JP5544779B2 - ダイボンディングフィルム及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、ダイボンディングフィルムおよびそれを用いた半導体装置に関する。

従来、半導体チップと半導体チップ搭載用支持部材の接合には、銀ペーストが主に使用されていた。ところが、近年の半導体チップの小型化、高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化、細密化が要求されるようになってきた。さらに、携帯機器等の小型化、高密度化の要求に伴って、内部に複数の半導体チップを積層した半導体装置が開発、量産されており、前記銀ペーストでは、はみ出しや半導体チップの傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、接着剤層の膜厚の制御困難性、および接着剤層のボイド発生などにより、前記要求に対処しきれなくなってきている。そのため、近年、フィルム状のダイボンディング材（以下、「ダイボンディングフィルム」と言う。）が使用されるようになってきた。

また、近年は、携帯機器に搭載されるメモリ容量が加速度的に増加していることから、半導体チップを複数積層した半導体パッケージのチップ積層段数が増大する傾向にある。より具体的には、携帯機器重量の兼ね合いから半導体チップを多段積層した半導体パッケージの容積、重量を従来と変えず、半導体チップの積層枚数のみが増加してきており、結果として半導体チップが薄肉化する傾向にあり、１００μｍ厚以下の半導体チップが使用されるようになってきた。

半導体ウエハは、直径８インチの場合は７００μｍ程度の厚みに切り出してから、裏面を研削することで所望の厚みの半導体ウエハを得る。従来は、半導体ウエハを薄く研削（バックグラインド）する際にウエハ回路面を保護するテープ（以下、「バックグラインドテープ」と言う。）を貼付け、研削後に剥離してからダイボンディングフィルムやダイシング基材へ貼り付けを行っていたが、半導体ウエハが薄くなるにしたがって、搬送時にウエハが割れるリスクが高まっている。そのため、バックグラインドテープを剥離せずにダイボンディングフィルム、ダイシング基材をラミネートし、ラミネート後にバックグラインドテープを剥離する工程が一般的となっている。

しかし、バックグラインドテープの耐熱性は、上限８０℃程度のため、特にダイボンディングフィルムをウエハ裏面に貼付ける際は、８０℃以下のラミネート温度で十分な密着性を確保する必要がある。

また、ダイボンディングフィルムは、下記のいずれかの方法により用いられる。

（１）ダイボンディングフィルムを任意のサイズに切り出して配線付基材、または半導体チップ上に貼り付け、半導体チップを熱圧着する。

（２）ダイボンディングフィルムを半導体ウエハ裏面全体に貼り付け、次いでダイボンディングフィルムの裏面にダイシング基材を貼り付けた後、回転刃にて個片化し、ダイボンディングフィルム付き半導体チップをピックアップによりダイシング基材から剥離して得、それを配線付き基材又は半導体チップに熱圧着する。

特に、近年は半導体装置作製工程の簡略化を目的とし、上記（２）の方法が主に用いられているが、半導体ウエハが薄肉化するに伴って、個片化したダイボンディングフィルム付き半導体チップを割らずにピックアップすることが困難となっている。

更に、現在携帯電話や携帯音楽プレイヤーなどに用いられている半導体パッケージにおいて、パッケージ内部に複数の半導体チップを積層するスタックドパッケージが主流となっている。しかし、スタックドパッケージ内部のチップ積層段数が増加するにしたがって、ダイボンディングフィルムが配線付き支持部材の表面段差を埋込むことが困難となるため、半導体パッケージの吸湿リフロー工程においてダイボンディングフィルムが配線付き支持部材から剥離してしまい、良好な半導体パッケージを得ることが困難となっている。

また、半導体装置の吸湿リフロー耐性を向上する目的で、高分子量の直鎖状ポリマー成分を配合してなるダイボンディングフィルムが用いられているが、ピックアップ性に劣るといった問題点があった。

特開２００１−２４４３０３号公報

本発明は、上記した従来技術の問題を鑑み、ダイボンディングフィルム付き半導体チップをダイシング基材から容易にピックアップでき、ダイボンディング工程の加熱、加圧のみで配線付き支持部材の表面段差を充てん可能であるとともに、前記ダイボンディングフィルムを用いて作製した半導体装置が良好な吸湿リフロー耐性を有するダイボンディングフィルム及びそれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。

本発明は、（１）半導体素子と支持部材、又は半導体素子同士を接着固定するダイボンディングフィルムであって、前記ダイボンディングフィルムは星型共重合体を含む接着剤層を有し、４０℃におけるフィルム未硬化物のタック力が１，５００ｍＮ以下、８０℃におけるフィルム未硬化物の溶融粘度が５，０００Ｐａ・ｓ以下、フィルム硬化物の２６５℃における接着強度が３．５ＭＰａ以上であるダイボンディングフィルムに関する。

また、本発明は、（２）前記接着剤層が、熱硬化性成分を含有する前記（１）記載のダイボンディングフィルムに関する。

また、本発明は、（３）前記接着剤層が、無機フィラーを含有する前記（１）又は（２）に記載のダイボンディングフィルムに関する。

また、本発明は、（４）前記ダイボンディングフィルムの厚みが、５〜１００μｍである前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載ダイボンディングフィルムに関する。

また、本発明は、（５）前記（１）〜（４）のいずれか一項に記載のダイボンディングフィルムを用いて、半導体素子と配線付き支持部材、又は半導体素子同士を接着した構造を有してなる半導体装置に関する。

本発明によれば、ダイボンディングフィルム付き半導体チップをダイシング基材から容易にピックアップでき、ダイボンディング工程における、温度１００〜１５０℃、圧力０．０１〜１ＭＰａ、時間０．１〜３秒の加熱加圧操作のみで配線付き支持部材の０．５〜２０μｍの表面段差を充てん可能であるとともに、下段の半導体チップのボンディングワイヤを充てん可能であり、前記ダイボンディングフィルムを用いて作製した半導体装置が良好な吸湿リフロー耐性を有するダイボンディングフィルム及びそれを用いた半導体装置を提供することができる。

特に、１００μｍ以下の薄いウエハを用いた場合でも、上記効果を奏することができるため、近年の薄型ウエハを用いた小型化・薄型化の半導体装置の開発に大きく寄与することができる。

本発明のダイボンディングフィルムを用いた半導体装置を示す断面図である。 本発明のダイボンディングフィルムを用いた半導体装置を示す断面図である。

本発明のダイボンディングフィルムは、半導体素子と支持部材、又は半導体素子同士を接着固定するダイボンディングフィルムであって、前記ダイボンディングフィルムは星型共重合体を含む接着剤層を有し、４０℃におけるフィルム未硬化物のタック力が１，５００ｍＮ以下、８０℃におけるフィルム未硬化物の溶融粘度が５，０００Ｐａ・ｓ以下、フィルム硬化物の２６５℃における接着強度が３．５ＭＰａ以上であることを特徴とする。

まず、本発明のダイボンディングフィルムを構成する各成分について説明する。

（星型共重合体）
本発明のダイボンディングフィルムの接着剤層は、星型共重合体を含有する。前記星型共重合体は、中心から３本以上の重合体鎖が放射状に伸びる星型の構造をした分岐共重合体（以下、「星型共重合体」と言うことがある。）である。

かかる星型共重合体は、同程度の重量平均分子量を有する直鎖状の重合体と比較して流動性が高く、低粘度であるという特徴を有し、それによって支持部材側または半導体素子上の表面段差を充てんすることが可能となり、吸湿リフロー耐性などの信頼性を向上させることができる。これは、直鎖状の重合体は重量平均分子量が大きくなると重合体鎖が長くなり、隣接する重合体鎖同士で絡み合いが生じるが、星型共重合体は中心から重合体鎖が放射状に伸びる構造のため、直鎖状の重合体ほど重合体鎖部分が長くならず、絡み合いの発生が少ないことに起因すると推察される。従って、高分子量でありながら低粘度である星型共重合体をダイボンディングフィルムの高分子量成分として用いることにより、ダイボンディングフィルム全体として高流動性と高信頼性とを両立することができる。

