TWI396762B - A magnet structure and a cathode electrode unit for magnetron sputtering apparatus, and a magnetron sputtering apparatus - Google Patents

A magnet structure and a cathode electrode unit for magnetron sputtering apparatus, and a magnetron sputtering apparatus Download PDF

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TWI396762B TW095140727A TW95140727A TWI396762B TW I396762 B TWI396762 B TW I396762B TW 095140727 A TW095140727 A TW 095140727A TW 95140727 A TW95140727 A TW 95140727A TW I396762 B TWI396762 B TW I396762B
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Description

磁控濺鍍裝置用之磁鐵構造體及陰極電極單元、以及磁控濺鍍裝置
本發明係有關磁控濺鍍裝置用之磁鐵構造體及陰極電極單元、以及磁控濺鍍裝置(下稱「磁鐵構造體」)，更詳而言之，其係有關以提高靶材利用效率為目的之磁控濺鍍的磁鐵構造體等的改良技術。
以往周知有利用濺鍍現象的成膜方法，於真空中離子(例如氬離子)撞擊靶材，藉此使靶材的原子飛出，將此原子附著於與靶材對向配置的基板。
由於在屬於此種濺鍍現象之一方法的磁控濺鍍成膜法中，可於靶材表面(與基板對向的表面)上形成既定磁通密度以上的隧道狀漏磁場，故藉由以洛倫茲(Lorentz)力捕捉在濺鍍現象過程中發生的二次電子並使其進行擺線(cycloid)運動，可增加氬氣間的離子化碰撞頻度，藉此，可於靶材表面附近空間形成高密度電漿，達到成膜速度的高速化。
然而，此種磁控濺鍍成膜法，具有磁場強的靶材會因濺鍍而局部很快削蝕，從而造成靶材面內的濺鍍量不均，靶材的利用率劣化的缺點，習知已開發用來彌補此種缺點的各種技術。
例如，已提出一種磁鐵構造體的驅動機構(參考專利文獻1)，使包含上述漏磁場形成用複數磁鐵、軛及各種連結構件的磁氣裝置(磁鐵構造體)全體，沿靶材表面的面方向搖動。
依此種驅動機構，由於沿靶材背面內部朝面方向移動磁鐵，故可與此磁鐵的移動連動，改變靶材表面上的磁力線分布，結果，靶材表面上的腐蝕促進區域時時刻刻週期地變化，可謀求濺鍍時靶材表面的均一腐蝕。
專利文獻1：日本特開平4－329874號公報(第3圖)
然而，專利文獻1所記載的磁鐵構造體的驅動機構含有須驅動磁鐵構造體全體，因而導致驅動機構的複雜化且大型化的缺點。
本發明係有鑑於此情事而完成者，其目的在於提供一種磁鐵構造體等，不會搖動磁鐵構造體全體，藉簡易驅動機構，隨著時間經過而改變靶材表面上的磁力線分布，以謀求靶材的廣蝕化。
為達成上述目的，本發明磁控濺鍍裝置用之磁鐵構造體具備：主磁鐵，配置於靶材的背面側以形成到達靶材表面的主磁力線；校正磁鐵，配置於靶材的背面側以形成改變主磁力線的磁通密度分布的該校正磁力線；校正磁力線之磁路，配置於靶材的背面側；以及磁場校正機構，可改變貫穿該磁路內部的校正磁力線的強度。
