JP2010114433A

JP2010114433A - ダイボンディングフィルム及びこれを用いた半導体装置

Info

Publication number: JP2010114433A
Application number: JP2009231461A
Authority: JP
Inventors: Keiichi Hatakeyama; 恵一畠山; Yoshinobu Ozaki; 義信尾崎; Yukihiko Yamashita; 幸彦山下; Takeshi Yamashita; 剛山下
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Resonac Corp
Priority date: 2008-10-07
Filing date: 2009-10-05
Publication date: 2010-05-20

Abstract

【課題】半導体ウェハ裏面にダイボンディングフィルムを８０℃以下の低温で容易に、かつ、チップの反り量が少なくラミネートが可能であるとともに、ダイボンディングフィルム付き半導体チップをダイシング基材から容易にピックアップが可能であり、ダイボンディングフィルムを用いて作製した半導体装置が吸湿耐熱信頼性に優れるダイボンディングフィルム及びこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１と配線付き基材４又は半導体素子同士を接着固定するダイボンディングフィルム２であって、かつダイボンディングフィルムが星型アクリル共重合体を含むダイボンディングフィルムであり、星型アクリル共重合体のガラス転移温度が３０〜７０℃及び重量平均分子量が１〜１００万の範囲であるダイボンディングフィルム及びこれを用いた半導体装置。
【選択図】図１

Description

本発明は、ダイボンディングフィルム及びこれを用いた半導体装置に関する。

従来、半導体チップと半導体チップ搭載用支持部材の接合には、銀ペーストが主に使用されていた。ところが、近年の半導体チップの小型化、高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化、細密化が要求されるようになってきた。さらに、携帯機器等の小型化、高密度化の要求に伴って、内部に複数の半導体チップを積層した半導体装置が開発、量産されており、前記銀ペーストでは、はみ出しや半導体チップの傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、接着剤層の膜厚の制御困難性及び接着剤層のボイド発生などにより前記要求に対処しきれなくなってきている。そのため、近年、フィルム状のダイボンディング材（以下、ダイボンディングフィルムという）が使用されるようになってきた。

また、近年は、携帯機器に搭載されるメモリ容量が加速度的に増加していることから、前記の半導体チップを複数積層した半導体パッケージのチップ積層段数が増大する傾向にある。より具体的には、携帯機器質量の兼ね合いから半導体チップを多段積層した半導体パッケージの容積、質量は従来と変えず、半導体チップの積層枚数のみが増加してきており、結果として半導体チップが薄肉化する傾向にあり、１００μｍ厚以下の半導体チップが使用されるようになってきた。

半導体ウェハは、直径８インチの場合は７００μｍ程度の厚みに切り出してから、裏面を研削することで所望の厚みの半導体ウェハを得る。従来は、半導体ウェハを薄く研削（バックグラインド）する際にウェハ回路面を保護するテープ（以下、バックグラインドテープという）を貼付け、研削後に剥離してからダイボンディングフィルムやダイシング基材へ貼り付けを行っていたが、半導体ウェハが薄くなるにしたがって、搬送時にウェハが割れるリスクが高まっている。そのため、バックグラインドテープを剥離せずにダイボンディングフィルム、ダイシング基材をラミネートし、ラミネート後にバックグラインドテープを剥離する工程が一般的となっている。

しかし、バックグラインドテープの耐熱性は、上限８０℃程度であるため、特にダイボンディングフィルムをウェハ裏面に貼付ける際は、８０℃以下のラミネート温度で十分な密着性を確保する必要がある。

また、ダイボンディングフィルムは下記のいずれかの方法により用いられる。

（１）ダイボンディングフィルムを任意のサイズに切り出して配線付き基板又は半導体チップ上に貼り付け、それに半導体チップを熱圧着する。

（２）ダイボンディングフィルムを半導体ウェハ裏面全体に貼り付け、次いでダイボンディングフィルムの裏面にダイシング基材を貼り付けた後、回転刃にて個片化し、ダイボンディングフィルム付き半導体チップをピックアップによりダイシング基材から剥離して得、それを配線付き基板又は半導体チップに熱圧着する。

特に、近年は半導体装置作製工程の簡略化を目的とし、上記（２）の方法が主に用いられているが、半導体ウェハが薄肉化するに伴って、個片化したダイボンディングフィルム付き半導体チップを割れなくピックアップすることが困難となっている（例えば、特許文献１参照）。

また、半導体装置の吸湿耐熱信頼性を向上する目的で、高分子量の直鎖状ポリマー成分を配合してなるダイボンディングフィルムが用いられているが、ピックアップ性に劣り、チップに反りが生じるといった問題点があった。

特開２００５−０１１８３９号公報

本発明は、上記した従来技術の問題を鑑み、半導体ウェハ裏面にダイボンディングフィルムを８０℃以下の低温で容易に、かつ、チップの反り量が少なくラミネートが可能であるとともに、ダイボンディングフィルム付き半導体チップをダイシング基材から容易にピックアップが可能であり、前記ダイボンディングフィルムを用いて作製した半導体装置が吸湿耐熱信頼性に優れるダイボンディングフィルム及びこれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。

本発明は、（１）ガラス転移温度が３０〜７０℃及び重量平均分子量が１万〜１００万の範囲である星型アクリル共重合体を含有する接着剤層を有するダイボンディングフィルムに関する。

また、本発明は、（２）前記星型アクリル共重合体が、少なくとも３本の重合体鎖を有するものである前記（１）記載のダイボンディングフィルムに関する。

また、本発明は、（３）前記星型アクリル共重合体が、架矯性官能基を有する、アクリル酸エステル共重合体又はアクリルゴムである前記（１）又は（２）に記載のダイボンディングフィルムに関する。

また、本発明は、（４）前記接着剤層が、熱硬化性成分を含有する前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載のダイボンディングフィルムに関する。

また、本発明は、（５）前記接着剤層が、フィラーを含有する前記（１）〜（４）のいずれか一項に記載のダイボンディングフィルムに関する。

また、本発明は、（６）前記ダイボンディングフィルムの厚みが、１〜１００μｍである前記（１）〜（５）のいずれか一項に記載のダイボンディングフィルムに関する。

また、本発明は、（７）前記（１）〜（６）のいずれか一項に記載のダイボンディングフィルムを用いて、半導体素子と配線付き基板とを、又は半導体素子同士を接着した構造を有してなる半導体装置に関する。

本発明によれば、半導体ウェハ裏面にダイボンディングフィルムを８０℃以下の低温で容易にかつ、チップの反り量が少なくラミネートが可能であり、ダイボンディングフィルム付き半導体チップをダイシング基材から容易にピックアップ可能であるとともに、前記ダイボンディングフィルムを用いて作製した半導体装置が吸湿耐熱信頼性に優れるダイボンディングフィルム及びこれを用いた半導体装置を提供することができる。特に本発明では、１００μｍ以下の薄いウェハを用いた場合でも、吸湿耐熱信頼性に優れた半導体装置を作製することができるため、近年の薄型ウェハを用いた小型化・薄型化の半導体装置の開発に大きく寄与することができる。

本発明のダイボンディングフィルムを用いた半導体装置を示す断面図である。本発明のダイボンディングフィルムを用いた半導体装置を示す断面図である。

本発明のダイボンディングフィルムは、ガラス転移温度が３０〜７０℃及び重量平均分子量が１万〜１００万の範囲である星型アクリル共重合体を含有する接着剤層を有することを特徴とする。

［星型アクリル共重合体］
本発明のダイボンディングフィルムの接着剤層は、星型アクリル共重合体を含有する。前記星型アクリル共重合体は、中心から３本以上の重合体鎖が放射状に伸びる星型の構造をした分岐共重合体（以下、「星型共重合体」と言うことがある。）である。

かかる星型共重合体は、同程度の重量平均分子量を有する直鎖状の重合体と比較して流動性が高く、低粘度であるという特徴を有し、充填性に優れ、吸湿耐熱信頼性を向上させることができる。これは、直鎖状の重合体は重量平均分子量が大きくなると重合体鎖が長くなり、隣接する重合体鎖同士で絡み合いが生じるが、星型共重合体は中心から重合体鎖が放射状に伸びる構造であるため、直鎖状の重合体ほど重合体鎖部分が長くならず、絡み合いの発生が少ないことに起因すると推察される。従って、高分子量でありながら低粘度である星型共重合体をダイボンディングフィルムの高分子量成分として用いることにより、ダイボンディングフィルム全体として高流動性と吸湿耐熱信頼性とを両立することができる。

