CN103923573A - 胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明提供可以以良好的成品率制造高品质的半导体装置的胶粘薄膜以及使用该胶粘薄膜的半导体装置的制造方法、以及通过该制造方法得到的半导体装置。本发明的胶粘薄膜，其为用于将固定在被粘物上的第一半导体元件包埋并且将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定到被粘物上的胶粘薄膜，其中，40℃下对SUS的粘着强度为0.2MPa以下。

Description

胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置

技术领域

本发明涉及胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。

背景技术

以往，在半导体装置制造时半导体芯片往衬底或电极构件上的固定中使用银浆。所述固定处理通过将浆状胶粘剂涂布到半导体芯片或引线框上，通过浆状胶粘剂将半导体芯片搭载到衬底上，最后使浆状胶粘剂层固化来进行。

但是，浆状胶粘剂的涂布量或涂布形状等产生大的偏差，难以均匀化，或者浆状胶粘剂的涂布需要特殊装置和长时间。因此，提出了在切割工序中胶粘保持半导体芯片并且还提供安装工序所需的芯片固定用胶粘薄膜的切割/芯片接合薄膜（参见专利文献1）。

这种切割/芯片接合薄膜具有在切割薄膜上层叠有芯片接合薄膜（胶粘薄膜）的结构。另外，切割薄膜为在支撑基材上层叠有粘合剂层的结构。这种切割/芯片接合薄膜以如下方式使用。即，在利用胶粘薄膜的保持下将半导体晶片及胶粘薄膜切割后，通过拉伸支撑基材将半导体芯片与胶粘薄膜一起剥离并将其分别回收。另外，将半导体芯片通过胶粘薄膜胶粘固定到BT衬底或引线框等被粘物上。将半导体芯片多层层叠时，在通过胶粘薄膜固定的半导体芯片上，进一步将带有胶粘薄膜的半导体芯片胶粘固定。

不过，进一步要求半导体装置及其封装的高功能化、薄型化、小型化。作为其对策之一，开发了将半导体元件在其厚度方向上多层层叠而实现半导体元件的高密度集成化的三维安装技术。

作为一般的三维安装方法，采用将半导体元件固定到衬底等被粘物上，在该最下层的半导体元件上依次层叠半导体元件的过程。半导体元件之间以及半导体元件与被粘物之间利用接合线（以下也称为“线”）实现电连接。另外，在半导体元件的固定中广泛使用薄膜状的胶粘剂。

这样的半导体装置中，出于控制多个半导体元件各自的操作或者控制半导体元件间的通信等目的，在最上层的半导体元件上配置控制用的半导体元件（以下也称为“控制器”）（参见专利文献2）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-074144号公报

专利文献2：日本特开2007-096071号公报

发明内容

发明所要解决的问题

控制器也与下层的半导体元件同样地利用线实现与被粘物的电连接。但是，随着半导体元件的层叠层数增多，控制器与被粘物的距离变长，电连接所需的线也变长。结果，有时半导体封装的通信速度下降或者产生由外部因素（热或冲击等）引起的线的故障，从而半导体封装的品质下降，或者引线接合工序变复杂从而半导体装置制造的成品率下降。

因此，本申请的发明人开发了将控制器固定到被粘物上并且可以在包埋该控制器的同时固定其它半导体元件的包埋用胶粘薄膜，并对其进行了专利申请（在本申请的申请时尚未公开）。

通过使用这样的胶粘薄膜作为切割/芯片接合薄膜的胶粘薄膜，可以提高半导体装置的制造效率和提高半导体装置的品质。但是，为了包埋控制器等半导体元件而使用厚的胶粘薄膜时，有可能尽管进行切割也在切割部分产生胶粘片的再胶粘，从而不能良好地进行随后的拾取，从而成品率下降。

本发明鉴于前述问题而创立，其目的在于提供可以以良好的成品率制造高品质的半导体装置的胶粘薄膜以及使用该胶粘薄膜的半导体装置的制造方法、以及通过该制造方法得到的半导体装置。

用于解决问题的手段

本发明人为了解决前述现有问题对胶粘薄膜的特性进行了广泛深入的研究，结果发现，通过采用下述构成可以实现前述目的，并且完成了本发明。

即，本发明涉及一种胶粘薄膜（以下也称为“包埋用胶粘薄膜”），其用于将固定在被粘物上的第一半导体元件包埋并且将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定到被粘物上，其中，

40℃下对SUS的粘着强度为0.2MPa以下。

该胶粘薄膜的40℃下对SUS的粘着强度为0.2MPa以下，因此即使作为切割/芯片接合薄膜的胶粘薄膜使用时，也不容易产生切割后的胶粘薄膜的再胶粘，能够良好地进行后续的拾取。另外，可以将被粘物上的第一半导体元件包埋，因此可以在保持被粘物与第一半导体元件的通信速度的同时减少外部因素的影响，可以以良好的成品率制造高品质的半导体装置。另外，粘着强度的测定方法如实施例所述。

该胶粘薄膜的120℃下的熔融粘度优选为100Pa·s以上且3000Pa·s以下。由此，在利用该胶粘薄膜将第二半导体元件固定到被粘物上时，能够更容易地进行第一半导体元件在该胶粘薄膜中的包埋。另外，熔融粘度的测定方法如实施例所述。

热固化前的该胶粘薄膜的25℃下的储能弹性模量优选为10MPa以上且10000MPa以下。由此，可以赋予胶粘薄膜适度的硬度，可以更有效地防止切割后的再胶粘。另外，储能弹性模量的测定方法如实施例所述。

该胶粘薄膜优选含有无机填充剂，该无机填充剂的含量为25～80重量%。通过该胶粘薄膜含有规定量的无机填充剂，可以赋予胶粘薄膜对更高水平的防再胶粘有效的硬度和低吸水性。

本发明包括一种切割/芯片接合薄膜，其具有切割薄膜，所述切割薄膜具有基材以及在该基材上形成的粘合剂层；和层叠在所述粘合剂层上的该胶粘薄膜。

本发明的切割/芯片接合薄膜具有该胶粘薄膜，因此可以以良好的成品率制造高品质的半导体装置。

另外，本发明还包括一种半导体装置的制造方法，其包括：

被粘物准备工序，准备固定有第一半导体元件的被粘物，

贴合工序，将该切割/芯片接合薄膜的胶粘薄膜与半导体晶片贴合，

切割工序，将所述半导体晶片及胶粘薄膜切割而形成第二半导体元件，

拾取工序，将所述第二半导体元件与所述胶粘薄膜一起拾取，和

固定工序，利用与所述第二半导体元件一起拾取的胶粘薄膜，将固定在所述被粘物上的所述第一半导体元件包埋的同时将所述第二半导体元件固定到该被粘物上。

本发明的制造方法中，使用该切割/芯片接合薄膜制造半导体装置，因此在切割后能够良好地进行拾取，可以以良好的生产效率制造半导体装置。另外，可以利用上述胶粘薄膜将控制器等第一半导体元件固定到被粘物上，因此可以缩短电连接所需的线，由此可以防止半导体封装的通信速度的下降，并且可以制造由外部因素造成的线的故障的产生减少的高品质的半导体装置。另外，该制造方法中，通过使用上述胶粘薄膜，使得第一半导体元件的在被粘物上的包埋成为可能，因此第一半导体元件与被粘物的引线接合变得容易，由此可以提高半导体装置制造的成品率。

该制造方法中，优选所述胶粘薄膜具有比所述第一半导体元件的厚度T₁厚的厚度T，所述被粘物与所述第一半导体元件通过引线接合法连接，并且所述厚度T与所述厚度T₁之差为40μm以上且260μm以下。或者，优选所述胶粘薄膜具有比所述第一半导体元件的厚度T₁厚的厚度T，所述被粘物与所述第一半导体元件通过倒装法连接，并且所述厚度T与所述厚度T₁之差为10μm以上且200μm以下。可以根据第一半导体元件与被粘物的连接方式适当地包埋第一半导体元件。

本发明还包括通过该半导体装置的制造方法得到的半导体装置。

附图说明

图1是示意性地表示本发明的一个实施方式的切割/芯片接合薄膜的剖视图。

图2是示意性地表示本发明的另一个实施方式的切割/芯片接合薄膜的剖视图。

图3A是示意性地表示本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的一个工序的剖视图。

图3B是示意性地表示本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的一个工序的剖视图。

图3C是示意性地表示本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的一个工序的剖视图。

图3D是示意性地表示本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的一个工序的剖视图。

图3E是示意性地表示本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的一个工序的剖视图。

图3F是示意性地表示本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的一个工序的剖视图。

图3G是示意性地表示本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的一个工序的剖视图。

图3H是示意性地表示本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的一个工序的剖视图。

图4A是示意性地表示本发明的另一个实施方式的半导体装置的制造方法的一个工序的剖视图。

图4B是示意性地表示本发明的另一个实施方式的半导体装置的制造方法的一个工序的剖视图。

图4C是示意性地表示本发明的另一个实施方式的半导体装置的制造方法的一个工序的剖视图。

图4D是示意性地表示本发明的另一个实施方式的半导体装置的制造方法的一个工序的剖视图。

附图标记

具体实施方式

[第一实施方式]