本発明で用いる星型共重合体は、中心から３本以上の重合体鎖が放射状に伸びる星型の構造をした分岐共重合体であり、例えば、（メタ）アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、アクリルゴム等が挙げられ、これらのなかでも、多様な高次構造、機能制御が可能である点からアクリルゴムが好ましい。前記アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とするものであり、例えば、ブチルアクリレートやエチルアクリレートとアクリロニトリルとの共重合体などからなるゴムであって、本発明においては、上述のように星型構造を有する。また、前記アクリルゴムは架橋性官能基を含んでいることがより好ましく、架橋性官能基は、ポリマー鎖中に有していても、ポリマー鎖末端に有していてもよい。架橋性官能基の具体例としては、エポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、イソシアネート基、アミノ基、アミド基等が挙げられる。これらのなかでも、エポキシ基が好ましい。エポキシ基含有アクリルゴムにおけるエポキシ基含有モノマーの量は、全モノマー量を規準として、０．５〜１０重量％であることが好ましく、１〜７重量％であることがより好ましく、２〜４重量％であることが特に好ましい。エポキシ基含有モノマーの量がこの範囲にあると、接着力が確保できるとともに、ゲル化を防止しやすくなる。なお、本発明では「（メタ）アクリル」とは、「アクリル」と「メタクリル」の両方を意味する。

本発明で用いる星型共重合体は、樹脂混和物の流動性、硬化物の強靭性という観点から、ガラス転移温度（Ｔｇ）が、好ましくは６０℃以下、より好ましくは５０℃以下、特に好ましくは４５℃以下である。前記ガラス転移温度が６０℃を超えると、ダイボンディングフィルムの硬化前（Ｂステージ状態）の溶融粘度が高くなり加熱時に高流動化させることが困難になる傾向がある。なお、前記ガラス転移温度は、粘弾性アナライザー（レオメトリック社製、ＲＳＡ−２）を用いて測定した値である。測定条件は、サンプルサイズ：長さ１２ｍｍ、幅５ｍｍ、厚み１５０μｍ、温度範囲：−５０〜３００℃、昇温速度：５℃／分、周波数１Ｈｚ、引張モードである。

本発明で用いる星型共重合体の重量平均分子量は、ダイボンディングフィルムとしての高信頼性を得るという観点から、好ましくは３万〜１００万、より好ましくは６万〜８０万、特に好ましくは１０万〜６０万である。前記重量平均分子量が３万未満であると、硬化後のダイボンディングフィルムの接着強度が低下し、半導体パッケージの信頼性が低下してしまう可能性がある。一方、重量平均分子量が１００万を超えると、Ｂステージ状態のダイボンディングフィルムの流動性が低下する傾向にあり、圧着時に配線段差を充填することが困難となり、圧着後に残存した未充填ボイドが起点となって半導体パッケージの信頼性が低下してしまう可能性がある。なお、当該重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値であり、ポンプとして株式会社日立製作所製、商品名：Ｌ−６０００を使用し、カラムとして日立化成工業株式会社製、商品名：ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ−Ｒ４４０、ゲルパックＧＬ−Ｒ４５０及びゲルパックＧＬ−Ｒ４００Ｍ（各１０．７ｍｍ（直径）×３００ｍｍ）をこの順に連結したカラムを使用し、溶離液としてテトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」と言う。）を使用し、試料１２０ｍｇを、ＴＨＦ：５ｍｌに溶解させたサンプルについて、流速１．７５ｍＬ／分で測定することができる。

重量平均分子量が同程度の星型共重合体同士であって、同様のモノマーから構成される場合、重合体鎖の数が多いほど１本当たりの重合体鎖が短くなるため、流動性が向上し、ひいては低粘度となると考えられる。従って、重量平均分子量はそのままとし、より低粘度としたい場合は、重合体鎖の数を増やせば低粘度とすることができる。重合体鎖の数を増やすには、星型共重合体を製造する際に用いる多官能開始剤の官能基数を多いものを用いれば良い。本発明で用いる星型共重合体が有する重合体鎖は、３本以上であり、３本〜１０本であることがより好ましく、３本又は４本であることが特に好ましい。本発明で用いる星型共重合体の各重合体鎖の重量平均分子量は、１万〜３０万であることが好ましく、３万〜２０万であることがより好ましく、５万〜１５万であることが特に好ましい。前記重合体鎖の重量平均分子量が１万未満の場合は硬化後のダイボンディングフィルムの接着強度及び耐熱性が低下し、半導体パッケージの信頼性が低下してしまう可能性がある。また、フィルムの成膜性も困難となる傾向にある。一方、重量平均分子量が３０万を超えると、ダイボンディング時のピックアップ性が低下し、またＢステージ状態のダイボンディングフィルムの流動性が低下する傾向にあり、圧着時に配線段差を充てんすることが困難となり、圧着後に残存した未充てんボイドが起点となって半導体パッケージの信頼性が低下してしまう可能性がある。なお、各重合体鎖の重量平均分子量は、分子全体の重量平均分子量を重合体鎖の数で除した数値である。

以下に、星型共重合体の具体例とその合成方法の一例を挙げるが、本発明に係る星型共重合体は以下の合成方法に限定されるものではない。

本発明に係る星型共重合体は、例えば、多官能開始剤としてハロゲン化合物と、配位子としてアミン化合物と、触媒として周期律表第７族〜１１族元素の遷移金属とを用いて、複数のモノマー種を原子移動ラジカル重合により重合することにより合成することができる。

以下に、まず当該合成方法において用いられる各成分について説明する。［モノマー種］
モノマー種は、特に限定されず、種々のものを用いることができる。例えば、以下のモノマーを挙げることができる。また、構造式（１）〜（６）に示される化合物の、少なくとも1個のＨが、Ｆで置換されるモノマーを使用することもできる。

なお、以下の構造式はアクリル系のものを示すが、メタクリル系のものも使用可能である。すなわち、構造式（１）〜（６）において、ＣＨ_２＝ＣＨ−を、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−に置き換えたものも使用可能である。

前記構造式（１）のＲは、炭素数１〜２０の脂肪族基、又は炭素数６〜２０の芳香族基を表すが、脂肪族基としては、具体的には、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシアルキル基、炭素数１〜２０のヒドロキシアルキル基などが挙げられ、これらは直鎖状でも分岐状でもよい。より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロへキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、ステアリル基などのアルキル基；２−メトキシエチル基、２−エトキシエチル基、２−プロポキシエチル基、２−ブトキシエチル基、３−メトキシプロピル基、３−メトキシブチル基、４−メトキシブチル基などのアルコキシアルキル基；２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシプロピル基などのヒドロキシアルキル基；等が挙げられる。これらのなかでも、炭素数１〜１０の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数２〜８の直鎖状のアルキル基がより好ましい。一方、芳香族基としては、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基が挙げられ、これらのなかでも、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７〜１１のアラルキル基が好ましい。具体的には、フェニル基、トルイル基、ベンジル基等が挙げられる。

前記構造式（３）のＲ’は、Ｈ又は炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子を表す。炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基があげられ、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基等が挙げられる。また、ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子などが挙げられる。これらのなかでも、Ｈ又は炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子が好ましく、Ｈ又は炭素数１〜２の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子がより好ましい。

前記構造式（４）のＲ^１、Ｒ^２は、それぞれ独立にＨ又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数１〜４のアルキル基が挙げられ、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等が挙げられ、これらアルキル基はアミノ基で置換されていてもよい。これらのなかでも、Ｈ又は炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基が好ましい。

前記構造式（５）のＲ^３は、炭素数１〜４のニ価脂肪族炭化水素基を表す。炭素数１〜４のニ価脂の肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数１〜４のアルキレン基が挙げられ、より具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等が挙げられる。これらのなかでも、炭素数１〜２のニ価の脂肪族炭化水素基が好ましい。また、Ｒ^４、Ｒ^５は、それぞれ独立にＨ、炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基を表す。炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数１〜４のアルキル基が挙げられ、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等が挙げられる。炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、トルイル基、ベンジル基等が挙げられる。これらのなかでも、炭素数１〜２の脂肪族炭化水素基が好ましい。

