JP2010103297A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 配線基板の主面上に複数の半導体チップを搭載する工程と、
   前記複数の半導体チップの上方に放熱板を配置する工程と、
   前記放熱板と前記配線基板との間に封止樹脂を供給して前記複数の半導体チップを封止し、樹脂封止体を作製する工程と、
   前記樹脂封止体を切断する工程と、
   を具備し、
   前記切断する工程は、
   前記樹脂封止体を放熱板側から削る工程と、
   前記樹脂封止体を前記配線基板側から削る工程とを備え、
   前記配線基板側から削る工程は、前記放熱板側から削る工程よりも後に実施され、
   前記配線基板側から削る工程により、前記樹脂封止体が切断され、
   更に、
   前記配線基板側から削る工程及び前記放熱板側から削る工程よりも前に、前記配線基板の裏面にボール状の電極群を実装する工程
   を具備する
   半導体装置の製造方法。
2. 請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
   前記樹脂封止体が前記放熱板側から削る工程により削られる部分の溝幅は、前記配線基板側から削る工程により削られる部分の溝幅よりも、広い
   半導体装置の製造方法。
3. 請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
   前記放熱板側から削る工程は、第１のブレードにより前記樹脂封止体を削る工程を含む
   半導体装置の製造方法。
4. 請求項３に記載された半導体装置の製造方法であって、
   前記第１のブレードは、刃先の形状が先鋭である
   半導体装置の製造方法。
5. 前記第１のブレードは、刃先の形状が丸くなっていることを特徴とする、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載された半導体装置の製造方法であって、
   前記放熱板側から削る工程では、前記放熱板が完全に分断される
   半導体装置の製造方法。
7. 請求項３に記載された半導体装置の製造方法であって、
   前記配線基板側から削る工程は、第２のブレードにより前記樹脂封止体を削る工程を含む
   半導体装置の製造方法。
8. 請求項７に記載された半導体装置の製造方法であって、
   前記第１のブレードは、前記第２のブレードよりも粗い砥粒が配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項１乃至８のいずれかに記載された半導体装置の製造方法であって、
   前記放熱板は、金属製である
   半導体装置の製造方法。
10. 請求項９に記載された半導体装置の製造方法であって、
    前記放熱板は、被膜が表面に施されている
    半導体装置の製造方法。
11. 配線基板上に搭載された複数の半導体チップと、前記複数の半導体チップの上方に配置された放熱板と、前記配線基板と前記放熱板との間隙に充填された封止樹脂とで、少なくとも構成された樹脂封止体を複数の個片に切断する半導体装置の製造方法であって、
    前記樹脂封止体を前記放熱板側から削る工程と、
    前記樹脂封止体を前記配線基板側から削る工程と、
    を具備する
    半導体装置の製造方法。
12. 配線基板と、
    前記配線基板上に搭載された複数の半導体チップと、
    前記複数の半導体チップの上方に配置された放熱板と、
    前記配線基板と前記放熱板との間隙に充填された封止樹脂と、
    を具備し、
    前記放熱板は、前記複数の半導体チップと対向する面にのみ前記封止樹脂が密着し、
    さらに、前記放熱板の各辺の長さは、前記各辺に相対する前記配線基板の辺の長さよりも短いことを特徴とする半導体装置。
13. 前記放熱板の側面には前記封止樹脂が接しないことを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。