JP2010093002A - Ccdイメージセンサ - Google Patents

Ccdイメージセンサ Download PDF

Info

Publication number
JP2010093002A
JP2010093002A JP2008260286A JP2008260286A JP2010093002A JP 2010093002 A JP2010093002 A JP 2010093002A JP 2008260286 A JP2008260286 A JP 2008260286A JP 2008260286 A JP2008260286 A JP 2008260286A JP 2010093002 A JP2010093002 A JP 2010093002A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ccd
image sensor
register
charge
registers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008260286A
Other languages
English (en)
Inventor
Noboru Takatsuka
昇 高塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Electronics Corp
Original Assignee
NEC Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Electronics Corp filed Critical NEC Electronics Corp
Priority to JP2008260286A priority Critical patent/JP2010093002A/ja
Priority to US12/588,073 priority patent/US20100085461A1/en
Publication of JP2010093002A publication Critical patent/JP2010093002A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/701Line sensors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/60Control of cameras or camera modules
    • H04N23/667Camera operation mode switching, e.g. between still and video, sport and normal or high- and low-resolution modes
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/713Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

【課題】省電力化及び高速化を共に実現するCCDイメージセンサを提供する。
【解決手段】本発明に係るCCDイメージセンサ1は、画素列11を挟むように配置された第1及び第2のCCDレジスタ13,15と、前記第1及び第2のCCDレジスタ13,15の結合部18に設けられた第1の出力手段16,17と、前記第1又は第2のどちらか一方のCCDレジスタ13,15により転送される電荷を読み出すと共に転送する第3のCCDレジスタ22と、前記第3のCCDレジスタ22の端部に設けられた第2の出力手段23,24と、運転モードに応じて、前記第2の出力手段24による出力を行うか否かを切り替える切り替え手段とを有する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、CCD(Charge Coupled Device:電荷結合素子)を用いたイメージセンサに関するものである。
CCDは、光電変換デバイスの1つであり、その優れた高速性、高感度性のために、従前からビデオカメラ等に多く用いられている。このようなCCDを用いたイメージセンサには、省電力化及び更なる高速化が要求されている。しかしながら、省電力化及び高速化の実現には、技術的に相反する面があり、どちらか一方に特化すれば、他方が犠牲となる場合が多い。
図4において、省電力化に対応する従来のCCDイメージセンサ101の構造が示され、図5において、このCCDイメージセンサ101のタイミングチャートが示されている。ここでは、説明を簡略化するために、画素列102が8画素で構成される例を示す。前記画素列102により光電変換され蓄積した電荷は、転送ゲート103,104を"H"にすることで、電荷を転送するCCDレジスタ105,106に読み出される。この時、奇数画素は、第1の転送ゲート103から第1のCCDレジスタ105に読み出され、偶数画素は、第2の転送ゲート104から第2のCCDレジスタ106に読み出される。それぞれのCCDレジスタ105,106により転送された電荷は、浮遊拡散領域により形成され電荷を電圧に変換する信号電荷検出部107と、ソースフォロワ、インバータ等のアナログ回路からなるアンプ108とにより、外部に出力される(特許文献1参照)。