关于作为本发明的一个实施方式的第一实施方式，以下参照附图进行说明。其中，图的一部分或者全部省略了说明不需要的部分，并且存在为了容易说明而放大或缩小等进行图示的部分。第一实施方式中，如图1所示，以在基材4上层叠有粘合剂层3而得到的切割薄膜5上层叠有胶粘薄膜22的切割/芯片接合薄膜的方式为例进行以下的说明。本实施方式中，对于通过引线接合法连接实现被粘物与第一半导体元件的电连接的方式进行说明。

<胶粘薄膜>

胶粘薄膜22的40℃下对SUS的粘着强度为0.2MPa以下，优选0.1MPa以下，更优选0.05MPa以下。上述粘着强度的下限没有特别限制，优选0.001MPa以上，更优选0.005MPa以上。通过将胶粘薄膜的粘着强度调节到上述范围内，在切割时能够将半导体晶片良好地固定，并且能够防止切割后的胶粘薄膜的再胶粘。

胶粘薄膜的构成没有特别限制，例如，可以列举例如仅包含单层胶粘薄膜的胶粘薄膜、在芯材的单面或双面形成有胶粘薄膜的多层结构的胶粘薄膜等。在此，作为所述芯材，可以列举薄膜（例如聚酰亚胺薄膜、聚酯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等）、用玻璃纤维或塑料制无纺纤维增强的树脂衬底、硅衬底或玻璃衬底等。另外，也可以作为将胶粘薄膜与切割片一体化而得到的一体型薄膜使用。

胶粘薄膜为具有胶粘功能的层，作为其构成材料可以列举热塑性树脂与热固性树脂组合使用的构成材料。另外，也可以单独使用热塑性树脂。

（热塑性树脂）

作为所述热塑性树脂，可以列举天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、尼龙6或尼龙6,6等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET或PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂或者含氟树脂等。这些热塑性树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。这些热塑性树脂中，特别优选离子性杂质少、耐热性高、能够确保半导体元件的可靠性的丙烯酸类树脂。

作为所述丙烯酸类树脂，没有特别限制，可以列举以一种或两种以上具有碳原子数30以下、特别是碳原子数4～18的直链或支链烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯作为成分的聚合物等。作为所述烷基，可以列举例如：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者二十烷基等。

另外，作为形成所述聚合物的其它单体，没有特别限制，可以列举例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等各种含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等各种酸酐单体；（甲基）丙烯酸2-羟基乙酯、（甲基）丙烯酸2-羟基丙酯、（甲基）丙烯酸4-羟基丁酯、（甲基）丙烯酸6-羟基己酯、（甲基）丙烯酸8-羟基辛酯、（甲基）丙烯酸10-羟基癸酯、（甲基）丙烯酸12-羟基月桂酯或（甲基）丙烯酸（4-羟基甲基环己基）甲酯等各种含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-（甲基）丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、（甲基）丙烯酰胺基丙磺酸、（甲基）丙烯酸磺丙酯或（甲基）丙烯酰氧基萘磺酸等各种含磺酸基单体；或者丙烯酰磷酸2-羟基乙酯等各种含磷酸基单体。

（热固性树脂）

作为所述热固性树脂，可以列举酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、硅树脂或热固性聚酰亚胺树脂等。这些树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。特别是，优选腐蚀半导体元件的离子性杂质等的含量少的环氧树脂。另外，作为环氧树脂的固化剂，优选酚醛树脂。

作为所述环氧树脂，只要是通常作为胶粘剂组合物使用的环氧树脂则没有特别限制，可以使用例如：双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三(羟苯基)甲烷型、四(羟苯基)乙烷型等双官能环氧树脂或多官能环氧树脂、或者乙内酰脲型、异氰脲酸三缩水甘油酯型或者缩水甘油胺型等环氧树脂。这些环氧树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。这些环氧树脂中，特别优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三(羟苯基)甲烷型环氧树脂或四(羟苯基)乙烷型环氧树脂。这是因为：这些环氧树脂与作为固化剂的酚醛树脂的反应性好，并且耐热性等优良。

另外，所述酚醛树脂作为所述环氧树脂的固化剂起作用，可以列举例如：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶酚醛树脂型酚醛树脂、聚对羟基苯乙烯等聚羟基苯乙烯等。这些酚醛树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。这些酚醛树脂中特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。这是因为可以提高半导体装置的连接可靠性。

所述环氧树脂与酚醛树脂的配合比例，优选例如以相对于所述环氧树脂成分中的环氧基1当量酚醛树脂中的羟基为0.5～2.0当量的方式进行配合。更优选为0.8～1.2当量。即，这是因为：两者的配合比例在所述范围以外时，固化反应进行不充分，环氧树脂固化物的特性容易变差。

另外，本实施方式中，特别优选含有环氧树脂、酚醛树脂以及丙烯酸类树脂的胶粘薄膜。这些树脂的离子性杂质少、耐热性高，因此能够确保半导体元件的可靠性。此时的配合比，相对于丙烯酸类树脂成分100重量份，环氧树脂与酚醛树脂的混合量为10～700重量份。

（交联剂）

本实施方式的胶粘薄膜，为了预先进行一定程度的交联，在制作时，可以添加与聚合物的分子链末端的官能团等反应的多官能化合物作为交联剂。由此，可以提高高温下的胶粘特性，改善耐热性。

作为所述交联剂，可以使用现有公知的交联剂。特别是，更优选甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、对苯二异氰酸酯、1,5-萘二异氰酸酯、多元醇与二异氰酸酯的加成产物等多异氰酸酯化合物。作为交联剂的添加量，相对于前述聚合物100重量份通常优选0.05～7重量份。交联剂的量超过7重量份时，胶粘力下降，因此不优选。另一方面，低于0.05重量份时，凝聚力不足，因此不优选。另外，根据需要可以与这样的多异氰酸酯化合物一起含有环氧树脂等其它多官能化合物。

（无机填充剂）

另外，本实施方式的胶粘薄膜中，根据其用途可以适当配合无机填充剂。无机填充剂的配合可以赋予导电性、提高导热性、调节弹性模量等。作为所述无机填充剂，可以列举例如：包含二氧化硅、粘土、石膏、碳酸钙、硫酸钡、氧化铝、氧化铍、碳化硅、氮化硅等陶瓷类、铝、铜、银、金、镍、铬、锡、锌、钯、焊料等金属、或者合金类、以及碳等的各种无机粉末。这些无机填充剂可以单独使用或者两种以上组合使用。其中，优选使用二氧化硅，特别是熔融二氧化硅。另外，通过添加包含铝、铜、银、金、镍、铬、锡、锌等的导电性微粒制成导电性胶粘薄膜，可以抑制静电的产生。另外，无机填充剂的平均粒径优选在0.1～80μm的范围内。

所述无机填充剂的含量相对于组成胶粘薄膜的成分（溶剂除外）的合计重量优选设定为25～80重量%，更优选为25～70重量%。

（热固化催化剂）

可以使用热固化催化剂作为胶粘薄膜的构成材料。作为其含量，相对于有机树脂成分100重量份优选0.01～1重量份，更优选0.05～0.5重量份。通过将含量设定为所述下限以上，可以使在芯片接合时未反应的环氧基之间在后序工序中聚合，从而使该未反应的环氧基减少或消失。结果，将半导体元件胶粘固定在被粘物上，可以制造无剥离的半导体装置。另一方面，通过将配合比例设定为所述上限以下，可以防止固化抑制的产生。

作为所述热固化催化剂，没有特别限制，可以列举例如：咪唑类化合物、三苯基膦类化合物、胺类化合物、三苯基硼烷类化合物、三卤代硼烷类化合物等。这些物质可以单独使用或者两种以上组合使用。

