JP2005068468A

JP2005068468A - マグネトロンスパッタリング用ターゲット及びマグネトロンスパッタリング装置

Info

Publication number: JP2005068468A
Application number: JP2003296985A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Sakakibara; 康史榊原
Original assignee: Fuji Electric Holdings Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2003-08-21
Filing date: 2003-08-21
Publication date: 2005-03-17

Abstract

【課題】不均一なエロージョン進行を抑制し、ターゲットの利用効率を向上させるマグネトロンスパッタリング用ターゲットを提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング用ターゲット１０は、ターゲット１１、バッキングプレート１２、及びバッキングプレート１２の上に左右１箇所ずつ配置された磁性体１３によって構成される。第１の永久磁石２１ａと第２の永久磁石２１ｂとの間に左右１箇所ずつ存在する領域Ｄ１では、マグネット２０が移動しても、常に方向Ｚ１と平行な同一線上がスパッタリングされるため、エロージョンの進行が早くなるが、磁性体１３を、領域Ｄ１内で方向Ｚ１に平行となるように、バッキングプレート１２の上に左右１箇所ずつ配置することで、領域Ｄ１でのエロージョン進行に伴う磁束の漏洩を抑制する。
【選択図】図１

Description

本発明はマグネトロンスパッタリング装置及びマグネトロンスパッタリング用ターゲットに関し、特にマグネットを移動させてスパッタリングを行うマグネトロンスパッタリング装置、及びこの装置に使用するマグネトロンスパッタリング用ターゲットに関する。

薄膜形成技術の一つであるスパッタリング法は、電極用金属薄膜、磁気記録用磁性薄膜、透明導電膜などの形成に広く利用されている。スパッタリング法は、イオンを加速してターゲットに照射し、そのエネルギーによりターゲット構成原子を叩き出し、ターゲットに対向させて配置した基板上に付着させて薄膜を形成する成膜方法である。

スパッタリング法の一つに、マグネトロンスパッタリング法がある。この方法は、ターゲット表面側に、磁界及びこの磁界と直交する電界を形成することでスパッタリングする方法である。磁界と電界との作用による電子の補足効果でターゲット近傍に高密度のプラズマが形成されるため、実用的な成膜速度を得ることができる。

図７は、一般的なマグネトロンスパッタリング用ターゲットの構造、及びそれをマグネトロンスパッタリング装置に適用した状態を模式的に示す断面図である。
薄膜の構成原子を有するターゲット２０１と、ターゲット２０１を支持すると共にターゲット２０１の冷却も行うバッキングプレート２０２とが、インジウムなどの低融点金属によって接合されることで、マグネトロンスパッタリング用ターゲット２００が構成される。

ターゲット２０１と対向する位置には、成膜基板２２０がターゲット２０１と平行に配置されている。成膜基板２２０上には、ターゲット２０１から飛び出した構成原子が付着し、これによって薄膜が形成される。

また、バッキングプレート２０２の裏面には、マグネット２１０が設置されている。マグネット２１０は、第１の永久磁石２１１ａ、第２の永久磁石２１１ｂ、及び両者を磁気的に結合するヨーク２１２によって構成される。マグネット２１０は、ターゲット２０１の表面側に円弧状の磁界２１４を形成する。ターゲット２０１は、直流電源あるいは交流電源の供給を受けて、電界２１５を形成する。

磁界２１４と電界２１５との作用を受けた電子は、第１の永久磁石２１１ａと第２の永久磁石２１１ｂとの間の領域を周回する軌道上で、サイクロトロン運動を行う。軌道２０３は、電子がサイクロトロン運動していく軌道の一例である。

サイクロトロン運動する電子が、予め封入されたＡｒなどの不活性ガスと衝突することで、ターゲット２０１表面上部の磁界２１４内に高密度のプラズマが発生する。このプラズマを構成するイオンがターゲット２０１と衝突することで、スパッタリングがなされる。そして、ターゲット２０１のスパッタリングされた領域には、エロージョン（電気的な侵食）２０５が形成される。

マグネトロンスパッタリング法の問題点は、エロージョン２０５が、ターゲット２０１表面側に生じる磁界２１４に依存した不均一な形状で進行することである。エロージョン２０５は、磁界２１４の（ターゲット２０１に対する）水平方向成分が存在するターゲット２０１表面上の領域に発生し、磁界２１４の同成分が大きい所ほど深い形状となる。

