JP2010080877A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】高周波高出力増幅に用いるFETを具えた半導体装置において、交差部に起因の寄生容量を防止し、かつチップ面積を拡大せずに発熱の集中を分散させる。
【解決手段】半導体装置は、ゲート幅方向15に互いに平行にかつ離間して形成されている複数のゲート電極13と、ゲート長方向11に延在して形成されている基線部17と、複数の主電極19とが下地21の上側に設けられている。ゲート電極は、基線部とそれぞれ交差し、かつこの基線部と一体的に形成されている。主電極は、基線部、及び隣り合うゲート電極の間に囲まれた領域に1つずつ配置形成されている
【選択図】図1
【解決手段】半導体装置は、ゲート幅方向15に互いに平行にかつ離間して形成されている複数のゲート電極13と、ゲート長方向11に延在して形成されている基線部17と、複数の主電極19とが下地21の上側に設けられている。ゲート電極は、基線部とそれぞれ交差し、かつこの基線部と一体的に形成されている。主電極は、基線部、及び隣り合うゲート電極の間に囲まれた領域に1つずつ配置形成されている
【選択図】図1
Description
この発明は、半導体装置の構造に関し、特に、電界効果トランジスタを構成する各構成要素の配置に関する。
周知の通り、高周波高出力増幅に用いる電界効果トランジスタ(以下、FET(Field Effect Transistor)とも称する)では、大きな出力電力を得るために、所望の動作電圧及び出力電力に見合う大電流が必要となる。そのために、従来から、ゲート電極のゲート幅を拡げることによって上述の大電流を得ていた。そして、ゲート幅を大きく設定しつつ、ウエハ上に効率よくFETを配置形成するために、いわゆる櫛形構造の半導体装置が周知である(例えば、特許文献1参照)。
以下、図5、図6を参照して、従来技術による櫛形構造の半導体装置(以下、単に従来技術による半導体装置とも称する)について説明する。
図5は、従来技術による半導体装置を説明する図であり、下地を上側表面、すなわち素子が形成されている面から見た平面図である。また、図6は、図5に示すI−I線に沿って切り取った断面に相当する切り口を、矢印方向から見た端面図である。
従来技術による半導体装置では、下地101の活性領域103の上側に、複数のゲート電極105と、ソースまたはドレイン電極として用いられる複数の主電極107とが形成されている。また、下地101の活性領域103外の領域、すなわち非活性領域113には、矢印109で示すゲート長方向109に延在して形成された基線部115を具えている。
ゲート電極105は、活性領域103の上側において、互いに離間し、かつゲート長方向109に配列して形成されている。また、ゲート電極105は、矢印111で示すゲート幅方向111に互いに平行に形成されている。そして、これらゲート電極105は、基線部115とそれぞれ一体的に形成されており、電気的に導通している。
また、基線部115には、この基線部115に接続している各ゲート電極105にゲート電圧を印加するためのゲートパッド117が形成されている。図5に示す構成例では、基線部115の、ゲート幅方向111における、ゲート電極105が形成されているのとは反対の側にゲートパッド117を形成し、接続部119を以って基線部115とゲートパッド117とを電気的に接続している。
また、主電極107は、各ゲート電極105間にそれぞれ1つずつ配置形成されている。そして、これら主電極領域107は、隣り合う2つの主電極の一方がソース電極として用いられ、他方がドレイン電極として用いられる。なお、図5では、ソース電極として用いられる主電極(以下、単にソース電極とも称する)には107a、また、ドレイン電極として用いられる主電極(以下、単にドレイン電極とも称する)には107bの符号を付してある。このように各主電極107を配置することによって、各1つのゲート電極105と、これらを挟んで形成された各2つの主電極107とを含むFETがそれぞれ構成される。