藉此種構成，不會搖動磁鐵構造體全體，利用簡易驅動機構，隨著時間經過而改變貫穿磁路內部的校正磁力線的強度，進而，例如每隔既定週期改變靶材表面上的主磁力線分布(磁通密度分布)，以謀求靶材的廣蝕化。
該磁場校正機構之一例子具備：可動體，由在與該校正磁鐵間位於既定設定位置的磁性材料構成；以及驅動裝置，用以驅動該可動體以改變該設定位置。
藉此種構成，可實現週期地僅作動磁鐵構造體之一構件的可動體之簡易驅動機構。
又，在此，亦可具備由保持該主磁鐵的磁性材料構成的板狀基材，該磁路含有該基材。若如此，即可有效活用基材作為導引校正磁力線的磁路。
此種基材亦可例如由一對內外部基材構成，使該校正磁鐵的磁矩方向與該內外部基材的面方向並行，該校正磁鐵被該內外部基材所挾持。
又，該可動體之一例子係與該校正磁鐵的背面側對向配置的板構件。
若如此，藉由適當空隙(空間)存在於校正磁鐵的背面側，可期待能容易改變可動體與校正磁鐵間的距離。
又在此，該磁路包含向該靶材背面突出的由磁性構件構成的凸部，該凸部形成跨該校正磁鐵狀，該凸部的各兩端面連接於該內外部基材。此種凸部之一例子係彎曲成拱形的構件。
在此，本發明之磁控濺鍍裝置用之陰極電極單元，具備：靶材，由非磁性金屬構成；上述任一項之磁鐵構造體，配置於該靶材背面側；以及電力源，用以對該靶材供應既定電力。
又，本發明之磁控濺鍍裝置，具備內部可減壓的真空槽，其收容有上述陰極電極單元以及與該陰極電極單元的該靶材對向的基板。
本發明之上述目的、其他目的、特徵及優點可在參考附圖下，由較佳實施形樣的詳細說明明瞭。
依本發明，可獲得磁鐵構造體等，不會搖動磁鐵構造體全體，藉簡易驅動機構，隨著時間經過而改變靶材表面上的磁力線分布，以謀求靶材的廣蝕化。
以下邊參考圖式，邊說明本發明之較佳實施形態。
第1圖係含本發明之實施形態的磁鐵構造體(磁場形成機構)之陰極電極單元的俯視圖。
又，第2圖係沿第1圖的II－II截面線部分的陰極電極單元的立體圖。
且於第1圖中，為使圖式簡化起見，僅圖示磁鐵構造體110的磁鐵截面。
又，為方便起見，於第1圖及第2圖中(第3圖亦相同)，以靶材20的寬度方向為X方向，以靶材20的厚度方向為Y方向，說明陰極電極單元100的各構成構件。
進而，第2圖的磁鐵構造體110的各構成構件的深度(垂直於X方向及Y方向的方向)雖以在既定厚度上區分的形態表示，惟此等構成構件實際上以相同截面形狀沿深度方向延伸構成，其可藉由參考第1圖而容易理解。
如第2圖所示，本實施形態的陰極電極單元100具備：矩形靶材20，主要由鋁(Al)等非磁性金屬構成；以及磁鐵構造體110，配置於此靶材20的背面20B側，具有複數磁鐵。
靶材20係用以被覆於與其對向配置的基板(未圖示)之薄膜母材，基於吸引電漿中氬離子(電漿離子)的目的，藉電力源V1供電，使其成為陰極(cathode)。
又，在此，收容有陰極電極單元100及基板且內部可減壓的磁控濺鍍裝置用之真空槽(未圖示)作為陽極(anode)而接地。
又，於濺鍍現象的過程中，藉電漿封入用之隧道狀漏磁場，於靶材20的表面附近形成含氬離子的高密度電漿，另外，藉此氬離子的撞擊能量，自靶材表面撞擊出靶材20的構成原子(在此為鋁原子)，且將所撞擊出之離子堆積於基板上的此種技術業已周知，在此省略詳細說明。
如第2圖所示，磁鐵構造體110具有由強磁性不銹鋼或鐵製作的一對外部基材21A及內部基材21B。
