JP2010091299A - 可燃性ガス検出装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高温目標温度に対応する抵抗値となるように通電される高温用発熱抵抗体221と、高温目標温度より低く設定された低温目標温度に対応する抵抗値となるように通電される低温用発熱抵抗体211を有し、高温用発熱抵抗体221の端子間電圧(高温側電圧VH)に基づき可燃性ガス濃度(以下、第1演算ガス濃度という)を演算すると共に(S60)、低温用発熱抵抗体211の端子間電圧(低温側電圧VL)に基づき可燃性ガス濃度(以下、第2演算ガス濃度という)を演算する(S150)。そして、第1演算ガス濃度又は第2演算ガス濃度と第1判定値又は第2判定値とを比較し(S80,S170)、この比較結果に基づき、第1演算ガス濃度又は第2演算ガス濃度を検出結果として採用する(S90,S180)。
【選択図】図6
Description
従来、互いに異なる温度に制御される2つの熱伝導式用発熱抵抗体の各端子間電圧に基づいて、被検出雰囲気中に存在する可燃性ガスのガス濃度を検出する可燃性ガス検出装置が知られている(例えば、特許文献1を参照)。このような可燃性ガス検出装置では、1つの熱伝導式用発熱抵抗体の端子間電圧に基づいて、可燃性ガスのガス濃度を演算するとともに、互いに異なる温度に制御される2つの熱伝導式用発熱抵抗体の各端子間電圧に基づいて、被検出雰囲気内の湿度を演算する。そして、この可燃性ガス検出装置は、演算された湿度を用いて、演算されたガス濃度を補正し、この補正値を、検出結果として採用していた。
熱伝導式用発熱抵抗体を備えた可燃性ガス検出装置は、一定温度に制御された発熱抵抗体の端子間電圧が、被検出雰囲気中に存在する可燃性ガスの熱伝導率変化に伴って変化することに基づいて、可燃性ガスの濃度を検出する。
図7に示すように、水素ガス濃度の増加に伴い、2つの熱伝導式用発熱抵抗体の端子間電圧が上昇する。そして、制御温度が高い方が、水素ガス濃度の増加に対する端子間電圧の変化率が大きい。すなわち、制御温度を高くすることにより、水素ガス濃度の検出感度を向上させることができる。
そして検出結果採用手段が、濃度比較手段による比較結果に基づいて、第1演算ガス濃度または第2演算ガス濃度の何れかを、当該可燃性ガス検出装置の検出結果として採用する。
なお、請求項1に記載の可燃性ガス検出装置においては、請求項2に記載のように、第1発熱抵抗体で検出可能なガス濃度範囲は、第2発熱抵抗体で検出可能なガス濃度範囲に含まれるようにしてもよい。
また、請求項3に記載の可燃性ガス検出装置においては、請求項4に記載のように、第1出力検出手段により検出された第1出力値、第2出力検出手段により検出された第2出力値、及び温度検出手段により検出された環境温度に基づいて、被検出雰囲気内の湿度を演算する湿度演算手段を備え、第1濃度演算手段は、湿度検出手段により検出された湿度をも用いて、第1演算ガス濃度を演算し、第2濃度演算手段は、湿度検出手段により検出された湿度をも用いて、第2演算ガス濃度を演算するようにするとよい。
ところで、上記の比較判定値として1つの値のみが設定されている場合には、可燃性ガスのガス濃度が比較判定値近傍で頻繁に変動する状況下において、検出結果採用手段が採用する検出結果が、第1演算ガス濃度と第2演算ガス濃度との間で頻繁に切り替わる現象(ハンチング現象)が発生するおそれがある。
図1は本発明が適用された可燃性ガス検出装置1の断面図、図2は素子ケース20周辺部分の断面図、図3はガス検出素子60の平面図、図4は図3のA−A断面部を示す図、図5は制御回路200の概略構成を示すブロック図である。
この可燃性ガス検出装置1は、例えば、自動車の燃料電池ユニットが備える配管に搭載され、配管を通じて排出される被検出ガス中に含まれる水素を検出する目的等に用いられる。また、可燃性ガス検出装置1は、被検出ガス中に含まれる可燃性ガスを検出するための制御回路200およびマイクロコンピュータ94(以下、マイコン94ともいう)などを備えている。