本発明で用いる星型アクリル共重合体のガラス転移温度は、３０〜７０℃であり、好ましくは３５〜６５℃、より好ましくは４０〜６０℃である。前記ガラス転移温度が３０℃未満であると、ピックアップ−ダイボンディング工程における連続動作時にピックアップコレットがダイボンディング加熱ステージの熱で暖められ、その熱でピックアップ時のダイボンディングフィルムのタック力が増大し、ピックアップ性が低下してしまう。一方、ガラス転移温度が７０℃を超えると、ウェハラミネート時に低温でのウェハとの貼付け性確保が困難となり、８０℃以下の低温でラミネートするという本発明の目的を達成できない。なお、前記ガラス転移温度は、粘弾性アナライザー（レオメトリック社製、ＲＳＡ−２）を用いて測定した値である。測定条件は、サンプルサイズ：長さ１２ｍｍ、幅５ｍｍ、厚み１５０μｍ、温度範囲：−５０〜３００℃、昇温速度：５℃／分、周波数１Ｈｚ、引張モードである。

本発明で用いる星型アクリル共重合体の重量平均分子量は、１万〜１００万であり、好ましくは５万〜８０万、より好ましくは１０万〜６０万である。前記重量平均分子量が１万未満であると、硬化後のダイボンディングフィルム接着強度が低下し、半導体パッケージの吸湿耐熱信頼性が低下してしまう。一方、重量平均分子量が１００万を超えると、Ｂステージ状態のダイボンディングフィルムの流動性が低下することから、圧着時に支持部材表面の配線段差を充填することが困難となり、圧着後に残存した未充填ボイドが起点となって半導体パッケージの吸湿耐熱信頼性が低下してしまう。

前記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値であり、ポンプとして株式会社日立製作所製、商品名：Ｌ−６０００を使用し、カラムとして日立化成工業株式会社製、商品名：ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ−Ｒ４４０、ゲルパックＧＬ−Ｒ４５０及びゲルパックＧＬ−Ｒ４００Ｍ（各１０．７ｍｍ（直径）×３００ｍｍ）をこの順に連結したカラムを使用し、溶離液としてテトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」と言う。）を使用し、試料１２０ｍｇを、ＴＨＦ：５ｍｌに溶解させたサンプルについて、流速１．７５ｍＬ／分で測定することができる。

重量平均分子量が同程度の星型共重合体同士であって、同様のモノマーから構成される場合、重合体鎖の数が多いほど１本当たりの重合体鎖が短くなるため、流動性が向上し、ひいては低粘度となると考えられる。従って、重量平均分子量はそのままとし、より低粘度としたい場合は、重合体鎖の数を増やせば低粘度とすることができる。重合体鎖の数を増やすには、星型共重合体を製造する際に用いる多官能開始剤の官能基数を多いものを用いれば良い。上記観点から、本発明で用いる星型アクリル共重合体が有する重合体鎖は、ダイボンディングフィルム硬化前の流動性と硬化後の信頼性の観点から、少なくとも３本であることが好ましく、３本〜１０本であることがより好ましく、３本〜５本であることが特に好ましい。本発明で用いる星型アクリル共重合体の各重合体鎖の重量平均分子量は、１万〜３０万であることが好ましく、３万〜２０万であることがより好ましく、５万〜１５万であることが特に好ましい。前記重合体鎖の重量平均分子量が１万未満の場合は硬化後のダイボンディングフィルムの接着強度及び耐熱性が低下し、半導体パッケージの信頼性が低下してしまう可能性がある。また、フィルムの成膜性も困難となる傾向にある。一方、３０万を超える場合は、ダイボンディング時のピックアップ性が低下し、またＢステージ状態のダイボンディングフィルムの流動性が低下する傾向にあり、充填性に劣り、圧着後に残存した未充てんボイドが起点となって半導体パッケージの信頼性が低下してしまう可能性がある。なお、各重合体鎖の重量平均分子量は、分子全体の重量平均分子量を重合体鎖の本数で除した数値である。

本発明では、タック力や流動性を調整する目的で、複数の星型アクリル共重合体、例えば、ガラス転移温度が異なる星型アクリル共重合体、重量平均分子量が異なる星型アクリル共重合体、重合体鎖の本数が異なる星型アクリル共重合体などを併用してもよく、また、星型アクリル共重合体と直鎖状の重合体とを併用してもよい。

本発明で用いる星型アクリル共重合体は、特に限定されないが、少なくとも（メタ）アクリル酸エステルを用いて製造した共重合体であることが好ましく、（メタ）アクリル酸エステル共重合体、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とするものであり、例えば、ブチルアクリレートやエチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体などからなるゴムであって、本発明においては、上述のように星型構造を有する。また、前記（メタ）アクリル酸エステル共重合体又はアクリルゴムは架橋性官能基を含んでいることがより好ましく、架橋性官能基は、ポリマー鎖中に有していても、ポリマー鎖末端に有していてもよい。架橋性官能基の具体例としては、エポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、イソシアネート基、アミノ基、アミド基等が挙げられる。これらのなかでも、エポキシ基が好ましい。エポキシ基含有アクリル共重合体中におけるエポキシ基含有モノマーの量は、全モノマー量を規準として、０．５〜１０重量％であることが好ましく、１〜７重量％であることがより好ましく、２〜４重量％であることが特に好ましい。エポキシ基含有モノマーの量がこの範囲にあると、接着力が確保できるとともに、ゲル化を防止しやすくなる。なお、本発明では「（メタ）アクリル」とは、「アクリル」と「メタクリル」の両方を意味する。

以下に、星型アクリル共重合体の具体例とその合成方法の一例を挙げるが、本発明に係る星型アクリル共重合体は以下の合成方法に制限されるものではない。

本発明に係る星型アクリル共重合体は、例えば、多官能開始剤としてハロゲン化合物と、配位子としてアミン化合物と、触媒として周期律表第７族〜１１族元素の遷移金属とを用いて、複数のモノマー種を溶媒の存在下に原子移動ラジカル重合により重合することにより合成することができる。

以下に、まず当該合成方法において用いられる各成分について説明する。

［モノマー種］
モノマー種は、特に制限はなく、種々のものを用いることができる。例えば、以下のモノマーを挙げることができる。また、構造式（１）〜（６）に示される化合物の、少なくとも１個のＨが、Ｆで置換されるモノマーを使用することもできる。

なお、以下の構造式はアクリル系のものを示すが、メタクリル系のものも使用可能である。

前記構造式（１）のＲは、炭素数１〜２０の脂肪族基、又は炭素数６〜２０の芳香族基を表す。脂肪族基としては、具体的には、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシアルキル基、炭素数１〜２０のヒドロキシアルキル基などが挙げられ、これらは直鎖状でも分岐状でもよい。より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロへキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、ステアリル基などのアルキル基；２−メトキシエチル基、２−エトキシエチル基、２−プロポキシエチル基、２−ブトキシエチル基、３−メトキシプロピル基、３−メトキシブチル基、４−メトキシブチル基などのアルコキシアルキル基；２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシプロピル基などのヒドロキシアルキル基；などが挙げられる。これらのなかでも、炭素数１〜１０の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数２〜８の直鎖状のアルキル基がより好ましい。一方、芳香族基としては、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基が挙げられ、これらのなかでも、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７〜１１のアラルキル基が好ましい。具体的には、フェニル基、トルイル基、ベンジル基等が挙げられる。

前記構造式（３）のＲ’は、Ｈ又は炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子を表す。炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基が挙げられ、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基等が挙げられる。また、ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子などが挙げられる。これらのなかでも、Ｈ、炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子が好ましく、Ｈ、炭素数１〜２の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子がより好ましい。

前記構造式（４）のＲ^１及びＲ^２は、それぞれ独立にＨ又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数１〜４のアルキル基が挙げられ、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等が挙げられ、これらアルキル基はアミノ基で置換されていてもよい。これらのなかでも、Ｈ又は炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基が好ましい。