外部基材21A係區分成，由俯視呈與靶材20的外部尺寸大致同大小的外周面，以及供板狀且橢圓環形的中間永久磁鐵11(後述)嵌入而與其外部尺寸大致同大小的內周面區分，結果，形成具有橢圓孔的環形且板狀的形態。
又，內部基材21B以俯視呈嵌入中間永久磁鐵11的橢圓孔般，形成橢圓板狀的形態。
又，在此，於此等內外部基材21A、21B各基材上，在靶材20的表面20A附近的上方空間配置產生封入電漿用之隧道狀漏磁場的磁鐵或磁性構件(詳細說明於後)。
又，磁鐵構造體110之各構成構件(內外部基材21A、21B、磁鐵及磁性構件)、靶材20，實際上藉適當固定機構一體固定，在此，省略此固定機構的圖示及說明。
就磁鐵構造體110的第1主磁鐵而言，在靶材20的背面20B側，如第1圖及第2圖所示，位於靶材20的寬度方向(X方向)的中央部的大致長方形中央部永久磁鐵10(內部磁鐵)係配置成，俯視呈該磁鐵10的長邊方向中心線與靶材20的長邊方向中心線一致的棒狀形態，配置於載置在第2圖所示內部基材21B上的第1基片22上面。
如第2圖所示，此中央部永久磁鐵10具有沿與Y方向相反方向(自靶材20的表面20A朝背面20B的方向)形成中央部永久磁鐵10內的磁矩方向的N極及S極，中央部永久磁鐵10的N極側抵接於靶材20的背面20B的中央部，中央部永久磁鐵10的S極側抵接於由磁性材料(例如強磁性不銹鋼或鐵)製成的第1基片22的上面，並經由此第1基片22而與上述內部基材21B的中央部對向。
就磁鐵構造體110的第2主磁鐵而言，在靶材20的背面20B側，如第1圖及第2圖所示位於靶材20的寬度方向(X方向)的端部附近內側的大致橢圓筒形最外部永久磁鐵13(外部磁鐵)係配置成，俯視呈沿靶材20的端部周圍的環狀形態，配置於載置在第2圖所示外部基材21A上的第2基片23上面。
如第2圖所示，此最外部永久磁鐵13具有沿Y方向(自靶材20的背面20B朝表面20A的方向)形成最外部永久磁鐵13內的磁矩方向的N極及S極，最外部永久磁鐵13的S極側抵接於靶材20的背面20B的周邊部，最外部永久磁鐵13的N極側抵接於由磁性材料(例如強磁性不銹鋼或鐵)製成的第2基片23的上面，經由此第2基片23而與上述外部基材21A的周邊部對向。
就磁鐵構造體110的校正磁鐵而言，在靶材20的背面20B側，如第1圖及第2圖所示位於中央部永久磁鐵10與最外部永久磁鐵13間的X方向大致中央，俯視呈橢圓環形且板狀的中間永久磁鐵11被內外部基材21A、21B所挾持。
又，在此，如第2圖所示，由於中間永久磁鐵11的厚度形成大致與內外部基材21A、21B相同，於中間永久磁鐵11與最外部永久磁鐵13間不存在高低差，此等構件21A、21B、11在外形上分別一體化，而構成如同單一矩形構件。
又，如第2圖所示，此中間永久磁鐵11具有沿與X方向相反的方向(自靶材20的端部朝中央部的方向)形成中間永久磁鐵11內的磁矩方向的N極及S極，中間永久磁鐵11的S極側抵接於內部基材21B的外周邊面，中間永久磁鐵11的N極側抵接於外部基材21A的內周面。亦即，內外部基材21A、21B構成使中間永久磁鐵11內的磁矩方向與此等內外部基材21A、21B的面方向並行而挾持中間永久磁鐵11。
又，以上所述永久磁鐵10、11、13雖可使用周知之各種磁鐵材料構成，惟在將此等永久磁鐵10、11、13浸入用以冷卻靶材20的背面20B的冷卻水中使用的情形，以對磁鐵表面施以防銹加工或選擇不易生銹的磁鐵材料(例如肥粒鐵磁鐵)較佳。
