JP2013153091A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013153091A JP2013153091A JP2012013666A JP2012013666A JP2013153091A JP 2013153091 A JP2013153091 A JP 2013153091A JP 2012013666 A JP2012013666 A JP 2012013666A JP 2012013666 A JP2012013666 A JP 2012013666A JP 2013153091 A JP2013153091 A JP 2013153091A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer
- charge
- photosensitive pixels
- transfer path
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【課題】感光画素の配置位置による電荷転送時間のばらつきを低減させることのできる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】実施形態の固体撮像装置は、入射光を信号電荷に変換する感光画素が半導体基板上に列状に配置された画素列1と、8個の感光画素ごとに1個設けられ、8個の感光画素から出力される信号電荷を出力信号に変換する電荷検出部2と、8個の感光画素と電荷検出部2との間に設けられた電荷転送部3とを備える。電荷転送部3は、感光画素PD1〜PD8から電荷検出部2へ信号電荷を転送する転送路T11〜T13およびT1〜T4と、転送路T1〜T4上に電荷転送方向に沿って所定間隔で配列された、第1、第2の転送電極311、312および321、322からなる複数の転送電極対31、32とを有する。第1の転送電極および第2の転送電極の下に形成される転送路T1〜T4の幅が、電荷転送方向に沿って次第に狭くなる。
【選択図】 図1
【解決手段】実施形態の固体撮像装置は、入射光を信号電荷に変換する感光画素が半導体基板上に列状に配置された画素列1と、8個の感光画素ごとに1個設けられ、8個の感光画素から出力される信号電荷を出力信号に変換する電荷検出部2と、8個の感光画素と電荷検出部2との間に設けられた電荷転送部3とを備える。電荷転送部3は、感光画素PD1〜PD8から電荷検出部2へ信号電荷を転送する転送路T11〜T13およびT1〜T4と、転送路T1〜T4上に電荷転送方向に沿って所定間隔で配列された、第1、第2の転送電極311、312および321、322からなる複数の転送電極対31、32とを有する。第1の転送電極および第2の転送電極の下に形成される転送路T1〜T4の幅が、電荷転送方向に沿って次第に狭くなる。
【選択図】 図1
Description
本発明の実施形態は、固体撮像装置に関する。
スキャナや複写機などにおける画像の読み取りに用いられるリニアセンサには、CCDなどの固体撮像装置が用いられる。このリニアセンサは、入射光を信号電荷に変換する感光画素と、感光画素から出力された信号電荷を一時的に蓄積し、印加されるパルスにより順次転送する電荷転送部と、転送された電荷を出力信号に変換する電荷検出部とを備えている。
近年、画像読み取りに対する高解像度化の要求が進み、リニアセンサの解像度も、従来の1200dpiから2400dpi、4800dpiへと向上してきている。しかし、画素数が増加する分、画像の読み出しに時間がかかるようになる。
一方、スキャナのプレビューなど、低解像度でも高速の読み出しが望まれる場合もある。そこで、従来、リニアセンサの解像度を切り替られるようにし、低解像度モードでは、隣接する複数の画素を同時に読み出すようにすることが行われている。例えば、4画素同時に読み出せば、解像度は1/4に、8画素同時に読み出せば、解像度は1/8に低下する。
このとき、例えば、最大8画素同時の読み出しを行う場合は、電荷転送部の中に8画素分の電荷が入力される転送路を設け、8画素分の電荷を加算して電荷検出部へ転送することが行われる。この場合、8個の感光画素に対して1つの電荷検出部が設けられる。
上述の転送路は、8個の感光画素からの電荷を受け取るため、その入力端の幅は、8個の感光画素分の幅を有する。一方、出力端の幅は、出力端の中央に対向して配置される電荷検出部の幅の分だけであり、入力端の幅よりもずっと狭い。
このように、低解像度の場合、電荷転送部の転送路へ8個の感光画素から同時に信号電荷が入力される。