また、従来技術による半導体装置では、非活性領域113の上側に、ソース電極107aに対応するワイヤボンディング領域110a、及びドレイン電極107bに対応するワイヤボンディング領域110bがそれぞれ形成されている。これらワイヤボンディング領域110a及び110bは、半導体装置を実装基板に実装する際に、実装基板と半導体装置に形成されたFETとを電気的に導通するためのワイヤを接続する領域として形成されている。また、ワイヤボンディング領域110a及び110bは、それぞれ複数個のソースまたはドレイン電極107aまたは107bに対して共通に1つずつ設けられている。すなわち、ワイヤボンディング領域110a及び110bは、それぞれ複数個のソースまたはドレイン電極107aまたは107bの、共有部108aまたは108bにそれぞれ形成されている。そして、ソース電極107a用のワイヤボンディング領域110aは各対応するソース電極107aと、また、ドレイン電極107b用のワイヤボンディング領域110bは各対応するドレイン電極107bと、それぞれ一体的に形成されることによって、電気的に接続されている。なお、図5に示す構成例では、紙面に向かって左側に形成された2つのソース電極107aaは、共有部108aaにおいて、これらに共通のワイヤボンディング領域110aaと、また、紙面に向かって右側に形成された2つのソース電極107abは、共有部108abにおいて、これらに共通のワイヤボンディング領域110abと、それぞれ一体的に形成されている。そして、ワイヤボンディング領域110aa及び110abは、共有部108aa及び108abと一体的に形成された接続部121によって電気的に導通している。
ところで、従来技術による半導体装置では、上述した構成においてゲート電極105、主電極107、及び基線部115を配置形成することによって、下地101の上側において、主電極107と基線部115とが交差する個所が存在する。すなわち、図5に示す構成例では、交差部123において、基線部115とソース電極107aとがそれぞれ交差している。また、交差部125において、基線部115及びゲートパッド117間の接続部119と、ワイヤボンディング領域110aa及び110ab間の接続部121とが交差している。
このような交差部123及び125では、例えばいわゆるエアブリッジと称される構造によって、交差する素子同士が立体的に交差している(図6参照)。図6に示す交差部125の構成例では、接続部121が、接続部119の上側を互いに非接触の状態で跨ぐことによって、これら接続部121と接続部119とが交差している。そして、このエアブリッジによる交差部125では、接続部121及び接続部119間が空洞、すなわち中空部127となっている。
また、従来技術による半導体装置では、交差部123及び125において、エアブリッジの他に、例えば交差する素子間に層間絶縁膜を形成することによって、これら素子同士を互いに非接触の状態で交差させる構造が周知である(図示せず)。
特開平9−8064号公報
しかしながら、従来技術による半導体装置では、上述した交差部123及び125において、各交差する素子間に寄生容量が生じる。その結果、従来技術による半導体装置では、この寄生容量に起因して高域の周波数特性が悪化するという問題があった。
また、従来技術による半導体装置では、下地101上においてチップ面積を拡大することなく効率良く複数のFETを配置するために、下地101の中心部に活性領域103、各ゲート電極105、及び各主電極107を形成し、これらの外周領域にワイヤボンディング領域110a及び110bを形成する必要がある。そのため、半導体装置の駆動時において、各ゲート電極105及びドレイン電極107b間の各領域に発生する熱が、チップの中心部に集中する。その結果、チップ温度の上昇に繋がり、半導体装置の電気特性の悪化や動作の信頼性の低下という問題が生じるおそれがある。
この発熱の集中を分散させるためには、例えば、各FET間の互いの離間距離を大きく設定することによって、各ゲート電極105及びドレイン電極107b間の各領域、すなわち各発熱部をチップ上において分散して配置する方法が考えられる。しかし、従来技術による半導体装置では、各FET間の離間距離を大きく設定した場合、チップ面積を拡大することとなるため好ましくない。
そこで、この発明の目的は、高周波高出力増幅に用いるFETを具えた半導体装置において、上述した交差部に起因の寄生容量が発生することなく、かつチップ面積を拡大せずに発熱の集中が分散された半導体装置を提案することにある。
上述の目的の達成を図るため、この発明によれば、半導体装置は以下の特徴を有している。
すなわち、この発明による半導体装置は、ゲート幅方向に互いに平行にかつ離間して形成されている複数のゲート電極と、ゲート長方向に延在して形成されている基線部と、複数の主電極とが下地の上側に設けられている。そして、ゲート電極は、基線部とそれぞれ交差し、かつ基線部と一体的に形成されている。また、主電極は、基線部、及び隣り合うゲート電極の間に囲まれた領域に1つずつ配置形成されている。