如第2圖所示，彎曲成引型(拱形)且由磁性材料(強磁性不銹鋼或鐵)製成的彎曲磁性構件24(凸部的強磁性體)具有與靶材20的背面20B平行的兩端面，該端面之一方抵接於內部基材21B的表面，該端面之另一方抵接於外部基材21A的表面，藉此，彎曲磁性構件24形成跨中間永久磁鐵11狀，橋接內外部基材21A、21B。
又，此彎曲磁性構件24係俯視呈大致橢圓環形的形態。更詳言之，此彎曲磁性構件24具有沿靶材20的厚度方向(Y方向)，以相同曲率朝靶材20的背面20B彎曲成凸狀的彎曲內面24A及彎曲外面24B，使此等彎曲內外面24A、24B間的間隔相當於壁厚部分的假想大致橢圓截面的環狀筒體，形成以上述端面為界而分成一半的形狀。
進而，彎曲磁性構件24的彎曲外面24B的X方向兩端的一方抵接於第1基片22的側面，另一方抵接於第2基片23的側面。
如此，藉彎曲磁性構件24及內外部基材21A、21B的一部分(正確地說係存在於中間永久磁鐵11的各磁極與彎曲磁性構件24的各端面間的內外部基材21A、21B的部位)形成中間永久磁鐵11的校正磁力線的磁路。藉此種構成，可活用內外部基材21A、21B作為導引第2下側磁力線26B的磁路，有助於磁性材料的有效活用。
又，此種磁路為了使自中間永久磁鐵11的N極引出的磁力線再度回到中間永久磁鐵11的S極，而構成封閉並導引校正磁力線，校正磁力線的具體形態如後詳述。
又，在此，可使彎曲外面24B的Y方向頂點抵接於靶材20的背面20B，亦可於彎曲外面24B的Y方向頂點與靶材20的背面20B間設有適當間隙(未圖示)。
有時候，藉由使二者相抵接，可縮短中間永久磁鐵11與靶材20間的距離，有效發揮此磁鐵11所帶來有助於電漿封入磁場形成的磁能而有益。
亦有藉於二者間確保間隙，俾使在以冷卻水冷卻靶材20的背面20B時有益。例如，在採用將磁鐵構造體110全體浸入貯存冷卻水的冷卻水容器(未圖示)中的形態之冷卻構造的情形，適於使冷卻水流經此間隙，效率良好地進行冷卻水與靶材20的背面20B間的熱交換。又，在採用使通過冷卻水的中空矩形背板(未圖示)抵接於靶材20的背面20B形態的冷卻構造方面，作為背板插入用空間，此種間隙係不可或缺。
又，就可改變中間永久磁鐵11所產生校正磁力線強度的磁場校正機構的構成構件而言，有：可動體12，在與中間永久磁鐵11間位於既定設定位置的磁性材料(例如強磁性不銹鋼或鐵)；以及致動器(驅動裝置)14，用以驅動可動體12俾改變該設定位置。
可動體12形成於俯視呈與中間永久磁鐵11同尺寸的形狀，於第2圖中，俯視觀察，與中間永久磁鐵11對齊的態樣的可動體12呈與中間永久磁鐵11的背面對向抵接配置的狀態。
由於若與中間永久磁鐵11的背面側對向配置可動體12，即於中間永久磁鐵11的背面側存在有適當空隙(空間)，可易於改變可動體12與中間永久磁鐵11間的距離，故較佳。
又，藉根據適當控制機構(微處理機等，未圖示)的控制的致動器14，可每隔既定週期搖動此種可動體12，使其自二者接觸狀態成為例如與下方(與Y方向相反的方向)分離成既定設定距離的狀態。
當然，可藉致動器14使此可動體12週期地朝X方向挪移，亦可根據靶材20的濺鍍狀態來決定可動體12的移動開始時期或移動速度。
其次，說明藉由利用靜磁場模擬技術，使以上所述靶材20帶磁而構成的磁通密度分布的檢驗結果。