前記構造式（６）のＲ^６は、炭素数１〜５のニ価の脂肪族炭化水素基を表す。炭素数１〜５のニ価の脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキレン基が挙げられ、より具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパンジイル基、ブタンジイル基、ペンタンジイル基等が挙げられる。これらのなかでも、炭素数２〜４のニ価の脂肪族炭化水素基が好ましい。また、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９は、それぞれ独立に炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、炭素数１〜５のアルコキシ基を表す。炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基が挙げられ、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基等が挙げられる。これらのなかでも、炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素数２〜３の脂肪族炭化水素基がより好ましい。炭素数１〜５のアルコキシ基としては、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。

前記構造式（１）〜（６）に示されるものの中でも、構造式（１）又は（２）で示されるモノマー種が好ましく、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリロニトリルがより好ましい。

なお、「（メタ）アクリル酸」の表記は、アクリル酸及び／又はメタクリル酸を示す。

また、本発明の製造方法において用いられるモノマー種としては、架橋性官能基を有するモノマーも好適に用いることができる。その例を以下の構造式（７）〜（９）に示すが、本発明は以下のものに限定されることはない。

前記構造式（７）及び（８）中、Ｒ^９及びＲ^１０は、炭素数１〜５の２価の脂肪族炭化水素基を示し、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基等が挙げられ、これらのなかでも、メチレン基が好ましい。

また、構造式（７）及び（８）はアクリレート系の例示であるが、メタクリレート系のものも使用可能である。すなわち、構造式（７）、（８）において、ＣＨ_２＝ＣＨ−を、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−に置き換えたものも使用可能である。

前記構造式（７）〜（９）のなかでも、構造式（７）で示されるモノマー種が好ましく、（メタ）アクリル酸グリシジルがより好ましい。

本発明では、ガラス転移点の制御、架橋成分導入、凝集力向上、機能性付与などの観点から３種以上のモノマー種を用いることが好ましく、前記構造式（１）〜（９）のモノマー種のうちの、構造式（２）で表される（メタ）アクリロニトリル及び構造式（７）〜（９）で表される架橋性官能基を有するモノマーの少なくとも一種を含むことがより好ましい。具体的な組み合わせの例としては、アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチルなどの（メタ）アクリル酸アルキルエステル；（メタ）アクリロニトリル；（メタ）アクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有（メタ）アクリル酸エステル；などを好適に挙げることができる。前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルを含有することで柔軟性、支持部材や半導体素子などとの粘着性が増加する傾向にあり、（メタ）アクリロニトリルを含有することで凝集力が高まり、支持部材や半導体素子などとの接着力が増加する傾向にあり、エポキシ基含有（メタ）アクリル酸エステルを含有することで硬化物が高弾性化する傾向にある。

これらのモノマーの配合量としては、（メタ）アクリロニトリルやアミノ基含有モノマーを除き、特に制限はなく自由に設定することができる。

本発明においては、アクリロニトリルやアミノ基含有モノマーの配合量としてその合計量が、使用するモノマー種の全体量に対してモル分率で、１０モル％以上が可能であり、２０モル％以上が好ましく、３０モル％以上がより好ましく、４０モル％以上がさらに好ましく、上限は概ね６０モル％である。

なお、ここでいうアミノ基含有モノマーとしては、以下の構造式（１０）又は構造式（１１）に示されるモノマーなどが好適に使用される。また、構造式（１０）のモノマー中のＲ^１１及びＲ^１２は、それぞれ独立に−ＣＨ_３又は−Ｃ_２Ｈ_５を表す。

［多官能開始剤］
多官能開始剤はハロゲン化合物であり、一般には、１分子中に３個以上のハロゲン原子を含む化合物が挙げられ、好ましくは、ハロゲン原子がＢｒ又はＣｌである化合物であり、さらに好ましくは、ハロゲン原子がＢｒである化合物であり、最も好ましくは、臭素化アルキルである。なお、多官能開始剤の官能数が星型共重合体の重合体鎖の本数となるため、合成しようとする星型共重合体の重合体鎖の本数を考慮し多官能開始剤を選択することが好ましい。

以下に、本発明において好適に用いられる多官能開始剤の具体例を官能数別に示すが、本発明は以下に示す構造式（１２）〜（１６）に限定されることはない。

（３官能；Ｒ（Ｂｒ）_３）

構造式（１３）の具体例としては、グリセリン又はフロログルシノールなどの３価アルコールが有する３つの水酸基の水素原子が下記の置換基（ａ）で置換されたものが挙げられる。

（４官能；Ｒ（Ｂｒ）_４）

構造式（１５）の具体例としては、ペンタエリスリトール又はカリックスアレン［４］などの４価アルコールが有する４つの水酸基の水素原子が上記の置換基（ａ）で置換されたものが挙げられる。

（５官能；Ｒ（Ｂｒ）_５）

構造式（１６）の具体例としては、グルコース、フルクトース、グルコピラノースなどの５価アルコールが有する５つの水酸基の水素原子が上記の置換基（ａ）で置換されたものが挙げられる。

（６官能；Ｒ（Ｂｒ）_６）

構造式（１７）の具体例としては、カリックスアレン［６］又はグルシトールなどの６価アルコールが有する６つの水酸基の水素原子が上記の置換基（ａ）で置換されたものが挙げられる。

なお、７官能以上の開始剤は、１分子中に７個以上の水酸基を有する化合物に、所定の酸ハロゲン化物を反応させることにより得ることができる。ここで、所定の酸ハロゲン化物としては、２−ブロモプロピオン酸クロライド、２−ブロモプロピオン酸ブロマイド、２−ブロモ−２−メチルプロピオン酸クロライド、２−ブロモ−２−メチルプロピオン酸ブロマイドが挙げられる。但し、ここに挙げた例は一例であり、これらに制限されるものではない。

多官能開始剤の使用量としては、全モノマー種の合計量に対するモル比（全モノマー種／多官能開始剤）が、２００／１〜２００００／１となる範囲で選択することが好ましい。

［配位子］
配位子はアミン化合物であり、１分子中に２個以上のＮ原子を有するアミン化合物を用いることが好ましい。そのようなアミン化合物としては、例えば、以下の構造式（１８）に示すものが挙げられる。

（Ｒ^１７は炭素数１〜３のニ価の脂肪族炭化水素基を示し、Ｒ^１８及びＲ^１９は、Ｈ又は炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基を示す。）
Ｒ^１７で表される炭素数１〜３のニ価の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。また、Ｒ^１８及びＲ^１９で表される炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられる。

配位子の使用量としては、触媒として作用する金属に対し、モル比（配位子／金属）で、０．５／１〜２／１であることが好ましい。

［触媒］
触媒は、周期律表第７族〜１１族元素の遷移金属又は遷移金属化合物であり、具体的には、マンガン、テクネチウム、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金などの遷移金属又はそれらの化合物が挙げられる。これらのなかでも、銅、ルテニウム、ニッケル、鉄又はそれらの化合物が好ましく、触媒活性が高く、高重合率、高分子量化を達成しやすい点で、銅や銅化合物がより好ましく、銅及び銅化合物を併用することが特に好ましい。銅化合物としては、例えば、臭化銅（ＩＩ）などの２価の銅化合物が好適に用いられる。

触媒の使用量としては、開始剤に対し、モル比（触媒／開始剤）で、０．５／１〜１０／１であることが好ましい。

［溶媒］
溶媒は、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）などのスルホキシド系溶媒；ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒；アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホリックアミド等のアミド系溶媒；などを好適に使用することができる。これらは、単独又は組み合わせて使用してもよい。但し、ここに挙げた例は一例であり、これらに制限されるものではない。

［その他の成分］
星型共重合体の合成方法において用いられる他の成分としては、触媒活性を上げるためルイス酸（例えば、アルミニウムアルコキシド等）又は無機塩（例えば、炭酸ナトリウム、安息香酸ナトリウム等）、又は還元剤（例えば、２−エチルヘキサン酸すず等）を添加することも可能である。

［原子移動ラジカル重合］
星型共重合体の合成方法において採用される原子移動ラジカル重合は、開始剤としてハロゲン化合物等を、触媒として遷移金属を用い、アクリル系などのモノマーを重合する重合法であり、ラジカル重合でありながら停止反応等の副反応が起こりにくく分子量分布の狭い重合体（Ｍｗ／Ｍｎ＝１．１〜２．２）が得られるとともに、モノマーと開始剤の仕込み比によって、製造しようとする重合体の分子量を自由に制御し得るという「リビングラジカル重合法」の特徴に加えて、官能基変換反応に比較的有利なハロゲンを末端に有し、開始剤や触媒の設計の自由度が大きいことから、特定の官能基を有する重合体の製造方法として有用である。