上記図4に示すCCDイメージセンサ101においては、前記電荷は、前記CCDレジスタ105,106の1周期で1画素分転送され、それぞれの前記CCDレジスタ105,106により転送された電荷は、1つの前記信号電荷検出部107により交互に電圧に変換される。そのため、前記CCDレジスタ105,106の1周期で2画素分が出力され、8画素を転送する時間は、前記CCDレジスタ105,106の駆動周波数をfとすると、(8/2)/f=4/fとなる。また、図5において、前記アンプ108から出力される信号の安定期間が矢印Aで示されている。
また、図6において、高速化に対応する従来のCCDイメージセンサ201の構造が示され、図7において、このCCDイメージセンサ201のタイミングチャートが示されている。尚、上記図4に示すCCDイメージセンサ101と同一又は同様の作用効果を奏する箇所については、同一の符号を付してその説明を省略する。このCCDイメージセンサ201において、電荷を前記第1及び第2のCCDレジスタ105,106に読み出すまでの工程は、上記図4に示すCCDイメージセンサ101と同様である。この図6に示すCCDイメージセンサ201においては、各CCDレジスタ105,106に、それぞれ信号電荷検出部207,208と、アンプ209,210とが1つずつ備えられている。従って、前記第1のCCDレジスタ105で転送される電荷は、第1の信号電荷検出部207を経て第1のアンプ209から出力され、前記第2のCCDレジスタ106で転送される電荷は、第2の信号電荷検出部208を経て第2のアンプ210から出力される(特許文献2参照)。
上記図6に示すCCDイメージセンサ201においては、前記電荷は、前記CCDレジスタ105,106の1周期で1画素分転送され、且つ2つの前記アンプ209,210によりパラレルに出力される。そのため、8画素を転送する時間は、前記CCDレジスタ105,106の駆動周波数をfとすると、(8/2)/f=4/fとなる。また、図7において、前記両アンプ209,210から出力される信号の安定期間が矢印Bで示されている。
また、他の先行技術として、受光素子(画素列)により蓄積された信号電荷を一方向に転送する第1の水平転送手段(CCDレジスタ)と、前記信号電荷を所定の位置から左右方向に転送する第2の水平転送手段と、前記第1の水平転送手段により転送された信号電荷をアナログ信号に変換する第1の出力手段(アンプ)と、前記第2の水平転送手段から右方向に転送された信号電荷をアナログ信号に変換する第2の出力手段と、前記第2の水平転送手段から左方向に転送された信号電荷をアナログ信号に変換する第3の出力手段とを備える個体撮像装置(CCDイメージセンサ)が開示されている(特許文献3参照)。この構成において、操作、設定条件、環境条件に基づいて、使用する前記水平転送手段及び前記出力手段を切り換えることにより、処理の高速化と高画質化とを両立させることができるとされている。
また、他の先行技術として、受光部(画素列)の両側にそれぞれ配設された第1及び第2の電荷転送路(CCDレジスタ)と、前記第1及び第2の電荷転送路の出力端側にそれぞれ結合し独自の出力部(アンプ)を有する第3の電荷転送路を有し、高速読み出し時には、前記第1及び第2の電荷転送路から別個に信号を読み出し、低速読み出し時には、前記第3の電荷転送路を介して前記第1及び第2の電荷転送路からの信号を交互に読み出すことを特徴とする個体撮像装置(CCDイメージセンサ)が開示されている(特許文献4参照)。この構成により、高速動作及び低速動作のいずれにも対応できるとされている。
特開平7−58317号公報 特開平6−236982号公報 特開2007−124174号公報 特開昭58−190169号公報
上述したように、図4(特許文献1)に示すCCDイメージセンサ101と図6(特許文献2)に示すCCDイメージセンサ201とは、前記CCDレジスタ105,106の駆動周波数fが同一であれば、全画素の転送時間は同一となるが、それぞれのアンプ出力の安定期間A,Bに相違点を有する。即ち、2つのアンプ209,210を備える前記CCDイメージセンサ201の安定期間Bの方が、1つのアンプ108を備える前記CCDイメージセンサ101の安定期間Aよりも長くなる。前記安定期間A,Bは、前記駆動周波数fの増加に伴い、減少する。前記安定期間A,Bの減少は、その後に行われるA/D変換のサンプリング等の処理において不都合が生ずる原因となる。
前記図4に示すCCDイメージセンサ101は、前記アンプ108を1つだけ備える構成であることから、省電力化に適したものであるといえる。しかしながら、このCCDイメージセンサ101は、上述したように、前記安定期間Aが比較的短いため、前記駆動周波数fの増加可能幅が小さく、高速化を実現する上で改善の余地がある。
一方、前記図6に示すCCDイメージセンサ201は、上述したように、前記安定期間Bが比較的長いため、前記駆動周波数fの増加可能幅が大きく、高速化に適したものであるといえる。しかしながら、このCCDイメージセンサ201は、2つの前記アンプ209,210を使用するため、省電力化を実現する上で改善の余地がある。
また、上記特許文献3に係る装置は、1つの画素列に対し、第1及び第2の2つの水平伝送手段(CCDレジスタ)、及び第1〜第3の3つの出力手段(アンプ)を備えている。即ち、前記第1の水平伝送手段の一端部に、前記第1の出力手段が備えられ、前記第2の水平伝送手段の左右両端部に、前記第2及び第3の出力手段が備えられる。このように、上記特許文献3に係る装置においては、1つの画素列に対して、3つの前記出力手段が設けられているため、省電力化が困難であるという問題がある。また、複数の前記出力手段から信号を出力する場合に、複数のタイミング信号を生成する必要があり、このタイミング信号を生成するために、複数の異なるクロック信号を生成する必要が生ずる場合がある(同文献段落0033,0034参照)。クロック信号の生成には、スイッチ機構、新規パターンの生成等、回路にかかる負荷が大きくなるといった問題がある。