一方、通常解像度の場合、電荷転送部の転送路へ8個の感光画素から順次信号電荷が入力される。入力された信号電荷は、出力端へ向かって、転送路の中を移動する。このとき、入力端の中央部から離れた位置(サイド側)に接続された感光画素と中央部(センター側)に接続された感光画素とでは、出力端までの距離がかなり異なる。そのため、転送路内の信号電荷の移動時間も、転送路のサイド側に接続された感光画素とセンター側に接続された感光画素とではかなり異なる。
そのため、転送路のセンター側に接続された感光画素から入力された信号電荷の転送に比べて、転送路のサイド側に接続された感光画素から入力された信号電荷の転送には時間がかかる。
すなわち、従来のリニアセンサでは、電荷転送部における電荷転送時間に感光画素の配置位置によるばらつきがあり、その遅い方の時間で電荷転送速度が律側され、その出力信号に対する処理(例えばAD変換など)の高速化が困難という問題があった。
本発明が解決しようとする課題は、感光画素の配置位置による電荷転送時間のばらつきを低減させることのできる固体撮像装置を提供することにある。
実施形態の固体撮像装置は、入射光を信号電荷に変換する感光画素が半導体基板上に列状に配置された画素列と、2n個の前記感光画素ごとに1個設けられ、前記感光画素から出力される前記信号電荷を出力信号に変換する電荷検出部と、前記2n個の感光画素と前記電荷検出部との間に設けられた電荷転送部とを備える。前記電荷転送部は、前記2n個の感光画素から前記電荷検出部へ前記信号電荷を転送する転送路と、前記転送路上に電荷転送方向に沿って所定間隔で配列された、それぞれが第1の転送電極および第2の転送電極からなる複数の転送電極対とを有する。前記第1の転送電極の下に形成される前記転送路の幅および前記第2の転送電極の下に形成される前記転送路の幅が、電荷転送方向に沿って次第に狭くなる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図中、同一または相当部分には同一の符号を付して、その説明は繰り返さない。
(実施形態)
図1は、実施形態の固体撮像装置の半導体基板上の構成の例を示す模式的平面図である。本実施形態の固体撮像装置は、信号電荷を1画素ずつ転送するほか、複数の画素の信号電荷を加算して転送することができる。加算画素数は3段階に切り替えることができ、2画素ずつ加算、4画素ずつ加算および8画素ずつ加算して転送することができる。
図1は、実施形態の固体撮像装置の半導体基板上の構成の例を示す模式的平面図である。本実施形態の固体撮像装置は、信号電荷を1画素ずつ転送するほか、複数の画素の信号電荷を加算して転送することができる。加算画素数は3段階に切り替えることができ、2画素ずつ加算、4画素ずつ加算および8画素ずつ加算して転送することができる。
本実施形態の固体撮像装置は、入射光を信号電荷に変換する感光画素が半導体基板上に列状に配置された画素列1と、8(=23)個の感光画素ごとに1個設けられ、感光画素から出力される信号電荷を出力信号OSに変換する電荷検出部2と、上述の8個の感光画素と電荷検出部2との間に設けられた電荷転送部3と、を備える。
画素列1として、ここでは、PD1〜PD8の8個の感光画素を例示する。
電荷検出部2は、8個の感光画素PD1〜PD8の配列の中心線C1−C2上に配置される。電荷検出部2の幅は、感光画素PD1〜PD8の配列幅よりもかなり狭い。
電荷転送部3は、感光画素PD1〜PD8に蓄積された電荷の転送を制御する電極として、画素列1に近い方から、まず、蓄積ゲートST、バリアゲートBG1およびBG2、2組のシフトゲートSH1〜SH4が配置される。
これらの電極の下には、それぞれ転送路が形成される。すなわち、蓄積ゲートSTの下に転送路T11、バリアゲートBG1およびBG2の下に転送路T12、2組のシフトゲートSH1〜SH4の下に転送路T13が形成される。
蓄積ゲートSTは、感光画素PD1〜PD8から転送路T11への電荷の転送を制御し、バリアゲートBG1およびBG2は、転送路T11から転送路T12への電荷の転送を制御し、シフトゲートSH1〜SH4は、転送路T12から転送路T13への電荷の転送を制御する。
本実施形態では、シフトゲートSH1〜SH4の後段に、電荷転送方向に沿って所定間隔で配列された2組の転送電極対、すなわち、転送電極対31および転送電極対32が配置される。
転送電極対31は、2組のシフトゲートSH1〜SH4の後段にそれぞれ配置され、転送パルスCK1が印加される転送電極311と、転送パルスCK2が印加される転送電極312とを有する。ここで、転送パルスCK2の位相は、転送パルスCK1の位相とは逆相の関係にある。
