JP2010111915A - スパッタ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面上にターゲットを配置するバッキングプレートの裏面側に、磁石構成体10を揺動可能に配設してカソード電極とし、磁石構成体10は、一定幅W1の棒状の中心磁石2と、中心磁石2を囲むように配置された一定幅W2の略楕円形状の周囲磁石3と、両磁石によってターゲット表面に生じる磁界を局部的に弱くするシャント4とを有し、シャント4は、中心磁石2をその長さ方向に周囲磁石3まで延ばしたと仮想した場合に占有する領域FE0内に埋め込み配置されている。
【選択図】図1
Description
図1は本発明の実施の形態1のスパッタ装置においての磁石構成体の構成例を説明する平面図である。図1の磁石構成体10は、基板1上に、中心磁石2と、周囲磁石3と、シャント4とを配置したものである。
中心磁石2は、Y方向を長手方向とする一定幅W1の棒磁石である。また、周囲磁石3は、中心磁石2から離間して、この中心磁石2を平面において囲むように配置された、一定幅W2の略楕円形の磁石である。この周囲磁石3は、中心磁石2の長さ方向に沿って配置された長辺部3aと、中心磁石2の長さ方向の端面2aに向き合って配置された短辺部3bと、これら長辺部3aおよび短辺部3bをつなぐ斜辺部3cとによって構成された環状の磁石(環磁石)である。
シャント4は、中心磁石2を、幅W1のまま、その長さ方向に周囲磁石3に当接するまで延ばしたと仮想したときにその仮想的に延ばした部分が占有する領域(以下、中心磁石仮想延設領域とも言う)FE0内に埋め込まれている(配置されている)。このシャント4は、その配置領域内において、両磁石によってターゲットに局部的に生じる磁界を弱くする働きをする。シャント4には、高透磁率の材料を使用することが望ましい。
図6は本発明の実施の形態1のスパッタ装置においての磁石構成体の構成例を説明する平面図である。なお、図6において、図1と同様のものには同じ符号を付してある。図6の磁石構成体60は、基板1上に、中心磁石6と、周囲磁石7と、シャント8とを配置したものである。
中心磁石6は、Y方向を長手方向とする一定幅W1の棒磁石である。この中心磁石6の端面6aの両角に面取り部6bを設けたものである。つまり、中心磁石6は、上記実施の形態1の中心磁石2(図1参照)において、長さ方向の端面角部を面取りしたものである。
周囲磁石7は、中心磁石6から離間して、この中心磁石6を平面において囲むように配置された、一定幅W2の略楕円形の磁石である。この周囲磁石7は、中心磁石6の長さ方向に沿って配置された長辺部7aと、2つの長辺部7aをつなぐ円弧部7bとによって構成された環状の磁石(環磁石)である。つまり、周囲磁石7は、上記実施の形態1の周囲磁石3(図1参照)において、短辺部3bおよび斜辺部3cを円弧部7bとしたものである。
シャント8は、中心磁石6を、幅W1のまま、その長さ方向に周囲磁石3の円弧部3aに当接するまで延ばしたと仮想したときにその仮想的に延ばした部分が占有する領域FE0内に埋め込まれている(配置されている)。つまり、シャント8は、上記実施の形態1のシャント4において、中心磁石6の面取り部6bにより空いた領域内にもシャントを埋め込んだものである。
図7はターゲット表面に生じる磁界をシミュレーションした本発明の実施例1の特性図である。この実施例1は、上記実施の形態2の磁石構成体60を用いたカソード電極について、ターゲットの表面に生じる磁界においての垂直磁界成分0の位置をシミュレーションしたものである。
図8はターゲット表面に生じる磁界をシミュレーションした本発明の実施例2の特性図である。この実施例2のシミュレーション設定は、上記実施例1のシミュレーション設定において、シャント8の厚さ寸法を17mmに変更したものである。
図9はターゲット表面に生じる磁界をシミュレーションした比較例の特性図である。この比較例のシミュレーション設定は、上記実施例1のシミュレーション設定において、シャント8を設けないように変更したものである。
Claims (4)
- 表面上にターゲットを配置するバッキングプレートの裏面側に、磁石構成体を揺動可能に配設してカソード電極としたスパッタ装置において、
前記磁石構成体は、
一定幅の棒状の中心磁石と、
前記中心磁石から離間して前記中心磁石を平面において囲むように配置された一定幅の略楕円形状の周囲磁石と、
前記両磁石によって前記ターゲット表面に生じる磁界を局部的に弱くするシャントと
を有し、
前記シャントの一部または全体が、前記中心磁石をその長さ方向に前記周囲磁石まで延ばしたと仮想した場合に占有する領域内の一部もしくは全体に埋め込み配置されていることを特徴とするスパッタ装置。 - 前記シャントは、前記中心磁石をその長さ方向に前記周囲磁石まで延ばしたと仮想した場合に占有する領域内に加え、この領域と、前記中心磁石の2つの長辺端部を通って前記周囲磁石まで延ばした直線とによって囲まれた領域内にも埋め込み配置されていることを特徴とする請求項1に記載のスパッタ装置。
- 前記シャントを配置する領域が、有効成膜領域外であることを特徴とする請求項1または2に記載のスパッタ装置。
- 前記シャントは、とりはずし可能に前記磁石構成体に設けられており、
前記磁石構成体を揺動させて成膜する場合には前記シャントを設けて成膜し、前記磁石構成体を固定して成膜する場合には前記シャントをとりはずして成膜することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のスパッタ装置。
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JP2016160522A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 日立金属株式会社 | ターゲット |
CN106399958A (zh) * | 2016-05-27 | 2017-02-15 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种用于金属镀膜的矩形磁控溅射靶 |
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2008
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