この発明による半導体装置では、各主電極が、基線部と一体的に形成されているゲート電極及び基線部の間に囲まれた領域に1つずつ配置形成されているため、これら各主電極上にワイヤボンディング領域を形成することによって、上述した交差部が存在しない構造となる。
従って、この発明による半導体装置は、交差部における寄生容量の発生が防止される。
また、この発明の半導体装置では、ゲート長方向に延在して形成された基線部と、ゲート幅方向に互いに平行に形成された各ゲート電極とが一体的に交差して形成されているため、各ゲート電極及びこれらに各々対応する各主電極を含む各FETが、下地上において、この下地の中心部から分散して配置形成される。その結果、各FETに含まれる発熱部、すなわち各ゲート電極とドレイン電極として用いられる各主電極との間の各領域同士が、従来技術による半導体装置と比して互いに大きく離間している。
さらに、この発明の半導体装置では、基線部のゲート幅方向における両側にそれぞれ各ゲート電極が形成される構造となるため、基線部を下地の中心部に配置形成することによって、同じ面積のチップ内に、従来技術による半導体装置と比してより多数のFETを効率良く配置することができる。
従って、この発明による半導体装置は、従来技術による半導体装置と同程度の大電流を得る場合に、チップ面積を拡大することなく発熱部の配置を分散し、発熱の熱集中を分散することができる。
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態に係る半導体装置について説明する。なお、各図は、この発明が理解できる程度に、各構成要素の形状、大きさ、及び配置関係を概略的に示してあるに過ぎない。従って、この発明の構成は、何ら図示の構成例にのみ限定されるものではない。
〈第1の実施の形態〉
第1の実施の形態では、ゲート長方向に延在して形成された基線部、基線部と一体的に交差して形成され、ゲート幅方向に平行にかつ離間して形成された複数のゲート電極、及び隣り合う2つのゲート電極と基線部との間に囲まれた領域に1つずつ配置形成された複数の主電極領域を具える半導体装置について説明する。
第1の実施の形態では、ゲート長方向に延在して形成された基線部、基線部と一体的に交差して形成され、ゲート幅方向に平行にかつ離間して形成された複数のゲート電極、及び隣り合う2つのゲート電極と基線部との間に囲まれた領域に1つずつ配置形成された複数の主電極領域を具える半導体装置について説明する。
図1は、この発明の第1の実施の形態を説明する概略図であり、下地を上側表面、すなわちFET等の素子が形成されている面から見た平面図である。なお、通常、実際の半導体装置では、図1に示す構造体の上側に、例えば層間絶縁層、上部配線層等の上層が形成されているが、この図1では、第1の実施の形態に係る特徴部分を明瞭に示すためにそれらの上層を省略している。
第1の実施の形態による半導体装置は、複数のゲート電極13と、基線部17と、複数の主電極19とが下地21の上側に設けられている。
下地21は、従来周知の半導体基板であり、例えば、電子走行層及び電子供給層の界面にヘテロ接合面を有する下地、すなわち例えばAlGaN層及びGaN層を堆積した下地や、AlGaAs層及びGaAs層を堆積した化合物半導体基板等、または、Si基板、SOI基板、その他の半導体下地の中から設計に応じて好適なものを用いればよい。この第1の実施の形態では、高周波高出力という点に鑑みて、上述した化合物半導体基板を用いるのが好ましい。
また、この第1の実施の形態による半導体装置をMIS(Metal Insulator Semiconductor)構造、すなわち半導体基板の上側にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されている構造とする場合には、下地21として、最上層の上側にゲート絶縁膜が形成されている半導体基板を用いる(図示せず)。
そして、下地21の上側表面すなわち下地面に、FETを構成する各素子が形成されている。
また、下地21には、FETが形成されている素子領域としての活性領域23、及びこの活性領域23を区画する非活性領域25が作り込まれている。
第1の実施の形態では、後に説明する、ゲート長方向に延在して形成されている基線部17の、ゲート幅方向の両側にそれぞれ複数のFETが形成されている。従って、この第1の実施の形態では、基線部17を挟んでゲート幅方向の両側に、互いに離間し、かつ対向している活性領域23がそれぞれ形成されている。そして、非活性領域25は、これら活性領域23を区画し、電気的に分離する目的で形成されている。
