JP2010100758A - ケイ素含有硬化性組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】はじきが改善されてポリイミド系樹脂に対しても十分な密着性を有し、電気・電子材料、特に発光素子用封止剤として好適なケイ素含有硬化性組成物を提供すること。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物(V-1)と、Si-H基を１分子中に２個以上有する化合物(H-1)とをヒドロシリル化反応させて得られる、Si-H基を１分子中に２個以上有する化合物(H-2)；Si-H基との反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に２個以上有する環状シロキサン化合物(V-2)、及び／又は化合物(V-2)とSi-H基を１分子中に２個以上有する化合物(H-3)とをヒドロシリル化反応させて得られる、Si-H基との反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に２個以上有するプレポリマー(V-3)；並びにヒドロシリル化触媒を含有するケイ素含有硬化性組成物。尚、Ｒ¹はSi-H基との反応性を有する炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜１０有機基を表し、Ｒ²はＣ１〜１０有機基を表す。

【選択図】なし

Description

本発明は、ケイ素含有硬化性組成物、及びそれを硬化させてなる硬化物に関する。詳しくは、ＬＥＤ用封止材料等の電気・電子材料として好適なケイ素含有硬化性組成物及びその硬化物に関する。

液晶表示装置に用いられる各種保護コーティング剤、発光ダイオード（ＬＥＤ）の封止材やダイボンド剤、あるいは各種センサーのコーティング剤をはじめとした光学材料には、高い透明性とともに、高い接着性や高い靭性が求められる。

透明性については、製造工程や使用環境条件等における高温による着色がないだけでなく、自動車用ヘッドライトや照明等の高輝度が要求されるＬＥＤの封止材では、光劣化による透明性低下がないことも求められる。
接着性については、接着性が低い場合、光学素子と封止樹脂との界面で剥離が発生し、剥離により輝度が低下したり光学素子が固定できなくなるために、製品の信頼性が低下する等の問題が発生する。例えば表面実装タイプのＬＥＤではプラスチック、セラミックス、銀等のパッケージ構成材料との接着性が良好であることも望まれている。
靭性については、靭性が低い場合には、例えば光学素子の実装時のはんだリフロー時や使用環境の変化における急激な温度変化によるクラックが発生するといった問題が発生する。

シリコーン樹脂は、耐熱性に優れ、透明性が高く、青色から紫外領域の短波長の光に対しても劣化が少ないことから光学材料に使用されている（例えば、特許文献１及び２参照）。しかしながら、シリコーン樹脂は、アウトガス成分（揮発成分）が多いため電子部材の製造工程等では汚染問題から使用が限定されており、また、軟質で表面タック性を有しているため、表面に埃が容易に付着し光の透過性が低下するという欠点もあった。アウトガス成分が少ないシリコーン樹脂としては、１分子中に少なくとも２個のＳｉ−Ｈ基を含有するプレポリマーと、Ｓｉ−Ｈ基との反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する環状シロキサン化合物とを反応させたシリコーン樹脂（例えば、特許文献３参照）が知られているが、接着性が不十分であった。

また、イソシアヌレート構造を含有するシリコーン樹脂も知られているが、（１）１分子中に少なくとも２個のＳｉ−Ｈ基を含有する化合物と、（２）Ｓｉ−Ｈ基との反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する化合物とを反応させたシリコーン樹脂において、（１）及び／又は（２）がイソシアヌレート構造を有する場合に、（２）がシロキサン結合を有すると、はじきの問題（例えば、特許文献４、５参照）があることが知られている。このはじきのために塗膜の膜厚にムラが発生する場合があり、硬化物においても他の素材（特にポリアミド系樹脂）との親和性の問題から密着性が不足し、ポリアミド系樹脂基板の場合にはＬＥＤ等の光学素子の封止剤として使用できなかった。

特開２００２−０８８２４４号公報 特開２００２−３１４１４２号公報 特開２００６−２３２９７０号公報 特開２００６−３３５９４７号公報 特開２００７−００９０４１号公報

従って、本発明の目的は、はじきが改善されてポリイミド系樹脂に対しても十分な密着性を有し、電気・電子材料、特に発光素子用封止剤として好適なケイ素含有硬化性組成物を提供することにある。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、特定のケイ素含有化合物の構造とプレポリマーに着目し、本発明を完成するに至った。

即ち、本発明は、
（Ａ）成分として、下記一般式（１）で表される化合物（Ｖ−１）とＳｉ−Ｈ基を１分子中に少なくとも２個（化合物（Ｖ−１）の１分子中のＳｉ−Ｈ基との反応性を有する炭素−炭素二重結合の数が１個である場合には、少なくとも３個）有する化合物（Ｈ−１）とをヒドロシリル化反応させて得られる、Ｓｉ−Ｈ基を１分子中に少なくとも２個有する化合物（Ｈ−２）、
（Ｂ）成分として、Ｓｉ−Ｈ基との反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個有する環状シロキサン化合物（Ｖ−２）、及び／又は化合物（Ｖ−２）とＳｉ−Ｈ基を１分子中に少なくとも２個有する化合物（Ｈ−３）とをヒドロシリル化反応させて得られる、Ｓｉ−Ｈ基との反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個有するプレポリマー（Ｖ−３）、並びに
（Ｃ）成分として、ヒドロシリル化触媒
を含有することを特徴とするケイ素含有硬化性組成物を提供するものである。

また、本発明は、上記ケイ素含有硬化性組成物を加熱硬化させてなるケイ素含有硬化物を提供するものである。

本発明によれば、はじきが改善されてポリイミド系樹脂に対しても十分な密着性を有し、電気・電子材料、特に発光素子用封止剤として好適なケイ素含有硬化性組成物を提供できる。

以下、本発明のケイ素含有硬化性組成物について、好ましい実施形態に基づき詳細に説明する。

まず、本発明に係る（Ａ）成分について説明する。
本発明に係る（Ａ）成分は、上記一般式（１）で表される化合物（Ｖ−１）とＳｉ−Ｈ基を１分子中に少なくとも２個（化合物（Ｖ−１）の１分子中のＳｉ−Ｈ基との反応性を有する炭素−炭素二重結合の数が１個である場合には、少なくとも３個）有する化合物（Ｈ−１）とをヒドロシリル化反応させて得られる、Ｓｉ−Ｈ基を１分子中に少なくとも２個有する化合物（Ｈ−２）である。

