에 소프트 베이킹(soft baking)공정을 진행한다.

이후에 투과영역과 차광영역이 정의된 노광 마스크(13)를 상기 포토레지스트층(12) 위에 위치시킨 후 자외선(UV)과 같은 광을 조사한다. 통상적으로 포토레지스트는 양성(positive) 포토레지스트와 음성(negative) 포토레지스트가 존재하지만, 여기에서는 설명의 편의상 음성 포토레지스트를 사용한 경우에 대하여 설명한다.

자외선이 조사됨에 따라 자외선이 조사된 영역의 포토레지스트는 그 화학적 구조가 변하게 되어, 현상액을 작용하면 자외선이 조사되지 않은 영역의 포토레지스트가 제거되어 도 1c에 도시된 바와 같은 포토레지스트패턴(12a)이 형성된다.

이어서, 도 1d에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스트패턴(12a)으로 금속층(11)의 일부를 블로킹(blocking)한 상태에서 상기 결과물을 현상액에 담그고, 하드 베이킹(hard baking) 공정을 진행한 후에, 포토레스트패턴(12a) 하부를 제외한 나머지 부분의 금속을 식각하여 금속 패턴(11a)을 형성한다.

이후에, 도 1e에 도시된 바와 같이 스트리퍼(stripper)를 사용하여 상기 포토레지스트패턴(12a)을 제거하면, 기판(10) 위에는 금속 패턴(11a)만이 남게 된다.

상기에서 금속 대신에 반도체층이나 절연층 기타 다른 도전층을 식각할 수도 있다.

상기와 같은 종래 기술에 따른 포토레지스트를 이용하여 미세 패턴을 형성하는 방법에는 다음과 같은 문제가 있다.

첫째, 제조공정이 복잡하게 된다. 상술한 바와 같이, 포토레지스트패턴은 포토레지스트를 도포하는 공정, 소프트 베이킹 및 하드 베이킹 하는 공정, 노광 및 현상하는 공정을 거쳐야 한다. 따라서, 제조공정이 복잡하게 된다. 더욱이, 포토레지스트를 베이킹하기 위해서는 특정 온도에서 실행되는 소프트베이킹 공정과 상기 소프트베이킹 온도 보다 높은 온도에서 실행되는 하드 베이킹공정을 거쳐야만 하기 때문에, 공정이 더욱 복잡하게 된다.

둘째, 제조비용이 상승한다. 통상적으로 복수개의 패턴(혹은 전극)으로 이루어진 전기소자공정에서는 하나의 패턴을 형성하기 위해 포토레지스트공정이 진행되고, 다른 패턴을 형성하기 위해 또 다른 포토레지스트공정이 진행되어야만 한다. 이것은 제조라인에서 각 패턴라인 사이 마다 고가의 포토레지스트 공정라인이 필요하다는 것을 의미한다. 따라서, 전기소자의 제작시 제조비용이 상승하게 된다.

셋째, 환경을 오염시킨다는 것이다. 일반적으로 포토레지스트의 도포는 스핀코팅에 의해 이루어지기 때문에, 도포시 폐기되는 포토레지스트가 많게 된다. 이러한 포토레지스트의 폐기는 전기소자의 제조비용을 증가시키는 요인이 될 뿐만 아니라 폐기되는 포토레지스트에 의해 환경이 오염되는 원인도 되는 것이다.

넷째, 전기제품에 불량이 발생한다는 것이다. 스핀코팅에 의한 포토레지스트층의 형성은 정확한 층의 두께를 제어하기가 힘들다. 따라서, 포토레지스트층이 불균일하게 형성되어 패턴형성시 패턴의 표면에는 미제거된(non-stripped) 포토레지스트가 잔류하게 되며, 이것은 전기소자에 불량이 발생하는 원인이 된다.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출한 것으로, 본 발명의 목적은 공정을 단순화 시켜서 생산성을 향상시키기에 알맞은 소프트 몰드를 이용한 미세패턴 형성방법을 제공하는데 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 소프트 몰드를 이용한 미세패턴 형성방법은 액상 고분자 물질이 도포된 기판을 진공 챔버에 로딩하고 그 상부에 소프트 몰드를 셋팅하는 단계; 상기 진공 챔버를 대기압 상태에서 진공 상태로 만든 후에 상기 소프트 몰드와 상기 액상 고분자 물질을 콘택시키는 단계; 상기 소프트 몰드의 음각부에 상기 액상 고분자 물질이 채워지도록 하는 단계; 상기 소프트 몰드의 상부에서 UV를 조사하여 상기 액상 고분자 물질을 경화시켜서 미세 패턴 형성용 마스크층을 형성하는 단계; 상기 소프트 몰드와 상기 기판을 분리시키는 단계; 상기 마스크층을 이용하여 패턴 형성층을 식각하여 미세 패턴층을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.