下地21として、例えばAlGaN/GaNのヘテロ接合面を有する下地を用いた場合には、最上層であり、電子供給層として形成されているUID(Un−Intentionally−Doped:不純物無添加)−AlGan層が活性領域23として機能する。また、非活性領域25は、このUID−AlGan層にArイオン等がイオン注入されることによって形成されている。この非活性領域25は、活性領域23を確実に素子分離するために、下地面から、AlGaN/GaNのヘテロ接合面の下側に形成されている、2次元電子ガス層の下側までイオン注入されている。
複数のゲート電極13及び基線部17は、下地面に一体的に形成されている。
基線部17は、矢印11で示すゲート長方向11に延在して形成されている。そして、基線部17は、既に説明したように、互いに離間し、かつ対向して配置形成された2つの活性領域23に挟み込まれた位置であって、非活性領域25の上側に形成されている。
複数のゲート電極13は、各々互いに離間して、矢印11で示すゲート長方向11に配列して形成されている。そして、各ゲート電極13は、矢印15で示すゲート幅方向に互いに平行に形成されている。
そして、各ゲート電極13は、基線部17とそれぞれ交差して形成されている。このような形状及び配置関係で、複数のゲート電極13及び基線部17を形成することによって、各ゲート電極13は、それぞれ基線部17のゲート幅方向15における両側で、これら各側に作り込まれた活性領域23の上側を各々被覆して形成されている。
また、基線部17の上側には、この基線部17を経て各ゲート電極13にゲート電圧を印加するためのゲートパッド27が形成されている。
ここで、この第1の実施の形態における半導体装置では、各ゲート電極13と、これら各ゲート電極13のゲート長方向11における両側に形成されている2つの主電極19(詳細は後述する)とによって、各々FETが構成されている。従って、各ゲート電極13は、それぞれ各FETに含まれている。そのため、第1の実施の形態における半導体装置では、これら各FETからそれぞれ出力される各電波の波長間に、互いに位相差を生じさせないために、各ゲート電極13に対して、可能な限り同時にゲート電圧を印加するのが好ましい。そこで、この第1の実施の形態では、ゲートパッド27を、基線部17の上側に、ゲート長方向11に所定の間隔を空けて複数形成する。
ところで、FETを高周波高出力増幅に用いることを想定した場合には、上述した各FET間における互いの位相差を波長周期の1/10以下に抑えるのが好ましい。そのために、この第1の実施の形態では、複数のゲートパッド27を、基線部17の上側に200〜1000μm毎に設けるのが好ましい。
また、一体的に形成されている各ゲート電極13及び基線部17は、下地21として、例えばAlGaN/GaNのヘテロ接合面を有する下地を用いた場合には、例えばNi及びAuが堆積されて形成されているのが好ましい。
主電極19は、基線部17、及び隣り合うゲート電極13の間に囲まれた領域に1つずつ配置形成されている。第1の実施の形態による半導体装置では、このように各主電極19を配置することによって、これら各主電極19は、それぞれ各ゲート電極13間から露出している活性領域23の上側を被覆して形成されている。そして、ゲート長方向11に隣り合う2つの主電極19は、各々1つのゲート電極19を挟んで、互いに対向して形成されている。
なお、ゲート長方向11の両端に位置する各主電極19は、基線部17と、ゲート長方向11の両端に位置するそれぞれのゲート電極13とが成す各角内の領域のうち、ゲート長方向11における外側の領域にそれぞれ配置形成されている。
各主電極19は、下地21として、例えばAlGaN/GaNのヘテロ接合面を有する下地を用いた場合には、例えばTi及びAlが堆積されて形成されているのが好ましい。その場合には、これら各主電極19は、それぞれ活性領域23とオーミック接触が取られ、ソース電極またはドレイン電極として機能する。