このように、マグネトロンスパッタリング法では、ターゲット２０１に形成されるエロージョン２０５の進行の度合いに強弱がある。結果として、ターゲット２０１の寿命は、エロージョン２０５の進行が強い部分で決定されることになる。このため、エロージョン２０５を均一化してターゲット２０１の利用効率を向上させる手段として、様々な方法が考案されている。

エロージョンを均一化する方法の一つとして、マグネットを移動させてスパッタリングを行うマグネトロンスパッタリング法がある。この方法は、大面積基板に成膜する場合に適している。図８は、マグネトロンスパッタリング用ターゲットの一例の構造、及びそれをマグネットを移動させてスパッタリングを行うマグネトロンスパッタリング装置に適用した状態を模式的に示す上面図である。

マグネトロンスパッタリング用ターゲット１００は、ターゲット１０１とバッキングプレート１０２によって構成され、両者はインジウムなどの低融点金属によって接合されている。

ターゲット１０１と対向する位置には、成膜基板（図示しない）がターゲット１０１と平行に配置されている。また、バッキングプレート１０２の裏面には、マグネット１１０が配置されている。マグネット１１０は、第１の永久磁石１１１ａ及び第２の永久磁石１１１ｂを有しており、両者のマグネトロンスパッタリング用ターゲット１００に面した側は、それぞれ逆磁極となっている。この例では、第１の永久磁石１１１ａがＮ極、第２の永久磁石１１１ｂがＳ極であるため、第１の永久磁石１１１ａからマグネトロンスパッタリング用ターゲット１００を介して第２の永久磁石１１１ｂへと至る磁界が発生する。その結果、ターゲット１０１の表面側には円弧状の磁界が形成される。

そして、この磁界の形状から図の破線で示したエロージョン領域１０４が自ずと決定される。エロージョン領域１０４は、上記磁界の（ターゲット１０１に対する）水平方向成分が存在するようなターゲット１０１表面上の領域である。スパッタリングは、このエロージョン領域１０４に従って行われる。

図９は、図８のＡ２−Ａ２方向断面図である。図８と同じものには同じ番号を付し、説明を省略する。
マグネット１１０は、第１の永久磁石１１１ａと第２の永久磁石１１１ｂとをヨーク１１２で磁気的に結合することによって構成される。このマグネット１１０は、ターゲット１０１の表面側に、上記説明した円弧状の磁界１１４を形成する。ターゲット１０１に直流電源あるいは交流電源が供給されると、この磁界１１４と直交する方向に電界１１５が形成されてスパッタリングが行われる。ターゲット１０１と対向する位置に配置された成膜基板１２０上には、ターゲット１０１から飛び出した構成原子が付着することで、薄膜が形成される。

スパッタリングの際、マグネット１１０は、図の実線で示した位置（図８では、隠れ線で示した位置）と２点鎖線で示した位置の間を、方向Ｚ２に従ってターゲット１０１と平行に往復移動する。このため、エロージョン領域１０４（図８参照）も、ターゲット１０１の面内で往復移動することになる。その結果、ターゲット１０１は通常のマグネトロンスパッタリング法と比べて、比較的均一にスパッタリングされることになる。

また、従来のマグネトロンスパッタリング用ターゲットの中には、再びスパッタリングされることがない再付着粒子の脱落に起因するダストの発生を抑制する目的で、磁性体を、ターゲット裏面に配置された磁石の上方もしくはそれより外側に位置するように、ターゲットもしくはバッキングプレートの内部に埋め込むような構成としたものもある（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００１−２００６６号公報（段落番号〔００２４〕〜〔００２８〕、図１）

しかし、上記のようなマグネトロンスパッタリング用ターゲット１００では、原理上、マグネット１１０を移動させても、他の部分よりも早くエロージョンが進行する領域が存在する。

第１の永久磁石１１１ａと第２の永久磁石１１１ｂとの間に左右１箇所ずつ存在する、破線で囲まれた領域Ｄ２（図８参照）は、方向Ｚ２に従って往復移動するエロージョン領域１０４によってスパッタリングされる領域のうち、特にエロージョン領域１０４の左右端部によってスパッタリングされる領域を示す。領域Ｄ２では、マグネット１１０が移動しても、常に方向Ｚ２と平行な同一線上がスパッタリングされるため、領域Ｄ２に形成されるエロージョンの進行は、他の部分のエロージョンよりも早くなる。特に、ターゲット１０１が強磁性体の場合に顕著になり、ターゲット１０１の利用効率が極めて悪化するという問題があった。