作为所述咪唑类化合物，可以列举：2-甲基咪唑(商品名：2MZ)、2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z)、2-十七烷基咪唑(商品名：C17Z)、1,2-二甲基咪唑(商品名：1.2DMZ)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名：2E4MZ)、2-苯基咪唑(商品名：2PZ)、2-苯基-4-甲基咪唑(商品名：2P4MZ)、1-苄基-2-甲基咪唑(商品名：1B2MZ)、1-苄基-2-苯基咪唑(商品名：1B2PZ)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名：2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z-CN)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑偏苯三酸盐(商品名：2PZCNS-PW)、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基(1’)]乙基-均三嗪(商品名：2MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基(1’)]乙基-均三嗪(商品名：C11Z-A)、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基(1’)]乙基-均三嗪(商品名：2E4MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基(1’)]乙基-均三嗪异氰脲酸加成物(商品名：2MA-OK)、2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑(商品名：2PHZ-PW)、2-苯基-4-甲基-5-羟甲基咪唑(商品名：2P4MHZ-PW)等（均为四国化成株式会社制）。

作为所述三苯基膦类化合物，没有特别限制，可以列举例如：三苯基膦、三丁基膦、三(对甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦等三有机膦、四苯基溴化(商品名：TPP-PB)、甲基三苯基溴化(商品名：TPP-MB)、甲基三苯基氯化(商品名：TPP-MC)、甲氧基甲基三苯基氯化(商品名：TPP-MOC)、苄基三苯基氯化(商品名：TPP-ZC)等(均为北兴化学公司制)。另外，作为所述三苯基膦类化合物，优选在环氧树脂中实质上显示非溶解性的化合物。在环氧树脂中为非溶解性时，可以抑制热固化过度进行。作为具有三苯基膦结构、并且在环氧树脂中实质上显示非溶解性的热固化催化剂，可以例示例如：甲基三苯基溴化(商品名：TPP-MB)等。另外，所述“非溶解性”，是指包含三苯基膦类化合物的热固化催化剂在包含环氧树脂的溶剂中为不溶性，更具体而言，是指在温度10～40℃范围内10重量%以上不溶解。

作为所述三苯基硼烷类化合物，没有特别限制，可以列举例如三(对甲基苯基)硼烷等。另外，作为三苯基硼烷类化合物，还包含具有三苯基膦结构的化合物。作为该具有三苯基膦结构及三苯基硼烷结构的化合物，没有特别限制，可以列举例如：四苯基硼化四苯基(商品名：TPP-K)、四对甲苯基硼化四苯基(商品名：TPP-MK)、四苯基硼化苄基三苯基(商品名：TPP-ZK)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名：TPP-S)等(均为北兴化学公司制)。

作为所述胺类化合物，没有特别限制，可以列举例如：一乙醇胺三氟硼酸盐(ステラケミファ株式会社制)、双氰胺(ナカライテスク株式会社制)等。

作为所述三卤代硼烷类化合物，没有特别限制，可以列举例如三氯硼烷等。

（其它添加剂）

另外，本实施方式的胶粘薄膜中，除了所述无机填充剂以外，根据需要可以适当配合其它添加剂。作为其它添加剂，可以列举例如：阻燃剂、硅烷偶联剂或离子捕获剂等。

作为所述阻燃剂，可以列举例如：三氧化二锑、五氧化二锑、溴化环氧树脂等。这些阻燃剂可以单独使用或者两种以上组合使用。

作为所述硅烷偶联剂，可以列举例如：β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。这些化合物可以单独使用或者两种以上组合使用。

作为所述离子捕获剂，可以列举例如：水滑石类、氢氧化铋等。这些离子捕获剂可以单独使用或者两种以上组合使用。

所述胶粘薄膜的120℃下的熔融粘度，只要具有第一半导体元件的包埋性则没有特别限制，其下限优选为100Pa·s以上，更优选300Pa·s以上，进一步优选500Pa·s以上。另一方面，所述熔融粘度的上限优选为3000Pa·s以下，更优选2000Pa·s以下，进一步优选1500Pa·s以下。由此，利用所述胶粘薄膜将第二半导体元件固定到被粘物上时，可以更容易地进行第一半导体元件在所述胶粘薄膜中的包埋。

热固化前的胶粘薄膜的25℃下的储能弹性模量优选为10MPa以上且10000MPa以下，更优选50MPa以上且7000MPa以下，进一步优选100MPa以上且5000MPa以下。由此，可以赋予胶粘薄膜适度的硬度，并且可以更加有效地防止切割后胶粘薄膜之间的再胶粘。

<切割薄膜>

作为上述切割薄膜，可以列举例如在基材4上层叠有粘合剂层3的切割薄膜。胶粘薄膜22层叠在粘合剂层3上。另外，可以如图2所示为仅在半导体晶片粘贴部分22a（参见图1）形成有胶粘薄膜22’的构成。

（基材）

所述基材4作为切割/芯片接合薄膜10、10’的强度母体。可以列举例如：低密度聚乙烯、线性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-（甲基）丙烯酸共聚物、乙烯-（甲基）丙烯酸酯（无规、交替）共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺（纸）、玻璃、玻璃布、含氟树脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纤维素类树脂、硅树脂、金属（箔）、纸等。粘合剂层3为紫外线固化型时，基材4优选对紫外线具有透过性。

另外，作为基材4的材料，可以列举前述树脂的交联物等聚合物。所述塑料薄膜可以未拉伸而使用，也可以根据需要进行单轴或双轴拉伸处理后使用。利用通过拉伸处理等赋予了热收缩性的树脂片，通过在切割后使该基材4热收缩，可以减小粘合剂层3与胶粘薄膜22的胶粘面积，从而可以容易地回收半导体芯片。

为了提高与邻接层的粘附性、保持性等，基材4的表面可以实施惯用的表面处理，例如，铬酸处理、暴露于臭氧、暴露于火焰、暴露于高压电击、电离辐射处理等化学或物理处理、利用底涂剂（例如后述的粘合物质）的涂布处理。

所述基材4可以适当地选择使用同种或不同种类的材料，也可以根据需要使用将多种材料共混后的材料。另外，为了赋予基材4防静电能力，可以在上述基材4上设置包含金属、合金、它们的氧化物等的、厚度为约30～约500的导电性物质的蒸镀层。基材4可以为单层或两层以上的多层。

基材4的厚度没有特别限制，可以适当确定，一般为约5μm～约200μm。

另外，在不损害本发明的效果等的范围内，基材4中可以含有各种添加剂（例如，着色剂、填充剂、增塑剂、抗老化剂、抗氧化剂、表面活性剂、阻燃剂等）。

（粘合剂层）

作为粘合剂层3的形成中使用的粘合剂，只要能够可剥离地控制胶粘薄膜3则没有特别限制，例如，可以使用丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂等普通的压敏胶粘剂。作为所述压敏胶粘剂，从半导体晶片或玻璃等避忌污染的电子部件的利用超纯水或醇等有机溶剂的清洁洗涤性等的观点考虑，优选以丙烯酸类聚合物作为基础聚合物的丙烯酸类粘合剂。

作为所述丙烯酸类聚合物，可以列举使用丙烯酸酯作为主要单体成分的聚合物。作为上述丙烯酸类聚合物，可以列举例如：使用（甲基）丙烯酸烷基酯（例如，甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳原子数1～30、特别是碳原子数4～18的直链或支链烷基酯等）及（甲基）丙烯酸环烷酯（例如，环戊酯、环己酯等）的一种或两种以上作为单体成分的丙烯酸类聚合物等。另外，（甲基）丙烯酸酯表示丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本发明的（甲基）全部表示相同的含义。

为了改善凝聚力、耐热性等，上述丙烯酸类聚合物根据需要可以含有与能够与所述（甲基）丙烯酸烷基酯或环烷酯共聚的其它单体成分对应的单元。作为这样的单体成分，可以列举例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、（甲基）丙烯酸羧基乙酯、（甲基）丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；（甲基）丙烯酸2-羟基乙酯、（甲基）丙烯酸2-羟基丙酯、（甲基）丙烯酸4-羟基丁酯、（甲基）丙烯酸6-羟基己酯、（甲基）丙烯酸8-羟基辛酯、（甲基）丙烯酸10-羟基癸酯、（甲基）丙烯酸12-羟基月桂酯、（甲基）丙烯酸（4-羟甲基环己基）甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-（甲基）丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、（甲基）丙烯酰胺基丙磺酸、（甲基）丙烯酸磺丙酯、（甲基）丙烯酰氧萘磺酸等含磺酸基单体；丙烯酰磷酸2-羟基乙酯等含磷酸基单体；丙烯酰胺、丙烯腈等。这些可共聚单体成分可以使用一种或两种以上。这些可共聚单体的使用量优选为全部单体成分的40重量%以下。