前記構造式（５）のＲ^３は、炭素数１〜４の二価の脂肪族炭化水素基を表す。炭素数１〜４の二価の脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数１〜４のアルキレン基が挙げられ、より具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等が挙げられる。これらのなかでも、炭素数１〜２のニ価の脂肪族炭化水素基が好ましい。また、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立にＨ、炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基を表す。炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数１〜４のアルキル基が挙げられ、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等が挙げられる。炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、トルイル基、ベンジル基等が挙げられる。これらのなかでも、炭素数１〜２の脂肪族炭化水素基が好ましい。

前記構造式（６）のＲ^６は、炭素数１〜５のニ価の脂肪族炭化水素基を表す。炭素数１〜５のニ価の脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキレン基が挙げられ、より具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパンジイル基、ブタンジイル基、ペンタンジイル基等が挙げられる。これらのなかでも、炭素数２〜４のニ価の脂肪族炭化水素基が好ましい。また、Ｒ^７、Ｒ^８及びＲ^９は、それぞれ独立に炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、炭素数１〜５のアルコキシ基を表す。炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基が挙げられ、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基等が挙げられる。これらのなかでも、炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素数２〜３の脂肪族炭化水素基がより好ましい。炭素数１〜５のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。

前記構造式（１）〜（６）に示されるものの中でも、構造式（１）又は（２）で示されるモノマー種が好ましく、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリロニトリルが好ましい。

なお、「（メタ）アクリル酸」の表記は、アクリル酸及び／又はメタクリル酸を示す。

また、本発明の製造方法において用いられるモノマー種としては、架橋性官能基を有するモノマーも好適に用いることができる。その例を以下の構造式（７）〜（９）に示すが、本発明は以下のものに制限されることはない。

前記構造式（７）及び（８）中、Ｒ^９及びＲ^１０は、炭素数１〜５の２価の脂肪族炭化水素基を示し、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基等が挙げられ、これらのなかでもメチレン基が好ましい。

また、前記構造式（７）及び（８）はアクリレート系の例示であるが、メタクリレート系のものも使用可能である。すなわち、構造式（７）及び（８）において、ＣＨ_２＝ＣＨ−を、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−に置き換えたものも使用可能である。

前記構造式（７）〜（９）においては、構造式（７）で示されるモノマー種が好ましく、（メタ）アクリル酸グリシジルがより好ましい。

本発明では、ガラス転移温度の制御、架橋成分導入、凝集力向上、機能性付与などの観点から３種以上のモノマー種を用いることが好ましく、前記構造式（１）〜（９）のモノマー種のうち、構造式（２）で表される（メタ）アクリロニトリル及び構造式（７）〜（９）で表される架橋性官能基を有するモノマーの少なくとも１種を含むことがより好ましい。具体的な組み合わせの例としては、アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル；（メタ）アクリロニトリル；（メタ）アクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有（メタ）アクリル酸エステル；等を好適に挙げることができる。前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルを含有することで柔軟性、支持部材や半導体素子などとの粘着性が増加する傾向にあり、（メタ）アクリロニトリルを含有することで凝集力が高まり、支持部材や半導体素子などとの接着力が増加する傾向にあり、エポキシ基含有（メタ）アクリル酸エステルを含有することで硬化物が高弾性化する傾向にある。

これらモノマーの配合量としては、（メタ）アクリロニトリルやアミノ基含有モノマーを除き、特に制限はなく自由に設定することができる。

本発明においては、アクリロニトリルやアミノ基含有モノマーの配合量としてその合計量が、使用するモノマー種の合計量に対してモル分率で、１０モル％以上が可能であり、２０モル％以上が好ましく、３０モル％以上がより好ましく、４０モル％以上がさらに好ましく、上限は概ね６０モル％である。

なお、ここでいうアミノ基含有モノマーとしては以下の構造式（１０）又は構造式（１１）に示されるモノマーなどが好適に使用される。また、構造式（１０）のモノマー中のＲ^１１及びＲ^１２は、それぞれ独立に−ＣＨ_３又は−Ｃ_２Ｈ_５を表す。

［多官能開始剤］
多官能開始剤はハロゲン化合物であり、一般には、１分子中に３個以上のハロゲン原子を含む化合物が挙げられ、好ましくは、ハロゲン原子がＢｒ又はＣｌである化合物であり、さらに好ましくは、ハロゲン原子がＢｒである化合物であり、最も好ましくは、臭素化アルキルである。なお、多官能開始剤の官能数が星型共重合体の重合体鎖の本数となるため、合成しようとする星型共重合体の重合体鎖の本数を考慮し多官能開始剤を選択することが好ましい。

以下に、本発明において好適に用いられる多官能開始剤の具体例を官能数別に示すが、本発明は以下に示す構造式（１２）〜（１６）に制限するものではない。

（３官能；Ｒ（Ｂｒ）_３）

構造式（１３）の具体例としては、グリセリン又はフロログルシノールなどの３価アルコールが有する３つの水酸基の水素原子が下記の置換基（ａ）で置換されたものが挙げられる。

（４官能；Ｒ（Ｂｒ）_４）

構造式（１５）の具体例としては、ペンタエリスリトール又はカリックスアレン［４］などの４価アルコールが有する４つの水酸基の水素原子が上記の置換基（ａ）で置換されたものが挙げられる。

（５官能；Ｒ（Ｂｒ）_５）

構造式（１６）の具体例としては、グルコース、フルクトース、グルコピラノースなどの５価アルコールが有する５つの水酸基の水素原子が上記の置換基（ａ）で置換されたものが挙げられる。

（６官能；Ｒ（Ｂｒ）_６）

構造式（１７）の具体例としては、カリックスアレン［６］又はグルシトールなどの６価アルコールが有する６つの水酸基の水素原子が上記の置換基（ａ）で置換されたものが挙げられる。

なお、７官能以上の開始剤は、１分子中に７個以上の水酸基を有する化合物に、所定の酸ハロゲン化物を反応させることにより得ることができる。ここで、所定の酸ハロゲン化物としては、２−ブロモプロピオン酸クロライド、２−ブロモプロピオン酸ブロマイド、２−ブロモ−２−メチルプロピオン酸クロライド、２−ブロモ−２−メチルプロピオン酸ブロマイドが挙げられる。但し、ここに挙げた例は一例であり、これらに制限するものではない。

多官能開始剤の使用量としては、全モノマー種の合計量に対するモル比（全モノマー種／多官能開始剤）が、２００／１〜２００００／１となる範囲で選択することが好ましい。

［配位子］
配位子はアミン化合物であり、１分子中に２個以上のＮ原子を有するアミン化合物を用いることが好ましい。そのようなアミン化合物としては、例えば、下記構造式（１８）に示すものが挙げられる。

（Ｒ^１７は、炭素数１〜３のニ価の脂肪族炭化水素基を示し、Ｒ^１８及びＲ^１９は、Ｈ又は炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基を示す。）
Ｒ^１７で表される炭素数１〜３のニ価の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。また、Ｒ^１８及びＲ^１９で表される炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられる。

配位子の使用量としては、触媒として使用する金属に対し、モル比（配位子／金属）で０．５／１〜２／１であることが好ましい。

［触媒］
触媒は、周期律表第７族〜１１族元素の遷移金属又は遷移金属化合物であり、具体的には、マンガン、テクネチウム、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金などの遷移金属又はそれらの化合物が挙げられる。これらのなかでも、銅、ルテニウム、ニッケル、鉄又はそれらの化合物が好ましく、触媒活性が高く、高重合率、高分子量化を達成しやすい点で、銅や銅化合物がより好ましく、銅及び銅化合物を併用することが特に好ましい。銅化合物としては、例えば、臭化銅（ＩＩ）などの２価の銅化合物が好適に用いられる。

触媒の使用量としては、開始剤に対し、モル比（触媒／開始剤）で０．５／１〜１０／１であることが好ましい。

［溶媒］
溶媒は、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）などのスルホキシド系溶媒；ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒；アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホリックアミド等のアミド系溶媒；などが好適に使用することができる。これらは、単独又は組み合わせて使用してもよい。但し、ここに挙げた例は一例であり、これらに制限されるものではない。

［その他の成分］
星形アクリル共重合体の合成方法において用いられる他の成分としては、触媒活性を上げるためルイス酸（例えば、アルミニウムアルコキシドなど）又は無機塩（例えば、炭酸ナトリウム、安息香酸ナトリウム等）若しくは還元剤（例えば、２−エチルヘキサン酸すず等）を添加することも可能である。

