JP2018194409A - 熱伝導式ガスセンサ - Google Patents

Abstract

【課題】センサ素子の温度補正及び湿度補正を精度良く行い、ガス濃度の検出精度を向上させた熱伝導式ガスセンサを提供する。【解決手段】自身の温度変化により抵抗値が変化するヒータ１２を半導体基板２０に配置してなり、被検出雰囲気中の特定ガス成分のガス濃度を検出する熱伝導式のセンサ素子３と、センサ素子を収容すると共に、自身に形成されたガス導入口７ｈを介して被検出雰囲気に連通する測定室７ｓを有し、測定室にセンサ素子を臨ませるケーシング部材７と、を備えた熱伝導式ガスセンサ１であって、さらに測定室に臨むようにして、半導体基板に第１温度検知部１７が配置されると共に、測定室に臨むようにしてケーシング部材の内部に湿度検知部８及び第２温度検知部８ｔが配置され、第２温度検知部は、センサ素子よりも湿度検知部に近い位置に配置されている。【選択図】図２

Description

本発明は、被検出雰囲気中に存在する可燃性ガス等のガス濃度を検出する熱伝導式ガスセンサに関する。

近年、環境・自然保護などの社会的要求から、高効率で、クリーンなエネルギー源として燃料電池の研究が活発に行われている。その中で、低温作動、高出力密度等の利点により、家庭用、車載用などのエネルギー源として固体高分子型燃料電池（ＰＥＦＣ）や水素内燃機関が期待されている。これらのシステムでは、例えば、可燃性ガスである水素を燃料としているため、ガス漏れの検知が重要な課題の一つとして挙げられている。

この種の被検出雰囲気中に存在する可燃性ガスのガス濃度を検出する熱伝導式ガスセンサとして、被検出雰囲気内にセンサ素子を配置し、このセンサ素子に、自身の温度変化（発熱）により抵抗値が変化する発熱抵抗体を備えた熱伝導式ガスセンサが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１の熱伝導式ガスセンサでは、それぞれ発熱抵抗体を備えたセンサ素子を２つ設け、一方のセンサ素子を基準ガスに晒し、他のセンサ素子を被検出雰囲気中に晒し、両素子の電気抵抗の差を検出している。これにより、被検出雰囲気の温度による検出値の変動を補償している。
又、特許文献１には、被検出雰囲気の湿度による検出値の変動を補正するため、相対湿度を検出する湿度センサを設けることも記載されている。

一方、発熱抵抗体を備えたセンサ素子を１つとした熱伝導式ガスセンサも知られている。この熱伝導式ガスセンサでは、発熱抵抗体に通電されて発熱抵抗体が発熱した際に可燃性ガスへの熱伝導（気体熱伝導）が生じる。そのため、センサ素子の温度を一定の温度に制御する場合、熱伝導によって発熱抵抗体の温度が変化するとともに抵抗値が変化するため、その変化量に基づき、被検出雰囲気を検出することができる。
そして、センサ素子の温度による検出値の変動を補正するため、上記センサ素子には温度センサが設けられている。

特開２００７−３０９９０８号公報（請求項１３、段落００３５）

しかしながら、特許文献１記載の技術の場合、湿度センサが検出した相対湿度だけでは、センサ素子が検出したガス濃度を十分に補正することが困難であり、絶対湿度を求める必要がある。又、相対湿度から絶対湿度を求める際には、湿度センサ近傍の被検出雰囲気の温度を測定する必要があるのに対し、発熱抵抗体を備えたセンサ素子を１つとした熱伝導式ガスセンサでは、センサ素子の温度補正用にも温度センサが必要であり、湿度センサ近傍の温度と、センサ素子近傍の温度とを正しく測定することが重要となる。
又、センサ素子と湿度センサとが別の空間に配置されていると、被検出雰囲気の拡散状態が両者で異なるため、センサ素子が検出したガス濃度の補正が不正確になるという問題もある。
すなわち、本発明は、センサ素子の温度補正及び湿度補正を精度良く行い、ガス濃度の検出精度を向上させた熱伝導式ガスセンサの提供を目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の熱伝導式ガスセンサは、自身の温度変化により抵抗値が変化するヒータを半導体基板に配置してなり、被検出雰囲気中の特定ガス成分のガス濃度を検出する熱伝導式のセンサ素子と、前記センサ素子を収容すると共に、自身に形成されたガス導入口を介して前記被検出雰囲気に連通する測定室を有し、該測定室に前記センサ素子を臨ませるケーシング部材と、を備えた熱伝導式ガスセンサであって、さらに、前記測定室に臨むようにして、前記半導体基板に第１温度検知部が配置されると共に、前記測定室に臨むようにして、前記ケーシング部材の内部に湿度検知部及び第２温度検知部が配置され、前記第２温度検知部は、前記センサ素子よりも前記湿度検知部に近い位置に配置されていることを特徴とする。