前記一般式（１）において、Ｒ¹で表される、Ｓｉ−Ｈ基との反応性を有する炭素−炭素二重結合を有する炭素数２〜１０の有機基としては、ビニル、アリル（２−プロペニル）、イソプロペニル、メタリル（２−メチル−２−プロペニル）、３−ブテニル、４−ペンテニル、３−メチル−３−ブテニル、５−ヘキセニル、６−ヘプテニル、７−オクテニル、８−ノネニル、９−デセニル等の末端不飽和アルケニル基；ビニルフェニル、ビニルフェニルメチル、イソプロペニルフェニル、２−（ビニルフェニル）エチル等のアルケニルフェニル基；２−プロペノイル、２−メチル−２−プロペノイル、３−ブテノイル、４−ペンテノイル、３−メチル−３−ブテノイル、５−ヘキセノイル、６−ヘプテノイル、７−オクテノイル、８−ノネノイル、９−デセノイル等の末端不飽和アルケノイル基；２，３−ジアリロキシプロピル、２−ヒドロキシ−３−アリロキシプロピル等のアリルエーテル置換（ヒドロキシ）アルキル基等が挙げられ、（Ａ）成分の耐熱性が向上し、Ｓｉ−Ｈ基との反応性にも優れることから、末端不飽和アルケニル基が好ましく、ビニル、アリル、イソプロペニル、メタリルが更に好ましく、アリルが最も好ましい。

また、Ｒ²で表される、炭素数１〜１０の有機基としては、Ｒ¹で例示したＳｉ−Ｈ基との反応性を有する炭素−炭素二重結合を有する炭素数２〜１０の有機基に加え、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、２級ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、２級ペンチル、ｔ−ペンチル、ヘキシル、２級ヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、デシル等のアルキル基；シクロペンチル、シクロヘキシル等のシクロアルキル基；フェニル、メチルフェニル、エチルフェニル、ジメチルフェニル、イソプロピルフェニル、ｔ−ブチルフェニル、オクチルフェニル等のアルキルフェニル基；ベンジル、フェニルエチル、２−フェニル−２−プロピル等のアラルキル基；１，２−エポキシエチル、グリジジル（２，３−エポキシプロピル）、３，４−エポキシブチル、４，５−エポキシペンチル、５，６−エポキシヘキシル、２，３−エポキシクロヘキシル、３，４−エポキシクロヘキシル、３，４−エポキシクロヘキシルメチル、２−（３，４−エポキシクロヘキシル）エチル等のエポキシ基を含有する基等が挙げられ、（Ａ）成分の耐熱性の点からは、末端不飽和アルケニル基、アルキル基及びアラルキル基が好ましく、末端不飽和アルケニル基が更に好ましく、本発明のケイ素含有硬化性組成物の密着性の点からは、エポキシ基を含有する基が好ましい。

前記一般式（１）で表される化合物（Ｖ−１）の具体的な例としては、トリアリルイソシアヌレート、ジアリルメチルイソシアヌレート、ジアリルエチルイソシアヌレート、ジアリルベンジルイソシアヌレート、ジアリルグリシジルイソシアヌレート、アリルジメチルイソシアヌレート、アリルジエチルイソシアヌレート、アリルジベンジルイソシアヌレート、アリルジグリシジルイソシアヌレート等が好ましく、ジアリルメチルイソシアヌレート、ジアリルエチルイソシアヌレート、ジアリルベンジルイソシアヌレート、ジアリルグリシジルイソシアヌレート、アリルジメチルイソシアヌレート、アリルジエチルイソシアヌレート、アリルジベンジルイソシアヌレート、アリルジグリシジルイソシアヌレートがより好ましく、ジアリルメチルイソシアヌレート、アリルジメチルイソシアヌレート、ジアリルエチルイソシアヌレート、アリルジエチルイソシアヌレート、ジアリルグリシジルイソシアヌレート、アリルジグリシジルイソシアヌレートが更に好ましく、ジアリルグリシジルイソシアヌレート、アリルジグリシジルイソシアヌレートが最も好ましい。化合物（Ｖ−１）は、単独で使用しても２種以上組み合わせて使用してもよい。

次に、前記一般式（１）で表される化合物（Ｖ−１）とヒドロシリル化反応させる、Ｓｉ−Ｈ基を１分子中に少なくとも２個（化合物（Ｖ−１）の１分子中のＳｉ−Ｈ基との反応性を有する炭素−炭素二重結合の数が１個である場合には、少なくとも３個）有する化合物（Ｈ−１）について説明する。
化合物（Ｈ−１）としては、例えば、下記の一般式（２）で表される直線状シロキサン化合物、下記の一般式（３）で表される環状シロキサン化合物等が挙げられ、下記の一般式（３）で表される環状シロキサン化合物がより好ましい。化合物（Ｈ−１）としては、一般式（２）で表される直線状シロキサン化合物と一般式（３）で表される環状シロキサン化合物とを組み合わせて使用してもよい。化合物（Ｈ−１）としては、これらの他、架橋構造を有するシロキサン化合物、例えばシルセスキオキサン型のシロキサン化合物等でもよい。

上記一般式（２）で表される直線状シロキサン化合物において、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は同一でも異なっていてもよい炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜６のシクロアルキル基又はフェニル基を表す。炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、２級ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、２級ペンチル、ｔ−ペンチル、ヘキシル、２級ヘキシル等が挙げられ、炭素数５〜６のシクロアルキル基としては、シクロペンチル、メチルシクロペンチル、シクロペンチルメチル、シクロヘキシル等が挙げられる。Ｒ⁴としては、ヒドロシリル化反応への影響が少ないことから、メチル及びエチルが好ましく、メチルが更に好ましく、Ｒ⁵及びＲ⁶としては、本発明のケイ素含有硬化性組成物の耐熱性の面からは、メチル、エチル及びフェニルが好ましく、メチル及びフェニルが更に好ましく、メチルが最も好ましい。ａは０〜１０００の数を表し、ｂは０〜１０００の数を表す。Ｘは水素原子又はメチル基を表すが、ａが０又は１の数の場合には水素原子を表す。