転送電極対32は、2つの転送電極312に対して1つ配置され、転送パルスCK1が印加される転送電極321と、転送パルスCK2が印加される転送電極322とを有する。
また、それぞれの転送電極の下に、転送路が形成される。すなわち、転送電極311の下に転送路T1、転送電極321の下に転送路T2、転送電極321の下に転送路T3、転送電極322の下に転送路T4が、形成される。
ここで、2つの転送電極311の下にそれぞれ形成される転送路T1の合計幅をW1、2つの転送電極312の下にそれぞれ形成される転送路T2の合計幅をW2、転送路T3の幅をW3、転送路T4の幅をW4とすると、本実施形態の固体撮像装置では、図1に示すように、W1>W2>W3>W4とされている。すなわち、転送路の幅が次第に狭くなるよう、転送路T1、T2、T3、T4の幅が設定されている。
このとき、転送路の幅W1、W2、W3、W4は、画素列1の中心線C1−C2に向かって次第に狭くなるようにされ、また、中心線に対して左右対称となるよう、左右均等に狭くされる。
さらに、転送路T1、T2、T3は、図1に示すように、電荷の入り口から出口に向かって幅が狭まるような形状とされる。このような形状とすることにより、入力された電荷は、縦方向の幅が広いところに集まるようになる。
電荷転送部3の最終段には、アウトプットゲートOGが配置される。アウトプットゲートOGは、転送路T4から電荷検出部2への電荷の転送を制御する。
また、電荷検出部2の後段には、リセットゲートRSが配置される。リセットゲートRSは、電荷検出部2に蓄積された電荷のリセットドレイン40への排出を制御する。
図2(a)に本実施形態の固体撮像装置の部分的模式断面図を示し、図2(b)にその電位分布図を示す。
転送パルスCK1およびCK2を交互に印加することにより、転送路T14から電荷検出部2まで、信号電荷が順次転送される。
上述したように、本実施形態の固体撮像装置では、シフトゲートSH1〜SH4とアウトプットゲートOGの間に2組の転送電極対31、32が設けられ、その間の転送路T1、T2、T3、T4の幅が、中心線C1−C2に向かって次第に狭められている。
そこで、次に、この転送路を狭めることの効果について、図3〜図6を用いて説明する。
図3は、比較例として、転送電極対を有さない電荷転送部300を備える固体撮像装置の模式的平面図を示したものである。
この比較例の場合、転送路T14と電荷検出部2との間に、アウトプットゲートOGが配置される。
したがって、アウトプットゲートOGを通過する信号電荷の移動距離は、感光画素の配置位置によって大きく異なる。
図3に、画素列1のサイド側に位置する感光画素PD1の信号電荷の模式的な移動経路をP101、画素列1のセンター側に位置する感光画素PD4の信号電荷の模式的な移動経路をP104として示す。
このように、感光画素の配置位置による移動距離の差が大きいため、転送路T14から電荷検出部2への信号電荷の転送に要する時間も、感光画素の配置位置によって大きく異なる。画素列1の両サイドに位置する感光画素PD1およびPD8の転送時間が最も長くなる。
図4に、この比較例の、1画素単位の電荷転送の様子を波形図で示す。
この例の場合、蓄積ゲートSTが開くことにより、感光画素PD1〜PD8の信号電荷が転送路T11へ転送される。次いで、バリアゲートBG1が開くことにより、感光画素PD1〜PD4の信号電荷が転送路T11から転送路T12へ転送される。
その後、シフトゲートSH1、SH2、SH3、SH4が順次開くことにより信号電荷が転送路T12から転送路T13へ転送される。この転送時にはアウトプットゲートOGが開いており、感光画素PD1〜PD4の信号電荷は、電荷検出部2へ順次転送され、電荷検出部2から出力信号OSとして順次出力される。なお、それぞれの信号電荷転送の前にリセットゲートRSが開き、電荷検出部2の残存電荷がリセットドレイン40へ排出されている。
また、この転送中に、バリアゲートBG2が開き、感光画素PD5〜PD8の信号電荷が転送路T11から転送路T12へ転送される。
その後、シフトゲートSH1、SH2、SH3、SH4が順次開き、アウトプットゲートOGを通って、感光画素PD5〜PD8の信号電荷が、電荷検出部2へ順次転送され、電荷検出部2から出力信号OSとして順次出力される。
そこで、出力信号OSの波形を見ると、画素列1のセンター側の感光画素PD4、PD5からの出力の変化に比べて、画素列1のサイド側の感光画素PD1、PD8からの出力の変化が遅いことがわかる。
そのため、この出力信号OSを処理する後段の処理回路(非図示)では、この変化の遅い感光画素PD1、PD8からの出力に合わせて処理速度を設定する必要があり、処理速度の高速化が難しい。