與第2圖所示之形狀大致同形的解析模式，係網目分割成將數值計算用的單位解析區域而產生於電腦上，然後對相當於磁鐵構造體110的各構成構件的網目區域、相當於靶材20的網目區域及此等邊界網目區域，輸入各適當的材料物性資料、邊界條件資料。
又，解析解算機使用泛用磁場解析軟體(INFOLYTICA公司製「MagNet」)。
第3圖、第4圖及第5圖均係表示利用靜磁場模擬技術之本實施形態的磁鐵構造體之解析結果之一例。
第3圖係表示解析模式中磁通密度分布(等高面)及磁通密度分布向量(箭頭)，其係沿第1圖的II－II線的二次元截面的解析結果圖。
然而，在此省略各永久磁鐵10、11、13內的磁通密度分布向量的表示。
第4圖(b)係於橫軸取靶材表面的X方向位置，於縱軸取靶材表面上的磁通密度的Y方向成分，使用由解析結果所獲得之二者的關係之數值資料繪成的圖，如第4圖(a)，可動體12與中間永久磁鐵11相互接觸時的解析結果圖。
第5圖(b)係於橫軸取靶材表面的X方向位置，於縱軸取靶材表面上的磁通密度的Y方向成分，使用由解析結果所獲得之二者的關係之數值資料繪成的圖，如第5圖(a)，可動體12與中間永久磁鐵11相互分離成既定設定距離時的解析結果圖。
又，在此，於第3圖中藉灰階標度表示的磁通密度等高線圖(等高圖)，係磁通密度的向量成分合計(絕對值)的高低分布(磁通密度分布)，隨著自淡色調區域轉移至濃色調區域，表示磁通密度提高(惟，此磁通密度的上限為500G)。
又，參考此種磁通密度的等高線圖或向量圖，可理解各點的接線方向與此點磁場方向一致的曲線的磁力線。
然而，雖於第3圖中盡可能模仿自解析用電腦輸出的磁通密度的等高線圖及向量圖來表示，惟基於容易理解其內容的目的，而簡化表示電腦所輸出的磁通密度分布，並潤飾代表上側磁力線25、下側磁力線26(第1下側磁力線26A及第2下側磁力線26B)、內側中間磁力線27及外側中間磁力線28各磁力線而假想拉出的粗二點鏈線。
依第3圖，於靶材20的內部形成上側磁力線25、下側磁力線26(第1下側磁力線26A及第2下側磁力線26B)，俾磁通密度的X方向向量成分(靶材20的寬度方向成分)相互抵銷，並形成內側中間磁力線27及外側中間磁力線28，俾磁通密度的Y方向向量成分(靶材20的厚度方向成分)相互抵銷。
詳言之，上側磁力線25(主磁力線)自中央部永久磁鐵10的N極引出，到達靶材20的表面20A，於磁通密度的Y方向向量成分及X方向向量成分大致成為零的零點29正上方的靶材20內部，大致平行於X方向延伸，邊將此內部彎曲成拱形，邊進入最外部永久磁鐵13的S極。
在此，下側磁力線26包含以下所述第1下側磁力線26A以及第2下側磁力線26B(校正磁力線)。
第1下側磁力線26A自最外部永久磁鐵13的N極引出，通過第2基片23，被封入零點29正下方的彎曲磁性構件24內部，大致平行於與X方向相反的方向延伸，邊按此彎曲磁性構件24的形態彎曲成拱形，邊通過第1基片22，進入中央部永久磁鐵10的S極。
第2下側磁力線26B係藉由後述可動體12的移動動作改變其強度的磁力線，自中間永久磁鐵11的N極引出，通過外部基材21A，被封入零點29正下方的彎曲磁性構件24內部，大致平行於與X方向相反的方向延伸，邊按此彎曲磁性構件24的形態彎曲成拱形，邊通過內部基材21B，回到中央部永久磁鐵10的S極。
又，藉此第2下側磁力線26B及貫穿中間永久磁鐵11內部的磁力線形成環狀的磁氣回路。
又，內側中間磁力線27自中央部永久磁鐵10的N極引出，到達靶材20的厚度方向中途，將靶材20的內部彎延成拱形，大致與Y方向的相反方向平行，通過零點29的旁邊(自零點29起X方向負側的位置)，進入彎曲磁性構件24。