この熱伝導式ガスセンサによれば、センサ素子用、湿度検知部用にそれぞれ別個に第１温度検知部、第２温度検知部を設けている。これにより、センサ素子（ヒータ）近傍の温度と、湿度検知部近傍の温度とを区別して測定することができ、センサ素子が検出したガス濃度を精度よく温度補正及び湿度補正することができる。
又、センサ素子の共通の半導体基板にヒータと第１温度検知部とを配置している。このため、第１温度検知部からヒータ近傍の被検出雰囲気の正確な温度を取得することができ、センサ素子が検出したガス濃度を精度よく温度補正することができる。
又、センサ素子と同じ空間であるケーシング部材の測定室の内部に、湿度検知部が配置されているので、被検出雰囲気の拡散状態が両者で同等となり、センサ素子が検出したガス濃度を精度良く湿度補正することができる。さらに、センサ素子よりも湿度検知部に近い位置に第２温度検知部を配置しているため、第２温度検知部から湿度検知部近傍の被検出雰囲気の正確な温度を取得し、湿度検知部の検出した相対湿度を精度よく絶対湿度に換算することができ、センサ素子が検出したガス濃度をさらに精度よく湿度補正することができる。

本発明の熱伝導式ガスセンサにおいて、前記湿度検知部及び前記第２温度検知部が、一体であってもよい。
この熱伝導式ガスセンサによれば、第２温度検知部が湿度検知部近傍の被検出雰囲気の温度をより正確に取得できるため、絶対湿度をより正確に取得することができる。

本発明の熱伝導式ガスセンサにおいて、前記ガス導入口と前記測定室との間に、両者間のガス拡散を所定の律速条件下で実現する拡散律速部が配置されていてもよい。
この熱伝導式ガスセンサによれば、ガス導入口から測定室に向かい、センサ素子と湿度検知部への被検出雰囲気中の湿度の濃度拡散を均一にすることができる。その結果、ヒータ（センサ素子）近傍の被検出雰囲気の絶対湿度をより正確に取得することができるの

本発明の熱伝導式ガスセンサにおいて、前記第１温度検知部から取得した前記被検出雰囲気の温度から、前記センサ素子が検出した前記ガス濃度を補正し、さらに、前記湿度検知部から取得した相対湿度と、前記第２温度検知部から取得した前記被検出雰囲気の温度とから、絶対湿度を算出し、該絶対湿度から前記センサ素子が検出した前記ガス濃度を補正する制御部をさらに備えてもよい。
この熱伝導式ガスセンサによれば、制御部によりセンサ素子が検出したガス濃度を温度補正及び湿度補正することができる。

この発明によれば、熱伝導式ガスセンサにおけるセンサ素子の温度補正及び湿度補正を精度良く行い、ガス濃度の検出精度を向上させることができる。

本発明の実施形態に係る熱伝導式ガスセンサの外観斜視図である。 図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 熱伝導式ガスセンサの全体構成図である。 センサ素子の構成を示す平面図である。 可燃性ガスの濃度演算処理のフローを表す図である。 可燃性ガスの濃度の温度及び湿度補正を行う基準電圧換算データの構成を示す模式図である。 可燃性ガスの濃度を算出するための濃度換算データの構成を示す模式図である。

以下に、本発明の実施形態を図面と共に説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る熱伝導式ガスセンサ１の斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う断面図、図３は、熱伝導式ガスセンサ１の全体構成図、図４は、熱伝導式ガスセンサ１の主要部となるセンサ素子３の構成を示す平面図（但し、内部構成も一部示す）である。

熱伝導式ガスセンサ１は、熱伝導式のセンサ素子３を用いて、可燃性ガスの濃度を検出するものであり、例えば、燃料電池自動車のスタック周辺うや水素タンク周辺などに設置され、水素の漏れを検出する目的等に用いられる。可燃性ガスが特許請求の範囲の「特定ガス成分」に相当する。