まず、収容ケース40の構成を説明する。
流路形成部43の内部には、被検出ガスを導入及び排出するための素子ケース20の導入部35が収納されている。このように素子ケース20は、その一部を収容ケース40内部に配置させた状態で保持部46により保持されている。また、この素子ケース20の鍔部38とケース本体42との間には、これらの隙間をシール(密閉)するシール部材47が配置されている。
発熱体50,51は、収容ケース40を介して、または直接に素子ケース20を加熱し、素子ケース20の内側面の温度を露点より高い温度に保つためのものである。発熱体50,51は、例えば、電子部品等で用いられる抵抗体や、フィルムヒータなどを用いて構成される。
ガス検出素子60は、マイクロマシニング技術を用いて製造されているもので、図4にて示すごとく、シリコン製半導体基板310を備えるとともに、シリコン製半導体基板310の上下両側に絶縁層(上側絶縁層323、下側絶縁層324)を備えている。上側絶縁層323は、シリコン製半導体基板310の表面に形成されており、一方、下側絶縁層324は、シリコン製半導体基板310の裏面に形成されている。
制御回路200は、図5に示すように、低温側ガス検出回路91、高温側ガス検出回路92、及び温度測定回路93を備えている。
低温側ブリッジ回路210は、低温用発熱抵抗体211及び3個の固定抵抗212,213,214を備えており、ブリッジ回路を形成するように構成されている。さらに低温側ブリッジ回路210において、低温用発熱抵抗体211は、ガス検出素子60の左側熱伝導式ガス検出部381を構成する左側発熱抵抗体331で構成されている。低温用発熱抵抗体211は、その一端が接地されており、他端が固定抵抗212、固定抵抗213および固定抵抗214を介して接地されている。
次に高温側ガス検出回路92は、高温側ブリッジ回路220と電流調整回路240と通電切替制御回路241と演算増幅回路260とを備えている。
次に温度測定回路93は、温度測定ブリッジ回路931と増幅回路932とを備えている。
低温側ガス検出回路91の演算増幅回路250は、低温側ブリッジ回路210の両出力端子間に生ずる電位差を増幅して増幅電位差を電流調整回路230に出力する。また低温側ガス検出回路91は、低温側ブリッジ回路210のうち低温用発熱抵抗体211と固定抵抗212との共通端子(電極膜371)における電位VL(低温用発熱抵抗体211の両端電圧VLに相当する)をマイクロコンピュータ94に対して出力する。
さらにS80にて、S70で補正された水素ガス濃度Dが、予め設定された第1判定値(本実施形態では、10%)未満であるか否かを判定する。ここで、補正された水素ガス濃度Dが第1判定値未満である場合には(S80:YES)、S90にて、S70で補正された水素ガス濃度Dを出力し、S30に移行する。一方、補正された水素ガス濃度Dが第1判定値以上である場合には(S80:NO)、S100にて、高温用発熱抵抗体221への通電を停止する。
さらにS170にて、S160で補正された水素ガス濃度Dが、予め設定された第2判定値(本実施形態では、5%)より大きいか否かを判定する。ここで、補正された水素ガス濃度Dが第2判定値より大きい場合には(S170:YES)、S180にて、S160で補正された水素ガス濃度Dを出力し、S120に移行する。一方、補正された水素ガス濃度Dが第2判定値以下である場合には(S170:NO)、S190にて、高温用発熱抵抗体221への通電を開始し、S20に移行する。
また、温度電圧VTを用いて被検出雰囲気内の環境温度Tが演算され(S40,S130)、この環境温度Tをも用いて、高温側演算ガス濃度、または低温側演算ガス濃度が演算される(S70,S160)。これにより、被検出雰囲気内の環境温度Tを考慮した分、水素ガスのガス濃度をより正確に検出することができる。