これに対して、図5に、本実施例における感光画素PD1〜PD8の信号電荷の模式的な移動経路をP1〜P8として示す。
本実施形態の場合、転送路T1、T2、T3、T4の幅が中心線C1−C2に向かって次第に狭められているので、感光画素PD1の信号電荷の移動経路P1は、C1−C2に向かって次第に絞り込まれる。
そのため、本実施形態の場合、アウトプットゲートOGを通過する信号電荷の移動距離は、両端の感光画素PD1、PD8も、中央の感光画素PD4、PD5も、ほぼ等しくなる。すなわち、アウトプットゲートOGを通過する時間が、感光画素の配置位置によらず、ほぼ同じになる。
図6に、本実施例における1画素単位の電荷転送の様子を波形図で示す。
この場合も、蓄積ゲートSTが開くことにより、感光画素PD1〜PD8の信号電荷が転送路T11へ転送される。次いで、バリアゲートBG1が開くことにより、感光画素PD1〜PD4の信号電荷が転送路T11から転送路T12へ転送される。
その後、シフトゲートSH1、SH2、SH3、SH4が順次開くことにより、感光画素PD1〜PD4の信号電荷が転送路T12から転送路T13へ順次転送される。
さらに、転送パルスCK1、転送パルスCK2が交互に印加されることにより、それぞれの信号電荷が、転送路T1、T2、T3を経由して、転送路T4へ転送される。
この信号電荷の転送時にはアウトプットゲートOGが開いていて、感光画素PD1〜PD4の信号電荷が、電荷検出部2へ順次転送され、電荷検出部2から出力信号OSとして順次出力される。
また、この転送中に、バリアゲートBG2が開き、感光画素PD5〜PD8の信号電荷が転送路T11から転送路T12へ転送される。
その後、シフトゲートSH1、SH2、SH3、SH4が順次開くことにより、感光画素PD5〜PD8の信号電荷が転送路T12から転送路T13へ順次転送される。
さらに、転送パルスCK1、転送パルスCK2が交互に印加されることにより、それぞれの信号電荷が、転送路T1、T2、T3を経由して、転送路T4へ転送される。
この信号電荷の転送時にはアウトプットゲートOGが開いていて、感光画素PD5〜PD8の信号電荷が、電荷検出部2へ順次転送され、電荷検出部2から出力信号OSとして順次出力される。
そこで、出力信号OSの波形を見てみると、先に示した比較例と異なり、画素列1の両サイドの感光画素PD1、PD8からの出力の変化が、画素列1のセンター側の感光画素PD4、PD5からの出力の変化とほぼ同じであることがわかる。
このように、本実施形態では、電荷転送部3内の転送路の幅が中心線C1−C2に向かって次第に狭くなるよう絞り込まれているので、画素列1における感光画素の配置位置によらず、信号電荷がアウトプットゲートOGを通過する時間がほぼ同じになる。そのため、出力信号OSを処理する後段の処理回路の処理速度を高速化することができる。
次に、本実施形態における複数画素加算動作の例を図7〜図9に示す。図7は2画素加算の場合の動作波形図、図8は4画素加算の場合の動作波形図、図9は8画素加算の場合の動作波形図である。
図7に示すように、2画素加算の場合は、バリアゲートBG1あるいはバリアゲートBG2による転送実行後、シフトゲートSH1とSH2、シフトゲートSH3とSH4が、それぞれ同時に開閉される。これにより、出力信号OSには、感光画素PD1とPD2の加算信号、感光画素PD3とPD4の加算信号、感光画素PD5とPD6の加算信号、感光画素PD7とPD8の加算信号が、順次出力される。
図8に示すように、4画素加算の場合は、バリアゲートBG1あるいはバリアゲートBG2による転送実行後、シフトゲートSH1、SH2、SH3、SH4が同時に開閉される。これにより、出力信号OSには、感光画素PD1〜PD4の加算信号、感光画素PD5〜PD8の加算信号が、順次出力される。
図9に示すように、8画素加算の場合は、バリアゲートBG1、BG2が同時に開閉され、また、シフトゲートSH1、SH2、SH3、SH4が同時に開閉される。これにより、出力信号OSには、感光画素PD1〜PD8の加算信号が出力される。
このような本実施形態によれば、電荷転送部3内の転送路の幅が中心線C1−C2に向かって次第に狭くなるよう絞り込まれているので、画素列1における感光画素の配置位置によらず、各感光画素から出力される信号電荷のアウトプットゲートOGの通過時間をほぼ同じにすることができる。これにより、出力信号OSの出力タイミングが、感光画素の配置位置によらず一定となり、出力信号OSに対する後段の処理の高速化を図ることができる。
また、転送路で加算する信号電荷の数を2個、4個、8個と、2倍ずつ3段階に切り替えることができる。