また、上記特許文献4に係る装置においても、1つの画素列に対し、3つの出力部(アンプ)が必要となっており、省電力化が困難であるという問題がある。更に、この装置においては、低速動作のために前記電荷転送路(CCDレジスタ)の位相をずらすことが想定されている(同文献第3頁下段左側から右側参照)。即ち、前記第1及び第2の電荷転送路は、それぞれ高速用及び低速用の2つの位相を用いるため、合計4つのクロック信号が必要となると予想される。クロック信号の増加は、上述したように、回路への負荷が大きくなるといった問題を招く。
上記課題の解決を図る本発明は、光電変換を行う複数の受光素子からなる画素列を挟むように配置され、前記画素列により蓄積された電荷を読み出すと共に転送し、前記電荷の転送方向の端部が互いに結合された第1及び第2のCCDレジスタと、前記第1及び第2のCCDレジスタの結合部に設けられ、前記第1及び第2のCCDレジスタにより転送された電荷を電圧に変換して出力する第1の出力手段と、前記第1又は第2のどちらか一方のCCDレジスタにより転送される電荷を読み出すと共に転送する第3のCCDレジスタと、前記第3のCCDレジスタの電荷の転送方向の端部に設けられ、前記第3のCCDレジスタにより転送された電荷を電圧に変換して出力する第2の出力手段と、運転モードに応じて、前記第2の出力手段による出力を行うか否かを切り替える切り替え手段とを有するCCDイメージセンサである。
上記構成によれば、検出結果である電圧信号の出力を、2つのパターンにより行うことができる。第1のパターンは、前記画素列により蓄積された電荷が、前記第1及び第2のCCDレジスタにより転送され、前記第1の出力手段により出力されるものである。第2のパターンは、前記画素列により蓄積された電荷が、前記第1及び第3(又は第2及び第3)のCCDレジスタにより転送され、前記第1及び第2の出力手段により出力されるものである。即ち、前記第1のパターンにおいては、1つの出力手段(アンプ)のみが用いられるため、省電力化が実現される。また、前記第2のパターンにおいては、2つの出力手段が用いられるため、高速化が実現される。そして、これら第1及び第2のパターンが、運転モード、即ち省電力モード(通常モード)や高速モード等に応じて切り替えられる。
本発明によれば、省電力化及び高速化を共に実現するCCDイメージセンサを提供することができる。
以下に、本発明に係る実施の形態を、添付した図面を参照して説明する。尚、異なる実施の形態において、同一又は同様の作用効果を奏する箇所については、その説明を省略する。
発明の実施の形態1.
図1は、本実施の形態に係るCCDイメージセンサ1の構成を示す図である。このCCDイメージセンサ1は、画素列11、第1の転送ゲート12、第1のCCDレジスタ13、第2の転送ゲート14、第2のCCDレジスタ15、第1の信号電荷検出部16、第1のアンプ17、第3の転送ゲート21、第3のCCDレジスタ22、第2の信号電荷検出部23、第2のアンプ24を有する。
前記画素列11は、入射する光情報に応じた電荷を生成する受光素子を含む複数のセルからなる。ここでは、説明を簡略化するために、画素数を8とする。前記画素列11を挟むように、前記第1の転送ゲート12及び前記第2の転送ゲート14が配置される。前記第1のCCDレジスタ13及び前記第2のCCDレジスタ15は、それぞれ前記第1及び第2の転送ゲート12,14を前記画素列11との間で挟むように配置される。
前記第1の転送ゲート12を"H"とするゲートパルスが印加されると、前記画素列11の電荷が前記第1のCCDレジスタ13に読み出される。前記第2の転送ゲート14を"H"とするゲートパルスが印加されると、前記画素列11の電荷が前記第2のCCDレジスタ15に読み出される。この実施の形態においては、前記第1のCCDレジスタ13に奇数画素の電荷が読み出され、前記第2のCCDレジスタ15に偶数画素の電荷が読み出される。前記第1及び第2のCCDレジスタ13,15は、それぞれ読み出した電荷を、印加されるシフトパルスφ1,φ2に同期して、同一方向に転送する。
前記第1及び前記第2のCCDレジスタ13,15の転送方向の端部は、互いに結合された結合部18となっている。前記結合部18に、前記第1の信号電荷検出部16が設置されている。前記第1の信号電荷検出部16は、浮遊拡散領域により形成され、前記第1及び第2のCCDレジスタ13,15により転送された電荷を電圧に変換する。前記第1のアンプ17は、前記第1の信号電荷検出部16により変換された電圧を増幅して外部に出力する。また、前記第1のCCDレジスタ13の前記結合部18付近の端部には、前記第1のCCDレジスタ13に保持される微小電荷を排出するドレイン19が設けられている。
本実施の形態に係るCCDイメージセンサ1においては、前記第1のCCDレジスタ13に隣接するように、前記第3の転送ゲート21及び前記第3のCCDレジスタ22が配置されている。前記第3の転送ゲート21は、前記第1のCCDレジスタ13と前記第3のCCDレジスタ22との間に配置される。また、前記第3のCCDレジスタ22の電荷の転送方向端部には、前記第2の信号電荷検出部23及び前記第2のアンプ24が配置されている。この実施の形態においては、前記第3のCCDレジスタ22の電荷の転送方向は、前記第1及び第2のCCDレジスタ13,15と同一である。