例えば上記実施形態では、ガス検出処理の実行が開始されると、まず、高温側電圧VHを用いて水素ガス濃度Dを演算し、その後に、この水素ガス濃度Dと第1判定値とを比較するものを示した。しかし、ガス検出処理の実行が開始された後に、まず低温側電圧VLを用いて水素ガス濃度Dを演算し、この水素ガス濃度Dと第1判定値とを比較するようにしてもよい。
Claims (6)
- 被検出雰囲気内に配置されて、可燃性ガスへの熱伝導によって自身の温度が変化するとともに自身の抵抗値が変化する第1発熱抵抗体を有し、この第1発熱抵抗体が予め設定された第1目標温度に対応する抵抗値となるように通電される第1熱伝導式ガス検出部と、
被検出雰囲気内に配置されて、可燃性ガスへの熱伝導によって自身の温度が変化するとともに自身の抵抗値が変化する第2発熱抵抗体を有し、この第2発熱抵抗体が前記第1目標温度より低く設定された第2目標温度に対応する抵抗値となるように通電される第2熱伝導式ガス検出部と、
前記第1発熱抵抗体の抵抗値に対応した第1出力値を検出する第1出力検出手段と、
前記第2発熱抵抗体の抵抗値に対応した第2出力値を検出する第2出力検出手段と、
前記第1出力検出手段により検出された前記第1出力値に基づいて、前記被検出雰囲気中に存在する可燃性ガスのガス濃度である第1演算ガス濃度を演算する第1濃度演算手段と、
前記第2出力検出手段により検出された前記第2出力値に基づいて、前記被検出雰囲気中に存在する可燃性ガスのガス濃度である第2演算ガス濃度を演算する第2濃度演算手段と
を備えて、前記被検出雰囲気中に存在する可燃性ガスのガス濃度を検出する可燃性ガス検出装置であって、
前記第1演算ガス濃度または前記第2演算ガス濃度の何れかと、予め設定された比較判定値とを比較する濃度比較手段と、
前記濃度比較手段による比較結果に基づいて、前記第1演算ガス濃度または前記第2演算ガス濃度の何れかを、当該可燃性ガス検出装置の検出結果として採用する検出結果採用手段を備える
ことを特徴とする可燃性ガス検出装置。 - 前記第1発熱抵抗体で検出可能なガス濃度範囲は、前記第2発熱抵抗体で検出可能なガス濃度範囲に含まれる
ことを特徴とする請求項1に記載の可燃性ガス検出装置。 - 前記被検出雰囲気内の環境温度を検出する温度検出手段を備え、
前記第1濃度演算手段は、前記温度検出手段により検出された前記環境温度をも用いて、前記第1演算ガス濃度を演算し、
前記第2濃度演算手段は、前記温度検出手段により検出された前記環境温度をも用いて、前記第2演算ガス濃度を演算する
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の可燃性ガス検出装置。 - 前記第1出力検出手段により検出された前記第1出力値、前記第2出力検出手段により検出された前記第2出力値、及び前記温度検出手段により検出された前記環境温度に基づいて、前記被検出雰囲気内の湿度を演算する湿度演算手段を備え、
前記第1濃度演算手段は、前記湿度検出手段により検出された前記湿度をも用いて、前記第1演算ガス濃度を演算し、
前記第2濃度演算手段は、前記湿度検出手段により検出された前記湿度をも用いて、前記第2演算ガス濃度を演算する
ことを特徴とする請求項3に記載の可燃性ガス検出装置。 - 前記濃度比較手段は、
前記第1演算ガス濃度と比較するために予め設定された第1判定値と、前記第2演算ガス濃度と比較するために前記第1判定値と異なるように設定された第2判定値とを有し、
前記第1演算ガス濃度を用いて比較する場合には、前記比較判定値として前記第1判定値を用い、前記第2演算ガス濃度を用いて比較する場合には、前記比較判定値として前記第2判定値を用いる
ことを特徴とする請求項1〜請求項4の何れかに記載の可燃性ガス検出装置。 - 当該可燃性ガス検出装置の検出結果として前記検出結果採用手段により採用されなかった前記ガス濃度に対応する、前記第1発熱抵抗体または前記第2発熱抵抗体の何れかへの通電を停止する通電停止手段を備える
ことを特徴とする請求項1〜請求項5の何れかに記載の可燃性ガス検出装置。
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