以上説明した実施形態の固体撮像装置によれば、感光画素の配置位置による電荷転送時間のばらつきを低減させることができる。
また、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 画素列
2 電荷検出部
3 電荷転送部
31、32 転送電極対
311、312、321、322 転送電極
ST 蓄積ゲート
BG1、BG2 バリアゲート
SH1〜SH4 シフトゲート
OG アウトプットゲート
RS リセットゲート
40 リセットドレイン
T1〜T4、T11〜T13 転送路
100 半導体基板
2 電荷検出部
3 電荷転送部
31、32 転送電極対
311、312、321、322 転送電極
ST 蓄積ゲート
BG1、BG2 バリアゲート
SH1〜SH4 シフトゲート
OG アウトプットゲート
RS リセットゲート
40 リセットドレイン
T1〜T4、T11〜T13 転送路
100 半導体基板
Claims (5)
- 入射光を信号電荷に変換する感光画素が半導体基板上に列状に配置された画素列と、
2n個の前記感光画素ごとに1個設けられ、前記感光画素から出力される前記信号電荷を出力信号に変換する電荷検出部と、
前記2n個の感光画素と前記電荷検出部との間に設けられた電荷転送部と
を備え、
前記電荷転送部は、
前記2n個の感光画素から前記電荷検出部へ前記信号電荷を転送する転送路と、前記転送路上に電荷転送方向に沿って所定間隔で配列された、それぞれが第1の転送電極および第2の転送電極からなる複数の転送電極対とを有し、
前記第1の転送電極の下に形成される前記転送路の幅および前記第2の転送電極の下に形成される前記転送路の幅が、電荷転送方向に沿って次第に狭くなる
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記2n個の感光画素の配列の中心線上に前記電荷検出部が配置され、
前記第1の転送電極の下に形成される前記転送路の幅および前記第2の転送電極の下に形成される前記転送路の幅が、前記中心線に向かって次第に狭くなる
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記2n個の感光画素の中心線上に前記電荷検出部が配置され、
前記第1の転送電極の下に形成される前記転送路の幅および前記第2の転送電極の下に形成される前記転送路の幅が、前記中心線に対して左右対称である
ことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の転送電極へは、第1の駆動パルスが印加され、
前記第2の転送電極へは、前記第1の駆動パルスとは逆相の第2の駆動パルスが印加される
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記電荷転送部が、
前記感光画素と前記複数の転送電極対との間に加算数制御電極を有し、
前記転送路で加算する前記信号電荷の数を1個から2n個まで、2倍ずつn段階に切り替える
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012013666A JP2013153091A (ja) | 2012-01-26 | 2012-01-26 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012013666A JP2013153091A (ja) | 2012-01-26 | 2012-01-26 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013153091A true JP2013153091A (ja) | 2013-08-08 |
Family
ID=49049220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012013666A Pending JP2013153091A (ja) | 2012-01-26 | 2012-01-26 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013153091A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110896437A (zh) * | 2018-09-12 | 2020-03-20 | 株式会社东芝 | 拍摄装置 |
US10855944B2 (en) | 2018-09-14 | 2020-12-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image pickup apparatus |