另外，为了进行交联，所述丙烯酸类聚合物根据需要也可以含有多官能单体等作为共聚用单体成分。作为这样的多官能单体，可以列举例如：己二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇二（甲基）丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、环氧（甲基）丙烯酸酯、聚酯（甲基）丙烯酸酯、氨基甲酸酯（甲基）丙烯酸酯等。这些多官能单体也可以使用一种或两种以上。多官能单体的使用量从粘合特性等观点考虑优选为全部单体成分的30重量%以下。

所述丙烯酸类聚合物可以通过将单一单体或两种以上单体的混合物聚合而得到。聚合可以通过溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等任意方式进行。从防止对洁净的被粘物的污染等观点考虑，优选低分子量物质的含量少。从该观点考虑，丙烯酸类聚合物的数均分子量优选为30万以上，更优选约40万～约300万。

另外，为了提高作为基础聚合物的丙烯酸类聚合物等的数均分子量，所述粘合剂中也可以适当采用外部交联剂。作为外部交联方法的具体手段，可以列举：添加多异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺类交联剂等所谓的交联剂并使其反应的方法。使用外部交联剂时，其使用量根据与欲交联的基础聚合物的平衡以及根据作为粘合剂的使用用途适当确定。一般而言，相对于所述基础聚合物100重量份，优选配合约10重量份以下，更优选配合0.1～10重量份。另外，根据需要，在粘合剂中除前述成分以外也可以使用现有公知的各种增粘剂、抗老化剂等添加剂。

粘合剂层3可以由辐射固化型粘合剂形成。辐射固化型粘合剂通过利用紫外线等辐射线的照射而使交联度增大，可以容易地降低其粘合力。例如，通过仅对图2所示的粘合剂层3的部分3a照射辐射线，可以设置与部分3b的粘合力之差。

另外，通过依照胶粘薄膜22’使辐射固化型粘合剂层3固化，可以容易地形成粘合力显著下降的部分3a。由于胶粘薄膜22’粘贴在固化而粘合力下降的部分3a上，因此部分3a与胶粘薄膜22’的界面具有拾取时容易剥离的性质。另一方面，未照射辐射线的部分具有充分的粘合力，形成部分3b。

如上所述，图1所示的切割/芯片接合薄膜10的粘合剂层3中，由未固化的辐射固化型粘合剂形成的所述部分3b与胶粘薄膜22粘合，可以确保切割时的保持力。这样，辐射固化型粘合剂可以以良好的胶粘-剥离平衡支撑用于将半导体芯片固定到衬底等被粘物上的胶粘薄膜22。图2所示的切割/芯片接合薄膜10’的粘合剂层3中，所述部分3b可以将贴片环（ウェハリング）固定。

所述辐射固化型粘合剂可以没有特别限制地使用具有碳碳双键等辐射固化性官能团并且显示粘合性的粘合剂。作为辐射固化型粘合剂，可以例示例如：在上述丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂等普通的压敏粘合剂中配合有辐射固化性的单体成分或低聚物成分的添加型辐射固化型粘合剂。

作为配合的辐射固化性单体成分，可以列举例如：氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯（甲基）丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、1,4-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯等。另外，辐射固化性低聚物成分可以列举聚氨酯类、聚醚类、聚酯类、聚碳酸酯类、聚丁二烯类等各种低聚物，其重均分子量在约100～约30000的范围内是适当的。辐射固化性单体成分或低聚物成分的配合量可以根据所述粘合剂层的种类适当地确定能够降低粘合剂层的粘合力的量。一般而言，相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份，例如为约5重量份～约500重量份，优选约40重量份～约150重量份。

另外，作为辐射固化型粘合剂，除了上述说明的添加型辐射固化型粘合剂以外，还可以列举使用在聚合物侧链或主链中或者主链末端具有碳碳双键的聚合物作为基础聚合物的内在型辐射固化型粘合剂。内在型辐射固化型粘合剂无需含有或者不大量含有作为低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不会随时间推移在粘合剂中迁移，可以形成稳定的层结构的粘合剂层，因此优选。

所述具有碳碳双键的基础聚合物，可以没有特别限制地使用具有碳碳双键并且具有粘合性的聚合物。作为这样的基础聚合物，优选以丙烯酸类聚合物作为基本骨架的聚合物。作为丙烯酸类聚合物的基本骨架，可以列举上述例示过的丙烯酸类聚合物。

在所述丙烯酸类聚合物中引入碳碳双键的方法没有特别限制，可以采用各种方法，将碳碳双键引入聚合物侧链在分子设计上比较容易。可以列举例如：预先将具有官能团的单体与丙烯酸类聚合物共聚后，使具有能够与该官能团反应的官能团和碳碳双键的化合物在保持碳碳双键的辐射固化性的情况下进行缩合或加成反应的方法。

作为这些官能团的组合例，可以列举：羧酸基与环氧基、羧酸基与氮丙啶基、羟基与异氰酸酯基等。这些官能团的组合中考虑反应追踪的容易性，优选羟基与异氰酸酯基的组合。另外，只要是通过这些官能团的组合而生成所述具有碳碳双键的丙烯酸类聚合物的组合，则官能团可以在丙烯酸类聚合物与所述化合物的任意一方上，在所述的优选组合中，优选丙烯酸类聚合物具有羟基、所述化合物具有异氰酸酯基的情况。此时，作为具有碳碳双键的异氰酸酯化合物，可以列举例如：甲基丙烯酰异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等。另外，作为丙烯酸类聚合物，可以使用将上述例示的含羟基单体或2-羟基乙基乙烯基醚、4-羟基丁基乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚的醚类化合物等共聚后的聚合物。

所述内在型辐射固化型粘合剂可以单独使用所述具有碳碳双键的基础聚合物（特别是丙烯酸类聚合物），也可以在不损害特性的范围内配合所述辐射固化性单体成分或低聚物成分。辐射固化性低聚物成分等相对于基础聚合物100重量份通常在30重量份的范围内，优选0～10重量份的范围。

所述辐射固化型粘合剂在利用紫外线等固化时优选含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可以列举例如：4-（2-羟基乙氧基）苯基（2-羟基-2-丙基）甲酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基甲酮等α-酮醇类化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉基丙烷-1-酮等苯乙酮类化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚类化合物；联苯酰二甲基缩酮等缩酮类化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯类化合物；1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等光活性肟类化合物；二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮类化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮类化合物；樟脑醌；卤代酮；酰基氧化膦；酰基膦酸酯等。光聚合引发剂的配合量相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份，例如为约0.05重量份～约20重量份。

利用辐射固化型粘合剂形成粘合剂层3时，优选对粘合剂层3的一部分进行辐射线照射使得部分3a的粘合力<部分3b的粘合力。图2的切割/芯片接合薄膜中，例如，鉴于与作为被粘物的SUS304板（#2000研磨）的关系，使得部分3a的粘合力<部分3b的粘合力。

作为在上述粘合剂层3中形成上述部分3a的方法，可以列举在基材4上形成辐射固化型的粘合剂层3后，对上述部分3a局部地照射辐射线使其固化的方法。局部的辐射线照射可以通过形成有与半导体晶片粘贴部分22a对应的粘合剂层3的部分3a以外的部分3b等对应的图案的光掩模来进行。另外，可以列举点状照射紫外线进行固化的方法等。辐射固化型粘合剂层3的形成可以通过将设置在隔片上的辐射固化型粘合剂层转印到基材4上来进行。局部的辐射线照射也可以对设置在隔片上的辐射固化型粘合剂层3进行。

另外，利用辐射固化型粘合剂形成粘合剂层3的情况下，可以使用对基材4的至少单面的、与半导体晶片粘贴部分22a对应的部分3a以外的部分的全部或局部进行遮光的基材，在该基材上形成辐射固化型粘合剂层3后进行辐射线照射，使与半导体晶片粘贴部分22a对应的部分3a固化，从而形成粘合力下降的所述部分3a。作为遮光材料，可以通过印刷或蒸镀等在支撑薄膜上制作能够成为光掩模的材料。通过所述制造方法，可以有效地制造本发明的切割/芯片接合薄膜10。

另外，辐射线照射时氧气造成固化抑制时，优选利用任意方法从辐射固化型粘合剂层3的表面隔绝氧气（空气）。可以列举例如：用隔片将上述粘合剂层3的表面覆盖的方法或者在氮气氛围中进行紫外线等辐射线的照射的方法等。

粘合剂层3的厚度没有特别限制，从兼顾防止芯片切割面的缺损和胶粘层的固定保持等观点考虑，优选为约1μm～约50μm。优选2μm～30μm、更优选5μm～25μm。

另外，在不损害本发明的效果等的范围内，粘合剂层3中可以含有各种添加剂（例如，着色剂、增稠剂、增量剂、填充剂、增粘剂、增塑剂、抗老化剂、抗氧化剂、表面活性剂、交联剂等）。