図１に示すように、熱伝導式ガスセンサ１は、図示しないセンサ素子等を収容すると共に、自身の下面に形成されたガス導入口７ｈ（図２参照）を介して前記被検出雰囲気に連通する測定室７ｓ（図２参照）を有する略箱状のケーシング部材７を備えている。
ケーシング部材７は、有底矩形枠状の下ケース７２と、下ケース７２の上面開口を閉塞する矩形板状の蓋部７１とを備えている。下ケース７２の一側面（図１の右側面）から外側に向かって、外部との信号の入出力を行うための筒状のコネクタ部７ｃが一体に延びている。又、下ケース７２のうちコネクタ部７ｃに隣接する２つの側面（図１の上下の側面）から外側に向かって、それぞれ１つのフランジ部７２ｆが延び、フランジ部７２ｆの中央にはボルト孔７２ｂが開口している。そして、ボルト孔７２ｂに挿通したボルト（図示せず）を、熱伝導式ガスセンサ１の取付対象体（例えば車両の所定部位）にネジ止めすることで、熱伝導式ガスセンサ１を取付対象体に取付けるようになっている。

図２に示すように、下ケース７２の下面の中央には環状の外側突出部７ｗ１が形成され、外側突出部７ｗ１の内側にはガス導入口７ｈが開口し、ガス導入口７ｈを介して被検出雰囲気がケーシング部材７の内外に流通するようになっている。又、下ケース７２の下面の内側部分にも、ガス導入口７ｈを囲むように環状の内側突出部７ｗ２が形成されている。
下ケース７２の内部には、環状のシール部材７ｇを介して内側突出部７ｗ２を上から閉塞するようにプリント基板６が配置されている。そして、プリント基板６の下面と、シール部材７ｇの内側面と、下ケース７２の内面とで囲まれたケーシング部材７の内部空間が測定室７ｓを形成している。測定室７ｓは、ガス導入口７ｈを介して被検出雰囲気に連通している。

さらに、測定室７ｓに面した（シール部材７ｇで囲まれた）プリント基板６の下面に、センサ素子３及び湿度センサ（湿度検知部）８が、それぞれ離間して配置されている。これにより、測定室７ｓにセンサ素子３及び湿度センサ８を臨ませつつ、測定室７ｓ内の被検出雰囲気中の水素ガス濃度をセンサ素子３にて検出し、測定室７ｓ内の被検出雰囲気中の湿度を湿度センサ８にて検出するようになっている。
一方、プリント基板６の上面には熱伝導式ガスセンサ１を制御するマイコン４が実装されている。そして、プリント基板６のコネクタ部７ｃの一辺には、コネクタ部７ｃ内に収容された雄コネクタピン７ｐ（本例では３本）のそれぞれ一端が図示しないスルーホールに挿通されて半田付けされている。
マイコン４が特許請求の範囲の「制御部」に相当する。

さらに、内側突出部７ｗ２の上面には、測定室７ｓとガス導入口７ｈとを区切るように、撥水フィルタ（拡散律速部）７ｔがガス導入口７ｈ側からこの順で積層して配置されている。
撥水フィルタ７ｔは、ガス導入口７ｈから熱伝導式ガスセンサ１内に水が浸入することを防止すると共に、ガス導入口７ｈと測定室７ｓとの間のガス拡散を所定の律速条件下で実現する拡散律速機能を有する。

図３に示すように、熱伝導式ガスセンサ１は、センサ素子３（図４参照）と、センサ素子３を駆動制御する制御回路３及びマイコン４と、湿度センサ８とを備えている。又、制御回路３は、ガス検出回路３１、及び温度測定回路３２を備えている。なお、制御回路３（但し、後述するヒータ１２および第１温度センサ１７を除く），マイコン４はプリント基板６上に構成され、このプリント基板６とは別体にセンサ素子３は構成されている。
ガス検出回路３１は、センサ素子３に備えられたヒータ１２と、固定抵抗５２，５３，５１とによって構成されるホイートストーンブリッジ４１、及び、ホイートストーンブリッジ４１から得られる電位差を増幅するオペアンプ８１を備えている。
ヒータ１２として、自身の温度の上昇に伴い抵抗値が上昇する抵抗体を用いた場合、このオペアンプ８１は、ヒータ１２の温度が所定の温度に保たれるように、ヒータ１２の温度が上昇した場合には出力する電圧を低くし、ヒータ１２の温度が下降した場合には出力する電圧を高くするように作動する。