この原子移動ラジカル重合法としては、例えば、マクロモレキュールズ（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ）１９９５年、２８巻、１７２１頁、７９０１頁，Ｍａｔｙｊａｓｚｅｗｓｋｉら、ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカルソサエティー（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．）１９９５年、１１７巻、５６１４頁、サイエンス（Ｓｃｉｅｎｃｅ）１９９６年、２７２巻、８６６頁、国際公開第９６／３０４２１号パンフレット，国際公開第９７／１８２４７号パンフレット、国際公開第９８／０１４８０号パンフレット，国際公開第９８／４０４１５号パンフレット、特開平９−２０８６１６号公報、特開平８−４１１１７号公報等に記載されている。

次に、星型共重合体の合成方法における、星型共重合体の合成の手順について説明する。

まず、合成のために用意した容器内に触媒を秤取して、容器内を減圧、窒素雰囲気下とし、各モノマー種と、配位子と、溶媒とを加える。次いで、窒素によりバブリングし、脱酸素を図る。再度窒素雰囲気下とし、別途調製した開始剤溶液を加え、窒素により脱酸素した後、重合を進行させる。重合温度は１０〜１００℃程度で、重合反応終了後に、反応溶液を精製し、目的とする星型共重合体を得る。上記重合においては、酸素、水分の除去が重要である。また、重合反応を潤滑に進行させるため、モノマー、開始剤、配位子、金属、溶媒の純度を上げることが重要である。

［熱硬化性成分］
本発明では、前記接着剤層は熱硬化性成分を含んでいても良い。熱硬化性成分としては、エポキシ樹脂を使用することができ、熱により硬化して接着作用を有するエポキシ樹脂であれば特に制限はなく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。

このようなエポキシ樹脂の市販品の一例として、以下のものが挙げられる。上記ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：エピコート８０７、８１５、８２５、８２７、８２８、８３４、１００１、１００４、１００７、１００９、ダウケミカル社製、商品名：ＤＥＲ−３３０、３０１、３６１、東都化成株式会社製、商品名：ＹＤ８１２５などが挙げられる。上記ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としては、東都化成株式会社製、商品名：ＹＤＦ−８１７０Ｃ、ＹＳＬＶ−８０ＸＹなどが挙げられる。上記フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：エピコート１５２、１５４、日本化薬株式会社製、商品名：ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製、商品名：ＤＥＮ−４３８などが、また、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製、商品名：ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、１０３Ｓ、１０４Ｓ、１０１２、１０２５、１０２７、東都化成株式会社製、商品名：ＹＤＣＮ７０１、７０２、７０３、７０４、７００−１０などが挙げられる。上記多官能エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：Ｅｐｏｎ １０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：アラルダイト０１６３、ナガセ化成株式会社製、商品名：デナコールＥＸ−６１１、６１４、６１４Ｂ、６２２、５１２、５２１、４２１、４１１、３２１などが挙げられる。上記アミン型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：エピコート６０４、東都化成株式会社製、商品名：ＹＨ−４３４、三菱ガス化学株式会社製、商品名：ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ、ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学株式会社製、商品名：ＥＬＭ−１２０などが挙げられる。上記複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：アラルダイトＰＴ８１０等の、ＵＣＣ社製、商品名：ＥＲＬ４２３４、４２９９、４２２１、４２０６などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。

特にＢステージ状態でのダイボンディングフィルムに高い可撓性を付与できる点で、エポキシ樹脂の重量平均分子量が１０００以下であることが好ましく、５００以下であることがさらに好ましい。

また、Ｂステージ状態でのダイボンディングフィルムに高い可撓性を付与し得る重量平均分子量５００以下のビスフェノールＡ型又はビスフェノールＦ型エポキシ樹脂５０〜９０質量％と、硬化物に高い耐熱性を付与し得る重量平均分子量が８００〜３０００の多官能エポキシ樹脂１０〜５０質量％とを併用することも好ましい。

［硬化剤］
熱硬化性成分としてエポキシ樹脂を用いた場合、エポキシ樹脂硬化剤を用いることが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類；ポリアミド；酸無水物；ポリスルフィド；三フッ化ホウ素；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類；フェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フェノール樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等のフェノール樹脂；などが挙げられる。

一方、本発明においては、ダイボンディングフィルム作製前におけるワニスの状態での相溶性が悪化する場合には、軟化温度が１５０℃以下、好ましくは１４０℃以下、より好ましくは１３０℃以下であるエポキシ樹脂硬化剤を選択することにより改善することができる。具体的には、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等が挙げられ、これらのなかでも、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が好ましい。

本発明で好適に用いられるエポキシ樹脂硬化剤の市販品としては、三井化学株式会社製、商品名：ミレックスＸＬＣ−シリーズ、ＸＬシリーズ、並びに、ＤＩＣ株式会社製、商品名：フェノライトＬＦシリーズ等が挙げられる。

エポキシ樹脂硬化剤の含有量としては、全エポキシ樹脂のエポキシ基数に対する全硬化剤の水酸基数の当量比（全硬化剤の水酸基数／全エポキシ樹脂のエポキシ基数）が０．５〜２で配合することが好ましい。

［フィラー］
本発明では、前記接着剤層はフィラーを含んでいてもよい。フィラーを含有する目的は、Ｂステージ状態におけるダイボンディングフィルムのダイシング性の向上、ダイボンディングフィルムの取扱い性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与などである。

フィラーとしては無機フィラーが好ましく、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物などが挙げられる。これらのなかでも、熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、ダイシング性を向上させるためにはアルミナ、シリカが好ましい。これら無機フィラーの形状については特に制限はない。

［その他の成分］
本発明のダイボンディングフィルムの接着剤層には、その他の成分として、シランカップリング剤又はチタンカップリング剤などのカップリング剤、硬化促進剤、レベリング剤、酸化防止剤、イオントラップ剤などを含んでいてもよい。

＜ダイボンディングフィルムの作製＞
次に、本発明のダイボンディングフィルムを作製する各工程について説明する。以下に示す工程は一例であり、本発明のダイボンディングフィルムは以下の工程に限定されるものではない。

（１）ワニスの調製
星型共重合体、熱硬化性成分、フィラー及び他の成分を有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製する。ワニスの調製に用いる有機溶媒は、前記各成分を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ―メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、トルエン、キシレン等が挙げられる。これらのなかでも、乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノン等を使用することが好ましい。

ワニスの調製に用いる際の有機溶媒の使用量には特に制限はなく、有機溶媒は加熱乾燥等によりダイボンディングフィルムから除去されるものであるが、ダイボンディングフィルム作製後の有機溶媒量（残存揮発分）は、全重量基準で０．０１〜３質量％であることが好ましく、耐熱信頼性の観点からは全重量基準で、０．０１〜２質量％であることがより好ましく、０．０１〜１．５質量％であることがさらに好ましい。

上記各成分の混合、混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。

（２）基材への塗工
上記（１）で得られたワニスを基材層上に塗工し、ワニスの層を形成する。基材としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム、これらに離型剤のコーティング処理を施したフィルムなどを用いることができる。

塗工には、アプリケータ自動塗工機を用いることができ、塗工厚みは、最終的なダイボンディングフィルムの厚さを考慮して決定されるが、１０〜２５０μｍとすることが好ましい。

（３）加熱乾燥
上記（２）で得られた、ワニスを塗工した基材層を加熱乾燥する。加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常６０℃〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。

加熱乾燥後、基材層を除去してダイボンディングフィルム（Ｂステージ状態のフィルム）を得ることができる。

本発明では、ダイボンディングフィルムの厚さは特に制限はなく、接着シートの膜厚やダイシングテープ一体型接着シートの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められるものであるが、５〜１００μｍであることが好ましい。前記厚さが５μｍ未満であると、成膜性、取り扱いが困難となる傾向があり、１００μｍを超えると、経済性が悪く、成形性が困難になる傾向がある。この観点から７〜９０μｍであることがより好ましく、１０〜８０μｍであることが特に好ましい。