そして、前記第3の転送ゲート21を"H"とするゲートパルスが印加されると、前記第1のCCDレジスタ13に保持された電荷が、前記第3のCCDレジスタ22に読み出される。前記第3のCCDレジスタ22は、前記第1のCCDレジスタ13から読み出した電荷を、印加されるシフトパルスφ1,φ2に同期して転送する。前記第2の信号電荷検出部23は、前記第3のCCDレジスタ22により転送された電荷を電圧に変換する。前記第2のアンプ24は、前記第2の信号電荷検出部23により変換された電圧を増幅して外部に出力する。また、前記第2の信号電荷検出部23と前記第2のアンプ24との間には、前記第2のアンプ24の入力をGNDに接続可能にするスイッチ27が設けられている。
上記構成により、光電変換による電圧信号の出力を、2つのパターンにより行うことができる。即ち、省電力モード(通常モード)では、前記第3の転送ゲート21を"L"に固定して、前記第1のCCDレジスタ13内の電荷が前記第3のCCDレジスタ22へ漏出しないようにし、前記第1のCCDレジスタ13内の電荷が前記第1のアンプ17のみから出力されるようにする。また、前記スイッチ27により、前記第2のアンプ24の入力をGNDに接続し、電流を消費しないようにしておく。これにより、高速動作が必要ない時には、1つのアンプ17のみが使用され、電力消費が抑えられる。
一方、高速モードでは、前記第3の転送ゲート21を"H"にし、前記第1のCCDレジスタ13内の電荷を前記第3のCCDレジスタ22に読み出させる。また、前記スイッチ27により、前記第2のアンプ24の入力をGNDから切断する。これにより、奇数画素の電荷は前記第3のCCDレジスタ22を経て前記第2のアンプ24から出力され、偶数画素の電荷は前記第2のCCDレジスタ15を経て前記第1のアンプ17から出力される。このように、高速動作が必要な時には、2つのアンプ17,24が使用され、高速処理が可能となる。
図2において、前記高速モードにおけるタイミングチャートが示されている。この場合、先ず前記第1の転送ゲート12を"H"にしている期間は、前記第1のCCDレジスタ13を"H"にし、前記画素列11に蓄積された電荷を前記第1のCCDレジスタ13に読み出す。次に、前記第1のCCDレジスタ13を"H"にしたまま、前記第3の転送ゲート21を"H"にし、電荷を前記第3の転送ゲート21に読み出す。この時、前記第3の転送ゲート21には、印加電圧を上げる等の処理により、前記第1のCCDレジスタ13よりも深いチャネル電位にする必要がある。次に、前記第3の転送ゲート21を"L"にして、電荷を前記第3のCCDレジスタ22に読み出すが、この電荷が前記第1のCCDレジスタ13に戻らないように、イオン注入等の処理により、前記第3の転送ゲート21に電位勾配をつけておく。前記第3のCCDレジスタ22に読み出された電荷は、ここで転送され、前記第2の信号電荷検出部23を通して前記第2のアンプ24から出力される。また、前記第1のCCDレジスタ13は、前記第3の転送ゲート21に電荷を転送した後も動作させておく。この時、前記第1のCCDレジスタ13内に存する微小電荷は、前記ドレイン19を"H"とすることで排出される。
以上のように、本実施の形態によれば、運転モードに応じて、使用されるアンプ17,24の数を切り替えることができるので、省電力化及び高速化の両方に対応することができる。また、本実施の形態に係る各CCDレジスタ12,15,22は、低速、高速に関わらず、同じ動作をするため、個別にクロック信号を生成させる必要が無い。
発明の実施の形態2.
図3は、本実施の形態に係るCCDイメージセンサ31の構成を示す図である。このCCDイメージセンサ31の上記実施の形態1に係るCCDイメージセンサ1に対する変更点は、第3のCCDレジスタ42の電荷の転送方向が、前記第1及び第2のCCDレジスタ13,15に対して反対に成っている点である。また、これに伴い、第3の信号電荷検出部43、第3のアンプ44、及びスイッチ47が、反対側に配置されている。尚、前記第3のCCDレジスタ42については、予め反対方向に電荷が転送されるように電極を配置することで、前記第1及び第2のCCDレジスタ13,15と同一のクロック信号により動作させることができる。
このように、2つの前記アンプ17,44を、前記画素列11の両端側に配置することにより、チップの発熱を低減させることができる。例えば、A3/600dpiの一次元イメージセンサの場合、画素数は7100個以上必要となるが、この時画素サイズを5μmとすると、全画素サイズは7100*5=35500μm≒3.5cmとなる。そして、アンプ1個当たりの長さを2000μmとすれば、本実施の形態のように、アンプを画素列の両端に配置することで、アンプ−アンプ間は十分に離れる。これにより、発熱を低減させる効果を十分に得ることができる。
図1は、本発明の実施の形態1に係るCCDイメージセンサの構成を示す図である。 図2は、実施の形態1に係るCCDイメージセンサにおけるタイミングチャートである。 図3は、本発明の実施の形態2に係るCCDイメージセンサの構成を示す図である。 図4は、第1の従来のCCDイメージセンサの構成を示す図である。 図5は、図4に示すCCDイメージセンサにおけるタイミングチャートである。 図6は、第2の従来のCCDイメージセンサの構成を示す図である。 図7は、図6に示すCCDイメージセンサにおけるタイミングチャートである。
符号の説明
1,31 CCDイメージセンサ
11 画素列
12 第1の転送ゲート
13 第1のCCDレジスタ
14 第2の転送ゲート
15 第2のCCDレジスタ
16 第1の信号電荷検出部
17 第1のアンプ
19 ドレイン
21 第3の転送ゲート
22,42 第3のCCDレジスタ
23,43 第2の信号電荷検出部
24,44 第2のアンプ
27,47 スイッチ