［原子移動ラジカル重合］
星形アクリル共重合体の合成方法において採用される原子移動ラジカル重合は、開始剤としてハロゲン化合物などを、触媒として遷移金属を用い、アクリル系などのモノマーを重合する重合法であり、ラジカル重合でありながら停止反応等の副反応が起こりにくく分子量分布の狭い重合体（Ｍｗ／Ｍｎ＝１．１〜２．２）が得られるとともに、モノマーと開始剤の仕込み比によって、製造しようとする重合体の分子量を自由に制御し得るという「リビングラジカル重合法」の特徴に加えて、官能基変換反応に比較的有利なハロゲンを末端に有し、開始剤や触媒の設計の自由度が大きいことから、特定の官能基を有する重合体の製造方法として有用である。

この原子移動ラジカル重合法としては、例えば、マクロモレキュールズ（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ）１９９５年、２８巻、１７２１頁、７９０１頁，Ｍａｔｙｊａｓｚｅｗｓｋｉら、ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカルソサエティー（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．）１９９５年、１１７巻、５６１４頁，サイエンス（Ｓｃｉｅｎｃｅ）１９９６年、２７２巻、８６６頁，国際公開第９６／３０４２１号パンフレット，国際公開第９７／１８２４７号パンフレット，国際公開第９８／０１４８０号パンフレット，国際公開第９８／４０４１５号パンフレット，特開平９−２０８６１６号公報，特開平８−４１１１７号公報等に記載されている。

次に、星型アクリル共重合体の合成方法における、星型アクリル共重合体の合成の手順について説明する。

まず、合成のために用意した容器内に触媒を秤取して、容器内を減圧、窒素雰囲気下とし、各モノマー種と、配位子と、溶媒とを加える。次いで、窒素によりバブリングし、脱酸素を図る。再度窒素雰囲気下とし、別途調製した開始剤溶液を加え、窒素により脱酸素した後、重合を進行させる。重合温度は１０〜１００℃程度で、重合反応終了後に、反応溶液を精製し、目的とする星型アクリル共重合体を得る。上記重合においては、酸素、水分の除去が重要である。また、重合反応を潤滑に進行させるため、モノマー、開始剤、配位子、金属、溶媒の純度を上げることが重要である。

［熱硬化性成分］
本発明では、前記接着剤層は熱硬化性成分を含んでいても良い。熱硬化性成分としては、エポキシ樹脂を使用することができ、熱により硬化して接着作用を有するエポキシ樹脂であれば特に制限はなく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。

このようなエポキシ樹脂の市販品の一例として、以下のものが挙げられる。上記ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：エピコート８０７、８１５、８２５、８２７、８２８、８３４、１００１、１００４、１００７、１００９、ダウケミカル社製、商品名：ＤＥＲ−３３０、３０１、３６１、東都化成株式会社製、商品名：ＹＤ８１２５などが挙げられる。上記ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としては、東都化成株式会社製、商品名：ＹＤＦ−８１７０Ｃ、ＹＳＬＶ−８０ＸＹなどが挙げられる。上記フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：エピコート１５２、１５４、日本化薬株式会社製、商品名：ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製、商品名：ＤＥＮ−４３８などが、また、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製、商品名：ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、１０３Ｓ、１０４Ｓ、１０１２、１０２５、１０２７、東都化成株式会社製、商品名：ＹＤＣＮ７０１、７０２、７０３、７０４、７００−１０などが挙げられる。上記多官能エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：Ｅｐｏｎ１０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：アラルダイト０１６３、ナガセ化成株式会社製、商品名：デナコールＥＸ−６１１、６１４、６１４Ｂ、６２２、５１２、５２１、４２１、４１１、３２１などが挙げられる。上記アミン型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：エピコート６０４、東都化成株式会社製、商品名：ＹＨ−４３４、三菱ガス化学株式会社製、商品名：ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ、ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学株式会社製、商品名：ＥＬＭ−１２０などが挙げられる。上記複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：アラルダイトＰＴ８１０等の、ＵＣＣ社製、商品名：ＥＲＬ４２３４、４２９９、４２２１、４２０６などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。

特に、Ｂステージ状態でのダイボンディングフィルムに高い可撓性を付与できる点で、エポキシ樹脂の重量平均分子量が１０００以下であることが好ましく、５００以下であることがさらに好ましい。

特に、Ｂステージ状態でのダイボンディングフィルムに高い可撓性を付与し得る重量平均分子量５００以下のビスフェノールＡ型又はビスフェノールＦ型エポキシ樹脂５０〜９０質量％と、硬化物に高い耐熱性を付与し得る重量平均分子量８００〜３０００の多官能エポキシ樹脂１０〜５０質量％とを併用することが好ましい。

［硬化剤］
熱硬化性成分としてエポキシ樹脂を用いた場合、エポキシ樹脂硬化剤を用いることが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類；ポリアミド；酸無水物；ポリスルフィド；三フッ化ホウ素；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類；フェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フェノール樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等のフェノール樹脂；などが挙げられる。

一方、本発明においては、ダイボンディングフィルム作製前におけるワニスの状態での相溶性が悪化する場合には、軟化温度が１５０℃以下、好ましくは１４０℃以下、より好ましくは１３０℃以下であるエポキシ樹脂硬化剤を選択することにより改善することができる。具体的には、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等が挙げられ、これらのなかでも、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が好ましい。

本発明で好適に用いられるエポキシ樹脂硬化剤の市販品としては、三井化学株式会社製、商品名：ミレックスＸＬＣ−シリーズ、ＸＬシリーズ、並びに、ＤＩＣ株式会社製、商品名：フェノライトＬＦシリーズ等が挙げられる。

エポキシ樹脂硬化剤の含有量としては、全エポキシ樹脂のエポキシ基数に対する全硬化剤の水酸基数の当量比（全硬化剤の水酸基数／全エポキシ樹脂のエポキシ基数）が０．５〜２で配合することが好ましい。

［フィラー］
本発明では、前記接着剤層はフィラーを含んでいても良い。フィラーを含有する目的は、Ｂステージ状態におけるダイボンディングフィルムのダイシング性の向上、ダイボンディングフィルムの取扱い性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与などである。

フィラーとしては無機フィラーが好ましく、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物等が挙げられる。これらのなかでも、熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、ダイシング性を向上させるためにはアルミナ、シリカが好ましい。これら無機フィラーの形状については特に制限はない。

本発明のダイボンディングフィルムの接着剤層における前記各成分の好ましい含有量は、各成分の種類によって適宜調整されるため一概には限定できないが、通常、接着剤層を構成する組成物の全質量に対して、星型アクリル共重合体が１０〜３０質量％、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤が３０〜７０質量％、フィラーが２０〜６０質量％である。各成分の含有量を上記数値範囲とすることで、配線基板の凹凸を埋込み、かつ半導体チップとの絶縁性を確保しやすくすることが可能となる。

［その他の成分］
本発明のダイボンディングフィルムの接着剤層には、その他の成分として、シランカップリング剤又はチタンカップリング剤などのカップリング剤、硬化促進剤、レベリング剤、酸化防止剤、イオントラップ剤等を含んでいてもよい。

＜ダイボンディングフィルムの物性＞
（タック力）
本発明のダイボンディングフィルムは、４０℃におけるフィルム未硬化物のタック力が１，５００ｍＮ以下であることが好ましく、１，２００ｍＮ以下であることがより好ましく、１，０００ｍＮ以下であることが特に好ましい。

本発明のダイボンディングフィルムにおいて、ピックアップ工程でチップ割れなくピックアップするために４０℃におけるフィルム未硬化物のタック力は、１，５００ｍＮ以下であることが好ましい。前記タック力が、１，５００ｍＮを超えると隣チップのダイボンディングフィルム同士が付着し、複数チップが同時にピックアップされてしまう可能性がある。前記タック力の下限は特に限定されない。