本発明のダイボンディングフィルムは、星型共重合体を含有する接着剤層を有する構成をしており、通常は、星型共重合体を含有する接着剤層と基材層とをこの順に備えた２層構造のダイボンディングフィルムとして用いられ、必要に応じ接着剤層の両面に基材層を備えた３層構造としたものであってもよい。あるいは、本発明のダイボンディングフィルムを２枚以上ラミネートしたもの、本発明のダイボンディングフィルムとそれ以外のダイボンディングフィルムを複数ラミネートしたものであってもよい。本発明のダイボンディングフィルムは、半導体装置において半導体素子と配線付き支持部材との接着、又は半導体素子同士の接着に用いることができる。

以下、本発明のダイボンディングフィルムを用いる半導体装置の製造工程の一例を記載する。

まず、本発明のダイボンディングフィルムと半導体ウエハを貼り合わせる。例えば、ダイボンディングフィルムの接着剤層と半導体ウエハを貼り合わせた後、ダイボンディングフィルムから基材層を剥がし、ダイシングテープの粘着剤層と貼り合せる方法、又は、ダイボンディングフィルムの接着剤層とダイシングテープの粘着剤層を貼り合わせた後、ダイボンディングフィルムから基材層を剥がし、半導体ウエハを貼り合せる方法が挙げられる。

半導体ウエハは特に限定されないが、吸湿リフロー耐性に優れた半導体装置を作製することができる観点から、ウエハの厚さは１００μｍ以下であることが好ましく、７５μｍ以下であることがより好ましく、５０μｍ以下であることが特に好ましい。

ダイシングテープとしては特に限定されず、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムなどが挙げられる。また、必要に応じて、ダイシングテープに対して、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理などの表面処理を実施してもよい。

前記いずれかの方法で本発明のダイボンディングフィルムと半導体ウエハを貼り合わせた後に、切断装置（ダイサー）の回転刃で所望の大きさのチップに切断する。当該工程において、ダイボンディングフィルムを完全に切断されてもよいが、一部が切断されずに残っていてもよい。ダイボンディングフィルムを完全に切断する工法をフルカット、ダイボンディングフィルムを完全に切断せず一部を残す工法をハーフカットと記す。

前記ハーフカット工法による切断の場合、切断されずに残ったダイボンディングフィルムは、次工程のピックアップダイボンダーにおけるピックアップ時にダイシングテープを拡張（以下、エキスパンドという。）を行うこと、及び、／又はピックアップ時に突き上げ針などの治具で押し上げることで切り込んだ部分を起点として分割することもできる。

ダイボンディングフィルムを切断する際に使用するダイサーや回転刃（ブレード）は一般に上市されているものを使用することができる。例えば、ダイサーは、株式会社ディスコ製のフルオートマチックダイシングソー６０００シリーズやセミオートマチックダイシングソー３０００シリーズなどが、ブレードは、株式会社ディスコ製のダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ０５シリーズやＮＢＣ−ＺＨシリーズなどが使用できる。

また、本発明は、半導体ウェハとダイボンディングフィルムの積層物を切断する工程において、例えば株式会社ディスコ製のフルオートマチックダイシングソー６０００シリーズなどの回転刃を用いて切断するダイサーだけではなく、例えば、株式会社ディスコ製のフルオートマチックレーザソー７０００シリーズなどのレーザを用いて切断する方法、すなわち、レーザーアブレーション加工又はステルスダイシング加工による半導体装置の製造方法にも適用可能である。

上記切断工程により、個片化したダイボンディングフィルム付き半導体チップは、一般に上市されているピックアップダイボンダーを使用することでピックアップすることができる。例えば、ルネサス東日本セミコンダクタ社製のフレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０やＤＢ−７００、株式会社新川製のダイボンダーＳＰＡ−３００、ＳＰＡ−４００等を使用することで、ピックアップ可能である。

上記により、ダイボンディングフィルム付き半導体チップとしてピックアップし、半導体素子同士または半導体素子と配線付き支持部材とを接着することにより半導体装置を得ることができる。

図１に本発明の半導体装置の一態様の断面図を示す。支持部材４の配線６面上に、半導体チップ１が、ダイボンディングフィルム２によって接着されている。半導体チップ１と支持部材４の配線６とは、ボンディングワイヤ３によって電気的に接続されている。支持部材４の配線６面、半導体チップ１及びボンディングワイヤ３は、封止用樹脂７によって封止されている。支持部材４の外面には、はんだボール等の端子５が設けられている。半導体装置内のダイボンディングフィルム２は、半導体チップ１の加熱圧着時やその後の加熱による後硬化、又は樹脂封止時の加熱や後硬化により、硬化している。

図２に本発明の半導体装置の他の一態様の断面図を示す。配線付き基板４の配線６面上に、半導体チップ１’が、ダイボンディングフィルム２”によって接着され、接続されている。半導体チップ１’上には、更に他の半導体チップ１”が、ダイボンディングフィルム２’によって接着され、半導体チップ１”上には、更に他の半導体チップ１が、ダイボンディングフィルム２によって接着されている。半導体チップ１、半導体チップ１’及び半導体チップ１”と配線付き基板４の配線とは、ボンディングワイヤ３によって電気的に接続されている。配線付き基板４の配線６面、半導体チップ１、半導体チップ１’、半導体チップ１”及びボンディングワイヤ３は、封止用樹脂７によって封止されている。配線付き基板４の外面には、はんだボール等の端子５が設けられている。半導体装置内のダイボンディングフィルム２、ダイボンディングフィルム２’及びダイボンディングフィルム２”は、半導体チップ１、半導体チップ１’、半導体チップ１”の加熱圧着時やその後の加熱による後硬化、又は樹脂封止時の加熱や後硬化により、硬化している。

＜ダイボンディングフィルムの物性＞
（タック力）
本発明のダイボンディングフィルムは、４０℃におけるフィルム未硬化物のタック力が１，５００ｍＮ以下であり、好ましくは１，２００ｍＮ以下であり、より好ましくは、１，０００ｍＮ以下である。

本発明のダイボンディングフィルムにおいて、ピックアップ工程でチップ割れなくピックアップするために必要な４０℃におけるフィルム未硬化物のタック力は、１，５００ｍＮ以下である必要がある。前記タック力が、１，５００ｍＮを超えると隣チップのダイボンディングフィルム同士が付着し、複数チップが同時にピックアップされてしまう。前記タック力の下限は特に限定されない。

ダイボンディングフィルムの４０℃におけるフィルム未硬化物のタック力は、株式会社レスカ製のタッキング試験器を用いた。条件は、フィルム厚：４０μｍ、押し込み速度：２ｍｍ／秒、引き上げ速度：１０ｍｍ／秒、停止加重：１００ｇｆ／ｃｍ^２、停止時間：１秒で行い、４０℃のステージにサンプルの測定面を上にして固定し、４０℃のプローブ（直径５．１ｍｍ（φ）のＳＵＳ３０４）に対するタック強度を測定し求めた。測定面は、ダイシングテープに貼り付ける側の面とした。なお、ここで、フィルム未硬化物とはＢステージ状態のフィルムを示す。
ダイボンディングフィルムのタック力を高くする方法としては、ガラス転移温度の低い星型共重合体を用いる、液状エポキシ樹脂を添加する、フィラーの含有量を低減することが有効であり、一方、タック力を低くする方法としては、ガラス転移温度の高い星型共重合体を用いる、固形エポキシ樹脂を添加する、フィラーの含有量を増量することが有効である。前記液状エポキシ樹脂としては、例えば、東都化成株式会社製、商品名：ＹＤＦ−８１７０Ｃ、ＹＤＣＮ７０１、７０２、７０３、７０４、７００−１０、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：エピコート８０７、８１５、８２５、８２７、８２８、８３４、１００１、１００４、１００７、１００９、ダウケミカル社製、商品名：ＤＥＲ−３３０、３０１、３６１、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：エピコート１５２、１５４、日本化薬株式会社製、商品名：ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製、商品名：ＤＥＮ−４３８などが挙げられ、前記固形エポキシ樹脂としては、例えば、東都化成株式会社製、商品名：ＹＳＬＶ−８０ＸＹ、ＹＤＦ２００１、ＤＩＣ株式会社製、製品名：ＥＰＩＣＬＯＮなどが挙げられる。