（胶粘薄膜的制造方法）

本实施方式的胶粘薄膜，例如以下述方式制作。首先，制备胶粘薄膜形成用的胶粘剂组合物。作为制备方法没有特别限制，例如，可以将胶粘薄膜项中所说明的热固性树脂、热塑性树脂、其它添加剂等投入到容器中，并溶解到有机溶剂中，搅拌至均匀，由此可以得到胶粘剂组合物溶液。

作为所述有机溶剂，只要是能够将构成胶粘薄膜的成分均匀地溶解、混炼或分散的有机溶剂则没有限制，可以使用现有公知的有机溶剂。作为这样的溶剂，可以列举例如：二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、甲乙酮、环己酮等酮类溶剂、甲苯、二甲苯等。从干燥速度快、能够便宜地得到的观点考虑，优选使用甲乙酮、环己酮等。

将通过上述方式制备的胶粘剂组合物溶液涂布到隔片上以达到规定的厚度从而形成涂膜，然后在规定条件下将该涂膜干燥。作为隔片，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚乙烯、聚丙烯或者利用含氟剥离剂、长链烷基丙烯酸酯类剥离剂等剥离剂进行表面涂布后的塑料薄膜或纸等。另外，作为涂布方法，没有特别限制，可以列举例如：辊涂、丝网涂布、凹版涂布等。另外，作为干燥条件，例如在干燥温度70～160℃、干燥时间1～5分钟的范围内进行。由此，可以得到本实施方式的胶粘片。

<切割/芯片接合薄膜的制造方法>

切割/芯片接合薄膜10、10’例如可以通过分别制作切割薄膜和胶粘薄膜，最后将它们粘贴来制作。具体而言，可以按照以下的过程制作。

首先，基材4可以通过现有公知的制膜方法制膜。作为该制膜方法，可以例示例如：压延制膜法、有机溶剂中的浇注法、密闭体系中的吹塑挤出法、T形模头挤出法、共挤出法、干式层压法等。

然后，制备粘合剂层形成用的粘合剂组合物。粘合剂组合物中配合有粘合剂层项中所说明的树脂、添加物等。在基材4上涂布所制备的粘合剂组合物溶液形成涂膜，然后在规定条件下将该涂膜干燥（根据需要加热交联）而形成粘合剂层3。作为涂布方法，没有特别限制，可以列举例如：辊涂、丝网涂布、凹版涂布等。另外，作为干燥条件，可以在例如：干燥温度80～150℃、干燥时间0.5～5分钟的范围内进行。另外，也可以在隔片上涂布粘合剂组合物形成涂膜后，在所述干燥条件下将涂膜干燥来形成粘合剂层3。然后，将粘合剂层3与隔片一起粘贴到基材4上。由此，制作具有基材4和粘合剂层3的切割薄膜。

接着，从切割薄膜上将隔片剥离，以胶粘薄膜和粘合剂层为粘贴面的方式将两者粘贴。粘贴可以通过例如压接来进行。此时，层压温度没有特别限制，例如优选30～50℃，更优选35～45℃。另外，线压没有特别限制，例如优选0.1～20kgf/cm，更优选1～10kgf/cm。然后，将胶粘薄膜上的隔片剥离，得到本实施方式的切割/芯片接合薄膜。

<半导体装置的制造方法>

本实施方式的半导体装置的制造方法中，预先准备经过第一固定工序和第一引线接合工序安装（固定）有至少一个第一半导体元件的被粘物（被粘物准备工序），将该第一半导体元件利用经过切割和拾取的胶粘薄膜在将前述第一半导体元件包埋的同时将与前述第一半导体元件不同的第二半导体元件固定到前述被粘物上。图3A～图3H分别为示意性地表示本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的一个工序的剖视图。

（第一固定工序）

如图3A所示，在第一固定工序中，将至少一个第一半导体元件11固定到被粘物1上。第一半导体元件11通过第一胶粘薄膜21固定到被粘物1上。图3A中，第一半导体元件11仅显示了一个，但是根据目标半导体装置的规格，也可以将两个、三个、四个或者五个以上的多个第一半导体元件11固定到被粘物1上。

（第一半导体元件）

作为第一半导体元件11，只要是俯视尺寸小于第二层层叠的半导体元件（第二半导体元件12；参见图3F）的元件则没有特别限制，可以优选使用例如作为半导体元件的一种的控制器、存储芯片或逻辑芯片。控制器控制层叠的各半导体元件的动作，因此一般连接有多条线。半导体封装的通信速度受线长的影响，本实施方式中第一半导体元件固定到被粘物1上，位于最下层，因此可以缩短线长，由此，即使增加半导体元件的层叠数也可以抑制半导体封装（半导体装置）的通信速度下降。

第一半导体元件11的厚度没有特别限制，但是多数情况下通常为100μm以下。另外，随着近年半导体封装的薄型化，逐渐使用75μm以下，进一步为50μm以下的第一半导体元件11。

（被粘物）

作为被粘物1，可以列举衬底、引线框、其它半导体元件等。作为衬底，可以使用印刷电路板等现有公知的衬底。另外，作为所述引线框，可以使用Cu引线框、42合金引线框等金属引线框或包含玻璃环氧、BT（双马来酰亚胺-三嗪）、聚酰亚胺等的有机衬底。但是，本实施方式不限于此，也包含安装半导体元件、与半导体元件电连接后可以使用的电路衬底。

（第一胶粘薄膜）

作为第一胶粘薄膜21，可以使用所述包埋用胶粘薄膜，也可以使用现有公知的半导体元件固定用的胶粘薄膜。其中，使用包埋用胶粘薄膜的情况下，第一胶粘薄膜21不需要包埋半导体元件，因此可以将厚度减薄为约5μm～约60μm使用。

（固定方法）

如图3A所示，通过第一胶粘薄膜21将第一半导体元件11芯片接合到被粘物1上。作为将第一半导体元件11固定到被粘物1上的方法，可以列举例如：将第一胶粘薄膜21层叠到被粘物1上，然后在该第一胶粘薄膜21上以引线接合面为上侧的方式层叠第一半导体元件11的方法。另外，也可以将预先粘贴有第一胶粘薄膜21的第一半导体元件11配置并层叠到被粘物1上。

第一胶粘薄膜21为半固化状态，因此将第一胶粘薄膜21载置到被粘物1上后，在规定条件下进行热处理，由此将第一胶粘薄膜21热固化，从而将第一半导体元件11固定到被粘物1上。进行热处理时的温度，优选在100℃～200℃下进行，更优选在120℃～180℃的范围内进行。另外，热处理时间优选进行0.25～10小时，更优选进行0.5～8小时。

（第一引线接合工序）

第一引线接合工序为用接合线31将被粘物1的端子部（例如内部引线）的前端与第一半导体元件11上的电极焊盘（未图示）电连接的工序（参见图3B）。作为接合线31，可以使用例如金线、铝线或铜线等。进行引线接合时的温度，在80～250℃、优选80～220℃的范围内进行。另外，其加热时间为进行数秒～数分钟。线连接通过在加热到所述温度范围内的状态下将超声波产生的振动能与加压产生的压接能组合使用来进行。

（晶片粘贴工序）

另外，如图3C所示，将半导体晶片2压接到切割/芯片接合薄膜10中的包埋用胶粘薄膜22上，将其胶粘保持而固定（粘贴工序）。本工序在利用压接辊等按压工具进行按压的同时进行。

（切割工序）

然后，如图3D所示，进行半导体晶片2的切割。由此，将半导体晶片2切割为预定尺寸而形成单片，制作半导体芯片12（切割工序）。切割例如按照常规方法从半导体晶片2的电路面一侧进行。另外，本工序中，例如，可以采用进行切入到切割薄膜5的称为全切割的切割方式等。作为本工序中使用的切割装置没有特别限制，可以采用现有公知的切割装置。另外，半导体晶片由切割/芯片接合薄膜10胶粘固定，因此可以抑制芯片缺损或芯片飞散，并且可以抑制半导体晶片2的破损。另外，使用包埋用胶粘薄膜22，因此可以防止切割后的再胶粘，可以良好地进行随后的拾取工序。

（拾取工序）

如图3E所示，为了剥离由切割/芯片接合薄膜10胶粘固定的半导体芯片12，进行包埋用胶粘薄膜22与半导体芯片12的拾取（拾取工序）。作为拾取方法没有特别限制，可以采用现有公知的各种方法。可以列举例如：用针将各个半导体芯片12从基材4一侧上推，利用拾取装置拾取上推的半导体芯片12的方法等。