ダイボンディングフィルムの４０℃におけるフィルム未硬化物のタック力は、株式会社レスカ製のタッキング試験器を用いた。条件は、フィルム厚：４０μｍ、押し込み速度：２ｍｍ／秒、引き上げ速度：１０ｍｍ／秒、停止加重：１００ｇｆ／ｃｍ^２、停止時間：１秒で行い、４０℃のステージにサンプルの測定面を上にして固定し、４０℃のプローブ（直径５．１ｍｍ（φ）のＳＵＳ３０４）に対するタック強度を測定し求めた。測定面は、ダイシングテープに貼り付ける側の面とした。なお、ここで、フィルム未硬化物とはＢステージ状態のフィルムを示す。
ダイボンディングフィルムのタック力を高くする方法としては、ガラス転移温度の低い星型共重合体を用いる、液状エポキシ樹脂を添加する、フィラーの含有量を低減することが有効であり、一方、タック力を低くする方法としては、ガラス転移温度の高い星型共重合体を用いる、固形エポキシ樹脂を添加する、フィラーの含有量を増量することが有効である。前記液状エポキシ樹脂としては、例えば、東都化成株式会社製、商品名：ＹＤＦ−８１７０Ｃ、ＹＤＣＮ７０１、７０２、７０３、７０４、７００−１０、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：エピコート８０７、８１５、８２５、８２７、８２８、８３４、１００１、１００４、１００７、１００９、ダウケミカル社製、商品名：ＤＥＲ−３３０、３０１、３６１、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：エピコート１５２、１５４、日本化薬株式会社製、商品名：ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製、商品名：ＤＥＮ−４３８などが挙げられ、前記固形エポキシ樹脂としては、例えば、東都化成株式会社製、商品名：ＹＳＬＶ−８０ＸＹ、ＹＤＦ２００１、ＤＩＣ株式会社製、製品名：ＥＰＩＣＬＯＮなどが挙げられる。

（溶融粘度）
本発明のダイボンディングフィルムは、８０℃におけるフィルム未硬化物（Ｂステージ状態）の溶融粘度が１００〜１０，０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、２５０〜８，０００Ｐａ・ｓの範囲であることがより好ましく、５００〜５，０００Ｐａ・ｓの範囲であることが特に好ましい。

本発明のダイボンディングフィルムにおいて、ダイボンディング工程で下段チップのボンディングワイヤの埋め込み性や支持部材表面の配線段差の埋め込み性を確保するためのフィルム流動性として、８０℃におけるフィルム未硬化物（Ｂステージ状態）の溶融粘度が１００〜１０，０００Ｐａ・ｓであることが好ましい。前記溶融粘度が１０，０００Ｐａ・ｓを超えると、圧着工程のみで下段チップのボンディングワイヤや支持部材表面の配線段差を充填することができず、完成した半導体パッケージ内部にボイドが残存し、そのボイドが起点となって吸湿リフロー時に剥離が生じてしまい信頼性を損なってしまう可能性がある。一方、１００Ｐａ・ｓ未満であると、ダイボンディング工程又はフィルム硬化工程等の加熱時にフィルムが発泡する可能性がある。

ダイボンディングフィルム未硬化物の８０℃の溶融粘度は、ＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ（１７）Ｐ４５８（１９４６）に示す平行平板プラストメータ法により測定、算出した。厚さ１２０μｍのフィルムを打ち抜き型を用いて直径６ｍｍに打ち抜き両面に厚さ１５０μｍのスライドガラスを貼り付けて試験サンプルを作製した。これをＣＯＢボンダ（日立化成工業株式会社製、ＡＣ−ＳＣ−４００Ｂ）を用いて圧着（８０℃／１ＭＰａ／３秒）した。加圧前後のサンプルをスキャナで取り込み、画像解析ソフトで面積を計算し、圧着前後のフィルム厚みを算出した。

ダイボンディングフィルム未硬化物の溶融粘度（η）は、下記数式を用いることにより算出した。

Ｚ_０：荷重を加える前のダイボンディングフィルムの厚さ
Ｚ：荷重を加えた後のダイボンディングフィルムの厚さ
Ｖ：ダイボンディングフィルムの体積
Ｆ：加えた荷重の大きさ
ｔ：荷重を加えた時間
ダイボンディングフィルムの８０℃におけるフィルム未硬化物の溶融粘度を下げるには、低軟化点の硬化剤を使用する、熱硬化性成分としてエポキシ樹脂を添加することが有効である。

（接着強度）
本発明のダイボンディングフィルムは、フィルム硬化物の２６５℃における接着強度が３．５ＭＰａ以上であることが好ましく、４．０ＭＰａ以上であることがより好ましく、４．５ＭＰａ以上であることが特に好ましい。

本発明のダイボンディングフィルム硬化物において、良好な吸湿リフロー耐性を確保するために必要な下段チップとの２６５℃における接着強度は、３．５ＭＰａ以上であることが好ましい。前記接着強度が３．５ＭＰａより小さい場合は、吸湿後のリフロー工程で下段チップとの界面で剥離が生じる可能性がある。

ここでのダイボンディングフィルム硬化物の接着強度は以下の方法により測定した。まず、厚み４０μｍのダイボンディングフィルムを厚み４００μｍの半導体ウエハに６０℃で貼り付け、３．２ｍｍ角にダイシングする。このダイシングしたチップのダイボンディングフィルム貼付面をレジスト（太陽インキ製造株式会社製、商品名「ＡＵＳ３０８」）を塗布した基板（日立化成工業株式会社製、商品名「Ｅ−６９７ＦＧ」）表面上に、１００℃、０．１ＭＰａ、１ｓの条件で熱圧着してサンプルを得る。その後、得られたサンプルを１００℃／１時間、１１０℃／１時間、１２０℃／１時間の順のステップキュア後に、１７５℃で５時間硬化し、測定サンプルとする。測定サンプルを８５℃、６０ＲＨ％条件の下、１６８時間吸湿処理する。レジスト塗布基板表面が２６５℃になるように設定した熱板に測定サンプルを置き、３０秒放置後のダイシェア強度を測定する。測定はＤａｇｅＰｒｅｃｉｓｉｏｎＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製のＤａｇｅ４０００を用い、測定高さ：５０μｍ、測定速度：５０μｍ／ｓの条件で行う。

ダイボンディングフィルムのフィルム硬化物の２６５℃における接着強度を上げるためには、フィラーを増量する、ゴムを減量することが有効である。

＜ダイボンディングフィルムの作製＞
次に、本発明のダイボンディングフィルムを作製する各工程について説明する。以下に示す工程は一例であり、本発明のダイボンディングフィルムは以下の工程に制限するものではない。

（１）ワニスの調製
星型アクリル共重合体、熱硬化性成分、フィラー及び他の成分を有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製する。ワニスの調製に用いる有機溶媒は、前記各成分を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような有機溶媒としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、トルエン、キシレン等が挙げられる。これらのなかでも、乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどを使用することが好ましい。

ワニスの調製に用いる際の有機溶媒の使用量には特に制限はなく、有機溶媒は加熱乾燥などによりダイボンディングフィルムから除去されるものであるが、ダイボンディングフィルム作製後の有機溶媒量（残存揮発分）は、全質量基準で０．０１〜３質量％であることが好ましく、耐熱信頼性の観点からは全質量基準で０．０１〜２質量％であることがより好ましく、０．０１〜１．５質量％であることが特に好ましい。

上記各成分の混合、混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。

（２）基材への塗工
上記（１）で得られたワニスを基材層上に塗工し、ワニスの層を形成する。基材としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム、これらに離型剤のコーティング処理を施したフィルム等を用いることができる。

塗工には、アプリケータ自動塗工機を用いることができ、塗工厚みは、最終的なダイボンディングフィルムの厚さを考慮して決定されるが、１０〜２５０μｍとすることが好ましい。

（３）加熱乾燥
上記（２）で得られた、ワニスを塗工した基材層を加熱乾燥する。加熱乾燥の条件は、使用した有機溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常６０℃〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。

加熱乾燥後、基材層を除去してダイボンディングフィルム（Ｂステージフィルム）得ることができる。本発明では、ダイボンディングフィルムの厚さは特に制限はなく、１〜１００μｍであることが好ましい。前記厚さが１μｍ未満であると、成膜性、取り扱いが困難となる傾向があり、１００μｍを超えると、経済性が悪く、成形性が困難になる傾向がある。この観点から５〜１００μｍであることがより好ましく、７〜９０μｍであることが特に好ましい。

本発明のダイボンディングフィルムは、星型アクリル共重合体を含有する接着剤層を有する構成をしており、通常は、星型アクリル共重合体を含有する接着剤層と基材層とをこの順に備えた２層構造のダイボンディングフィルムとして用いられ、必要に応じ接着剤層の両面に基材層を備えた３層構造としたものであってもよい。あるいは、本発明のダイボンディングフィルムを２枚以上ラミネートしたもの、本発明のダイボンディングフィルムとそれ以外のダイボンディングフィルムを複数ラミネートしたものであってもよい。本発明のダイボンディングフィルムは、半導体装置において半導体素子と配線付き基板との接着、又は半導体素子同士の接着に用いることができる。