又，外側中間磁力線28自彎曲磁性構件24引出，大致與Y方向平行，通過零點29的旁邊(自零點29起X方向正側的位置)，到達靶材20的厚度方向中途，將其內部彎延成拱形，進入最外部永久磁鐵13的S極。
又，如第3圖所示，於此等磁力線25、26、27及28所圍區域內形成零點29。且在此，此種零點29存在於靶材20的背面20B與彎曲磁性構件24的頂點的接點近旁。
藉由如此將零點29定於適於靶材20的構成(厚度、材質等)的位置，可適當調整靶材20的表面20A上的電漿封入用漏磁場。
更詳言之，於靶材20的表面20A漏洩的表面20A附近漏磁場中平行於表面20A(X方向)的磁通密度成分(下稱「平行磁通密度」)具有作為電漿封入用漏磁場的功能。
於本磁鐵構造體110中，亙靶材20的表面20A的X方向的大約全區，上述平行磁通密度維持於既定磁通密度BS(例如200~300G)以上，結果，可謀求靶材20的有效率且廣蝕化。
又，經驗上可知，上述漏磁場中維持垂直於表面20A(Y方向)的磁通密度成分(下稱「垂直磁通密度」)於零附近的靶材部分會因濺鍍而很快就削蝕。
於本磁鐵構造體110中，垂直磁通密度大致變成零的位置(例如第4圖(b)的BM1及第5圖(b)的BM2位置)沿靶材20的表面20A的X方向適當形成，結果，有助於磁能的有效活用，可謀求靶材20的廣蝕化。
依本實施形態的磁鐵構造體110，由於可形成圍繞存在於靶材20的適當處所(例如背面20B附近)的零點29的上側磁力線25、下側磁力線26(第1下側磁力線26A及第2下側磁力線26B)、內側中間磁力線27及外側中間磁力線28構成的4方向磁場，故可實現防止靶材20的局部濺鍍的廣蝕化，可提高靶材利用效率，進而，延長靶材20的更換期間，有助於平面型磁控濺鍍裝置的運轉率提高。
又，在此，藉由如第4圖及第5圖所示，週期地改變可動體12與中間永久磁鐵11間的距離，可週期地改變垂直磁通密度大致變成零的靶材20的表面20A上的X方向位置(下稱「零交叉位置」)。
亦即，藉由使位於與可動體12分離狀態的中間永久磁鐵11(第5圖)抵接可動體12(第4圖)，令自中間永久磁鐵11引出的磁力線的一部分短路，結果，造成貫穿作為磁路的內外部基材21A、21B內部的第2下側磁力線26B(校正磁力線)的強度變化。
若如此，由於靶材20的表面20A上的上側磁力線25(主磁力線)的磁通密度分布亦可變化，故推定第5圖(可動體12與中間永久磁鐵11分離狀態)的垂直磁通密度大約成為零的二處零交叉位置BM2如第4圖(可動體12與中間永久磁鐵11接觸狀態)的垂直磁通密度大約成為零的二處零交叉位置BM1，沿靶材20的表面20A，週期地朝X方向(自靶材20的中央部朝端部的方向)移動。
因此，依本實施形態的磁鐵構造體110，可不搖動磁鐵構造體110全體，藉隨著時間經過而相對於中間永久磁鐵11僅作動磁鐵構造體110之一構件的可動體12的簡易驅動機構，隨著時間經過而變更貫穿彎曲磁性構件24內部的第2下側磁力線26B(校正磁力線)的強度，進而，例如每隔既定週期改變靶材20的表面20A上的磁力線分布(磁通密度分布)，以謀求靶材20的廣蝕化。
對熟悉此技藝人士而言，由以上說明可明瞭本發明的多數改良或其他形態。因此，上述說明應僅解釋為例示，在教示熟悉此技藝人士實行本發明的最佳形態的目的下而提供。於不悖離本發明的精神下，可實質變更其構造及/或功能的詳述。