上記一般式（２）で表される直線状シロキサン化合物の分子量は、ハンドリング性の点から、質量平均分子量が８００〜１０００００であることが好ましく、１０００〜４００００であることが更に好ましく、１５００〜３００００であることが最も好ましい。なお、本発明において、質量平均分子量とは、テトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦという）を溶媒としてＧＰＣ分析を行った場合のポリスチレン換算の質量平均分子量をいう。

上記一般式（３）で表される環状シロキサン化合物において、Ｒ⁷、Ｒ⁸及びＲ⁹は同一でも異なっていてもよい炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜６のシクロアルキル基又はフェニル基を表す。炭素数１〜６のアルキル基及び炭素数５〜６のシクロアルキル基としては、上記一般式（２）のＲ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶で挙げたアルキル基及びシクロアルキル基が挙げられる。Ｒ⁷としては、ヒドロシリル化反応への影響が少ないことから、メチル及びエチルが好ましく、メチルが更に好ましく、Ｒ⁵及びＲ⁶としては、本発明のケイ素含有硬化性組成物の耐熱性の面からは、メチル、エチル及びフェニルが好ましく、メチル及びフェニルが更に好ましく、メチルが最も好ましい。ｃは２〜６の数を表し、ｄはｃ＋ｄが３〜６となる数を表す。工業的に入手が容易であることから、ｃ＋ｄが４〜６であることが好ましく、４〜５であることが更に好ましく、４であることが最も好ましい。

上記一般式（３）で表される環状シロキサン化合物の中で、硬化物の物性の点から、好ましい化合物の具体例としては、２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリフェニルシクロトリシロキサン、２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラフェニルシクロテトラシロキサン、２−エチル−４，６，８−トリメチルシクロテトラシロキサン、２−フェニル−４，６，８−トリメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタエチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタフェニルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０，１２−ヘキサメチルシクロヘキサシロキサン、２，４，６，８，１０，１２−ヘキサエチルシクロヘキサシロキサン、２，４，６，８，１０，１２−ヘキサフェニルシクロヘキサシロキサン等が挙げられ、工業的に入手が容易であることから、２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン及び２，４，６，８，１０−ペンタメチルシクロペンタシロキサンが好ましく、２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサンが更に好ましい。上記一般式（３）で表される環状シロキサン化合物は、単独で使用しても２種以上組み合わせて使用してもよい。

本発明に係る（Ａ）成分である化合物（Ｈ−２）は、上記の化合物（Ｖ−１）と化合物（Ｈ−１）とをヒドロシリル化反応することによって得られる。化合物（Ｖ−１）と化合物（Ｈ−１）との反応比率は、得られる化合物（Ｈ−２）が１分子中に少なくとも２個のＳｉ−Ｈ基を含有するようになる反応比率であれば、特に限定されないが、化合物（Ｈ−２）の粘度の点から、Ｓｉ−Ｈ基との反応性を有する炭素―炭素二重結合に対する、Ｓｉ−Ｈ基の数の当量比が２〜１０であることが好ましく、２〜６であることが更に好ましく、２〜４であることが最も好ましい。また、化合物（Ｈ−２）中の化合物（Ｖ−１）の割合は１０〜８０質量％、特に３０〜７５質量％であることが好ましい。

また、化合物（Ｈ−２）のＳｉ−Ｈ基の濃度は、硬化性及び保存安定性の点から、０．０００１〜１００ｍｍｏｌ／ｇが好ましく、０．０１〜４０ｍｍｏｌ／ｇが更に好ましく、０．１〜２０ｍｍｏｌ／ｇが最も好ましい。なお、Ｓｉ−Ｈ基の濃度は、¹Ｈ−ＮＭＲ分析のピークの積分値の比から求めることができる。

化合物（Ｈ−２）は、耐熱性及びハンドリング性の点から、質量平均分子量が５００〜５０万であることが好ましく、１０００〜３０万が更に好ましく、５０００〜５万が最も好ましい。

化合物（Ｈ−２）が有するＳｉ−Ｈ基の数は、Ｓｉ−Ｈ基の濃度と質量平均分子量との積から求めることができる。

化合物（Ｖ−１）と化合物（Ｈ−１）とのヒドロシリル化反応は、触媒を用いて行うことが好ましく、ヒドロシリル化触媒としては、例えば、白金系触媒、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒等が挙げられる。白金系触媒としては、例えば、塩化白金酸、塩化白金酸とアルコール、アルデヒド、ケトン等との錯体、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニルビニルメチル錯体（Ｏｓｓｋｏ触媒）、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体（ＫａＲｓｔｅｄｔ触媒）、白金−シクロビニルメチルシロキサン錯体、白金−オクチルアルデヒド錯体、白金−ホスフィン錯体（例えば、Ｐｔ［Ｐ（Ｃ₆Ｈ₅）₃］₄、ＰｔＣｌ［Ｐ（Ｃ₆Ｈ₅）₃］₃、Ｐｔ［Ｐ（Ｃ₄Ｈ₉）₃）₄］、白金−ホスファイト錯体（例えば、Ｐｔ［Ｐ（ＯＣ₆Ｈ₅）₃］₄）、Ｐｔ［Ｐ（ＯＣ₄Ｈ₉）₃］₄）、ジカルボニルジクロロ白金等が挙げられる。パラジウム系触媒又はロジウム系触媒としては、例えば、上記白金系触媒において白金原子の代わりにパラジウム原子又はロジウム原子を含有する化合物が挙げられる。これらは１種で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。ヒドロシリル化触媒としては、反応性の点から、白金系触媒が好ましく、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体及び白金−カルボニルビニルメチル錯体が更に好ましく、白金−カルボニルビニルメチル錯体が最も好ましい。また、触媒の使用量は反応性の点から、化合物（Ｖ−１）と化合物（Ｈ−１）との合計量の５質量％以下が好ましく、０．０００１〜１．０質量％が更に好ましく、０．００１〜０．１質量％が最も好ましい。

化合物（Ｖ−１）と化合物（Ｈ−１）とのヒドロシリル化の反応条件は特に限定されず、上記触媒を使用して従来公知の条件で行なえばよいが、反応速度の点から、室温〜１３０℃で行なうのが好ましく、反応時にトルエン、ヘキサン、イソプロパノール、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の従来公知の溶媒を使用してもよい。