（溶融粘度）
本発明のダイボンディングフィルムは、８０℃におけるフィルム未硬化物（Ｂステージ状態）の溶融粘度が５，０００Ｐａ・ｓ以下であり、好ましくは１００〜５，０００Ｐａ・ｓの範囲であり、より好ましくは、２５０〜５，０００Ｐａ・ｓの範囲であり、さらに好ましくは、５００〜５，０００Ｐａ・ｓの範囲である。前記溶融粘度が５，０００Ｐａ・ｓを超えると、圧着工程のみで支持部材表面の配線段差を充填することができず、完成した半導体パッケージ内部にボイドが残存し、そのボイドが起点となって吸湿リフロー時に剥離が生じてしまい信頼性を損なってしまう。前記溶融粘度の下限は特に限定されないが、１００Ｐａ・ｓより小さい場合、ダイボンディング工程、もしくはフィルム硬化工程等の加熱時にフィルムが発泡する可能性がある。

ダイボンディングフィルム未硬化物の８０℃の溶融粘度は、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ （１７） Ｐ４５８ （１９４６）に示す平行平板プラストメータ法により測定、算出した。厚さ４０μｍの未硬化フィルム２枚を４０℃でラミネートし、厚さ約８０μｍのフィルムとして、これを打ち抜き型を用いて直径６ｍｍに打ち抜き両面に厚さ１５０μｍのスライドガラスを貼り付けて試験サンプルを作製した。これをＣＯＢボンダ（日立化成工業株式会社製、ＡＣ−ＳＣ−４００Ｂ）を用いて圧着（８０℃／１ＭＰａ／３秒）した。加圧前後のサンプルをスキャナで取り込み、画像解析ソフトで面積を計算し、圧着前後のフィルム厚みを算出した。

ダイボンディングフィルム未硬化物の溶融粘度（η）は、下記数式を用いることにより算出した。

Ｚ_０：荷重を加える前のダイボンディングフィルム接着フィルムの厚さ
Ｚ：荷重を加えた後のダイボンディングフィルム接着フィルムの厚さ
Ｖ：ダイボンディングフィルム接着フィルムの体積
Ｆ：加えた荷重の大きさ
ｔ：荷重を加えた時間
ダイボンディングフィルムの８０℃におけるフィルム未硬化物の溶融粘度を下げるには、低軟化点の硬化剤を使用する、熱硬化性成分としてエポキシ樹脂を添加することが有効である。

（接着強度）
本発明のダイボンディングフィルムは、フィルム硬化物の２６５℃における接着強度が３．５ＭＰａ以上であり、好ましくは４．０ＭＰａ以上であり、さらに好ましくは４．５ＭＰａ以上である。

本発明のダイボンディングフィルム硬化物において、良好な吸湿リフロー耐性を確保するために必要な下段チップとの２６５℃における接着強度は、３．５ＭＰａ以上必要である。前記接着強度が３．５ＭＰａより小さい場合は、吸湿後のリフロー工程で下段チップとの界面で剥離が生じるため、実用的でない。

ここでのダイボンディングフィルム硬化物の接着強度は以下の方法により測定した。まず、厚み４０μｍのダイボンディングフィルムを厚み４００μｍの半導体ウエハに６０℃で貼り付け、３．２ｍｍ角にダイシングする。このダイシングしたチップのダイボンディングフィルム貼付面をレジスト（太陽インキ製造株式会社製、商品名「ＡＵＳ３０８」）を塗布した基板（日立化成工業株式会社製、商品名「Ｅ−６９７ＦＧ」）表面上に、１００℃、０．１ＭＰａ、１ｓの条件で熱圧着してサンプルを得る。その後、得られたサンプルを１００℃／１時間、１１０℃／１時間、１２０℃／１時間の順のステップキュア後に、１７５℃で５時間硬化し、測定サンプルとする。測定サンプルを８５℃、６０ＲＨ％条件の下、１６８時間吸湿処理する。レジスト塗布基板表面が２６５℃になるように設定した熱板に測定サンプルを置き、３０秒放置後のダイシェア強度を測定する。測定はＤａｇｅ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製のＤａｇｅ４０００を用い、測定高さ：５０μｍ、測定速度：５０μｍ／ｓの条件で行う。

ダイボンディングフィルムのフィルム硬化物の２６５℃における接着強度を上げるためには、フィラーを増量する、ゴムを減量することが有効である。

以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

合成例１
（配位子の合成）
三方コックを備えたジムロートとセプタムラバとを５０ｍｌ二口ナスフラスコに装着し、Ｎ_２雰囲気下にした後、蟻酸２５．０ｍｌ（５２１．４ｍｍｏｌ）を秤取した。０℃に冷却した後、ホルムアルデヒド１０．０ｍｌ（１２３．２ｍｍｏｌ）を加え、そのまま０℃の状態で１時間攪拌した。この反応液に、トリス（２−アミノエチル）アミン１．５ｍｌ（１０．０ｍｍｏｌ）を蒸留水５ｍｌに溶解させた水溶液を約１０分かけて滴下した。その後、反応液を室温（２５℃）に戻し、窒素気流下とした。

次に９５℃に設定したオイルバスにこの反応器を設置し緩やかに１０時間還流した。次いで、室温（２５℃）に戻し、溶媒をエバポレータにて除去した後、残渣を飽和ＮａＯＨ水溶液で処理した。

有機層を抽出した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去し、薄黄色液体のヘキサメチルトリス（２−アミノエチル）アミン１．９ｇ（収率８６％）を得た。構造は^１Ｈ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭＲより確認した。

（３官能開始剤の合成）
三方コック、セプタムラバを備えた１００ｍｌ二口ナスフラスコにフロログルシノール１．００ｇ（７．９３ｍｍｏｌ）を秤取した。Ｎ_２雰囲気にした後、脱水テトラヒドロフラン４０．０ｍｌを加えた。さらに、トリエチルアミン３．９ｍｌ（２７．８ｍｍｏｌ）を加え、０℃に冷却した。

次いで、２−ブロモプロピオン酸クロリド２．８ｍｌ（２７．８ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下した後、室温（２５℃）に戻し２時間反応を進行させた。反応追跡はＴＬＣ（薄層クロマトグラフィー）を用いて行い、原料のスポットが消失したとき、反応終了とみなした。

反応終了後、ろ過し溶液中の塩酸塩を取り除き、溶媒をエバポレータにて留去した。残渣をメタノールにより再結晶することで、下記構造式の白色固体の生成物２．４ｇ（収率５７％）を得た。構造は^１Ｈ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭＲより確認した。

合成例３
（星型アクリルゴムの合成）
三方コック、セプタムラバを１００ｍｌ二口フラスコに装着し、Ｃｕ（０）を９．５ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）及びＣｕＢｒ_２を３．４ｍｇ（０．０１５ｍｍｏｌ）秤取した。反応容器内をＮ_２雰囲気とし、アクリル酸ブチルを９．９ｇ（７７．６４ｍｍｏｌ）、アクリル酸エチルを７．４ｇ（７３．９８ｍｍｏｌ）、メタクリル酸グリシジルを０．８ｇ（５．４３ｍｍｏｌ）、アクリロニトリルを７．６ｇ（１４２．９５ｍｍｏｌ）、脱水ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）を２９．４ｍｌ及び、合成例１で合成したヘキサメチルトリス（２−アミノエチル）アミンを３４．６ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）の順に加えた。

更に、合成例２で合成した３官能開始剤１０６．２ｍｇを脱水ＤＭＳＯ４．０ｍｌに溶解させた溶液３．０ｍｌを加えた。反応系内をＮ_２フロー（４００ｍｌ／分×１５分）により脱酸素した後、設定温度３０℃のオイルバスに反応容器を設置し、２５時間反応を進行させた。