そして、このオペアンプ８１の出力は、ホイートストーンブリッジ４１に接続されているので、ヒータ１２の温度が所定の温度より上昇すると、ヒータ１２の温度を下げるためにオペアンプ８１から出力される電圧は低くなり、ホイートストーンブリッジ４１に印加される電圧が低下する。このときの、ホイートストーンブリッジ４１の端部を構成する電極Ｐ３の電圧はガス検出回路３１の出力としてマイコン４により検出され、マイコン４により検出された出力値は、被検出雰囲気に含まれる可燃性ガス（特定ガス成分）の濃度を検出するための演算処理に供される。
温度測定回路３２は、センサ素子３に備えられた第１温度センサ１７（後述する）と、固定抵抗１０１，１０２，１０３によって構成されるホイートストーンブリッジ９１と、ホイートストーンブリッジ９１から得られる電位差を増幅するオペアンプ１１１とを備えている。このオペアンプ１１１の出力はマイコン４により検出され、マイコン４により検出された出力値は、被検出雰囲気の温度を測定するのに用いられ、さらに、被検出雰囲気に含まれる可燃性ガス（特定ガス成分）の濃度を検出する（濃度の温度補正をする）ための演算処理に供される。
一方、湿度センサ８は静電容量式で相対湿度を検出する半導体素子等からなり、第２温度センサ８ｔが素子内に配置されている。

マイコン４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）１３１と、記憶装置であるＲＯＭ１３２と、一時記憶装置であるＲＡＭ１３３と、湿度センサ８からの出力信号を受信する信号入出力部１３４とを備える。外部回路はコネクタ部７ｃに接続され、外部回路の直流電源５からの電力がコネクタ部７ｃを介してマイコン４に供給され、マイコン４の出力がコネクタ部７ｃを介して外部回路に供給される。

次に、図４を参照し、センサ素子３の構成について説明する。
センサ素子３は、平板形状（平面視四角形状）のシリコン半導体からなる半導体基板２０から構成され、その表面の四隅にそれぞれ電極Ｐ１〜Ｐ４が形成され、他方の面（裏面）の中心付近に、表面に向かって凹む平面視矩形の凹部２１が形成されている。又、半導体基板２０の上下両側に絶縁層（図示せず）を備えている。
そして、半導体基板２０の下側の中央部を除去することで開口した部位に介在する絶縁層が、凹部２１となる薄膜状のダイヤフラム構造をなしている。
センサ素子３は、縦横ともに数ｍｍ（例えば３ｍｍ×３ｍｍ）程度の大きさであり、例えば、シリコン半導体基板を用いたマイクロマシニング技術（マイクロマシニング加工）により製造される。

この凹部２１には、渦巻き状にパターン形成されたヒータ１２が埋設されている。
ヒータ１２は、被検出雰囲気の温度（詳細には、可燃性ガスへの気体熱伝導）に伴う自身の温度変化により抵抗値が変化する発熱抵抗体である。ヒータ１２は、温度抵抗係数が大きい導電性材料で構成され、本実施形態では白金（Ｐｔ）で形成されている。可燃性ガスとしての水素ガスを検出する場合、水素ガスへの熱伝導によってヒータ１２から奪われる熱量の大きさは、水素ガス濃度に応じた大きさとなる。このことから、ヒータ１２における抵抗値の変化に基づいて、水素ガス濃度を検出することが可能となる。
そして、凹部２１に対応する領域（薄膜部）の内部にヒータ１２を設けることにより、ヒータ１２が周囲から断熱されるため、短時間にて昇温又は降温する。このため、センサ素子３の熱容量を小さくすることができる。

ヒータ１２の左端は、配線１２ａおよび所定の配線膜を介して電極Ｐ３に接続されている。又、ヒータ１２の右端は、配線１２ｂおよび所定の配線膜を介してグランド電極Ｐ４に接続されている。電極Ｐ３、Ｐ４は、ヒータ１２に接続される配線の引き出し部位であり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又は金（Ａｕ）で形成されている。

第１温度センサ（第１温度検知部）１７は、熱伝導式ガスセンサ１の検出空間内に存在する被検出雰囲気の温度を検出するためのものであり、センサ素子３の上辺（一辺）に沿って所定の絶縁層内に埋設されている。第１温度センサ１７は、抵抗値が温度に比例して変化（本実施形態では、温度の上昇に伴って抵抗値が増大）する導電性材料で構成された抵抗体であって、本実施形態では白金（Ｐｔ）で形成されている。
第１温度センサ１７は、所定の配線膜を介して電極Ｐ１及びグランド電極Ｐ２に接続されている。電極Ｐ１，Ｐ２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又は金（Ａｕ）で形成されている。