本発明に係る（Ａ）成分は、前記一般式（１）で表される化合物（Ｖ−１）とＳｉ−Ｈ基を１分子中に少なくとも２個有する化合物（Ｈ−１）とをヒドロシリル化反応させて得られる、Ｓｉ−Ｈ基を１分子中に少なくとも２個有する化合物（Ｈ−２）である。本発明では、化合物（Ｖ−１）と化合物（Ｈ−１）とをプレポリマー化してから、これを硬化性組成物の配合成分とすることで低沸点物を除去できるので、アウトガス成分が極めて少ない硬化組成物が得られる。また、本発明では、化合物（Ｖ−１）がイソシアヌレート構造であるのであることから、光学素子の封止剤とした場合に、密着性に優れる硬化物が得られる。さらに、化合物（Ｈ−１）が、環状シロキサン化合物である場合には、鎖状化合物の場合に比べて、硬化物の物理的強度（剛直性）、耐クラック性等を向上させることができる。

次に、本発明に係る（Ｂ）成分について説明する。
本発明に係る（Ｂ）成分は、Ｓｉ−Ｈ基との反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個有する環状シロキサン化合物（Ｖ−２）、及び／又は化合物（Ｖ−２）とＳｉ−Ｈ基を１分子中に少なくとも２個有する化合物（Ｈ−３）とをヒドロシリル化反応させて得られる、Ｓｉ−Ｈ基との反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個有するプレポリマー（Ｖ−３）である。

化合物（Ｖ−２）において、二重結合の数は２〜１０個が好ましく、硬化物の架橋密度の点から２〜６個がより好ましい。また、このＳｉ−Ｈ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合は、アルケニル基、ビニル基等が挙げられるが、特に反応性の点から、ケイ素原子に結合したビニル基（Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ₂基）であることが好ましい。また、硬化物の物性の点から好ましい化合物（Ｖ−２）としては、下記一般式（４）で表わされる化合物が挙げられる。

上記一般式（４）において、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²で表される炭素数１〜６のアルキル基及び炭素数５〜６のシクロアルキル基としては、前記一般式（２）のＲ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶で挙げたアルキル基及びシクロアルキル基が挙げられる。Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²は、工業的に入手が容易なことから、メチル基又はフェニル基が好ましい。尚、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²が上記の範囲外である化合物も、化合物（Ｖ−２）として使用することができる。

上記一般式（４）において、ｅは２〜６の数を表わし、ｆはｅ＋ｆが３〜６となる数を表す。工業的に入手が容易であることから、ｅ＋ｆが４〜６であることが好ましく、４〜５であることが更に好ましく、４であることが最も好ましい。

硬化物の物性の点から好ましい化合物（Ｖ−２）の具体例としては、２，４，６−トリメチル−２，４，６−トリビニルシクロトリシロキサン、２，４，６，６，８，８−ヘキサメチル−２，４−ジビニルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８，８−ペンタメチル−２，４，６−トリビニルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラメチル−２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラメチル−８−フェニル−２，４，６−トリビニルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラメチル−６，８−ジフェニル−２，４−ジビニルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラフェニル−２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタメチル−２，４，６，８，１０−ペンタビニルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０，１２−ヘキサメチル−２，４，６，８，１０，１２−ヘキサビニルシクロヘキサシロキサン等が挙げられ、工業的な入手の容易さから、２，４，６，８−テトラメチル−２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラメチル−８−フェニル−２，４，６−トリビニルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラメチル−６，８−ジフェニル−２，４−ジビニルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタメチル−２，４，６，８，１０−ペンタビニルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０，１２−ヘキサメチル−２，４，６，８，１０，１２−ヘキサビニルシクロヘキサシロキサンが好ましく、２，４，６，８−テトラメチル−２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタメチル−２，４，６，８，１０−ペンタビニルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０，１２−ヘキサメチル−２，４，６，８，１０，１２−ヘキサビニルシクロヘキサシロキサンが更に好ましく、２，４，６，８−テトラメチル−２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサンが最も好ましい。化合物（Ｖ−２）は、単独で使用しても２種以上組み合わせて使用してもよい。

本発明では、（Ｂ）成分として、Ｓｉ−Ｈ基との反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個有する環状シロキサン化合物（Ｖ−２）を選択することにより、イソシアヌレート構造を含有するケイ素含有硬化性組成物において、はじきの問題を改善し、ポリアミド系基板への密着性も向上させることができる。

（Ｂ）成分としては、化合物（Ｖ−２）でも十分な性能が得られるが、さらに性能が向上することから、化合物（Ｖ−２）とＳｉ−Ｈ基を１分子中に少なくとも２個有する化合物（Ｈ−３）とをヒドロシリル化反応させて得られる、Ｓｉ−Ｈ基との反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個有するプレポリマー（Ｖ−３）であることが好ましい。

化合物（Ｈ−３）として好ましい化合物としては、前記一般式（２）で表される直線状シロキサン化合物、前記一般式（３）で表される環状シロキサン化合物、及び前記化合物（Ｈ−２）が挙げられ、中でも、化合物（Ｈ−２）が好ましい。化合物（Ｈ−３）としては、これら化合物又はプレポリマーのうち１種のみを使用しても、組み合わせて使用してもよい。

前記一般式（３）で表される環状シロキサン化合物のうち、化合物（Ｈ−３）として好ましい化合物の具体例としては、化合物（Ｈ−１）の場合と同様であり、２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン及び２，４，６，８，１０−ペンタメチルシクロペンタシロキサンが好ましく、２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサンが更に好ましい。前記一般式（３）で表される環状シロキサン化合物は、単独で使用しても２種以上組み合わせて使用してもよい。

化合物（Ｈ−３）が化合物（Ｈ−２）である場合、化合物（Ｈ−２）に用いられる化合物（Ｖ−１）の好ましい具体的な化合物は、（Ａ）成分の化合物（Ｖ−１）と同様の化合物が好ましく、中でも、ジアリルグリシジルイソシアヌレート及びアリルジグリシジルイソシアヌレートが好ましい。また、化合物（Ｈ−３）が化合物（Ｈ−２）である場合、化合物（Ｈ−２）に用いられる化合物（Ｈ−１）としては、前記一般式（３）で表される環状シロキサン化合物が好ましく、中でも、２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン及び２，４，６，８，１０−ペンタメチルシクロペンタシロキサンが好ましく、２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサンが更に好ましい。