상기 소프트 몰드는 일면에 양각 또는 음각의 요철이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

상기 소프트 몰드의 배면에 백 프레인용 기판이 부착되어 있는 것을 더 포함함을 특징으로 한다.

상기 소프트 몰드는 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS) 또는 폴리우레탄(polyurethane)이 주성분인 것을 특징으로 한다.

상기 액상 고분자 물질은 솔벤트가 함유되어 있지 않은 아크릴계 또는 에폭시계 수지로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.

상기 액상 고분자 물질은 프리 폴리머가 80~98%이고, 포토 이니시에이터 (photo initiator)가 1~10%이며, 기타 다른 첨가제가 1~10%정도인 것을 특징으로 한다.

상기 프리 몰리머는 HEA(Hydroxyethyl acrylate), GMA(Glycidyl methacrylate), EGDMA(diethyleneglycol dimethacrylate), THFA(Tetrahydrofurfuryl acrylate), HMAA(Hydroxymethul acrylamide), PEA(Phenyl epoxyacrylate), HOFHA(6-Hydroxy-2, 2,3,3,4,4,5,5-octafluoro), EOPT(Polyethoxylated(4) pentaerythritoltetraacrylate), HPA(Hydroxypropyl acrylate), BMA(Buthylmethacrlate), PETIA(Pentaerythritol triacrylate), HDDA(Hexan diol diacrylate), EGPEA(Ethyleneglycol phenyletheracrylate), BM(Benzylmethacrylate), HPPA(Hydroxyphenoxypropyl acrylate), TMSPMA(3-(Trimetoxysily) propylmethacrylate), BHPEA(2-(4-Benzoyl-3-hydroxyphenoxy) ethylacrylate), HEMA, HPMA, DGDMA중 적어도 어느 하나로 구성되어 있음을 특징으로 한다.

상기 소프트 몰드와 상기 고분자 물질은, 상기 소프트 몰드의 표면이 소수성이면 상기 고분자 물질은 친수성이고, 상기 소프트 몰드 표면이 친수성이면 상기 고분자 물질은 소수성인 것 즉, 그 표면 성질이 상반된 특성을 갖는 것을 사용함을 특징으로 한다.

종래와 같이 포토레지스트를 이용한 노광 및 현상공정으로 미세 패턴을 형성할 경우의 문제를 해결하기 위한 대안으로 소프트 몰드를 이용한 공정이 제시되고 있다.

일반적으로, 소프트 몰드(soft mold)는 탄성을 가지는 고무를 임의의 틀에 부어 그 틀의 형상에 따라 임의의 패턴을 음각 또는 양각하여 제작하게 된다.

이하, 본 발명에 적용될 소프트 몰드의 제조공정을 간략히 설명하면 다음과 같다.

먼저, 소프트 몰드의 표면에 소정의 형상을 음각 또는 양각하기 위한 원판(master)을 준비한다.

상기 원판은 절연기판(ex. 실리콘 기판) 상에 질화 실리콘(Si3N4) 또는 산화 실리콘(SiO2)과 같은 절연물질을 증착하여 선행층을 형성한 후, 포토리소그라피(photo-lithography)공정을 거쳐 상기 선행층을 원하는 형상으로 패턴하는 공정을 진행한다.

이때, 상기 절연기판 상부의 패턴은 질화 실리콘(Si3N4) 또는 산화 실리콘(SiO2)외에 금속(metal) 또는 포토레지스트(photo-resist) 또는 왁스(wax)를 사용하여 형성할 수 있다. 전술한 바와 같은 공정을 통해 원판(master)을 형성한다.

상기와 같이 원판이 완성되면, 원판의 상부에 프리 폴리머층을 형성한다.

연속하여, 상기 프리-폴리머층을 경화하는 공정을 진행한다.

다음으로, 경화 공정이 완료된 상태의 폴리머층을 소프트 몰드(soft mold)라 하고, 상기 소프트 몰드를 원판으로부터 떼어내는 공정을 진행하여 비로소, 표면에 소정의 형상이 양각(陽刻) 또는 음각(陰刻)된 소프트 몰드를 제작할 수 있다.