次に、図５を参照し、制御回路３の出力値に基づき、マイコン４により実行される可燃性ガスの濃度を演算する処理について説明する。マイコン４のＣＰＵ１３１は、ＲＯＭ１３２に記憶されたプログラムに基づき、以下の処理を行う。
まず、マイコン４のＣＰＵ１３１は、センサ素子３及び湿度センサ８への通電を開始する（ステップＳ２）。なお、センサ素子３及び湿度センサ８へ通電されると、それぞれセンサ素子３及び湿度センサ８に配置された第１温度センサ１７及び第２温度センサ８ｔへも通電される。
次に、ＣＰＵ１３１は、ヒータ１２を含むガス検出回路３１の出力値から、可燃性ガス濃度にほぼ比例したヒータ電圧Ｖｈを取得すると共に、温度測定回路３２からの第１温度センサ１７の出力値である電圧Ｖ１を取得する（ステップＳ４）。

ここで、ヒータ電圧Ｖｈは、熱伝導式ガスセンサ１の検出空間の雰囲気温度及び絶対湿度の変化に依存して変化する。このため、ＣＰＵ１３１は、電圧Ｖ１より第1補正値Ｖｈ０を算出して温度補正を行う（ステップＳ６）。
ＲＯＭ１３２には、第1補正値Ｖｈ０を算出するための基準電圧換算データ１４１が記憶されており、このデータは図６に示すように、ヒータ電圧Ｖｈと温度Ｔとの関係（図６（ａ））と、ヒータ電圧Ｖｈと絶対湿度Ａｈとの関係（図６（ｂ））を含む。従って、ヒータ１２近傍の被検出雰囲気の温度を示す第１温度センサ１７の電圧Ｖ１（温度Ｔ１に相当）から、図６（ａ）の関係を用いて第1補正値Ｖｈ０を算出することができる。
なお、温度Ｔが高くなるほどヒータ電圧Ｖｈが低下する傾向にあり、絶対湿度Ａｈが高くなるほどヒータ電圧Ｖｈも高くなる傾向にある。
又、ヒータ電圧Ｖｈと温度Ｔとの関係、及びヒータ電圧Ｖｈと絶対湿度Ａｈとの関係としては、所定の関係式やテーブル等を用いることができる。

次に、ＣＰＵ１３１は、湿度センサ８及び第２温度センサ８ｔより、それぞれ相対湿度値（ＲＨ）、温度値（Ｔ２）を取得する（ステップＳ８）。温度値（Ｔ２）は湿度センサ８近傍の被検出雰囲気の温度を示している。従って、ＣＰＵ１３１は、相対湿度値（ＲＨ）と温度値（Ｔ２）から、公知の方法に従って絶対湿度値（ＡＨ）を算出する（ステップＳ１０）。
次に、ＣＰＵ１３１は、ステップＳ１０で算出した絶対湿度値（ＡＨ）が負（＜０）であるか否かを判定する（ステップＳ１２）。ステップＳ１２で「Ｎｏ」であればステップＳ１６に移行し、ステップＳ１２で「Ｙｅｓ」であれば、ステップＳ１４で絶対湿度値（ＡＨ）＝０に設定してからステップＳ１６に移行する。ここで、湿度センサ８によってはマイナス値（現実には存在しない値）を出力する場合を考慮し、絶対湿度値（ＡＨ）が負（＜０）であるか否かを判定している。

ここで、上述のように、ヒータ電圧Ｖｈは、熱伝導式ガスセンサ１の検出空間の絶対湿度の変化によっても変化する。このため、ステップＳ１６で、ＣＰＵ１３１は、絶対湿度値（ＡＨ）より第２補正値Ｖｈｈｕｍを算出して湿度補正を行う。この補正は、上述の基準電圧換算データ１４１から図６（ｂ）に示すヒータ電圧Ｖｈと絶対湿度Ａｈとの関係を読み取って算出することができる。
次に、ＣＰＵ１３１は、式：ΔＶｈ＝Ｖｈ−Ｖｈ０−Ｖｈｈｕｍにより、ヒータ電圧Ｖｈがそれぞれ温度補正（Ｖｈ０）及び湿度補正（Ｖｈｈｕｍ）された値ΔＶｈを算出する（ステップＳ１８）。