領域Ｄ２に形成されるエロージョンの断面形状は、ターゲット１０１が非磁性体であるか、強磁性体であるかにより大きく異なる。図１０は、ターゲットが非磁性体の場合に形成されるエロージョンの断面形状を示した概略図であり、図１１は、ターゲットが強磁性体の場合に形成されるエロージョンの断面形状を示した概略図である。図１０と図１１は、共に図８のＡ３−Ａ３方向断面図を示す。

ターゲット１０１が非磁性体の場合、領域Ｄ２に形成されるエロージョン１０５ａは、比較的なだらかな形状となる。しかし、ターゲット１０１がＮｉやＣｏなどの強磁性体の場合は、領域Ｄ２に形成されるエロージョンが急速に進行していくため、非磁性体の場合のようになだらかな形状とはならず、急峻な形状のエロージョン１０５ｂが形成される。

図１２は、ターゲットに強磁性体を用いた場合のエロージョン及び磁界を模式的に示す、図８のＡ３−Ａ３方向断面図である。図８と同じものには同じ符号を付し、説明を省略する。また、成膜基板１２０及び電界１１５の図示は省略する。

エロージョン１０５ｃは、ある時点までに形成された領域Ｄ２のエロージョンを示す（簡略化のため、他の部分のエロージョンは省略する）。エロージョン１０５ｃによって、ターゲット１０１には、傾斜を持つ側壁１０１ａ及び１０１ｂが形成される。ここで、磁束１１４ａは、ターゲット１０１表面側に形成される磁界１１４のうち、ターゲット１０１の側壁１０１ａから側壁１０１ｂへと漏洩する磁束を示す。

エロージョン１０５ｃが進行していくに従って磁束１１４ａが増加し、元々存在する磁束に対して磁束１１４ａが加わることで、エロージョン１０５ｃの位置での磁束密度が増大する。そして、増加した磁束密度によってエロージョン１０５ｃの部分がさらに集中的にスパッタリングされる。その結果、図１１に示したような、狭く急峻な形状のエロージョン１０５ｂが形成され、ターゲット利用効率を大きくすることができない。

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、不均一なエロージョン進行を抑制することができるマグネトロンスパッタリング用ターゲットを提供することを目的とする。また、本発明の他の目的は、スパッタリングに要するコストを低減することができるマグネトロンスパッタリング装置を提供することである。

本発明では上記課題を解決するために、マグネットを移動させてスパッタリングを行うマグネトロンスパッタリング装置に使用するマグネトロンスパッタリング用ターゲットにおいて、ターゲットを支持するバッキングプレート上に、マグネットを構成する第１の永久磁石と第２の永久磁石との間で、かつ上方で、マグネットが移動する方向と平行に配置された磁性体を有することを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲットが提供される。

上記のように構成されたマグネトロンスパッタリング用ターゲットにエロージョンが形成されると、磁性体が磁束の一部を通しているため、磁性体を配置した位置のエロージョン部分から漏洩する磁束の増加を防ぐ。

また、本発明では上記課題を解決するために、マグネットを移動させてスパッタリングを行うマグネトロンスパッタリング装置において、ターゲットを支持するバッキングプレート上に、マグネットを構成する第１の永久磁石と第２の永久磁石との間で、かつ上方で、マグネットが移動する方向と平行に配置された磁性体を有することを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲットを有するマグネトロンスパッタリング装置が提供される。

上記のように構成されたマグネトロンスパッタリング装置を用いてスパッタリングを行うと、マグネトロンスパッタリング用ターゲットの磁性体を配置した位置のエロージョン部分から漏洩する磁束の増加が抑制される。

本発明のマグネトロンスパッタリング用ターゲットは、ターゲットを支持するバッキングプレート上に、第１の永久磁石と第２の永久磁石との間で、かつ上方で、マグネットが移動する方向と平行に磁性体を配置したことで、不均一なエロージョン進行を抑制し、ターゲットの利用効率を向上させることができる。

また、このようなマグネトロンスパッタリング用ターゲットを用いた本発明のマグネトロンスパッタリング装置は、ターゲットの利用効率を向上させることが可能なため、スパッタリングに要するコストを低減することができる。

