JP2010093637A - 遅延回路 - Google Patents
遅延回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010093637A JP2010093637A JP2008262915A JP2008262915A JP2010093637A JP 2010093637 A JP2010093637 A JP 2010093637A JP 2008262915 A JP2008262915 A JP 2008262915A JP 2008262915 A JP2008262915 A JP 2008262915A JP 2010093637 A JP2010093637 A JP 2010093637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- delay circuit
- polysilicon layer
- wiring
- silicide layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/26—Time-delay networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/30—Time-delay networks
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Pulse Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】遅延回路は、抵抗素子3と容量素子4と接続配線6とを具備する。接続配線6は、基板10上方の第1ポリシリコン層13aと、抵抗素子3と容量素子4とを接続し第1ポリシリコン層13a上の第1シリサイド層14aとを備える。容量素子4は、半導体基板10の表面領域の拡散層12bと、拡散層12b上のゲート絶縁層15bと、ゲート絶縁層15b上の第2ポリシリコン層13bと、第2ポリシリコン層13b上の第2シリサイド層14bとを備える。抵抗素子3は、半導体基板10の上方の第3ポリシリコン層13cを備える。第1、第2、第3ポリシリコン層13a、13b、13cは一体に設けられる。第1、第2シリサイド層14a、14bは一体に設けられる。
【選択図】図4A
Description
本発明では、抵抗素子(3)と容量素子(4)とを接続する配線として、第1シリサイド層(14a)を用い、メタル配線を用いていない。すなわち、抵抗素子(3)、容量素子(4)及び接続配線(6)は、いずれもメタル配線を有していないので、それらの区間において遅延接点にメタル配線カップリングノイズが乗るという事態が発生しない。従って、ノイズの伝播を抑制することが可能となる。加えて、それらの上層にメタル配線を用いることが出来、メタル配線制限を緩和することができる。また、第1シリサイド層(14a)は、抵抗素子(3)や容量素子(4)を構成する膜に積層して形成することができる。従って、メタル配線を用いる場合のようなコンタクト用の領域を形成する必要が無く、抵抗素子(3)や容量素子(4)の面積を縮小させることが出来る。すなわち、回路面積を低減することが出来る。更に、抵抗素子(3)と容量素子(4)とは接続配線(6)で接続されているので、両者は個別に設けられている。したがって、抵抗素子(3)を入力に近い側に、容量素子(4)を出力に近い側に配置することで、インバータ内のトランジスタが充放電に関わることはほとんどないと考えられる。従って、遅延時間をより正確にすることが可能となる。すなわち、高精度な遅延回路を得ることが出来る。
インバータ2は、PMOSトランジスタP−Tr1及びNMOSトランジスタN−Tr1で構成されている。PMOSトランジスタP−Tr1は、ソース側拡散層18aを電源電圧VDDの供給元であるメタル配線26に、ドレイン側拡散層18bを出力側のメタル配線23に、ゲートを信号の供給元である配線21にそれぞれ接続されている。拡散層18a、18bは、半導体基板10(のウェル11)の表面領域に設けられている。ゲートは、半導体基板10上にゲート絶縁層15hを介して設けられたポリシリコン層13h及びシリサイド層14hの積層構造を有する。NMOSトランジスタN−Tr1は、ソース側拡散層19aを接地電圧GNDの供給元であるメタル配線27に、ドレイン側拡散層19bを出力側のメタル配線23に、ゲートを信号の供給元である配線21にそれぞれ接続されている。拡散層19a、19bは、半導体基板10の表面領域に設けられている。ゲートは、半導体基板10上にゲート絶縁層15hを介して設けられたポリシリコン層13h及びシリサイド層14hの積層構造を有する。なお、本発明においてインバータ2のレイアウト構成はこの例に限定されるものではない。
まず、フォトリソグラフィ及びイオン注入の技術により、所定の領域に拡散層12bを形成する。次に、半導体基板10上に一つのゲート絶縁層15を成膜する。ここでゲート絶縁層15は、シリコン酸化膜に例示される。続いて、一つのポリシリコン層13を成膜する。その後、フォトリソグラフィ及びエッチングの技術により、ポリシリコン層13及びゲート絶縁層15を所定の形状にエッチングする。それにより、ゲート絶縁層15b、15g、15hが形成され、ポリシリコン層13a、13b、13c、13d、13e、13f、13g、13hが形成される。その後、フォトリソグラフィ及びイオン注入の技術により、所定の領域に拡散層18a、18b、19a、19bを形成する。次に、半導体基板10上の全面に金属膜を成膜する。このとき、少なくともポリシリコン層13c上にシリサイド層が形成されないように(シリサイドブロック)、少なくともポリシリコン層13c上にマスクをして金属膜を成膜する。金属膜はタングステン膜に例示される。その後、熱処理により金属膜と各ポリシリコン層とを反応させてシリサイド層14a、14b、14d、14e、14f、14g、14hを形成する。その後、不要な金属膜を除去する。
2、5 インバータ
3 抵抗素子
4 容量素子
6、7、8 配線
9 内部配線
10 半導体基板
11 ウェル
12、12b、18a、18b、19a、19b 拡散層
13、13a、13b、13c、13d、13e、13f、13g、13h ポリシリコン層
14、14a、14b、14d、14e、14f、14g、14h シリサイド層
15、15b、15g、15h ゲート絶縁層
21、22、23、27、28 メタル配線
110 半導体基板
111 ウェル
112 拡散層
113 ゲート配線層
115 ゲート絶縁膜
Claims (10)
- 抵抗素子と、
容量素子と、
前記抵抗素子と前記容量素子とを接続する第1シリサイド層を備える接続配線と
を具備する
遅延回路。 - 請求項1に記載の遅延回路において、
前記接続配線は、
半導体基板の上方に設けられた第1ポリシリコン層を更に備え、
前記第1シリサイド層は、前記第1ポリシリコン層上に設けられ、
前記容量素子は、
前記半導体基板の表面領域に設けられた拡散層と、
前記拡散層上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられた第2ポリシリコン層と、
前記第2ポリシリコン層上に設けられた第2シリサイド層とを備え、
前記抵抗素子は、
前記半導体基板の上方に設けられた第3ポリシリコン層を備え、
前記第1ポリシリコン層と前記第2ポリシリコン層と前記第3ポリシリコン層とは一体に設けられ、
前記第1シリサイド層と前記第2シリサイド層とは一体に設けられる
遅延回路。 - 請求項2に記載の遅延回路において、
前記抵抗素子、前記容量素子、及び前記接続配線は、上層メタル制限を有さない領域である
遅延回路。 - 請求項2又は3に記載の遅延回路において、
入力側に設けられた第1インバータ回路と、
前記第1インバータ回路と前記抵抗素子とを接続する第1配線と、
出力側に設けられた第2インバータ回路と、
前記第2インバータ回路と前記容量素子とを接続する第2配線と
を更に具備し、
前記第1配線は、前記抵抗素子に接続する第4シリサイド層を備え、
前記第2配線は、前記容量素子に接続する第5シリサイド層を備える
遅延回路。 - 請求項4に記載の遅延回路において、
前記第1配線は、
前記第3ポリシリコン層と一体に設けられた第4ポリシリコン層を更に備え、
前記第4シリサイド層は、前記第4ポリシリコン層上に設けられ、
前記第2配線は、