次に、ＣＰＵ１３１は、ΔＶｈと可燃性ガスの濃度との関係から可燃性ガスの濃度を算出し（ステップＳ２０）、このガス濃度を外部回路に出力する（ステップＳ２２）。
ＲＯＭ１３２には、可燃性ガスの濃度を算出するための濃度換算データ１４２が記憶されており、このデータは図７に示すように、温度及び湿度補正されたヒータ電圧ΔＶｈとガス濃度との関係を含む。ヒータ電圧ΔＶｈとガス濃度との関係としては、所定の関係式やテーブル等を用いることができる。

ここで、本発明の実施形態に係る熱伝導式ガスセンサ１においては、センサ素子３用、湿度センサ８用にそれぞれ別個に第１温度センサ１７、第２温度センサ８ｓを設けている。これにより、センサ素子３（ヒータ１２）近傍の温度と、湿度センサ８近傍の温度とを区別して測定することができ、センサ素子３が検出したガス濃度を精度よく温度補正及び湿度補正することができる。
又、センサ素子３の共通の半導体基板２０にヒータ１２と第１温度センサ１７とを配置している。このため、第１温度センサ１７からヒータ１２近傍の被検出雰囲気の正確な温度を取得することができ、センサ素子３が検出したガス濃度を精度よく温度補正することができる。
又、センサ素子３と同じ空間であるケーシング部材７の測定室７ｓの内部に、湿度センサ８が配置されているので、被検出雰囲気の拡散状態が両者で同等となり、センサ素子３が検出したガス濃度を精度良く湿度補正することができる。さらに、センサ素子３よりも湿度センサ８に近い位置に第２温度センサ８ｓを配置しているため、第２温度センサ８ｓから湿度センサ８近傍の被検出雰囲気の正確な温度を取得し、湿度センサ８の検出した相対湿度を精度よく絶対湿度に換算することができ、センサ素子３が検出したガス濃度をさらに精度よく湿度補正することができる。

なお、ガス導入口７ｈと測定室７ｓとの間に撥水フィルタ（拡散律速部）７ｔを設けると、ガス導入口７ｈから測定室７ｓに向かい、センサ素子３と湿度センサ８への被検出雰囲気中の湿度の濃度拡散を均一にすることができる。その結果、ヒータ１２（センサ素子３）近傍の被検出雰囲気の絶対湿度をより正確に取得することができるので好ましい。

本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の思想と範囲に含まれる様々な変形及び均等物に及ぶことはいうまでもない。例えば、上記実施形態では、水素ガスを検出する場合について説明したが、本発明の熱伝導式ガスセンサは他の種類の可燃性ガスも検出可能である。ケーシング部材７の構成等も限定されない。

１ 熱伝導式ガスセンサ
３ センサ素子
４ 制御部
７ ケーシング部材
７ｈ ガス導入口
７ｓ 測定室
７ｔ 拡散律速部
８ 湿度検知部
８ｔ 第２温度検知部
１２ ヒータ
１７ 第１温度検知部
２０ 半導体基板

Claims (4)

1. 自身の温度変化により抵抗値が変化するヒータを半導体基板に配置してなり、被検出雰囲気中の特定ガス成分のガス濃度を検出する熱伝導式のセンサ素子と、
   前記センサ素子を収容すると共に、自身に形成されたガス導入口を介して前記被検出雰囲気に連通する測定室を有し、該測定室に前記センサ素子を臨ませるケーシング部材と、
   を備えた熱伝導式ガスセンサであって、
   さらに、前記測定室に臨むようにして、前記半導体基板に第１温度検知部が配置されると共に、
   前記測定室に臨むようにして、前記ケーシング部材の内部に湿度検知部及び第２温度検知部が配置され、
   前記第２温度検知部は、前記センサ素子よりも前記湿度検知部に近い位置に配置されていることを特徴とする熱伝導式ガスセンサ。
2. 前記湿度検知部及び前記第２温度検知部が、一体である請求項１記載の熱伝導式ガスセンサ。
3. 前記ガス導入口と前記測定室との間に、両者間のガス拡散を所定の律速条件下で実現する拡散律速部が配置されている請求項１又は２記載の熱伝導式ガスセンサ。
4. 前記第１温度検知部から取得した前記被検出雰囲気の温度から、前記センサ素子が検出した前記ガス濃度を補正し、
   さらに、前記湿度検知部から取得した相対湿度と、前記第２温度検知部から取得した前記被検出雰囲気の温度とから、絶対湿度を算出し、該絶対湿度から前記センサ素子が検出した前記ガス濃度を補正する制御部をさらに備えてなる請求項１ないし３のいずれかに記載の熱伝導式ガスセンサ。

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