本發明之磁鐵構造體，例如作為磁控濺鍍裝置用之磁場形成機構極有效用。
10．．．中央部永久磁鐵
11．．．中間永久磁鐵
12．．．可動體
13．．．最外部永久磁鐵
14．．．致動器
20．．．靶材
21A．．．外部基材
21B．．．內部基材
22．．．第1基片
23．．．第2基片
24．．．彎曲磁性構件
24A．．．彎曲內面
24B．．．彎曲外面
25．．．上側磁力線
26．．．下側磁力線
26A．．．第1下側磁力線
26B．．．第2下側磁力線
27．．．內側中間磁力線
28．．．外側中間磁力線
29．．．零點
100．．．陰極電極單元
110．．．磁鐵構造體
V1．．．電力源
BM1、BM2．．．零交叉位置
第1圖係含本發明實施形態1的磁鐵構造體之陰極電極單元的俯視圖。
第2圖係沿第1圖的II－II截面線部分的陰極電極單元的立體圖。
第3圖係表示利用靜磁場模擬技術之本實施形態的磁鐵構造體之解析結果之一例。
第4圖(a)、(b)係表示利用靜磁場模擬技術之本實施形態的磁鐵構造體之解析結果之一例。
第5圖(a)、(b)係表示利用靜磁場模擬技術之本實施形態的磁鐵構造體之解析結果之一例。
10．．．中央部永久磁鐵
11．．．中間永久磁鐵
12．．．可動體
14．．．致動器
20．．．靶材
20A．．．靶材的表面
20B．．．靶材的背面
21．．．基材
21A．．．外部基材
21B．．．內部基材
22．．．第1基片
23．．．第2基片
24．．．彎曲磁性構件
24A．．．彎曲內面
24B．．．彎曲外面
100．．．陰極電極單元
110．．．磁鐵構造體
V1．．．電力源

Claims (9)

  1. 一種磁控濺鍍裝置用之磁鐵構造體，具備：主磁鐵，配置於靶材的背面側以形成到達該靶材表面的主磁力線；校正磁鐵，配置於該靶材的背面側以形成抵銷該主磁力線的磁通密度的該靶材的寬度方向成分的校正磁力線；該校正磁力線之磁路，配置於該靶材的背面側；以及磁場校正機構，可改變貫穿該磁路內部的該校正磁力線的強度。
  2. 如申請專利範圍第1項之磁鐵構造體，其中，該磁場校正機構具備：可動體，由在與該校正磁鐵間位於既定設定位置的磁性材料構成；以及驅動裝置，用以驅動該可動體以改變該設定位置。
  3. 如申請專利範圍第2項之磁鐵構造體，其具備由保持該主磁鐵的磁性材料構成的板狀基材，該磁路含有該基材。
  4. 如申請專利範圍第3項之磁鐵構造體，其中，該基材由一對內外部基材構成；使該校正磁鐵的磁矩的方向沿該內外部基材的面方向並行，該校正磁鐵被該內外部基材所挾持。
  5. 如申請專利範圍第4項之磁鐵構造體，其中，該可動體係與該校正磁鐵的背面側對向配置的板構件。
  6. 如申請專利範圍第4項之磁鐵構造體，其中，該磁路含有由向該靶材背面突出的磁性材料構成的凸部，該凸部 形成跨該校正磁鐵狀，該凸部的各兩端面連接於各該內外部基材。
  7. 如申請專利範圍第6項之磁鐵構造體，其中，該凸部係彎曲成拱形。
  8. 一種磁控濺鍍裝置用之陰極電極單元，其特徵在於，具備：靶材，由非磁性金屬構成；申請專利範圍第1項至第7項中任一項之磁鐵構造體，配置於該靶材背面側；以及電力源，用以對該靶材供應既定電力。
  9. 一種磁控濺鍍裝置，其特徵在於具備，內部可減壓的真空槽，其收容有申請專利範圍第8項之陰極電極單元，以及與該陰極電極單元的該靶材對向的基板。
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