以下、本発明のダイボンディングフィルムを用いる半導体装置の製造工程の一例を記載する。

まず、本発明のダイボンディングフィルムと半導体ウェハを貼り合わせる。例えば、ダイボンディングフィルムの接着剤層と半導体ウェハを貼り合わせた後、ダイボンディングフィルムから基材層を剥がし、ダイシングテープの粘着剤層と貼り合せる方法、又は、ダイボンディングフィルムの接着剤層とダイシングテープの粘着剤層を貼り合わせた後、ダイボンディングフィルムから基材層を剥がし、半導体ウェハを貼り合せる方法が挙げられる。

半導体ウェハは特に限定されないが、吸湿耐熱信頼性に優れた半導体装置を作製することができる観点から、ウェハの厚さは１００μｍ以下であることが好ましく、７５μｍ以下であることがより好ましく、５０μｍ以下であることが特に好ましい。

ダイシングテープとしては特に限定されず、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムなどが挙げられる。また、必要に応じて、ダイシングテープに対して、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理などの表面処理を実施してもよい。

前記いずれかの方法で本発明のダイボンディングフィルムと半導体ウェハを貼り合わせた後に、切断装置（ダイサー）の回転刃で所望の大きさのチップに切断する。当該工程において、ダイボンディングフィルムは完全に切断されてもよいが、一部が切断されずに残っていてもよい。ダイボンディングフィルムを完全に切断する工法をフルカット、ダイボンディングフィルムを完全に切断せず一部を残す工法をハーフカットと記す。

前記ハーフカット工法による切断の場合、切断されずに残ったダイボンディングフィルムは、次工程のピックアップダイボンダーにおけるピックアップ時にダイシングテープを拡張（以下、エキスパンドという）を行うこと、及び／又はピックアップ時に突き上げ針などの治具で押し上げることで切り込んだ部分を起点として分割することもできる。

ダイボンディングフィルムを切断する際に使用するダイサーや回転刃（ブレード）は一般に上市されているものを使用することができる。例えば、ダイサーは、株式会社ディスコ製のフルオートマチックダイシングソー６０００シリーズやセミオートマチックダイシングソー３０００シリーズなどが、ブレードは、株式会社ディスコ製、ダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ０５シリーズやＮＢＣ−ＺＨシリーズなどが使用できる。

また、本発明は、半導体ウェハとダイボンディングフィルムの積層物を切断する工程において、例えば、株式会社ディスコ製のフルオートマチックダイシングソー６０００シリーズなどの回転刃を用いて切断するダイサーだけではなく、例えば、株式会社ディスコ製のフルオートマチックレーザソー７０００シリーズなどのレーザを用いて切断する方法、すなわちレーザーアブレーション加工又はステルスダイシング加工による半導体装置の製造方法にも適用可能である。

上記切断工程により、個片化したダイボンディングフィルム付き半導体チップは、一般に上市されているピックアップダイボンダーを使用することでピックアップすることができる。例えば、ルネサス東日本セミコンダクタ社製のフレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０やＤＢ−７００、株式会社新川製のダイボンダーＳＰＡ−３００、ＳＰＡ−４００等を使用することでピックアップ可能である。

上記により、ダイボンディングフィルム付き半導体チップとしてピックアップし、半導体素子同士または半導体素子と配線付き基板とを接着することにより半導体装置を得ることができる。

図１に本発明の半導体装置の一態様の断面図を示す。支持部材４の配線６面上に、半導体チップ１が、ダイボンディングフィルム２によって接着されている。半導体チップ１と支持部材４の配線６とは、ボンディングワイヤ３によって電気的に接続されている。支持部材４の配線６面、半導体チップ１及びボンディングワイヤ３は、封止用樹脂７によって封止されている。支持部材４の外面には、はんだボール等の端子５が設けられている。半導体装置内のダイボンディングフィルム２は、半導体チップ１の加熱圧着時やその後の加熱による後硬化、又は樹脂封止時の加熱や後硬化により、硬化している。

図２に本発明の半導体装置の他の一態様の断面図を示す。配線付き基板４の配線６面上に、半導体チップ１’が、ダイボンディングフィルム２”によって接着され、接続されている。半導体チップ１’上には、更に他の半導体チップ１”が、ダイボンディングフィルム２’によって接着され、半導体チップ１”上には、更に他の半導体チップ１が、ダイボンディングフィルム２によって接着されている。半導体チップ１、半導体チップ１’及び半導体チップ１”と配線付き基板４の配線とは、ボンディングワイヤ３によって電気的に接続されている。配線付き基板４の配線６面、半導体チップ１、半導体チップ１’、半導体チップ１”及びボンディングワイヤ３は、封止用樹脂７によって封止されている。配線付き基板４の外面には、はんだボール等の端子５が設けられている。半導体装置内のダイボンディングフィルム２、ダイボンディングフィルム２’及びダイボンディングフィルム２”は、半導体チップ１、半導体チップ１’、半導体チップ１”の加熱圧着時やその後の加熱による後硬化、又は樹脂封止時の加熱や後硬化により、硬化している。

以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に制限するものではない。

合成例１
（配位子の合成）
三方コックを備えたジムロートとセプタムラバとを５０ｍｌ二口ナスフラスコに装着し、Ｎ_２雰囲気下にした後、蟻酸２５．０ｍｌ（５２１．４ｍｍｏｌ）を秤取した。０℃に冷却した後、ホルムアルデヒド１０．０ｍｌ（１２３．２ｍｍｏｌ）を加え、そのまま０℃の状態で１時間攪拌した。この反応液に、トリス（２−アミノエチル）アミン１．５ｍｌ（１０．０ｍｍｏｌ）を蒸留水５ｍｌに溶解させた水溶液を約１０分かけて滴下した。その後、反応液を室温（２５℃）に戻し、窒素気流下とした。

次に、９５℃に設定したオイルバスにこの反応器を設置し緩やかに１０時間還流した。次いで、室温（２５℃）に戻し、溶媒をエバポレータにて除去した後、残渣を飽和ＮａＯＨ水溶液で処理した。

有機層を抽出した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去し、薄黄色液体のヘキサメチルトリス（２−アミノエチル）アミン１．９ｇ（収率８６％）を得た。構造は^１Ｈ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭＲより確認した。

合成例２
（３官能開始剤の合成）
三方コック、セプタムラバを備えた１００ｍｌ二口ナスフラスコにフロログルシノール１．００ｇ（７．９３ｍｍｏｌ）を秤取した。Ｎ_２雰囲気にした後、脱水テトラヒドロフラン４０．０ｍｌを加えた。さらに、トリエチルアミン３．９ｍｌ（２７．８ｍｍｏｌ）を加え、０℃に冷却した。

次いで、２−ブロモプロピオン酸クロリド２．８ｍｌ（２７．８ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下した後、室温（２５℃）に戻し２時間反応を進行させた。反応追跡はＴＬＣ（薄層クロマトグラフィー）を用いて行い、原料のスポットが消失したとき、反応終了とみなした。

反応終了後、ろ過し溶液中の塩酸塩を取り除き、溶媒をエバポレータにて留去した。残渣をメタノールにより再結晶することで、下記構造式の白色固体の生成物２．４ｇ（収率５７％）で得た。構造は^１Ｈ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭＲより確認した。

合成例３
（星型アクリル共重合体の合成）
三方コック、セプタムラバを１００ｍｌ二口フラスコに装着し、Ｃｕ（０）を９．５ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）及びＣｕＢｒ_２を３．４ｍｇ（０．０１５ｍｍｏｌ）秤取した。反応容器内をＮ_２雰囲気とし、アクリル酸ブチルを９．９ｇ（７７．６４ｍｍｏｌ）、アクリル酸エチルを７．４ｇ（７３．９８ｍｍｏｌ）、メタクリル酸グリシジルを０．８ｇ（５．４３ｍｍｏｌ）、アクリロニトリルを７．６ｇ（１４２．９５ｍｍｏｌ）、脱水ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）を２９．４ｍｌ及び合成例１で合成したヘキサメチルトリス（２−アミノエチル）アミンを３４．６ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）の順に加えた。