化合物（Ｈ−３）は、本発明のケイ素含有硬化性組成物の保存安定性が向上することから、（Ａ）成分の化合物（Ｈ−２）又はその成分の化合物（Ｈ−１）と同一であることが好ましい。

プレポリマー（Ｖ−３）は、化合物（Ｖ−２）と化合物（Ｈ−３）とを、得られるプレポリマー（Ｖ−３）がＳｉ−Ｈ基との反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個有するようになる割合で、ヒドロシリル化反応させて得られる化合物である。ヒドロシリル化反応の条件は、特に限定されず、化合物（Ｖ−１）と化合物（Ｈ−１）とのヒドロシリル化反応と同様の条件で反応することができる。

プレポリマー（Ｖ−３）中の化合物（Ｖ−２）の割合は、５０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることが更に好ましく、７０質量％以上であることが最も好ましい。

本発明のケイ素含有硬化性組成物中、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の含有比率は、Ｓｉ−Ｈ基と、Ｓｉ−Ｈ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合との比を考慮して適宜決めればよいが、Ｓｉ−Ｈ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合に対する、Ｓｉ−Ｈ基の当量比が、０．９〜１０が好ましく、１．０〜５．０が更に好ましく、１．１〜３．０が最も好ましい。

本発明のケイ素含有硬化性組成物は、（Ｃ）成分としてヒドロシリル化触媒を含有する。ヒドロシリル化触媒は、ヒドロシリル化反応の触媒活性があれば、特に限定されず、公知の化合物を用いることができる。このような触媒としては、例えば、白金系触媒、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒等が挙げられる。白金系触媒としては、例えば、塩化白金酸、塩化白金酸とアルコール、アルデヒド、ケトン等との錯体、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニルビニルメチル錯体（Ｏｓｓｋｏ触媒）、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体（ＫａＲｓｔｅｄｔ触媒）、白金−シクロビニルメチルシロキサン錯体、白金−オクチルアルデヒド錯体、白金−ホスフィン錯体（例えば、Ｐｔ［Ｐ（Ｃ₆Ｈ₅）₃］₄、ＰｔＣｌ［Ｐ（Ｃ₆Ｈ₅）₃］₃、Ｐｔ［Ｐ（Ｃ₄Ｈ₉）₃）₄］）、白金−ホスファイト錯体（例えば、Ｐｔ［Ｐ（ＯＣ₆Ｈ₅）₃］₄、Ｐｔ［Ｐ（ＯＣ₄Ｈ₉）₃］₄）、ジカルボニルジクロロ白金等が挙げられる。パラジウム系触媒又はロジウム系触媒としては、例えば、上記白金系触媒において白金原子の代わりにパラジウム原子又はロジウム原子を含有する化合物が挙げられる。これらは１種で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。ヒドロシリル化触媒としては、反応性の点から、白金系触媒が好ましく、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体及び白金−カルボニルビニルメチル錯体が更に好ましく、白金−カルボニルビニルメチル錯体が最も好ましい。また、触媒の使用量は、反応性の点から（Ａ）成分と（Ｂ）成分との合計量の５質量％以下が好ましく、０．０００１〜１．０質量％が更に好ましく、０．００１〜０．１質量％が最も好ましい。

なお、本発明の（Ａ）成分又は（Ｂ）成分の合成反応時に使用したヒドロシリル化触媒が失活しないで残存している場合には、残存している触媒を（Ｃ）成分として使用しても良い。

本発明のケイ素含有硬化性組成物は、上記の（Ａ）〜（Ｃ）成分以外に、必要に応じて、耐候性付与剤、無機性フィラー、帯電防止剤等を含有してもよい。

上記耐候性付与剤としては、光安定剤、紫外線吸収剤、フェノール系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。光安定剤としては、ヒンダードアミン類が挙げられ、紫外線吸収剤としては、２−ヒドロキシベンゾフェノン類、ベンゾトリアゾール類、２−（２−ヒドロキシフェニル）トリアジン類、ベンゾエート類、シアノアクリレート類等が挙げられ、フェノール系酸化防止剤としては、トリエチレングリコール−ビス［３−（３−ｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，６−ジ−ｔ−ブチル−メチルフェノール（ＢＨＴ又はＤＢＰＣ）等が挙げられ、硫黄系酸化防止剤としては、ジアルキルチオジプロピオネート類、β―アルキルメルカプトプロピオン酸エステル類等が挙げられ、リン系酸化防止剤としては、有機ホスファイト類が挙げられる。本発明のケイ素含有硬化性組成物における耐候性付与剤の含有量は、透明性、耐熱性、電気特性、硬化性、力学特性、保存安定性及びハンドリングの点から、０．０００１〜１０質量％が好ましく、０．００５〜５質量％が更に好ましく、０．０５〜１質量％が最も好ましい。

上記無機性フィラーは、いわゆる充填剤、鉱物等の無機材料及びそれを有機変性処理等により改質したものを指す。具体的には、例えば、コロイダルシリカ、シリカフィラー、シリカゲル等の二酸化ケイ素類；酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化ベリリウム等の金属酸化物；マイカ、モンモリロナイト、けい石、珪藻土、セリサイト、カオリナイト、フリント、長石粉、蛭石、アタパルジャイト、タルク、ミネソタイト、パイロフィライト等の鉱物類；窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、炭化ケイ素等のセラミックス類；これらを有機変性処理等によって改質したものが挙げられる。これらの無機性フィラーの粒径は、耐熱性の点から１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましい。本発明のケイ素含有硬化性組成物における無機性フィラー含有量は、透明性を重視する場合には使用しない又はできる限り少ない使用が好ましいので０〜１０質量％が好ましく、耐熱性向上、増粘、チクソ性付与を目的として使用する場合には１０〜９０質量％が好ましい。