Claims (3)

  1. 光電変換を行う複数の受光素子からなる画素列を挟むように配置され、前記画素列により蓄積された電荷を読み出すと共に転送し、前記電荷の転送方向の端部が互いに結合された第1及び第2のCCDレジスタと、
    前記第1及び第2のCCDレジスタの結合部に設けられ、前記第1及び第2のCCDレジスタにより転送された電荷を電圧に変換して出力する第1の出力手段と、
    前記第1又は第2のどちらか一方のCCDレジスタにより転送される電荷を読み出すと共に転送する第3のCCDレジスタと、
    前記第3のCCDレジスタの電荷の転送方向の端部に設けられ、前記第3のCCDレジスタにより転送された電荷を電圧に変換して出力する第2の出力手段と、
    運転モードに応じて、前記第2の出力手段による出力を行うか否かを切り替える切り替え手段と
    を有するCCDイメージセンサ。
  2. 前記第3のCCDレジスタの電荷の転送方向が、前記第1及び第2のCCDレジスタに対して反対であり、
    前記第1の出力手段と前記第2の出力手段とが、前記画素列の両端部に位置する、
    請求項1記載のCCDイメージセンサ。
  3. 前記第1〜第3のCCDレジスタは、全て同一のクロック信号に基づいて動作する、
    請求項1又は2記載のCCDイメージセンサ。
JP2008260286A 2008-10-07 2008-10-07 Ccdイメージセンサ Pending JP2010093002A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008260286A JP2010093002A (ja) 2008-10-07 2008-10-07 Ccdイメージセンサ
US12/588,073 US20100085461A1 (en) 2008-10-07 2009-10-02 Charge coupled device image sensor including first amplifier connected to two registers and second amplifier connected to register