さらに、合成例２で合成した３官能開始剤１０６．２ｍｇを脱水ＤＭＳＯ４．０ｍｌに溶解させた溶液３．０ｍｌを加えた。反応系内をＮ_２フロー（４００ｍｌ／分×１５分）により脱酸素した後、設定温度３０℃のオイルバスに反応容器を設置し、２５時間反応を進行させた。

反応終了後、メチルエチルケトンを３０ｍｌ加え、系内の粘度を落としメンブランフィルター（ポリテトラフルオロエチレン、０．２μｍ）を用いてろ過した。ろ液をメタノール６００ｍｌで再沈殿した後、４０℃で減圧乾燥することで薄黄白色ゴム状の生成物１３．６ｇ（収率５３％）で得た。重合率に対して数平均分子量（Ｍｎ）が直線関係になることから、反応途中における副反応がほとんど生じてないことが示唆され、目的とする星型アクリル共重合体が得られていることを確認した。

合成した星型アクリル共重合体の重量平均分子量は２０万であった。またガラス転移点Ｔｇは４４℃であった。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）により得られた値である。

次に、得られた星型アクリル共重合体を用いて、以下の通りワニスを調製した。

実施例１〜２、比較例１〜４
（ワニスの調製）
以下に示すアクリル共重合体、エポキシ樹脂、硬化剤、フィラー、硬化促進剤、カップリング剤を用いて、表１に示す配合（質量部）の組成物を得、シクロヘキサノンを加えて、攪拌脱泡し、不揮発分４０質量％のワニスを調製した。

［アクリル共重合体］
星型アクリル共重合体：合成例３で合成した星型アクリル共重合体（ガラス転移温度４４℃、重量平均分子量２０万）
ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名）：直鎖状のアクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製、ガラス転移温度２５℃、重量平均分子量：８０万）
ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名）：直鎖状のアクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製、ガラス転移温度２５℃、重量平均分子量：３０万）
［エポキシ樹脂］
ＹＤＦ−８１７０Ｃ（商品名）：東都化成株式会社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１５６
ＹＤＣＮ−７０３（商品名）：東都化成株式会社製、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２０９
ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（商品名）：東都化成株式会社製、ビスキシレノール型エポキシ樹脂、エポキシ当量１９２
ＹＤＣＮ−７００−１０（商品名）：東都化成株式会社製、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０
［硬化剤］
ＸＬＣ−ＬＬ：ミレックスＸＬＣ−ＬＬ（商品名）、三井化学株式会社製、フェノール樹脂、水酸基当量１７５
［フィラー］
ＳＣ２０５０−ＨＬＧ（商品名）：アドマテックス社製、シリカフィラー分散液、平均粒径０．５μｍ
［硬化促進剤］
２ＰＺ−ＣＮ：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ（商品名）、四国化成工業株式会社製、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール
［カップリング剤］
Ａ−１８９：ＮＵＣＡ−１８９（商品名）、日本ユニカー株式会社製、γ―メルカプトプロピルトリメトキシシラン
Ａ−１１６０：ＮＵＣＡ−１１６０（商品名）、日本ユニカー株式会社製、γ―ウレイドプロピルトリエトキシシラン
（ダイボンディングフィルムの塗工）
アプリケータ自動塗工機（テスター産業株式会社製）を用いて、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材（帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：マイラーＡ５３）上に、上記で調製したワニスを塗布し、ギャップを調整したアプリケータで塗工した。

得られたフィルムを、オーブン中１２０℃／２０分の条件で加熱乾燥した。その後、ＰＥＴ基材を引き剥がすことで、膜厚４０μｍのＢステージ状態のダイボンディングフィルム未硬化物を得た。

（ダイボンディングフィルムの後硬化）
上記により得られたダイボンディングフィルム未硬化物をオーブン中で１２０℃／３０分、１４０℃／１時間及び１７５℃／２時間の条件で加熱硬化して、Ｃステージ状態のダイボンディングフィルム硬化物とした。

（ダイボンディングフィルムの評価）
上記より得られた実施例１〜２、比較例１〜４のダイボンディングフィルムの各々について、以下に示す評価を行った。

（１）タック力の測定
ダイボンディングフィルムの４０℃におけるフィルム未硬化物のタック力は、株式会社レスカ製のタッキング試験器を用いた。条件は、フィルム厚：４０μｍ、押し込み速度：２ｍｍ／秒、引き上げ速度：１０ｍｍ／秒、停止加重：１００ｇｆ／ｃｍ^２、停止時間：１秒で行い、４０℃のステージにサンプルの測定面を上にして固定し、４０℃のプローブ（直径５．１ｍｍ（φ）のＳＵＳ３０４）に対するタック強度を測定し求めた。測定面は、ダイシングテープに貼り付ける側の面とした。結果を表１に示す。
（２）溶融粘度の測定
ダイボンディングフィルム未硬化物の８０℃の溶融粘度は、ＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ（１７）Ｐ４５８（１９４６）に示す平行平板プラストメータ法により測定、算出した。厚さ４０μｍの未硬化フィルム３枚を積層して厚さ１２０μｍのフィルムにラミネートし、これを打ち抜き型を用いて直径６ｍｍに打ち抜き、両面に厚さ１５０μｍのスライドガラスを貼り付けて試験サンプルを作製した。これをＣＯＢボンダ（日立化成工業株式会社製、ＡＣ−ＳＣ−４００Ｂ）を用いて圧着（８０℃／１ＭＰａ／３秒）した。加圧前後のサンプルをスキャナで取り込み、画像解析ソフトで面積を計算し、圧着前後のフィルム厚みを算出した。

Ｚ_０：荷重を加える前のダイボンディングフィルムの厚さ
Ｚ：荷重を加えた後のダイボンディングフィルムの厚さ
Ｖ：ダイボンディングフィルムの体積
Ｆ：加えた荷重の大きさ
ｔ：荷重を加えた時間
（３）接着強度の測定
ダイボンディングフィルム硬化物の接着強度は以下の方法により測定した。厚み４０μｍのダイボンディングフィルムを厚み４００μｍの半導体ウエハに６０℃で貼り付け、３．２ｍｍ角にダイシングした。このダイシングしたチップのダイボンディングフィルム貼付面をレジスト（太陽インキ製造株式会社製、商品名「ＡＵＳ３０８」）を塗布した基板（日立化成工業株式会社製、商品名「Ｅ−６９７ＦＧ」）表面上に、１００℃、０．１ＭＰａ、１秒の条件で熱圧着してサンプルを得た。

その後、得られたサンプルを１００℃／１時間、１１０℃／１時間、１２０℃／１時間の順のステップキュア後に１７５℃で５時間硬化し、測定サンプルとした。測定サンプルを８５℃、６０ＲＨ％条件の下、１６８時間吸湿処理した。

レジスト塗布基板表面が２６５℃になるように設定した熱板に測定サンプルをおき、３０秒放置後のダイシェア強度を測定した。測定は、ＤａｇｅＰｒｅｃｉｓｉｏｎＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製のＤａｇｅ４０００を用い、測定高さ：５０μｍ及び測定速度：５０μｍ／秒の条件で行った。結果を表１に示す。
（４）ピックアップ性の評価
Ｂステージ状態のダイボンディングフィルムを直径２１０ｍｍに切り抜き、厚さ８０μｍのダイシングテープ（電気化学工業株式会社製、商品名Ｔ−８０ＭＷ）上に、ダイアタッチフィルムマウンター（株式会社ジェーシーエム製、商品名ＤＭ−３００−Ｈ）を用いて室温（２５℃）で貼り合わせた。なお、塗工時の開放面（ポリエチレンテレフタレートフィルムの逆側）とダイシングテープを貼り合わせて、ダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品を得た。

前記ダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品に５０μｍ厚の半導体ウェハを熱板上でラミネートし、半導体ウェハ・ダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品を得、ダイシングサンプルを作製した。ラミネート時の熱板表面温度は４０℃に設定した。株式会社ディスコ製、商品名フルオートマチックダイシングソーＤＦＤ−６３６１を用いて、前記ダイシングサンプルを切断した。

切断は、ブレード１枚で加工を完了するシングルカット方式、ブレードに株式会社ディスコ製、商品名ダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ１０４Ｆ−ＳＥ２７ＨＤＢＢを用い、ブレード回転数４５，０００ｍｉｎ^−１、切断速度５０ｍｍ／秒の条件で行った。切断時のブレードハイトは、ダイシングテープを２０μｍ切り込む設定（６０μｍ）とした。半導体ウェハを切断するサイズは１０×１０ｍｍとした。