以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は、本実施の形態のマグネトロンスパッタリング用ターゲットの構造、及びそれをマグネットを移動させてスパッタリングを行うマグネトロンスパッタリング装置に適用した状態を模式的に示す上面図である。

マグネトロンスパッタリング用ターゲット１０は、ターゲット１１、バッキングプレート１２、及びバッキングプレート１２上に配置される磁性体１３によって構成される。ターゲット１１は、純度９９．９９％のＮｉ製で、サイズは幅１０８０ｍｍ×長さ６９０ｍｍ×厚さ３ｍｍである。また、バッキングプレート１２は銅製である。ターゲット１１は、バッキングプレート１２の上側に配置され、両者はインジウムにより接合されている。磁性体１３は、純度９９％のＮｉ製で、サイズは幅１０ｍｍ×長さ６９０ｍｍ×厚さ３ｍｍであり、バッキングプレート１２の所定の位置に左右１箇所ずつ設けられた窪みに対して、それぞれ配置される。なお、バッキングプレート１２と磁性体１３もインジウムによって接合される。磁性体１３を配置する位置については後述する。

ターゲット１１と対向する位置には、成膜基板（図示しない）がターゲット１１と平行に配置されている。また、バッキングプレート１２の裏面には、マグネット２０が配置されている。マグネット２０は、第１の永久磁石２１ａ、及び第１の永久磁石２１ａを包囲するように配置される第２の永久磁石２１ｂを有しており、両者のマグネトロンスパッタリング用ターゲット１０に面した側は、それぞれ逆磁極となっている。本実施の形態では、第１の永久磁石２１ａがＮ極、第２の永久磁石２１ｂがＳ極であるため、第１の永久磁石２１ａからマグネトロンスパッタリング用ターゲット１０を介して第２の永久磁石２１ｂへと至る磁界が発生する。その結果、ターゲット１１の表面側には円弧状の磁界が形成される。

これにより、第１の永久磁石２１ａと第２の永久磁石２１ｂとの間には、第２の永久磁石２１ｂに沿って第１の永久磁石２１ａを周回する環状のエロージョン領域１４が形成される。エロージョン領域１４は、上記磁界の（ターゲット１１に対する）水平方向成分が存在するようなターゲット１１表面上の領域であり、この領域に従ってスパッタリングが行われる。

スパッタリングの際、マグネット２０は、図の隠れ線に示した位置から２点鎖線で示した位置まで、方向Ｚ１に従ってターゲット１１と平行に往復移動する。マグネット２０の往復移動により、エロージョン領域１４もターゲット１１の面内で往復移動する。

図２は、図１のＡ１−Ａ１方向断面図である。図１と同じものには同じ番号を付し、説明を省略する。
マグネット２０は、第１の永久磁石２１ａと第２の永久磁石２１ｂとをヨーク２２で磁気的に結合することによって構成される。このマグネット２０に電源が供給されると、ターゲット１１の表面側には、上記説明したような円弧状の磁界２４、及びこの磁界２４と直行する方向の電界２５が形成されて、スパッタリングが行われる。そして、ターゲット１１と対向する位置に配置された成膜基板３０上には、ターゲット１１から飛び出した構成原子が付着することで、薄膜が形成される。

ここで、磁性体１３を配置する位置について説明する。
第１の永久磁石２１ａと第２の永久磁石２１ｂとの間に左右１箇所ずつ存在する、破線で囲まれた領域Ｄ１（図１参照）は、方向Ｚ１に従って往復移動するエロージョン領域１４によってスパッタリングされる領域のうち、特にエロージョン領域１４の左右端部によってスパッタリングされる領域を示す。領域Ｄ１では、マグネット２０が移動しても、常に方向Ｚ１と平行な同一線上がスパッタリングされることになるため、領域Ｄ１に形成されるエロージョンの進行は、他の部分に形成されるエロージョンよりも早くなる（特に、領域Ｄ１の（ターゲット１１の長手方向に対する）中央付近では、磁界２４の水平方向成分が大きいため、進行がさらに早くなる）。

このような不均一なエロージョン進行を抑制するため、磁性体１３を、方向Ｚ１と平行かつ領域Ｄ１の（ターゲット１１の長手方向に対する）中央付近に位置するように、バッキングプレート１２上に左右一箇所ずつ配置する（座標で示した正確な位置については後述する）。さらに、このとき磁性体１３がバッキングプレート１２の上面に接するように配置する。