反応終了後、メチルエチルケトンを３０ｍｌ加え、系内の粘度を落としメンブランフィルター（ポリテトラフルオロエチレン、０．２μｍ）を用いてろ過した。ろ液をメタノール６００ｍｌで再沈殿した後、４０℃で減圧乾燥することで薄黄白色ゴム状の生成物１３．６ｇ（収率５３％）で得た。重合率に対して数平均分子量（Ｍｎ）が直線関係になることから、反応途中における副反応がほとんど生じてないことが示唆され、目的とする星型アクリル共重合体が得られていることを確認した。

合成した星型アクリル共重合体の重量平均分子量は２０万であった。また、ガラス転移温度Ｔｇは、４４℃であった。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）により得られた値である。

次に、得られた星型アクリル共重合体を用いて、以下の通りワニスを調製した。

実施例１〜２、比較例１〜３
（ワニスの調製）
以下に示すアクリル共重合体、エポキシ樹脂、硬化剤、フィラー、硬化促進剤、カップリング剤を用いて、表１に示す配合（質量部）の組成物を得、シクロヘキサノンを加えて、攪拌脱泡し、不揮発分４０質量％のワニスを調製した。

［アクリル共重合体］
星型アクリル共重合体：合成例３で合成した星型アクリル共重合体（ガラス転移温度４４℃、重量平均分子量２０万）
ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名）：直鎖状のアクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製、ガラス転移温度２５℃、重量平均分子量：８０万）
［エポキシ樹脂］
ＹＤＦ−８１７０Ｃ（商品名）：東都化成株式会社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１５６
ＹＤＣＮ−７０３（商品名）：東都化成株式会社製、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２０９
ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（商品名）：東都化成株式会社製、ビスキシレノール型エポキシ樹脂、エポキシ当量１９２
ＹＤＣＮ−７００−１０（商品名）：東都化成株式会社製、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０
［硬化剤］
ＸＬＣ−ＬＬ：ミレックスＸＬＣ−ＬＬ（商品名）、三井化学株式会社製、フェノール樹脂、水酸基当量１７５
ＬＦ−４８７１：フェノライトＬＦ−４８７１（商品名）、ＤＩＣ株式会社、水酸基当量１１８
［フィラー］
ＳＣ２０５０−ＨＬＧ（商品名）：アドマテックス社製、シリカフィラー分散液、平均粒径０．５μｍ
［硬化促進剤］
２ＰＺ−ＣＮ：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ（商品名）、四国化成工業株式会社製、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール
［カップリング剤］
Ａ−１８９：ＮＵＣ Ａ−１８９（商品名）、日本ユニカー株式会社製、γ―メルカプトプロピルトリメトキシシラン
Ａ−１１６０：ＮＵＣ Ａ−１１６０（商品名）、日本ユニカー株式会社製、γ―ウレイドプロピルトリエトキシシラン
（ダイボンディングフィルムの塗工）
アプリケータ自動塗工機（テスター産業株式会社製）を用いて、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材（帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：マイラーＡ５３）上に、上記で調製したワニスを塗布し、ギャップを調整したアプリケータで塗工した。

得られたフィルムを、オーブン中１２０℃／２０分の条件で加熱乾燥した。その後、ＰＥＴ基材を引き剥がすことで、膜厚４０μｍのＢステージ状態のダイボンディングフィルム未硬化物を得た。

（ダイボンディングフィルムの後硬化）
上記により得られたダイボンディングフィルム未硬化物をオーブン中で１２０℃／３０分、１４０℃／１時間、１７５℃／２時間の条件で加熱硬化して、Ｃステージ状態のダイボンディングフィルム硬化物とした。

（ダイボンディングフィルムの評価）
上記より得られた実施例１〜２、比較例１〜３ダイボンディングフィルムの各々について、以下に示す評価を行った。

（１）タック力の測定
ダイボンディングフィルムの４０℃におけるフィルム未硬化物のタック力は、株式会社レスカ製のタッキング試験器を用いた。条件は、フィルム厚：４０μｍ、押し込み速度：２ｍｍ／秒、引き上げ速度：１０ｍｍ／秒、停止加重：１００ｇｆ／ｃｍ^２、停止時間：１秒で行い、４０℃のステージにサンプルの測定面を上にして固定し、４０℃のプローブ（直径５．１ｍｍ（φ）のＳＵＳ３０４）に対するタック強度を測定し求めた。測定面は、ダイシングテープに貼り付ける側の面とした。結果を表１に示す。
（２）溶融粘度の測定
ダイボンディングフィルム未硬化物の８０℃の溶融粘度は、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ （１７） Ｐ４５８ （１９４６）に示す平行平板プラストメータ法により測定、算出した。厚さ４０μｍの未硬化フィルム２枚を４０℃で厚さ約８０μｍのフィルムにラミネートし、これを打ち抜き型を用いて直径６ｍｍに打ち抜き、両面に厚さ１５０μｍのスライドガラスを貼り付けて試験サンプルを作製した。これをＣＯＢボンダ（日立化成工業株式会社製、ＡＣ−ＳＣ−４００Ｂ）を用いて圧着（８０℃／１ＭＰａ／３秒）した。加圧前後のサンプルをスキャナで取り込み、画像解析ソフトで面積を計算し、圧着前後のフィルム厚みを算出した。

ダイボンディングフィルム未硬化物の溶融粘度（η）は、下記数式を用いることにより算出した。

Ｚ_０：荷重を加える前のダイボンディングフィルム接着フィルムの厚さ
Ｚ：荷重を加えた後のダイボンディングフィルム接着フィルムの厚さ
Ｖ：ダイボンディングフィルム接着フィルムの体積
Ｆ：加えた荷重の大きさ
ｔ：荷重を加えた時間
（３）接着強度の測定
ダイボンディングフィルム硬化物の接着強度は以下の方法により測定した。厚み４０μｍのダイボンディングフィルムを厚み４００μｍの半導体ウエハに６０℃で貼り付け、３．２ｍｍ角にダイシングした。このダイシングしたチップのダイボンディングフィルム貼付面をレジスト（太陽インキ製造株式会社製、商品名「ＡＵＳ３０８」）を塗布した基板（日立化成工業株式会社製、商品名「Ｅ−６９７ＦＧ」）表面上に、１００℃、０．１ＭＰａ、１秒の条件で熱圧着してサンプルを得た。

その後、得られたサンプルを１００℃／１時間、１１０℃／１時間、１２０℃／１時間の順のステップキュア後に１７５℃で５時間硬化し、測定サンプルとした。測定サンプルを８５℃、６０ＲＨ％条件の下、１６８時間吸湿処理した。

レジスト塗布基板表面が２６５℃になるように設定した熱板に測定サンプルをおき、３０秒放置後のダイシェア強度を測定した。測定は、Ｄａｇｅ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製のＤａｇｅ４０００を用い、測定高さ：５０μｍ及び測定速度：５０μｍ／秒の条件で行った。結果を表１に示す。
（４）ピックアップ性の評価
Ｂステージ状態のダイボンディングフィルムを直径２１０ｍｍに切り抜き、厚さ８０μｍのダイシングテープ（電気化学工業株式会社製、商品名Ｔ−８０ＭＷ）上に、ダイアタッチフィルムマウンター（株式会社ジェーシーエム製、商品名ＤＭ−３００−Ｈ）を用いて室温（２５℃）で貼り合わせた。なお、塗工時の開放面（ポリエチレンテレフタレートフィルムの逆側）とダイシングテープを貼り合わせて、ダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品を得た。

前記ダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品に５０μｍ厚の半導体ウエハを熱板上でラミネートし、半導体ウエハ・ダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品を得、ダイシングサンプルを作製した。ラミネート時の熱板表面温度は４０℃に設定した。株式会社ディスコ製、商品名フルオートマチックダイシングソーＤＦＤ−６３６１を用いて、前記ダイシングサンプルを切断した。

切断は、ブレード１枚で加工を完了するシングルカット方式、ブレードに株式会社ディスコ製、商品名ダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ１０４Ｆ−ＳＥ ２７ＨＤＢＢを用い、ブレード回転数４５，０００ｍｉｎ^−１、切断速度５０ｍｍ／秒の条件で行った。切断時のブレードハイトは、ダイシングテープを２０μｍ切り込む設定（６０μｍ）とした。半導体ウエハを切断するサイズは１０×１０ｍｍとした。