在此，粘合剂层3为紫外线固化型的情况下，在对该粘合剂层3照射紫外线后进行拾取。由此，粘合剂层3对胶粘薄膜22的粘合力下降，半导体芯片12的剥离变得容易。结果，可以进行拾取而不损伤半导体芯片。紫外线照射时的照射强度、照射时间等条件没有特别限制，可以根据需要适当设定。另外，作为紫外线照射时使用的光源，可以使用高压汞灯、微波激发型灯、化学灯等。

（第二固定工序）

第二固定工序中，通过与第二半导体元件12一起拾取的包埋用胶粘薄膜22将独立地固定在被粘物1上的第一半导体元件11包埋的同时将与所述第一半导体元件11不同的第二半导体元件12固定到所述被粘物1上（参见图3F）。包埋用胶粘薄膜22具有比所述第一半导体元件11的厚度T₁厚的厚度T。本实施方式中，所述被粘物1与所述第一半导体元件11的电连接通过引线接合连接来实现，因此优选将所述厚度T与所述厚度T₁之差设定为40μm以上且260μm以下。所述厚度T与所述厚度T₁之差的下限优选为40μm以上，更优选为50μm以上，进一步优选60μm以上。另外，所述厚度T与所述厚度T₁之差的上限优选为260μm以下，更优选200μm以下，进一步优选150μm以下。由此，可以实现半导体装置整体的薄型化，并且可以在防止第一半导体元件11与第二半导体元件12接触的同时将第一半导体元件11整体包埋到包埋用胶粘薄膜22的内部，可以将作为控制器的第一半导体元件11固定（即，在线长最短的最下层固定）到被粘物1上。

包埋用胶粘薄膜22的厚度T可以考虑第一半导体元件11的厚度T₁以及线突出量适当设定以使得可以包埋第一半导体元件11，其下限优选为80μm以上，更优选100μm以上，进一步优选120μm以上。另一方面，厚度T的上限优选为300μm以下，更优选200μm以下，进一步优选150μm以下。通过如此使胶粘薄膜较厚，可以基本覆盖一般的控制器的厚度，并且可以容易地进行第一半导体元件11在包埋用胶粘薄膜22中的包埋。

（第二半导体元件）

作为第二半导体元件12，没有特别限制，例如可以使用受作为控制器的第一半导体元件11的动作控制的存储芯片。

（固定方法）

作为将第二半导体元件12固定到被粘物1上的方法，与第一固定工序同样地可以列举例如：将包埋用胶粘薄膜22层叠到被粘物1上后，在该包埋用胶粘薄膜22上以引线接合面为上侧的方式层叠第二半导体元件12的方法。另外，也可以将预先粘贴有包埋用胶粘薄膜22的第二半导体元件12配置和层叠到被粘物1上。

为了使第一半导体元件11容易进入并包埋在包埋用胶粘薄膜22中，在芯片接合时可以对包埋用胶粘薄膜22进行加热处理。作为加热温度，只要是包埋用胶粘薄膜22软化并且未完全热固化的温度即可，优选80℃以上且150℃以下，更优选100℃以上且130℃以下。此时，可以以0.1MPa以上且1.0MPa以下进行加压。

包埋用胶粘薄膜22为半固化状态，因此将包埋用胶粘薄膜22载置到被粘物1上后，在规定条件下进行热处理，由此将包埋用胶粘薄膜22热固化，从而将第二半导体元件12固定到被粘物1上。进行热处理时的温度，优选在100℃～200℃下进行，更优选在120℃～180℃的范围内进行。另外，热处理时间优选进行0.25～10小时，更优选进行0.5～8小时。

此时，热固化后的包埋用胶粘薄膜22对被粘物1的剪切胶粘力在25℃～250℃下优选为0.1MPa以上，更优选为0.2～10MPa。通过将包埋用胶粘薄膜22的剪切胶粘力调节为0.1MPa以上，可以抑制由于对第二半导体元件12的引线接合工序中的超声波振动或加热而造成包埋用胶粘薄膜22与第二半导体元件12或被粘物1的胶粘面上产生剪切变形。即，可以抑制由于引线接合时的超声波振动而造成的第二半导体元件12的活动，由此可以防止引线接合成功率的下降。

（第三固定工序）

第三固定工序中，在所述第二半导体元件12上固定与该第二半导体元件同种或不同种的第三半导体元件13（参见图3G）。第三半导体元件13通过第三胶粘薄膜23固定到第二半导体元件12上。

（第三半导体元件）

第三半导体元件13可以为与第二半导体元件12同种的存储芯片或与第二半导体元件12不同种的存储芯片。第三半导体元件13的厚度也可以根据目标半导体装置的规格适当设定。

（第三胶粘薄膜）

作为第三胶粘薄膜23，可以优选使用与第一固定工序中的第一胶粘薄膜21同样的胶粘薄膜。使用包埋用胶粘薄膜22作为第三胶粘薄膜23时，不需要包埋其它半导体元件，因此可以将厚度减薄为约5μm～约60μm使用。

（固定方法）

如图3G所示，通过第三胶粘薄膜23将第三半导体元件13芯片接合到第二半导体元件12上。作为将第三半导体元件13固定到第二半导体元件12上的方法，可以列举例如：将第三胶粘薄膜23层叠到第二半导体元件12上后，在该第三胶粘薄膜23上以引线接合面为上侧的方式层叠第三半导体元件13的方法。另外，也可以将预先粘贴有第三胶粘薄膜23的第三半导体元件13配置和层叠到第二半导体元件12上。其中，为了后述的第二半导体元件12与第三半导体元件13之间的引线接合，有时将第三半导体元件13相对于第二半导体元件12偏移进行固定，以避开第二半导体元件12的引线接合面（上表面）的电极焊盘。此时，先将第三胶粘薄膜13粘贴到第二半导体元件12的上表面时，有可能第三胶粘薄膜23从第二半导体元件12的上面突出的部分（所谓的突出部分（オーバーハング部））弯曲而附着到第二半导体元件12的侧面或包埋用胶粘薄膜22的侧面，从而产生预料不到的故障。因此，在第三固定工序中，优选预先将第三胶粘薄膜23粘贴到第三半导体元件13上，并将其配置和层叠到第二半导体元件12上。

第三胶粘薄膜23也是半固化状态，因此在将第三胶粘薄膜23载置到第二半导体元件12上后，在规定条件下进行热处理，由此将第三胶粘薄膜23热固化，从而将第三半导体元件13固定到第二半导体元件12上。另外，考虑第三胶粘薄膜23的弹性模量或工艺效率，也可以不进行热处理而固定第三半导体元件13。进行热处理时的温度，优选在100～200℃下进行，更优选在120℃～180℃的范围内进行。另外，热处理时间优选进行0.25～10小时，更优选进行0.5～8小时。

（第二引线接合工序）

第二引线接合工序是用接合线32将第二半导体元件12上的电极焊盘（未图示）与第三半导体元件13上的电极焊盘（未图示）电连接的工序（参见图3H）。线的材料或引线接合条件可以优选采用与第一引线接合工序同样的材料或条件。

（半导体装置）

通过以上的工序，可以制造三个半导体元件通过规定的胶粘薄膜多层层叠而成的半导体装置100。另外，通过重复与第三固定工序和第二引线接合工序同样的过程，可以制造四个以上的半导体元件层叠而成的半导体装置。

（密封工序）

在将所需数目的半导体元件层叠后，可以进行将半导体装置100整体树脂密封的密封工序。密封工序是利用密封树脂将半导体装置100密封的工序（未图示）。本工序为了保护搭载在被粘物上1的半导体元件或接合线而进行。本工序例如可以通过用模具将密封用的树脂成型来进行。作为密封树脂，例如可以使用环氧树脂。树脂密封时的加热温度通常在175℃下进行60～90秒，但是本实施方式不限于此，例如也可以在165～185℃下进行数几分钟固化。另外，本工序中，树脂密封时可以加压。此时，加压的压力优选为1～15MPa，更优选为3～10MPa。

（后固化工序）

本实施方式中，在密封工序后，可以进行将密封树脂后固化的后固化工序。本工序中，将在所述密封工序中固化不充分的密封树脂完全固化。本工序中的加热温度，根据密封树脂的种类而不同，例如在165℃～185℃的范围内，加热时间为约0.5小时～约8小时。通过经由密封工序或后固化工序，可以制作半导体封装。

[第二实施方式]

第一实施方式中，第一半导体元件在被粘物上的固定通过胶粘薄膜进行，两者间的电连接通过引线接合实现，但是，在第二实施方式中，通过使用设置在第一半导体元件上的突起电极的倒装连接实现两者间的固定及电连接。因此，第二实施方式仅第一固定工序中的固定方式与第一实施方式不同，因此以下主要对该不同点进行说明。