이러한 소프트 몰드(soft mold)는 마이크로 단위의 미세한 패턴(소프트 몰드의 음각 또는 양각에 따라 형성된 패턴)을 형성하는데 사용되는데 예를 들면, 액정 표시장치에 포함되는 컬러필터 기판에 컬러필터를 형성하거나, 유기전계 발광소자에서 전극을 형성하는데 사용할 수 있다.

상기 소포트 몰드는(soft mold) 탄성 중합체를 경화하여 제작할 수 있으며, 이러한 탄성 중합체로는 대표적으로 PDMS(polydimethylsiloxane)가 널리 사용되고 있다.

상기 PDMS 이외에도 폴리우레탄(polyurethane), 폴리이미드(polyimides)등을 사용할 수 있다.

상기와 같은 소프트 몰드는 소프트 리소그래피(Soft lithography), 소프트 몰딩(soft molding), 캐필러리 폴스 리소그래피(capillary force lithography)와 인-플랜 프린팅(in-plane printing)용등 다양한 분야에 적용되고 있다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 소프트 몰드를 이용한 미세 패턴 형성방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 발명에 따른 소프트 몰드를 이용한 미세패턴 형성방법을 나타낸 플로우챠트이고, 도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 실시예에 따른 소프트 몰드(soft mold)를 이용한 미세패턴 형성방법을 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.

본 발명의 실시예에 따른 소프트 몰드를 이용한 미세 패턴 형성방법을 플로우 챠트로 나타내면 도 2에 도시한 바와 같이, 액상 고분자 물질이 도포된 기판을 진공 챔버에 로딩하는 단계(S20), 상기 진공 챔버를 대기압 상태에서 진공 상태로 만드는 단계(S21), 몰드와 기판을 진공 상태에서 콘택시키는 단계(S22), 상기 몰드와 기판을 대기압 상태에서 콘택시키는 단계(S23), UV를 조사하여 마스크층을 경화 시켜서 패턴 형성 마스크층을 형성하는 단계(S24), 상기 몰드와 기판을 분리하는 단계(S25), 상기 마스크층으로 패턴형성층 식각하여 미세 패턴층을 형성하는 단계(S26), 상기 마스크층을 제거하는 단계(S27)를 포함하여 진행한다.

다음에, 상기의 공정 플로우로 진행되는 본 발명에 따른 소프트 몰드를 이용한 미세 패턴 형성방법을 공정 단면도를 참조하여 자세히 설명하면 다음과 같다.

먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이, 패턴 형성층(41)과 액상 고분자 물질(42)이 차례로 도포된 기판(40)을 진공 챔버(도시되지 않음)에 로딩한다. 이후에 소프트 몰드(31)를 상기 로딩된 기판(40)의 상부에 위치하도록 진공 챔버에 셋팅시킨다.

이때 소프트 몰드(31)는 일면에 양각 또는 음각의 요철이 형성되어 있고, 몰드가 수축되거나 팽창되는 현상 및 몰드가 휘는 것을 방지하기 위해서 그 배면에 백 프레인용 기판(30)이 부착되어 있다. 그러나, 상기 백 프레인용 기판(30)은 부착시키지 않고 진행할 수도 있다.

상기에서 소프트 몰드(31)는 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS) 또는 폴리우레탄(polyurethane)이 주성분이다.

또한, 상기 소프트 몰드(31)는 유리나 투명 고분자 기판에 미세 패턴이 형성된 PDMS계 또는 폴리우레탄등이 주성분으로된 몰드가 형성되거나 붙은 것이거나, 유리나 투명 고분자 기판에 미세 패턴이 형성된 PDMS계 또는 폴리우레탄 등이 표면처리되어 구성될 수도 있다.

이때 액상 고분자 물질(42)은 솔벤트가 함유되어 있지 않은 아크릴계 또는 에폭시계 수지로 구성되고, 그 조성 퍼센트는 프리 폴리머가 80~98%이고, 포토 이니시에이터(photo initiator)가 1~10%이며, 기타 다른 첨가제가 1~10%정도이다. 이때 프리 폴리머는 1개로 구성될 수도 있고, 여러 가지가 복합적으로 구성되어 있을 수도 있다.

상기 액상 고분자 물질로 사용될 수 있는 프리 폴리머의 종류를 살펴보면 다음과 같은 것들이 있다.