上記方法で作製したダイボンディングフィルム付き半導体チップのピックアップ性について、株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ製、商品名フレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０を使用して評価した。使用したピックアップ用コレットにはマイクロメカニクス社製、商品名ＲＵＢＢＥＲ ＴＩＰ １３−０８７Ｅ−３３（サイズ：１０×１０ｍｍ）、突上げピンにマイクロメカニクス社製、商品名ＥＪＥＣＴＯＲ ＮＥＥＤＬＥ ＳＥＮ２−８３−０５（直径：０．７ｍｍ、先端形状：直径３５０μｍの半円）を用いた。

突上げピンの配置は、ピン中心間隔４．２ｍｍで９本配置した。ピックアップ時のピンの突上げ速度：１０ｍｍ／秒、突上げ高さ：５００μｍの条件でピックアップ性を評価した。連続１００チップをピックアップし、チップ割れ、ピックアップミス等が発生しない場合を「良好」、１チップでもチップ割れ、ピックアップミス等が発生した場合を「不良」とした。結果を表１に示す。

（５）支持部材表面の配線段差の埋め込み性の評価
前記（４）で得たダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品に１００μｍ厚の半導体ウエハを熱板上でラミネートし、半導体ウエハ・ダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品を得、ダイシングサンプルを作製した。ラミネート時の熱板表面温度は４０℃に設定した。株式会社ディスコ社製、商品名フルオートマチックダイシングソーＤＦＤ−６３６１を用いて、前記ダイシングサンプを切断した。

切断は、ブレード１枚で加工を完了するシングルカット方式、ブレードに株式会社ディスコ社製、商品名ダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ１０４Ｆ−ＳＥ ２７ＨＤＢＢを用い、ブレード回転数４５，０００ｍｉｎ^−１、切断速度５０ｍｍ／秒の条件で行った。切断時のブレードハイトは、ダイシングテープを２０μｍ切り込む設定（６０μｍ）とした。半導体ウエハを切断するサイズは７．５×７．５ｍｍとした。

上記方法で作製したダイボンディングフィルム付き半導体チップを、株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ製、商品名フレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０を使用して、表面段差１０μｍの配線付き支持部材に圧着した。圧着条件は、熱板温度１２０℃、荷重０．１ＭＰａ、時間１秒とした。

チップを圧着した配線付き支持部材を、超音波探査映像装置（日立建機株式会社製、ＨＹＥ−ＦＯＣＵＳ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｔｏｍｏｇｒａｐｈ）でダイボンディングフィルムと配線付き支持部材界面のボイドの有無を観察し、支持部材表面の配線段差の埋め込み性の評価を行った。１２パッケージを観察し、剥離、ボイドが存在しなかったものを配線段差の埋め込み性「良好」、１パッケージでも剥離、ボイドが存在したものを配線段差の埋め込み性「不良」とした。結果を表１に示す。

（６）吸湿リフロー耐性の評価
上記（５）で作製した、配線付き支持部材をダイボンディングフィルム付き半導体チップで圧着した積層体を、１１０℃で１時間及び１２０℃で１時間の硬化を行った後に、日立化成工業株式会社製の封止材、商品名ＣＥＬ−９７５０ＺＨＦを前記積層体上に成型し、１７５℃で５時間の硬化処理を行い、半導体パッケージを得た。

超音波探査映像装置（日立建機株式会社製、ＨＹＥ−ＦＯＣＵＳ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｔｏｍｏｇｒａｐｈ）で半導体パッケージ内部の剥離、ボイドの有無を観察した後、１２５℃で１２時間乾燥した。

乾燥後の半導体パッケージを８５℃、６０％ＲＨ及び１６８時間の吸湿処理を行った後、最大温度２６５℃、３０秒となるように設定し、リフロー処理を３回行った。リフロー処理後の半導体パッケージを再度、超音波探査映像装置で観察し、半導体パッケージ内部の剥離、ボイドの有無を観察した。リフロー処理後について、１２パッケージを観察し、半導体パッケージ内部の剥離、ボイドが存在しなかったものを吸湿リフロー耐性「良好」、１パッケージでも剥離、ボイドが存在したものを吸湿リフロー耐性「不良」とした。結果を表１に示す。

（７）下段チップのボンディングワイヤ充填性
前記（４）で得たダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品に１００μｍ厚の半導体ウェハを熱板上でラミネートし、半導体ウェハ・ダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品を得、ダイシングサンプルを作製した。ラミネート時の熱板表面温度は４０℃に設定した。株式会社ディスコ社製、商品名フルオートマチックダイシングソーＤＦＤ−６３６１を用いて、前記ダイシングサンプを切断した。

切断は、ブレード１枚で加工を完了するシングルカット方式、ブレードに株式会社ディスコ社製、商品名ダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ１０４Ｆ−ＳＥ ２７ＨＤＢＢを用い、ブレード回転数４５，０００ｍｉｎ^−１、切断速度５０ｍｍ／秒の条件で行った。切断時のブレードハイトは、ダイシングテープを２０μｍ切り込む設定（６０μｍ）とした。半導体ウェハを切断するサイズは７．５×７．５ｍｍとした。

上記方法で作製したダイボンディングフィルム付き半導体チップを、株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ製、商品名フレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０を使用して、ワイヤボンディングされた半導体チップ上に圧着した。下段チップのボンディングワイヤは、直径２５μｍの金ワイヤを用い、ワイヤピッチは２００μｍとした。上段チップの圧着条件は、熱板温度１２０℃、荷重０．１ＭＰａ、時間１秒とした。

ワイヤボンディングされた半導体チップをダイボンディングフィルム付き半導体チップで圧着した積層体を、デジタルマイクロスコープ（株式会社キーエンス製、ＶＨ−６３００）で下段チップのボンディングワイヤ下の空隙の有無を観察し、下段チップのボンディングワイヤ充填性の評価を行った。１２パッケージを観察し、ワイヤ下に空隙が存在しなかったものをボンディングワイヤ充填性「良好」、１パッケージでも空隙が存在したものをボンディングワイヤ充填性「不良」とした。結果を表１に示す。

表１より、実施例１及び２は、薄ウエハを割れなくピックアップでき、圧着工程で配線段差を充填可能であるとともに、下段チップのボンディングワイヤを充填することもでき、本発明のダイボンディングフィルムを用いて作製した半導体パッケージが良好な吸湿リフロー耐性を有する。

比較例１、２は、４０℃におけるタック力がそれぞれ３，０７９ｍＮ、２，２６９ｍＮと高く、ピックアップ不良が発生するため好ましくない。また、比較例３は溶融粘度が２８０００Ｐａ・ｓと高く配線段差の埋め込み性が悪く、吸湿後のリフロー処理時に未充填部位が起点となり剥離が生じるため好ましくない。また、比較例３は溶融粘度が２８０００Ｐａ・ｓと高く、下段チップのボンディングワイヤを充填性にも劣る。比較例１は、接着強度が２．８ＭＰａと低く、吸湿後のリフロー処理時に剥離が生じるため好ましくない。

１、１’、１”…半導体チップ、２、２’、２”…ダイボンディングフィルム、３…ボンディングワイヤ、４…支持部材、５…端子、６…配線、７…封止樹脂

Claims (4)

1. 半導体素子と支持部材、又は半導体素子同士を接着固定するダイボンディングフィルムであって、前記ダイボンディングフィルムは星型アクリル共重合体、熱硬化性樹脂、硬化剤、及び、無機フィラーを含む接着剤層を有し、
   ４０℃におけるフィルム未硬化物のタック力が１，５００ｍＮ以下、８０℃におけるフィルム未硬化物の溶融粘度が５，０００Ｐａ・ｓ以下、フィルム硬化物の２６５℃における接着強度が３．５ＭＰａ以上であるダイボンディングフィルム。
2. 前記ダイボンディングフィルムの厚みが、５〜１００μｍである請求項１に記載ダイボンディングフィルム。
3. 前記星型アクリル共重合体の重量平均分子量が、３万〜１００万である請求項１又は２に記載のダイボンディングフィルム。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載のダイボンディングフィルムを用いて、半導体素子と配線付き支持部材、又は半導体素子同士を接着した構造を有してなる半導体装置。

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