（第一固定工序）

本实施方式中，在所述第一固定工序中，通过倒装连接将第一半导体元件41固定到被粘物1上（参见图4A）。倒装连接为第一半导体元件41的电路面与被粘物1相对的所谓的面朝下（face down）安装。第一半导体元件41上设置有多个凸块等突起电极43，突起电极43与被粘物1上的电极（未图示）连接。另外，在被粘物1与第一半导体元件41之间，为了缓和两者间的热膨胀率之差或者保护两者间的空间，填充底部填充材料4。

作为连接方法，没有特别限制，可以利用现有公知的倒装芯片接合机连接。例如，使在第一半导体元件41上形成的凸块等突起电极43接触并按压被粘物1的连接焊盘上沉积的接合用的导电材料（焊料等）的同时使导电材料熔融，由此可以确保第一半导体元件41与被粘物1的电导通，可以将第一半导体元件41固定到被粘物1上（倒装接合）。一般而言，倒装连接时的加热条件为240～300℃，加压条件为0.5～490N。

作为形成凸块作为突起电极43时的材质，没有特别限制，可以列举例如：锡-铅基金属材料、锡-银基金属材料、锡-银-铜基金属材料、锡-锌基金属材料、锡-锌-铋基金属材料等焊料类（合金）、金基金属材料、铜基金属材料等。

作为底部填充材料4，可以使用现有公知的液状或薄膜状的底部填充材料。

（第二固定工序）

在第二固定工序中，与第一实施方式同样地，利用包埋用胶粘薄膜22将所述第一半导体元件41包埋的同时将与所述第一半导体元件41不同的第二半导体元件12固定到所述被粘物1上（参见图4B）。本工序中的条件与第一实施方式中的第二固定工序同样。

包埋用胶粘薄膜22具有比所述第一半导体元件41的厚度T₁厚的厚度T。本实施方式中，所述被粘物1与所述第一半导体元件41进行倒装连接，因此所述厚度T与所述厚度T₁之差优选为10μm以上且200μm以下。所述厚度T与所述厚度T₁之差的下限优选为10μm以上，更优选为20μm以上，进一步优选30μm以上。另外，所述厚度T与所述厚度T₁之差的上限优选为200μm以下，更优选150μm以下，进一步优选100μm以下。通过这样的构成，可以实现半导体装置整体的薄型化，同时可以在防止第一半导体元件41与第二半导体元件12接触的同时将第一半导体元件41整体包埋到包埋用胶粘薄膜22的内部，可以将作为控制器的第一半导体元件41固定（即，在通信路径长度最短的最下层固定）到被粘物1上。

包埋用胶粘薄膜22的厚度T可以考虑第一半导体元件41的厚度T₁以及突起电极的高度适当设定以使得可以包埋第一半导体元件41，其下限优选为50μm以上，更优选60μm以上，进一步优选70μm以上。另一方面，厚度T的上限优选为250μm以下，更优选200μm以下，进一步优选150μm以下。通过如此使包埋用胶粘薄膜22较厚，可以基本覆盖一般的控制器的厚度，可以容易地进行第一半导体元件41在包埋用胶粘薄膜22中的包埋。

接着，与第一实施方式同样地经由在第二半导体元件12上固定与该第二半导体元件12同种或不同种的第三半导体元件13的第三固定工序（参见图4C）、以及利用接合线32将所述第二半导体元件12与所述第三半导体元件13电连接的引线接合工序（参见图4D），由此可以制作控制器层叠在最下层，在其上方层叠有多层半导体元件的半导体装置200。

（其它实施方式）

在第一实施方式中，经过使用切割/芯片接合薄膜的切割工序和拾取工序制作第二半导体元件12。另外，第一半导体元件11同样地也可以使用切割/芯片接合薄膜制作。此时，独立地准备用于切出第一半导体元件11的半导体晶片，然后经过上述晶片粘贴工序、切割工序、拾取工序，可以将第一半导体元件11固定到被粘物1上。第三半导体元件13以及其更上层层叠的半导体元件也可以同样地制作。

将半导体元件在被粘物上三维安装时，可以在半导体元件的形成电路的面侧形成缓冲涂膜。作为该缓冲涂膜，可以列举例如氮化硅膜或包含聚酰亚胺树脂等耐热树脂的缓冲涂膜。

各实施方式中，对于每当层叠第二半导体元件以后的半导体元件时都进行引线接合工序的方式进行了说明，但是，也可以在将多个半导体元件层叠后，统一进行引线接合工序。另外，关于第一半导体元件，利用包埋用胶粘薄膜进行了包埋，因此不能作为统一引线接合的对象。

作为倒装连接的方式，不限于利用第二实施方式中说明的作为突起电极的凸块进行的连接，也可以采用利用导电性胶粘剂组合物的连接、利用凸块与导电性胶粘剂组合物的组合而成的突起结构的连接等。另外，本发明中，只要是第一半导体元件的电路面与被粘物面对进行连接的面朝下安装，则即使突起电极或突起结构等连接方式的不同，也可以称为倒装连接。作为导电性胶粘剂组合物，可以使用环氧树脂等热固性树脂中混合有金、银、铜等导电性填料的现有公知的导电浆等。使用导电性胶粘剂组合物时，在将第一半导体元件搭载到被粘物上后，在80℃～150℃进行约0.5小时～约10小时热固化处理，由此可以将第一半导体元件固定。

实施例

以下，对本发明的优选实施例进行例示性的详细说明，但是，该实施例中记载的材料、配合量等，除非另有特别限定，则并无意将本发明的范围仅限定于此，不过是单纯的说明例。

[实施例1～8和比较例1～7]

（胶粘薄膜的制作）

以表1所示的比例将丙烯酸类树脂、环氧树脂A、环氧树脂B、酚醛树脂、二氧化硅以及热固化催化剂溶解到甲乙酮中，制备浓度40～50重量%的胶粘剂组合物溶液。

将该胶粘剂组合物涂布到作为剥离衬垫的、经过聚硅氧烷剥离处理的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜上，然后在130℃干燥2分钟，由此制作分别具有下述表1所示的厚度的胶粘薄膜。

另外，下述表1中的缩略符号和成分的详细说明如下所述。

丙烯酸类树脂：ナガセケムテックス公司制造的SG-700AS

环氧树脂A：东京化成株式会社制造的KI-3000

环氧树脂B：三菱化学株式会社制造的JER828

酚醛树脂：明和化成株式会社制造的MEH-7851SS

二氧化硅：アドマテックス公司制造的SE-2050MC

热固化催化剂：北兴化学株式会社制造的TPP-K

（粘着强度的测定）

对于各实施例和比较例中制作的热固化前的各胶粘薄膜，使用动态粘弹性试验装置（T.A.Instruments株式会社制造）通过压缩法测定40℃下对SUS板（SUS304）的粘着强度。将各实施例或比较例中制作的胶粘薄膜（长20mm×宽20mm）设置到装置中，在测定温度40℃、测定夹具直径8mmφ、负荷100g、压制时间2秒、测定速度100mm/分钟的条件下测定粘着强度。结果如表1所示。

（熔融粘度的测定）

对于各实施例和比较例中制作的热固化前的各胶粘薄膜，分别测定120℃下的熔融粘度。即，使用流变仪(HAAKE公司制，RS-1)通过平行板法进行测定。从各实施例或比较例中制作的胶粘薄膜中取0.1g的试样，将其投入到预先在120℃加热的板上。然后，将测定开始300秒后的值作为熔融粘度。板间的间隙设定为0.1mm。结果如下表1所示。

（储能弹性模量的测定）

对于各实施例和比较例中制作的热固化前的各胶粘薄膜，使用粘弹性测定装置（Rheometrics公司制造，型号：RSA-II）测定25℃下的储能弹性模量。更具体地，将制作的胶粘薄膜切割而将试样尺寸设定为长30mm×宽10mm，将测定试样安置到薄膜拉伸测定用夹具上，在-30℃～280℃的温度范围内，在频率10.0Hz、应变0.025%、升温速度10℃/分钟的条件下进行测定。结果如表1所示。

（切割薄膜的制作）

作为基材，准备厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜（PET薄膜）。

在具有冷凝管、氮气引入管、温度计和搅拌装置的反应容器中投入86.4份丙烯酸2-乙基己酯（以下也称为“2EHA”）、13.6份丙烯酸2-羟基乙酯（以下也称为“HEA”）、0.2份过氧化苯甲酰以及65份甲苯，在氮气流中在61℃进行6小时聚合处理，得到丙烯酸类聚合物A。

在丙烯酸类聚合物A中添加14.6份2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯（以下也称为“MOI”），在空气流中在50℃进行48小时加成反应处理，得到丙烯酸类聚合物A’。