HEA(Hydroxyethyl acrylate), GMA(Glycidyl methacrylate), EGDMA(diethyleneglycol dimethacrylate), THFA(Tetrahydrofurfuryl acrylate), HMAA(Hydroxymethul acrylamide), PEA(Phenyl epoxyacrylate), HOFHA(6-Hydroxy-2, 2,3,3,4,4,5,5-octafluoro), EOPT(Polyethoxylated(4) pentaerythritoltetraacrylate), HPA(Hydroxypropyl acrylate), BMA(Buthylmethacrlate), PETIA(Pentaerythritol triacrylate), HDDA(Hexan diol diacrylate), EGPEA(Ethyleneglycol phenyletheracrylate), BM(Benzylmethacrylate), HPPA(Hydroxyphenoxypropyl acrylate), TMSPMA(3-(Trimetoxysily) propylmethacrylate), BHPEA(2-(4-Benzoyl-3-hydroxyphenoxy) ethylacrylate), HEMA, HPMA, DGDMA.

다음에, 도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 진공 챔버를 진공 상태로 만든 후에 상기 소프트 몰드(31)와 액상 고분자 물질(42)을 콘택시킨다.

상기와 같이 진공 상태에서 소프트 몰드(31)와 액상 고분자 물질(42)을 콘택시키는 이유는 버블(bubble) 발생을 방지하기 위해서 이며, 5torr 이하에서는 버블 프리 공정이 가능하다.

상기에서 소프트 몰드(31)와 고분자 물질(42)은 그 표면 성질이 상반된 특성을 갖는 것을 사용한다. 예를 들면 소프트 몰드(31)의 표면이 소수성이면 고분자 물질(42)은 친수성이고, 소프트 몰드(31) 표면이 친수성이면 고분자 물질(42)은 소수성이다. 이와 같이 상반된 특성을 갖도록 하는 이유는 콘택시 소프트 몰드(31)와 고분자 물질(42)간 반발력이 작용하여 고분자 물질(42)의 일부 또는 대부분이 소프트 몰드(31)의 음각부에 채워지게 하기 위한 것이다.

이와 같이 표면이 상반된 특성을 갖으면, 도 3c에 도시된 바와 같이 고분자 물질(42)의 일부분이 소프트 몰드(31)의 음각부에 채워진다.

다음에 도 3d에 도시한 바와 같이, 진공 챔버를 진공 상태에서 대기압 상태로 복귀시키면 상기 소프트 몰드(31)로 기판(40)을 누른다. 이에 의해서 기판(40)상에 형성된 고분자 물질(42)이 소프트 몰드(31)의 음각부의 빈공간으로 완전히 이동하여 상기 소프트 몰드(31)의 양각 부분에는 액상 고분자 물질(42)이 남지 않도록 한다.

상기에서 진공 챔버를 진공 상태에서 대기압 상태로 복귀시킬 때, 진공 챔버내에 N2 또는 에어(air)와 같은 가스를 공급하며, 이때 공급된 가스에 의해서 소프트 몰드(31)가 균일하게 기판(40)을 누르게 된다.

상기에서 대기압 상태로 복귀시키지 않고, 진공 상태에서 상기 공정을 진행할 수도 있다.

이후에, 도 3e에 도시한 바와 같이, 상기 소프트 몰드(31)의 상부에 UV를 조 사하여 상기 소프트 몰드(31)의 음각부를 채우고 있는 액상의 고분자 물질(42)을 경화시킨다. 이에 의해서 기판(40) 상에 패턴 형성용 마스크층(42a)이 형성된다.

다음에, 도 3f에 도시한 바와 같이, 상기 소프트 몰드(31)를 마스크층(42a)이 형성된 기판(41)으로부터 떼어낸다.

이후에 도 3g에 도시한 바와 같이, 상기 마스크층(42a)을 이용하여 패턴 형성층(41)을 식각하여 미세 패턴층(41a)을 형성한다.

이어서, 도 3h에 도시한 바와 같이, 상기 마스크층(42a)을 제거하여 기판(40)상에 미세 패턴층(41a)만 남도록 한다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.

따라서, 본 발명의 기술 범위는 상기 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라, 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.

상기와 같은 본 발명에 따른 소프트 몰드를 이용한 미세 패턴 형성방법은 다음과 같은 효과가 있다.

소프트 몰드를 이용하여 진공 챔버의 상태만을 변화시켜서 미세 패턴을 형성할 수 있으므로, 종래에 포토리소그래피 공정보다 그 공정을 단순화시킬 수 있다. 이에 따라서 생산성을 향상시킬 수 있다.