次に、本発明のケイ素含有硬化性組成物を加熱硬化させてなる本発明の硬化物について述べる。
本発明のケイ素含有硬化性組成物は、加熱することにより硬化させることができ、硬化物とすることができる。この硬化反応は、本発明のケイ素含有硬化性組成物の配合成分を使用直前に混合する方法、あらかじめ全部を混合しておき硬化反応を行うときに加熱等により硬化する方法等、いずれの方法で行ってもよい。硬化させる場合の温度は３５〜３５０℃が好ましく、５０〜２５０℃が更に好ましく、１００〜２３０℃が最も好ましい。硬化反応は一定の温度で行ってもよいが、必要に応じて多段階あるいは連続的に温度を変化させてもよい。硬化時間は０．０１〜１０時間が好ましく、０．０５〜６時間がより好ましい。

硬化物の形状は、用途に応じて種々とりうるので特に限定されないが、例えば、フィルム状、シート状、チューブ状、ロッド状、塗膜状、バルク状等の形状とすることができる。成形する方法も従来の熱硬化性樹脂の成形方法をはじめとして種々の方法をとることができる。例えば、キャスト法、プレス法、注型法、トランスファー成形法、コーティング法、ＲＩＭ法等の成形方法を適用することができる。成形型は研磨ガラス、硬質ステンレス研磨板、ポリカーボネート板、ポリエチレンテレフタレート板、ポリメチルメタクリレート板等を適用することができる。また、成形型との離型性を向上させるためポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリイミドフィルム等を適用することができる。成形時に必要に応じ各種処理を施すこともできる。例えば、成形時に発生するボイドの抑制のために組成物あるいは一部反応させた組成物を遠心、減圧等により脱泡する処理、プレス時に一旦圧力を開放する処理等を適用することもできる。

本発明のケイ素含有硬化性組成物は、アウトガス成分が少なく、透明性に優れ、その硬化物は、耐熱性、耐クラック性、耐埃付着性に優れ、光劣化や熱劣化による着色が少ない。このため、本発明のケイ素含有硬化性組成物は、光学用材料をはじめ各種用途に使用できる。光学用材料とは、光をその材料中を通過させる用途に用いる材料一般をいい、ＬＥＤ用封止の他、例えば以下のものが挙げられる。

液晶ディスプレイ分野では、基板材料、導光板、プリズムシート、偏向板、位相差板、視野角補正フィルム、偏光子保護フィルム等の液晶用フィルム等；プラズマディスプレイ分野では、プラズマディスプレイの封止剤、反射防止フィルム、光学補正フィルム、ハウジング材、前面ガラスの保護フィルム、前面ガラス代替材料等；ＬＥＤ表示装置では、ＬＥＤのモールド材、ＬＥＤの封止剤、前面ガラスの保護フィルム、前面ガラス代替材料等；有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ分野では、前面ガラスの保護フィルム、前面ガラス代替材料等である。

光記録分野では、ＶＤ（ビデオディスク）、ＣＤ／ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ／ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＭＯ／ＭＤ、ＰＤ（相変化ディスク）、光カード用のディスク基板材料、ピックアップレンズ、保護フィルム、封止剤等である。
光学機器分野では、レンズ用材料、ファインダプリズム、ターゲットプリズム、ファインダーカバー、受光センサー部、ファインダー、保護フィルム等である。
光部品分野では、光ファイバー材料、レンズ、導波路、素子の封止剤、フェルール、光受動部品、光回路部品ではレンズ、導波路、素子の封止剤等である。
自動車・輸送機分野では、自動車用のランプリフレクタ、ベアリングリテーナー、ギア部分、耐蝕コート、スイッチ部分、ヘッドランプ、電装部品、各種内外装品、インテリアパネル、内装材、保護・結束用ワイヤーネス、ガラス代替品等である。

光学用材料以外の用途としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が使用される一般の用途が挙げられ、例えば、接着剤、塗料、コーティング剤、成形材料（シート、フィルム、ＦＲＰ等を含む）、絶縁材料（プリント基板、電線被覆等を含む）、封止剤の他、他樹脂等への添加剤等が挙げられる。

接着剤としては、土木用、建築用、自動車用、一般事務用、医療用の接着剤の他、電子材料用の接着剤が挙げられる。これらのうち電子材料用の接着剤としては、ビルドアップ基板等の多層基板の層間接着剤、ダイボンディング剤、アンダーフィル等の半導体用接着剤、ＢＧＡ補強用アンダーフィル、異方性導電性フィルム（ＡＣＦ）、異方性導電性ペースト（ＡＣＰ）等の実装用接着剤等が挙げられる。

封止剤としては、コンデンサ、トランジスタ、ダイオード、発光ダイオード、ＩＣ、ＬＳＩ等用のポッティング、ディッピング、トランスファーモールド封止、ＩＣ、ＬＳＩ類のＣＯＢ、ＣＯＦ、ＴＡＢ等用のといったポッティング封止、フリップチップ等の用のアンダーフィル、ＢＧＡ、ＣＳＰ等のＩＣパッケージ類実装時の封止（補強用アンダーフィル）等を挙げることができる。

以下、実施例等により本発明を更に説明するが、本発明はこれらの実施例等によって限定されるものではない。尚、実施例中の「部」や「％」は質量基準によるものである。

［合成例１］（Ａ）成分：プレポリマーＡ−１の合成
窒素ガス導入管、温度計、冷却管、攪拌装置を備えた２００mlのガラス製フラスコに化合物（Ｈ−１）成分として２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン３６．０ｇ（０．１５モル）、化合物（Ｖ−１）としてモノアリルジグリシジルイソシアヌレート１５．６ｇ（０．０５モル）、触媒として白金-ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体０．０１ｇ及び溶媒としてトルエン５０ｇを仕込み、１０５℃で２時間反応させた。その後、７０℃で溶媒を減圧留去しプレポリマーＡ−１を得た。プレポリマーＡ−１のＧＰＣ分析により求めた質量平均分子量は５７０であり、¹Ｈ−ＮＭＲ分析により求めた１ｇあたりのＳｉ−Ｈ基の含有量は８．１６ｍｍｏｌであり、質量平均分子量とＳｉ−Ｈ基の濃度とから得られた１分子あたりのＳｉ−Ｈ基の数は４．６５である。