然后，相对于丙烯酸类聚合物A’100份，添加8份多异氰酸酯化合物（商品名“コロネートL”，日本聚氨酯株式会社制造）和5份光聚合引发剂（商品名“Irgacure 651”，汽巴特殊化学品公司制造），得到粘合剂组合物溶液。

在准备的上述基材上涂布所得到的粘合剂组合物溶液并干燥而形成厚度30μm的粘合剂层，由此得到切割薄膜。

（切割/芯片接合薄膜的制作）

将各实施例和比较例中制作的胶粘薄膜转印到上述的切割薄膜的粘合剂层上，得到切割/芯片接合薄膜。另外，层压的条件如下所述。

<层压条件>

层压机装置：辊层压机

层压速度：1mm/分钟

层压压力：0.5MPa

层压机温度：室温（23℃）

（控制器安装衬底的制作）

以厚度10μm制作实施例1的组成的胶粘薄膜，将其作为控制器芯片用的胶粘薄膜。将其在温度40℃的条件下，粘贴到2mm见方、厚度50μm的控制器芯片上。再通过胶粘薄膜将半导体芯片胶粘到BGA衬底上。此时的条件为温度120℃、压力0.1MPa、1秒。另外，将胶粘有控制器芯片的BGA衬底在干燥机中在130℃热处理4小时，使胶粘薄膜固化。

然后，使用引线接合机（株式会社新川制造，商品名“UTC-1000”），在以下的条件下对控制器芯片进行引线接合。由此，得到在BGA衬底上安装有控制器芯片的控制器安装衬底。

<引线接合条件>

温度：175℃

金线：23μm

S-水平（S-LEVEL）：50μm

S-速度（S-SPEED）：10mm/s

时间：15毫秒

超声波功率（US-POWER）：100

压力（FORCE）：20gf

S-压力（S-FORCE）：15gf

线距：100μm

线圈高度：30μm

（半导体装置的制作）

另外，使用上述切割/芯片接合薄膜，根据以下的要点实际进行半导体晶片的切割后，经过半导体芯片的拾取制作半导体装置，并且评价此时的拾取性能以及包埋/固定性。

在单面带有凸块的硅晶片的与电路面相反侧的面上，以胶粘薄膜作为粘贴面粘贴实施例和比较例的切割/芯片接合薄膜。作为单面带有凸块的硅晶片，使用以下的硅晶片。另外，粘贴条件如下所述。

<单面带有凸块的硅晶片>

硅晶片厚度：100μm

低介电常数材料层的材质：SiN膜

低介电常数材料层的厚度：0.3μm

凸块的高度：60μm

凸块的间距：150μm

凸块的材质：焊料

<粘贴条件>

粘贴装置：DR-3000II（日东精机株式会社制造）

层压速度：0.1mm/分钟

层压压力：0.5MPa

层压机温度：75℃

粘贴后，在下述条件下进行切割。另外，切割以得到10mm见方的芯片尺寸的方式进行全切割。

<切割条件>

切割装置：商品名“DFD-6361”、ディスコ公司制造

切割环：“2-8-1”（ディスコ公司制造）

切割速度：30mm/秒

切割刀片：

Z1；ディスコ公司制造的“203O-SE 27HCDD”

Z2；ディスコ公司制造的“203O-SE 27HCBB”

切割刀片转速：

Z1；40000rpm

Z2；45000rpm

切割方式：分段切割

晶片芯片尺寸：10.0mm见方

然后，从基材侧照射紫外线，使粘合剂层固化。紫外线照射中使用紫外线照射装置（制品名：UM810，制造商：日东精机株式会社），紫外线照射量为400mJ/cm²。

然后，通过从各切割薄膜的基材侧用针上推的方式，拾取胶粘薄膜与半导体芯片的层叠体。拾取条件如下所述。

<拾取条件>

芯片接合装置：株式会社新川制造，装置名：SPA-300

针根数：9根

针上推量：350μm（0.35mm）

针上推速度：5mm/秒

吸附保持时间：80毫秒

（拾取性能评价）

拾取100个层叠体，将一次拾取不良也未发生的情况评价为“○”、将即使产生一次拾取不良的情况评价为“×”。结果如表1所示。

接着，利用拾取的层叠体的胶粘薄膜包埋控制器安装衬底的控制器芯片的同时将半导体芯片胶粘到BGA衬底上。此时的胶粘条件为120℃、压力0.1MPa、2秒。另外，将胶粘有半导体芯片的BGA衬底在干燥机中在130℃热处理4小时，使胶粘薄膜热固化，从而制作半导体装置。

（包埋/固定性评价）

胶粘薄膜的厚度T（μm）与控制器芯片的厚度T₁（μm）之差如下表1所示。另外，将制作的半导体装置在通过控制器芯片固定位置的中心的位置处切断，使用光学显微镜（200倍）观察切断面，将控制器芯片上未产生问题而固定半导体芯片的情况评价为“○”，将不能包埋控制器芯片、胶粘薄膜与衬底的界面处确认10%以上的空隙的情况、或者胶粘薄膜的厚度不均匀的情况均评价为“×”。另外，关于空隙，使用图像处理装置（株式会社日立工程服务公司制造，商品名“FineSATFS300III”），作为所观察到的空隙在将半导体芯片包埋的同时胶粘薄膜与衬底完全粘贴时的胶粘薄膜与衬底的接触面积（半导体芯片面积除外）中所占的面积比例（%）求出。结果如下表1所示。

根据具有实施例的胶粘薄膜的切割/芯片接合薄膜，可以抑制切割后的胶粘薄膜的再胶粘，可以发挥良好的拾取性能。另外，使用实施例的胶粘薄膜制作的半导体装置，控制器芯片的包埋和半导体芯片的固定可以良好地进行。另一方面，具有比较例1～7的胶粘薄膜的切割/芯片接合薄膜，由于产生切割后胶粘薄膜的再胶粘，拾取性能大幅下降。另外，使用在比较例4和5中拾取的层叠体制作的半导体装置，不能包埋控制器芯片，确认有空隙。认为这是由于胶粘薄膜的熔融粘度过高，半导体芯片的包埋不充分而造成的。另外，使用比较例6和7拾取的层叠体制作的半导体装置，确认有空隙或包埋后胶粘薄膜的厚度不均匀。认为这是由于胶粘薄膜薄，不能充分地填充控制器芯片与半导体芯片的间隙而造成的。另外，本实施例中，虽然控制器芯片与BGA衬底的电连接利用引线接合实现，但是推测通过倒装连接进行的固定也可以得到同样的结果。

Claims (9)

1.一种胶粘薄膜，其为用于将固定在被粘物上的第一半导体元件包埋并且将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定到被粘物上的胶粘薄膜，其中，

40℃下对SUS的粘着强度为0.2MPa以下。

2.如权利要求1所述的胶粘薄膜，其中，120℃下的熔融粘度为100Pa·s以上且3000Pa·s以下。

3.如权利要求1所述的胶粘薄膜，其中，热固化前25℃下的储能弹性模量为10MPa以上且10000MPa以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的胶粘薄膜，其中，含有无机填充剂，该无机填充剂的含量为25～80重量%。

5.一种切割/芯片接合薄膜，其具有

切割薄膜，所述切割薄膜具有基材以及在该基材上形成的粘合剂层，和

权利要求1～4中任一项所述的胶粘薄膜，所述胶粘薄膜层叠在所述粘合剂层上。

6.一种半导体装置的制造方法，其包括：

被粘物准备工序，准备固定有第一半导体元件的被粘物，

贴合工序，将权利要求5所述的切割/芯片接合薄膜的胶粘薄膜与半导体晶片贴合，

切割工序，将所述半导体晶片及胶粘薄膜切割而形成第二半导体元件，

拾取工序，将所述第二半导体元件与所述胶粘薄膜一起拾取，和

固定工序，利用与所述第二半导体元件一起拾取的胶粘薄膜，将固定在所述被粘物上的所述第一半导体元件包埋的同时将所述第二半导体元件固定到该被粘物上。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述胶粘薄膜具有比所述第一半导体元件的厚度T₁厚的厚度T，

所述被粘物与所述第一半导体元件通过引线接合法连接，并且所述厚度T与所述厚度T₁之差为40μm以上且260μm以下。

8.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述胶粘薄膜具有比所述第一半导体元件的厚度T₁厚的厚度T，

所述被粘物与所述第一半导体元件通过倒装法连接，并且所述厚度T与所述厚度T₁之差为10μm以上且200μm以下。

9.通过权利要求6～8中任一项所述的半导体装置的制造方法得到的半导体装置。