前記第2ポリシリコン層と一体に設けられた第5ポリシリコン層を更に備え、
前記第5シリサイド層は、前記第5ポリシリコン層上に、前記第2シリサイド層と一体に設けられ、
前記第4シリサイド層は、前記第5シリサイド層と同じ層に設けられている
遅延回路。 - 請求項2乃至5のいずれか一項に記載の遅延回路において、
前記抵抗素子は、
前記第3ポリシリコン層の一部を覆うように設けられた第7シリサイド層を備え、
前記第7シリサイド層は、前記第1シリサイド層と同じ層に設けられ、前記第3ポリシリコン層を覆う面積で前記抵抗素子の抵抗値が設定される
遅延回路。 - 請求項2乃至6のいずれか一項に記載の遅延回路において、
前記抵抗素子は、矩形形状である
遅延回路。 - 請求項7に記載の遅延回路において、
前記抵抗素子は、
複数の矩形部と、
前記複数の矩形部の各々を互いに直列に接続する第6シリサイド層を含む内部配線と
を備え、
前記第6シリサイド層は、前記第1シリサイド層と同じ層に設けられている
遅延回路。 - 信号を供給する第1信号線と、
前記第1信号線に入力側を接続され、前記信号を遅延させる請求項1乃至8のいずれか一項に記載の遅延回路と、
前記遅延回路の出力側に接続され、遅延された前記信号を送信する第2信号線と
を具備する
半導体装置。 - 請求項9に記載の半導体装置において、
前記遅延回路は、
一個あたりの遅延時間が固定であり、
前記信号が所望の遅延時間だけ遅延するように、前記所望の遅延時間に対応する数の前記遅延回路が直列接続されている
半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008262915A JP2010093637A (ja) | 2008-10-09 | 2008-10-09 | 遅延回路 |
US12/571,660 US8058919B2 (en) | 2008-10-09 | 2009-10-01 | Delay circuit |
CN2009101790321A CN101719494B (zh) | 2008-10-09 | 2009-10-09 | 延迟电路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008262915A JP2010093637A (ja) | 2008-10-09 | 2008-10-09 | 遅延回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010093637A true JP2010093637A (ja) | 2010-04-22 |
Family
ID=42098309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008262915A Pending JP2010093637A (ja) | 2008-10-09 | 2008-10-09 | 遅延回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8058919B2 (ja) |
JP (1) | JP2010093637A (ja) |
CN (1) | CN101719494B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9628059B2 (en) | 2015-06-18 | 2017-04-18 | International Business Machines Corporation | Fine delay structure with programmable delay ranges |
US10972068B2 (en) * | 2018-06-29 | 2021-04-06 | Qualcomm Incorporated | Process-invariant delay cell |
US10629590B2 (en) | 2018-08-28 | 2020-04-21 | Qualcomm Incorporated | Stacked resistor-capacitor delay cell |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6273814A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 遅延回路 |
JPH01189950A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体容量素子の製造方法 |
JPH02156672A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
JPH08293770A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-05 | Nec Corp | 半導体遅延回路 |
JP2000150787A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-30 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JP2002094002A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-29 | Toshiba Microelectronics Corp | 半導体装置 |
JP2002174101A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Fuji Heavy Ind Ltd | エンジン |
JP2002184777A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2002198437A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003174101A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2003282726A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007288028A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Sony Corp | 信号遅延構造 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5428244A (en) * | 1992-06-29 | 1995-06-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device having a silicon rich dielectric layer |
TW297158B (ja) * | 1994-05-27 | 1997-02-01 | Hitachi Ltd | |
US6287988B1 (en) * | 1997-03-18 | 2001-09-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device |
KR100447031B1 (ko) * | 2001-03-23 | 2004-09-07 | 삼성전자주식회사 | 텅스텐 실리사이드막의 형성방법 |
US6570813B2 (en) * | 2001-05-25 | 2003-05-27 | Micron Technology, Inc. | Synchronous mirror delay with reduced delay line taps |
JP3787591B2 (ja) * | 2002-02-14 | 2006-06-21 | セイコーインスツル株式会社 | 抵抗回路 |
JP5156932B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2013-03-06 | ラウンド ロック リサーチ、エルエルシー | 集積回路における信号タイミングの再構成 |
JP2007250965A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路装置 |