上記方法で作製したダイボンディングフィルム付き半導体チップのピックアップ性について、株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ製、商品名フレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０を使用して評価した。使用したピックアップ用コレットにはマイクロメカニクス社製、商品名ＲＵＢＢＥＲＴＩＰ１３−０８７Ｅ−３３（サイズ：１０×１０ｍｍ）、突上げピンにマイクロメカニクス社製、商品名ＥＪＥＣＴＯＲＮＥＥＤＬＥＳＥＮ２−８３−０５（直径：０．７ｍｍ、先端形状：直径３５０μｍの半円）を用いた。

突上げピンの配置は、ピン中心間隔４．２ｍｍで９本配置した。ピックアップ時のピンの突上げ速度：１０ｍｍ／秒、突上げ高さ：５００μｍの条件でピックアップ性を評価した。連続１００チップをピックアップし、チップ割れ、ピックアップミス等が発生しない場合を「良好」、１チップでもチップ割れ、ピックアップミス、等が発生した場合を「不良」とした。結果を表１に示す。

（５）支持部材表面の配線段差の埋め込み性の評価
前記（４）で得たダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品に１００μｍ厚の半導体ウェハを熱板上でラミネートし、半導体ウェハ・ダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品を得、ダイシングサンプルを作製した。ラミネート時の熱板表面温度は４０℃に設定した。株式会社ディスコ社製、商品名フルオートマチックダイシングソーＤＦＤ−６３６１を用いて、前記ダイシングサンプルを切断した。

切断は、ブレード１枚で加工を完了するシングルカット方式、ブレードに株式会社ディスコ社製、商品名ダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ１０４Ｆ−ＳＥ２７ＨＤＢＢを用い、ブレード回転数４５，０００ｍｉｎ^−１、切断速度５０ｍｍ／秒の条件で行った。切断時のブレードハイトは、ダイシングテープを２０μｍ切り込む設定（６０μｍ）とした。半導体ウェハを切断するサイズは７．５×７．５ｍｍとした。

上記方法で作製したダイボンディングフィルム付き半導体チップを、株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ製、商品名フレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０を使用して、表面段差１０μｍの配線付き支持部材に圧着した。圧着条件は熱板温度１２０℃、荷重０．１ＭＰａ及び時間１秒とした。

チップを圧着した配線付き支持部材を、超音波探査映像装置（日立建機株式会社製、ＨＹＥ−ＦＯＣＵＳＳｃａｎｎｉｎｇＡｃｏｕｓｔｉｃＴｏｍｏｇｒａｐｈ）でダイボンディングフィルムと配線付き支持部材界面のボイドの有無を観察し、支持部材表面の配線段差の埋め込み性の評価を行った。１２パッケージを観察し、剥離、ボイドが存在しなかったものを配線段差の埋め込み性「良好」、１パッケージでも剥離、ボイドが存在したものを配線段差の埋め込み性「不良」とした。結果を表１に示す。

（６）吸湿リフロー耐性の評価
上記（５）で作製した、配線付き支持部材をダイボンディングフィルム付き半導体チップで圧着した積層体を、１１０℃で１時間及び１２０℃で１時間の硬化を行った後に、日立化成工業株式会社製の封止材、商品名ＣＥＬ−９７５０ＺＨＦを前記積層体上に成型し、１７５℃で５時間の硬化処理を行い、半導体パッケージを得た。

超音波探査映像装置（日立建機株式会社製、ＨＹＥ−ＦＯＣＵＳＳｃａｎｎｉｎｇＡｃｏｕｓｔｉｃＴｏｍｏｇｒａｐｈ）で半導体パッケージ内部の剥離、ボイドの有無を観察した後、１２５℃で１２時間乾燥した。

乾燥後の半導体パッケージを８５℃、６０％ＲＨ及び１６８時間の吸湿処理を行った後、最大温度２６５℃、３０秒となるように設定し、リフロー処理を３回行った。リフロー処理後の半導体パッケージを再度、超音波探査映像装置で観察し、半導体パッケージ内部の剥離、ボイドの有無を観察した。リフロー処理後について、１２パッケージを観察し、半導体パッケージ内部の剥離、ボイドが存在しなかったものを吸湿リフロー耐性「良好」、１パッケージでも剥離、ボイドが存在したものを吸湿リフロー耐性「不良」とした。結果を表１に示す。

（７）チップの反り
前記（４）で得たダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品に１００μｍ厚の半導体ウェハを熱板上でラミネートし、半導体ウェハ・ダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品を得、ダイシングサンプルを作製した。ラミネート時の熱板表面温度は４０℃に設定した。株式会社ディスコ社製、商品名フルオートマチックダイシングソーＤＦＤ−６３６１を用いて、前記ダイシングサンプルを切断した。

切断は、ブレード１枚で加工を完了するシングルカット方式、ブレードに株式会社ディスコ社製、商品名ダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ１０４Ｆ−ＳＥ２７ＨＤＢＢを用い、ブレード回転数４５，０００ｍｉｎ^−１、切断速度５０ｍｍ／秒の条件で行った。切断時のブレードハイトは、ダイシングテープを２０μｍ切り込む設定（６０μｍ）とした。半導体ウェハを切断するサイズは１０×１０ｍｍとした。

上記方法で作製したダイボンディングフィルム付き半導体チップを、株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ製、商品名フレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０を使用して、表面段差なしの支持部材に圧着した。圧着条件は熱板温度１２０℃、荷重０．１ＭＰａ及び時間１秒とした。

チップを圧着した配線付き支持部材を、１２０℃で１時間硬化した後に、１７０℃の熱板上でワイヤボンド相当の熱履歴を加え、試験片とした。株式会社小坂研究所製、商品名サーフコーダーＳＥ−２３００を使用して、１０×１０ｍｍチップの対角線（１２ｍｍ）上のチップ反り量（μｍ）を測定した。

表１に示すように、実施例１〜２では、ガラス転移点が４４℃、重量平均分子量が２０万の星型アクリル共重合体をダイボンディングフィルムの接着剤層に用いることで、厚さ５０μｍの薄いウェハを割れなくピックアップでき、圧着工程で下段チップのボンデリングワイヤ下（配線段差）を充填可能であるとともに、チップの反り量を低減でき、ダイボンディングフィルムを用いて作製した半導体パッケージが良好な吸湿リフロー耐性を有することが分る。これに対し、直鎖状のアクリルゴムをダイボンディングフィルムの接着剤層に用いた比較例１〜４は、４０℃におけるタック力がそれぞれ３，０７９ｍＮ、２，２６９ｍＮ、２，６７０ｍＮ及び１，９６８ｍＮと高く、ピックアップ不良が発生し、チップの反り量が大きく好ましくない。また比較例１、３及び４は、圧着時の基板段差埋込性は確保できるものの、接着強度がそれぞれ２．８１ＭＰａ、１．５１ＭＰａ及び１．８６ＭＰａと低く、吸湿後のリフロー処理時に剥離が生じるため好ましくない。

１、１’、１”…半導体チップ、２、２’、２”…ダイボンディングフィルム、３…ボンディングワイヤ、４…支持部材、５…端子、６…配線、７…封止樹脂

Claims

ガラス転移温度が３０〜７０℃及び重量平均分子量が１万〜１００万の範囲である星型アクリル共重合体を含有する接着剤層を有するダイボンディングフィルム。
前記星型アクリル共重合体が、少なくとも３本の重合体鎖を有するものである請求項１記載のダイボンディングフィルム。
前記星型アクリル共重合体が、架矯性官能基を有する、アクリル酸エステル共重合体又はアクリルゴムである請求項１又は２に記載のダイボンディングフィルム。
前記接着剤層が、熱硬化性成分を含有する請求項１〜３のいずれか一項に記載のダイボンディングフィルム。
前記接着剤層が、フィラーを含有する請求項１〜４のいずれか一項に記載のダイボンディングフィルム。
前記ダイボンディングフィルムの厚みが、１〜１００μｍである請求項１〜５のいずれか一項に記載のダイボンディングフィルム。
請求項１〜６のいずれか一項に記載のダイボンディングフィルムを用いて、半導体素子と配線付き基板とを、又は半導体素子同士を接着した構造を有してなる半導体装置。