［合成例２］（Ａ）成分：プレポリマーＡ−２の合成
化合物（Ｈ−１）として１，１，３，３-テトラメチルジシロキサン２０．２ｇ（０．１５モル）を使用し、化合物（Ｖ−１）としてジアリルモノグリシジルイソシアヌル酸１５．９ｇ（０．０６モル）、を使用した以外は、合成例１と同様の操作を行いプレポリマーＡ−２を得た。プレポリマーＡ−２のＧＰＣ分析により求めた質量平均分子量は６２０であり、¹Ｈ−ＮＭＲ分析により求めた１ｇあたりのＳｉ−Ｈ基の含有量は３．７５ｍｍｏｌであり、質量平均分子量とＳｉ−Ｈ基の含有量とから得られた１分子あたりのＳｉ−Ｈ基の数は２．３３である。

［合成例３］（Ａ）成分：プレポリマーＡ−３の合成
化合物（Ｖ−１）としてジアリルモノグリシジルイソシアヌル酸１３．３ｇ（０．０５モル）を使用した以外は、合成例１と同様の操作を行いプレポリマーＡ−３を得た。プレポリマーＡ−３のＧＰＣ分析により求めた質量平均分子量は７７０であり、¹Ｈ−ＮＭＲ分析により求めた１ｇあたりのＳｉ−Ｈ基の含有量は７．８ｍｍｏｌであり、質量平均分子量とＳｉ−Ｈ基の濃度とから得られた１分子あたりのＳｉ−Ｈ基の数は６．０１である。

［合成例４］（Ｂ）成分：プレポリマーＢ−１の合成
合成例１と同様のガラス製フラスコに化合物（Ｖ−２）として２，４，６，８−テトラメチル−２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン７９．１ｇ（０．２３モル）、及び化合物（Ｈ−３）として合成例２で得られたプレポリマーＡ−２を３２．２ｇ（０．０５２モル）、溶媒としてトルエン５０ｇを仕込み、１０５℃で２時間反応させた。その後、７０℃で溶媒を減圧留去しプレポリマーＢ−１を得た。プレポリマーＢ−１のＧＰＣ分析により求めた質量平均分子量は１４５０であり、¹Ｈ−ＮＭＲ分析により求めた１ｇあたりのビニル基の含有量は５．３４ｍｍｏｌであり、質量平均分子量とビニル基の濃度とから得られた１分子あたりのビニル基の数は７．７４である。

［合成例５］（Ｂ）成分：プレポリマーＢ−２の合成
合成例１と同様のガラス製フラスコに化合物（Ｖ−２）として２，４，６，８−テトラメチル−２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン３８．４ｇ（０．１６モル）、及び化合物（Ｈ−３）として２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサンを１３．８ｇ（０．０４モル）、溶媒としてトルエン５０ｇを仕込み、１０５℃で２時間反応させた。その後、７０℃で溶媒を減圧留去しプレポリマーＢ−２を得た。プレポリマーＢ−２のＧＰＣ分析により求めた質量平均分子量は１２７０であり、¹Ｈ−ＮＭＲ分析により求めた１ｇあたりのビニル基の含有量は９．２９ｍｍｏｌであり、質量平均分子量とビニル基の濃度とから得られた１分子あたりのビニル基の数は１１．８である。

［参考例１］比較用のプレポリマーＡ’−１
合成例３において、ジアリルモノグリシジルイソシアヌル酸を、両末端にビニル基を有する直鎖状ポリジメチルシロキサン（分子量１８６、１分子あたりのＳｉ−ビニル基の含有量は２個）９．３ｇ（０．０５モル）に変えたほかは、同様の操作を行いプレポリマーＡ’−１を得た。プレポリマーＡ’−１のＧＰＣ分析により求めた質量平均分子量は８００、¹Ｈ−ＮＭＲ分析により求めた１ｇあたりのＳｉ−Ｈ基の含有量は２．６７ｍｍｏｌ、質量平均分子量とＳｉ−Ｈ基の含有量とから得られた１分子あたりのＳｉ−Ｈ基の数は２．１４である。

［参考例２］比較用のプレポリマーＢ’−１
合成例４において、２，４，６，８−テトラメチル−２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン７９．１ｇ（０．２３モル）の代わりに、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジビニルジシロキサン２２．７ｇ（０．１２２モル）を使用し、プレポリマーＡ−２を６４．２ｇ（０．１０４モル）に増やしたほかは、合成例４と同様の操作を行いプレポリマーＢ’−１を得た。プレポリマーＢ’−１のＧＰＣ分析により求めた質量平均分子量は１０００であり、¹Ｈ−ＮＭＲ分析により求めた１ｇあたりのビニル基の含有量は２．１８ｍｍｏｌであり、質量平均分子量とビニル基の含有量とから得られた１分子あたりのビニル基の数は２．１８である。

［参考例３］比較用のプレポリマーＢ’−２
ジクロロジメチルシラン１００部を１００部のイオン交換水と５０部のトルエンと４５０部の４８％水酸化ナトリウム水溶液中に滴下し、１０５℃で５時間重合させた。得られた反応溶液を５００部のイオン交換水で水洗した後にトルエン溶液を脱水し、ピリジンを２０部加え、これにさらにジメチルビニルクロロシラン２０部を加えて７０℃で３０分間攪拌した。その後、１００部のイオン交換水で水洗した後に溶液を１５０℃で溶媒を減圧留去した。次に１００部のアセトニトリルで洗浄し、その後、７０℃で溶媒を減圧留去し、不飽和結合を有する非環状ポリシロキサン化合物であるプレポリマーＢ’−２を得た。プレポリマーＢ’−２のＧＰＣ分析により求めた質量平均分子量は４００００であり、¹Ｈ−ＮＭＲ分析により求めた１ｇあたりのビニル基の含有量は０．０７ｍｍｏｌであり、質量平均分子量とビニル基の含有量とから得られた１分子あたりのビニル基の数は２．８である。