-
2012
- 2012-01-26 JP JP2012013666A patent/JP2013153091A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110896437A (zh) * | 2018-09-12 | 2020-03-20 | 株式会社东芝 | 拍摄装置 |
US10797100B2 (en) | 2018-09-12 | 2020-10-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Imaging device |
CN110896437B (zh) * | 2018-09-12 | 2021-08-03 | 株式会社东芝 | 拍摄装置 |
US10855944B2 (en) | 2018-09-14 | 2020-12-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image pickup apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6570384B2 (ja) | 撮像装置及び撮像システム | |
TWI516122B (zh) | 固態成像裝置,固態成像裝置之信號處理方法,及電子設備 | |
US10051213B2 (en) | Solid-state image sensor, ranging apparatus and imaging apparatus with pixels having in-pixel memories | |
US9282262B2 (en) | Solid-state imaging device and method of operating the same, and electronic apparatus and method of operating the same | |
US20110221941A1 (en) | Solid-state imaging device applied to cmos image sensor | |
EP2665098B1 (en) | Solid state imaging device | |
JP5787848B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
CN112351227B (zh) | 图像感测装置 | |
JP2013153091A (ja) | 固体撮像装置 | |
TWI385793B (zh) | 具對稱場效電晶體配置之像素 | |
JP4734270B2 (ja) | 固体撮像装置及びその駆動方法 | |
JP2014216978A (ja) | 固体撮像素子および撮像装置 | |
JP4667143B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP5943853B2 (ja) | Tdi方式リニアイメージセンサ、及びその駆動方法 | |
KR20210010018A (ko) | 이미지 센싱 장치 | |
US20070262365A1 (en) | Solid-state imaging device and method of driving the same | |
JPWO2018186329A1 (ja) | 撮像装置、およびそれに用いられる固体撮像装置 | |
JP2010093002A (ja) | Ccdイメージセンサ | |
JP2000350100A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2010021969A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP5943808B2 (ja) | Tdi方式リニアイメージセンサを用いた撮像システム、及びその駆動方法 | |
JP2009124633A (ja) | 撮像装置及び撮像装置の駆動方法 | |
WO2015115066A1 (en) | Solid-state image sensor, and ranging apparatus and imaging apparatus using same | |
JP2005101926A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2010041077A (ja) | 固体撮像装置 |