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008260286A JP2010093002A (ja) 2008-10-07 2008-10-07 Ccdイメージセンサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010093002A true JP2010093002A (ja) 2010-04-22

Family

ID=42075513

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008260286A Pending JP2010093002A (ja) 2008-10-07 2008-10-07 Ccdイメージセンサ

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20100085461A1 (ja)
JP (1) JP2010093002A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101800791B1 (ko) 2013-07-02 2017-11-23 도요세이칸 그룹 홀딩스 가부시키가이샤 활수성이 우수한 표면을 갖는 수지 성형체

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9749565B2 (en) * 2015-05-18 2017-08-29 Analog Devices, Inc. Interline charge-coupled devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101800791B1 (ko) 2013-07-02 2017-11-23 도요세이칸 그룹 홀딩스 가부시키가이샤 활수성이 우수한 표면을 갖는 수지 성형체

Also Published As

Publication number Publication date
US20100085461A1 (en) 2010-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8279310B2 (en) Solid-state imaging device and camera system
JP6746301B2 (ja) 撮像装置の駆動方法、撮像装置、撮像システム
JP2001326856A (ja) 固体撮像装置およびそれを用いた固体撮像システム
JP2008067065A (ja) 信号検出装置、信号検出装置の信号読み出し方法及び信号検出装置を用いた撮像システム
JP2007274591A (ja) 固体撮像装置
JP2009089050A (ja) 固体撮像素子およびカメラシステム
JP2010141848A (ja) 光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の駆動方法
JP2010093331A (ja) イメージセンサ及びその駆動方法
JP2010093002A (ja) Ccdイメージセンサ
JP2005086245A (ja) 固体撮像装置
JP2009038724A (ja) 固体撮像装置
JP3964567B2 (ja) 固体撮像装置
JP5178364B2 (ja) 固体撮像素子、及び固体撮像装置
JP2011139350A (ja) 固体撮像装置及びその駆動方法
JP4601630B2 (ja) リニアイメージセンサ
JP2007251594A (ja) 固体撮像装置および固体撮像装置の動作方法
JP3018712B2 (ja) 複数の電荷転送路を持つ固体撮像装置及びその駆動方法
JPS5975772A (ja) 固体撮像装置
JP2009124633A (ja) 撮像装置及び撮像装置の駆動方法
JP2010041077A (ja) 固体撮像装置
JP4209367B2 (ja) 固体撮像装置、電荷転送装置、及び電荷転送装置の駆動方法
JP2013153091A (ja) 固体撮像装置
JP4967813B2 (ja) 固体撮像装置
JP2009136023A (ja) 固体撮像装置およびその駆動方法
US7586133B2 (en) Solid state imaging apparatus and driving method of solid state imaging apparatus