図３は、図１のＡ１−Ａ１方向断面にて、特に右側に配置した磁性体付近でのエロージョン及び磁界を示す模式図である。図１と同じものには同じ符号を付し、説明を省略する。また、成膜基板３０及び電界２５の図示は省略する。

エロージョン１５は、ある時点までに形成された、領域Ｄ１に形成されるエロージョンを示している（簡略化のため、他の部分に形成されるエロージョンは省略する）。エロージョン１５によって、ターゲット１１には、傾斜を持つ側壁１１ａ及び１１ｂが形成される。ここで、磁束２４ａは、ターゲット１１表面上に形成される磁界２４のうち、側壁１１ａから側壁１１ｂへと漏洩する磁束を示す。

磁性体１３を上記のように配置したことで、本来、側壁１１ａから漏洩する磁界の一部が磁性体１３を通るようになるため、磁束２４ａは、磁性体１３を配置しないときと比べて少なくなる。その結果、エロージョン１５の進行に伴う磁束密度の急激な変化を抑えることが可能になる。なお、磁性体１３を、バッキングプレート１２の上面より下側に位置するように配置することも可能であるが、バッキングプレート１２の上面に接するように配置することで最良の効果が得られる。

次に、上記のように構成されるマグネトロンスパッタリング用ターゲット１０における磁束の漏洩抑制効果を確認するため、図１及び図２に示したように、マグネトロンスパッタリング用ターゲット１０をマグネトロンスパッタリング装置に設置してスパッタリングを行い、ターゲット１１表面上の磁束密度分布が、エロージョン進行に従ってどのように変化するかを測定した。なお、比較のために、磁性体１３を配置しないマグネトロンスパッタリング用ターゲットについても、同様の測定を行った。ここで、マグネトロンスパッタリング用ターゲット１０を試験体とし、磁性体１３を配置しないマグネトロンスパッタリング用ターゲットを比較検体とする。

図４は、比較検体のマグネトロンスパッタリング用ターゲットの構造、及びそれをマグネットを移動させてスパッタリングを行うマグネトロンスパッタリング装置に適用した状態を模式的に示す断面図である。図２と同じものには同じ番号を付し、説明を省略する。比較検体のマグネトロンスパッタリング用ターゲット１０ａは、ターゲット１１ａ及びバッキングプレート１２ａによって構成される。なお、ターゲット１１ａはターゲット１１と同じものであり、バッキングプレート１２ａはバッキングプレート１２と同じものである。

この測定によって、以下のような結果が得られた。
図５は、エロージョン進行に伴う試験体の磁束密度分布の変化を示した図である。
水平軸は、原点を点Ｐ１（図１参照）とし、点Ｐ１からターゲット１１の長手方向に従ってターゲット１１の内側へと向かう方向を負としたときの、ターゲット１１上の位置Ｘ１を示す。なお、水平軸上の区間Ｓ１（Ｘ１が−４０ｍｍから−５０ｍｍまでの区間）は、磁性体１３が存在する位置を示している。また垂直軸は、図２に示すように、ターゲット１１表面上に生じる磁束密度Ｂ１のターゲット１１に対する水平方向成分Ｂ１／／を示す（角θ１は、磁束密度Ｂ１とその水平方向成分Ｂ１／／のなす角である）。グラフは、ターゲット１１の表面から測ったエロージョンの深さが、それぞれ０ｍｍ，１．５ｍｍ，２．５ｍｍのときの、ターゲット１１表面上の磁束密度分布の変化を示している。

図６は、エロージョン進行に伴う比較検体の磁束密度分布の変化を示した図である。水平軸は、点Ｐ１を原点として、上記と同様の方向を負としたときのターゲット１１ａ上の位置Ｘ２を示す。なお、水平軸上の区間Ｓ２（Ｘ２が−４０ｍｍから−５０ｍｍまでの区間）は、ターゲット１１ａ上で、図５の区間Ｓ１と同一の位置を示している。また垂直軸は、図４に示すように、ターゲット１１ａ表面上に生じる磁束密度Ｂ２のターゲット１１ａに対する水平方向成分Ｂ２／／を示す（角θ２は、磁束密度Ｂ２とその水平方向成分Ｂ２／／のなす角である）。グラフは、ターゲット１１ａの表面から測ったエロージョンの深さが、それぞれ０ｍｍ，１．５ｍｍ，２．５ｍｍのときの、ターゲット１１ａ表面上の磁束密度分布の変化を示している。