［参考例４］比較用のプレポリマーＡ’−２
比較用のプレポリマーＢ’−２の１００部をトルエン２００部に溶かし、白金触媒０．００３部と環状ポリシロキサン化合物である２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン１０部を加え、１０５℃で２時間反応させた。７０℃で溶媒を減圧留去した後にアセトニトリル１００部で洗浄した。その後、７０℃で溶媒を減圧留去し、ケイ素含有化合物プレポリマーＡ’−２を得た。プレポリマーＡ’−２のＧＰＣ分析により求めた質量平均分子量は５００００であり、¹Ｈ−ＮＭＲ分析により求めた１ｇあたりのＳｉ−Ｈ基の含有量は０．２０ｍｍｏｌであり、質量平均分子量とＳｉ−Ｈ基の含有量とから得られた１分子あたりのＳｉ−Ｈ基の数は１０．０である。

［実施例１］
（Ａ）成分として合成例１で得られたプレポリマーＡ−１を１００部、（Ｂ）成分として合成例４で得られたプレポリマーＢ−１を６０部配合して、実施例１のケイ素含有硬化性組成物を得た。なお、１００部の実施例１のケイ素含有硬化性組成物には、プレポリマーＡ−１及びプレポリマーＢ−１由来の白金-ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体（（Ｃ）成分に相当）が０．００３部含まれている。
ガラス板に縦２０mm、横２０mmの正方形の穴のあいた３ｍｍ厚のシリコーンシートをのせ、軽く減圧して気泡を除いた実施例１のケイ素含有硬化性組成物を、その穴に流し込んだ後、ガラス板を載せた。これを、恒温槽に入れて１５０℃で３時間加熱して実施例１の硬化物試験片を得た。

［実施例２〜５、比較例１〜３］
表１に示す配合とした以外は実施例１と同様にして、実施例２〜５及び比較例１〜３のケイ素含有硬化性組成物を調製し、ケイ素含有硬化性組成物から硬化物試験片を得た。なお、下記表１において、Ｂ−３及びＣ−１は、それぞれ以下の化合物である。
Ｂ−３：２，４，６，８−テトラメチル−２，４，６，８−テトラビニルテトラシクロシロキサン
Ｃ−１：白金-ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体

［熱着色性試験方法］
厚さ３ｍｍの硬化物試験片を２００℃恒温槽に２４時間加熱保存し、加熱前後の４００ｎｍ及び７００ｎｍの光の透過率を測定することにより熱着色性を評価した。加熱前後の透過率の低下が大きいほど着色が大きく耐熱性が劣ることを示す。

［耐光性試験方法］
硬化物試験片に、５ｍｍの距離から照度５０００ｍＷ／ｃｍ²の光線を、温度１００℃で２４時間照射した後、外観を目視し、下記の評価基準にて耐光性を評価した。なお、照射には、光源に超高圧水銀ランプ（三永電機社製、商品名ＵＶＦ３５２Ｓ）を用い分光フィルタ（旭テクノガラス社製、商品名ＵＶ−３３）で３００ｎｍ以下の波長成分をカットした光線を用いた。
（評価基準）
○：試験片が透明で、変化がない。
△：試験片にやや濁りが見られる。
×：試験片が明らかな濁りが見られる。

［硬さ試験方法］
ＪＩＳ Ｋ６２５３（加硫ゴム及び熱可塑性ゴム―硬さの求め方）に準拠し、硬化物試験片のデュロメータ硬さ（ショア硬さ）を測定した。表中、ＡはタイプＡデュロメータ、ＤはタイプＤデュロメータの値であることを示す。

［はじき試験方法］
ポリフタルアミド樹脂（ソルベイ・アドバンシト・ポリマーズ社製、商品名：アモデルＡ１１４５ ＨＳ ＢＫ３２４）の表面に、ケイ素含有硬化性組成物を厚さ０．３ｍｍで塗布した後、平面上に室温で１時間静置し、静置前後の塗膜の形状の変化により、はじきを下記の評価基準により判定した。
（評価基準）
○：塗膜の形状に変化がなくはじきがない。
△：塗膜の形状にやや変化があり、はじきがややある。
×：塗膜の形状に変化があり、はじきがある。

［接着性試験方法］
ＪＩＳ Ｋ６８５０（接着剤−剛性被着材の引張せん断接着強さ試験方法）に準拠し、はじき試験と同様のポリフタルアミド樹脂の試験片を用いて、ケイ素含有硬化性組成物の接着性を評価した。なお、ケイ素含有硬化性組成物を塗布した試験片は１５０℃の恒温槽で３時間加熱してケイ素含有硬化性組成物を硬化させ、島津製作所製の試験機名オートグラフＡＧ−Ｘにて、接着力（引張りせん断接着強さ）を測定した。

Claims (6)

1. （Ａ）成分として、下記一般式（１）で表される化合物（Ｖ−１）とＳｉ−Ｈ基を１分子中に少なくとも２個（化合物（Ｖ−１）の１分子中のＳｉ−Ｈ基との反応性を有する炭素−炭素二重結合の数が１個である場合には、少なくとも３個）有する化合物（Ｈ−１）とをヒドロシリル化反応させて得られる、Ｓｉ−Ｈ基を１分子中に少なくとも２個有する化合物（Ｈ−２）、
   （Ｂ）成分として、Ｓｉ−Ｈ基との反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個有する環状シロキサン化合物（Ｖ−２）、及び／又は化合物（Ｖ−２）とＳｉ−Ｈ基を１分子中に少なくとも２個有する化合物（Ｈ−３）とをヒドロシリル化反応させて得られる、Ｓｉ−Ｈ基との反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個有するプレポリマー（Ｖ−３）、並びに
   （Ｃ）成分として、ヒドロシリル化触媒
   を含有することを特徴とするケイ素含有硬化性組成物。
   

   
2. 上記化合物（Ｈ−１）が、下記一般式（２）で表される直線状シロキサン化合物である請求項１に記載のケイ素含有硬化性組成物。
   

   
3. 上記化合物（Ｈ−１）が、下記一般式（３）で表される環状シロキサン化合物である請求項１に記載のケイ素含有硬化性組成物。
   

   
4. 上記化合物（Ｖ−２）が、下記一般式（４）で表される環状シロキサン化合物である請求項１乃至３の何れか１項に記載のケイ素含有硬化性組成物。
   

   
5. 上記化合物（Ｈ−３）が、上記化合物（Ｈ−２）である請求項１乃至４の何れか１項に記載のケイ素含有硬化性組成物。
6. 請求項１乃至５の何れか１項に記載のケイ素含有硬化性組成物を加熱硬化させてなるケイ素含有硬化物。