DE102006049233B4 (de) * | 2006-10-18 | 2008-06-26 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Schaltkreis zur Erzeugung von sich überlappenden Signalen |
JP2008198987A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-08-28 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および記憶媒体 |
JP2008227344A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US7851353B2 (en) * | 2008-06-20 | 2010-12-14 | International Business Machines Corporation | Method of forming a metal silicide layer, devices incorporating metal silicide layers and design structures for the devices |
-
2008
- 2008-10-09 JP JP2008262915A patent/JP2010093637A/ja active Pending
-
2009
- 2009-10-01 US US12/571,660 patent/US8058919B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-10-09 CN CN2009101790321A patent/CN101719494B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6273814A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 遅延回路 |
JPH01189950A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体容量素子の製造方法 |
JPH02156672A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
JPH08293770A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-05 | Nec Corp | 半導体遅延回路 |
JP2000150787A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-30 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JP2002094002A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-29 | Toshiba Microelectronics Corp | 半導体装置 |
JP2002174101A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Fuji Heavy Ind Ltd | エンジン |
JP2002184777A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2002198437A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003174101A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2003282726A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007288028A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Sony Corp | 信号遅延構造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101719494B (zh) | 2013-03-13 |
US8058919B2 (en) | 2011-11-15 |
US20100090741A1 (en) | 2010-04-15 |
CN101719494A (zh) | 2010-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5509599B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
KR102178732B1 (ko) | 반도체 소자 | |
US7508696B2 (en) | Decoupling capacitor for semiconductor integrated circuit device | |
US9613181B2 (en) | Semiconductor device structure including active region having an extension portion | |
KR102536213B1 (ko) | 반도체 장치 | |
US20090020784A1 (en) | Method for designing semiconductor device and semiconductor device | |
JP2008118004A (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2010147282A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
US20150263039A1 (en) | Standard cell layout for logic gate | |
US7034365B2 (en) | Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions | |
JP2010093637A (ja) | 遅延回路 | |
JP2017069513A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US7863687B2 (en) | Semiconductor apparatus | |
US7737557B2 (en) | Semiconductor apparatus | |
US8860094B2 (en) | Semiconductor device with power supply line system of reduced resistance | |
JP4552073B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2010183021A (ja) | 半導体装置 | |
JP2011096889A (ja) | 半導体装置 | |
JP5604602B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
CN106169504B (zh) | 半导体器件结构 | |
JP5630856B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2000035004A1 (en) | Integrated circuit | |
WO2024029040A1 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2011035210A (ja) | 半導体集積回路、及び半導体集積回路のレイアウト方法 | |
JP2007027314A (ja) | 半導体集積回路装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110927 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130107 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130228 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130902 |