図５及び図６より、磁性体１３を配置していないマグネトロンスパッタリング用ターゲット１０ａ（比較検体）では、エロージョンの進行に伴って、区間Ｓ２の磁束密度の水平方向成分Ｂ２／／が急激に増加しているが、磁性体１３を配置したマグネトロンスパッタリング用ターゲット１０（試験体）では、エロージョンが進行しても、区間Ｓ１の磁束密度の水平方向成分Ｂ１／／の増加が抑制されていることが分かる。

この結果、試験体では急峻なエロージョン形状が改善され、比較検体のターゲット１１ａの利用効率は６％であったのに対し、試験体のターゲット１１の利用効率は４０％にまで向上した。

以上述べたように、バッキングプレート１２上に、磁性体１３を上記のように配置したことで、ターゲット１１の利用効率を大幅に改善することができる。
また、高価なターゲット１１を長期に渡って使用することが可能となり、コストの低減を図ることが可能となる。

さらに、ターゲット１１上の磁束密度分布は、エロージョンの進行に関わらずほぼ一定であるため、プラズマはターゲット１１使用初期から交換直前に渡って安定である。従って、膜質変動の少ない安定な薄膜を形成することが可能であり、歩留まりの高い製品を製造することが可能となる。

なお、上記の説明では磁性体１３をＮｉ製としたが、他の強磁性体を用いることもできる。その場合は、使用する強磁性体の透磁率に応じて厚さを調整する。
また、上記の説明ではターゲット１１をＮｉ製としたが、Ｃｏなど他の磁性体ターゲットに適用することもできる。

本実施の形態のマグネトロンスパッタリング用ターゲットの構造、及びそれをマグネットを移動させてスパッタリングを行うマグネトロンスパッタリング装置に適用した状態を模式的に示す上面図である。図１のＡ１−Ａ１方向断面図である。図１のＡ１−Ａ１方向断面にて、特に右側に配置した磁性体付近でのエロージョン及び磁界を示す模式図である。比較検体のマグネトロンスパッタリング用ターゲットの構造、及びそれをマグネットを移動させてスパッタリングを行うマグネトロンスパッタリング装置に適用した状態を模式的に示す断面図である。エロージョン進行に伴う試験体の磁束密度分布の変化を示した図である。エロージョン進行に伴う比較検体の磁束密度分布の変化を示した図である。一般的なマグネトロンスパッタリング用ターゲットの構造、及びそれをマグネトロンスパッタリング装置に適用した状態を模式的に示す断面図である。マグネトロンスパッタリング用ターゲットの一例の構造、及びそれをマグネットを移動させてスパッタリングを行うマグネトロンスパッタリング装置に適用した状態を模式的に示す上面図である。図８のＡ２−Ａ２方向断面図である。ターゲットが非磁性体の場合に形成されるエロージョンの断面形状を示した概略図である。ターゲットが強磁性体の場合に形成されるエロージョンの断面形状を示した概略図である。ターゲットに強磁性体を用いた場合のエロージョン及び磁界を模式的に示す、図８のＡ３−Ａ３方向断面図である。

符号の説明

１０マグネトロンスパッタリング用ターゲット
１１ターゲット
１２バッキングプレート
１３磁性体
２０マグネット
２１ａ第１の永久磁石
２１ｂ第２の永久磁石

Claims

マグネットを移動させてスパッタリングを行うマグネトロンスパッタリング装置に使用するマグネトロンスパッタリング用ターゲットにおいて、
ターゲットを支持するバッキングプレート上に、前記マグネットを構成する第１の永久磁石と第２の永久磁石との間で、かつ上方で、前記マグネットが移動する方向と平行に配置された磁性体を有することを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。
前記磁性体は、前記バッキングプレートの上面に接するように配置されていることを特徴とする請求項１記載のマグネトロンスパッタリング用ターゲット。
マグネットを移動させてスパッタリングを行うマグネトロンスパッタリング装置において、
ターゲットを支持するバッキングプレート上に、前記マグネットを構成する第１の永久磁石と第２の永久磁石との間で、かつ上方で、前記マグネットが移動する方向と平行に配置された磁性体を有することを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲットを有するマグネトロンスパッタリング装置。