또한, 제작된 소프트 몰드는 반복 사용할 수 있기 때문에 종래의 포토리소그래피 공정보다 공정 생산비를 절약할 수 있다.

그리고, 소프트 몰드를 제조할 때 잔류물이 발생하지 않으므로 종래의 포토리소그래피 공정과 같이 환경을 오염시킬 우려가 없다.

그리고, 미세 패턴 형성전에 소프트 몰드를 별도로 제작하는 것이므로, 종래의 포토리소그래피 공정과 같이 미세 패턴 형성용 기판에 잔류물이 발생하여 전기소자에 불량이 발생될 우려가 없다.

Claims

액상 고분자 물질이 도포된 기판을 진공 챔버에 로딩하고 그 상부에 소프트 몰드를 셋팅하는 단계;

상기 진공 챔버를 대기압 상태에서 진공 상태로 만든 후에 상기 소프트 몰드와 상기 액상 고분자 물질을 콘택시키는 단계;

상기 소프트 몰드의 음각부에 상기 액상 고분자 물질이 채워지도록 하는 단계;

상기 소프트 몰드의 상부에서 UV를 조사하여 상기 액상 고분자 물질을 경화시켜서 미세 패턴 형성용 마스크층을 형성하는 단계;

상기 소프트 몰드와 상기 기판을 분리시키는 단계;

상기 마스크층을 이용하여 패턴 형성층을 식각하여 미세 패턴층을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 소프트 몰드를 이용한 미세 패턴 형성방법.
제 1 항에 있어서,

상기 소프트 몰드는 일면에 양각 또는 음각의 요철이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 소프트 몰드를 이용한 미세 패턴 형성방법.
제 1 항에 있어서,

상기 소프트 몰드의 배면에 백 프레인용 기판이 부착되어 있는 것을 더 포함 함을 특징으로 하는 소프트 몰드를 이용한 미세 패턴 형성방법.
제 1 항에 있어서,

상기 소프트 몰드는 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS) 또는 폴리우레탄(polyurethane)이 주성분인 것을 특징으로 하는 소프트 몰드를 이용한 미세 패턴 형성방법.
제 1 항에 있어서,

상기 액상 고분자 물질은 솔벤트가 함유되어 있지 않은 아크릴계 또는 에폭시계 수지로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 소프트 몰드를 이용한 미세 패턴 형성방법.
제 1 항에 있어서,

상기 액상 고분자 물질은 프리 폴리머가 80~98%이고, 포토 이니시에이터(photo initiator)가 1~10%이며, 기타 다른 첨가제가 1~10%정도인 것을 특징으로 하는 소프트 몰드를 이용한 미세 패턴 형성방법.
제 6 항에 있어서,

상기 프리 몰리머는 HEA(Hydroxyethyl acrylate), GMA(Glycidyl methacrylate), EGDMA(diethyleneglycol dimethacrylate), THFA(Tetrahydrofurfuryl acrylate), HMAA(Hydroxymethul acrylamide), PEA(Phenyl epoxyacrylate), HOFHA(6-Hydroxy-2, 2,3,3,4,4,5,5-octafluoro), EOPT(Polyethoxylated(4) pentaerythritoltetraacrylate), HPA(Hydroxypropyl acrylate), BMA(Buthylmethacrlate), PETIA(Pentaerythritol triacrylate), HDDA(Hexan diol diacrylate), EGPEA(Ethyleneglycol phenyletheracrylate), BM(Benzylmethacrylate), HPPA(Hydroxyphenoxypropyl acrylate), TMSPMA(3-(Trimetoxysily) propylmethacrylate), BHPEA(2-(4-Benzoyl-3-hydroxyphenoxy) ethylacrylate), HEMA, HPMA, DGDMA중 적어도 어느 하나로 구성되어 있음을 특징으로 하는 소프트 몰드를 이용한 미세 패턴 형성방법.
제 1 항에 있어서,

상기 소프트 몰드와 상기 고분자 물질은, 상기 소프트 몰드의 표면이 소수성이면 상기 고분자 물질은 친수성이고, 상기 소프트 몰드 표면이 친수성이면 상기 고분자 물질은 소수성인 것 즉, 그 표면 성질이 상반된 특성을 갖는 것을 사용함을 특징으로 하는 소프트 몰드를 이용한 미세 패턴 형성방법.