そして、ゲート長方向11にゲート電極13を挟んで隣り合う2つの主電極19の、一方がソース電極として用い、他方がドレイン電極として用いられる。これによって、各ゲート電極13の主電極19間に挟まれたゲート電極部分13a、これら各ゲート電極部分13aを挟んで形成された各2つの主電極19、及びこれら各2つの主電極19が形成されている活性領域23によって、それぞれFETが構成されている。ここで、各ゲート電極13は、基線部17を中心線としてゲート幅方向の両側に、それぞれ1つのFETに含まれるゲート電極部分13aを含む。従って、各FETにおいては、このゲート電極部分13aの幅がゲート幅となる。なお、図1に示す構成例では、ソース電極として用いられる主電極19には19aの符号を、またドレイン電極として用いられる主電極には19bの符号を付して示している。そこで、以下、ソース電極として用いられる主電極19をソース電極19aと称することもある。また、ドレイン電極として用いられる主電極19をドレイン電極19bと称することもある。
また、この第1の実施の形態では、ゲート幅方向15に、基線部17を挟んで隣り合う2つの主電極19は、ソースまたはドレイン電極の一方の、同一の主電極である。
また、各主電極19は、それぞれ上側にワイヤボンディング領域29が形成されている。
ワイヤボンディング領域29は、半導体装置を実装基板に実装する際に、実装基板と半導体装置に形成されたFETとを電気的に導通するためのワイヤを接続する領域として、各主電極19上にそれぞれ形成されている。ワイヤボンディング領域29は、各FETを含む下地21の全面を被覆して形成されている層間絶縁膜(図示せず)に、各主電極19の上側表面を露出させて孔部を穿つことによって形成されている。なお、図1では、ソース電極19aに形成されたワイヤボンディング領域29には29aの符号を、また、ドレイン電極19bに形成されたワイヤボンディング領域29には、29bの符号を付して示している。
この第1の実施の形態による半導体装置では、各主電極19が、一体的に形成されている複数のゲート電極13、及び基線部17の間に囲まれた領域に1つずつ配置形成されているため、これら各主電極19上にワイヤボンディング領域29を形成することによって、各ゲート電極13及び基線部17と、各主電極19との間に立体的な交差部が存在しない構造となる。
従って、この第1の実施の形態による半導体装置は、交差部における寄生容量の発生が防止される。
また、第1の実施の形態による半導体装置では、交差部が存在しないため、各ゲート電極13、基線部17、及び各主電極19を、従来技術による半導体装置と比して厚く形成することができる。
その結果、従来技術による半導体装置と比して配線抵抗を低減することができる。例えば、基線部17を厚く形成することによって、各ゲート電極に印加すべきゲート電圧への配線抵抗を低減することが可能である。その結果、第1の実施の形態による半導体装置では、良好な周波数特性及び電気的特性を実現することができ、FETを高周波高出力増幅に用いるに当たり有利である。
また、この第1の実施の形態の半導体装置では、ゲート長方向11に延在して形成された基線部17と、ゲート幅方向15に互いに平行に形成された各ゲート電極13とが一体的に交差して形成されているため、各ゲート電極13及びこれらに各々対応する各主電極19を含む各FETが、下地21上において、この下地21の中心部から分散して配置形成される。その結果、各FETに含まれる発熱部、すなわち各ゲート電極13とドレイン電極19bとの間の各領域同士が、従来技術による半導体装置と比して互いに大きく離間している。
さらに、この第1の実施の形態による半導体装置では、基線部17のゲート幅方向15における両側にそれぞれ各ゲート電極13が形成される構造となるため、基線部17を下地21の中心部に配置形成することによって、同じ面積のチップ内に、従来技術による半導体装置と比してより多数のFETを効率良く配置することができる。
従って、この第1の実施の形態による半導体装置は、従来技術による半導体装置と同程度の大電流を得る場合に、チップ面積を拡大することなく発熱部の配置を分散し、発熱の集中を分散することができる。
また、従来技術による半導体装置と比してより多数のFETを効率良く配置することができるため、1つのチップから所望の大電流を得るに当たって、従来技術と比して各ゲート電極13のゲート幅を短く設定することができる。その結果、ゲートパッド27から各ゲート電極13に対してゲート電圧を印加する際に、従来技術による半導体装置と比して、各ゲート電極13間において、ゲート電圧が印加されるタイミングの時間的なずれが抑制される。
従って、第1の実施の形態による半導体装置では、FETを高周波高出力増幅に用いることを想定した場合においても、チップ内の各FET間で、各FETからそれぞれ出力される各電波の波長間に、位相差が生じるのを抑制することができる。
ここで、第1の実施の形態による構造を採用することによって、上述した発熱部の集中が分散されていることを確認するために、ゲート電圧を印加した状態において半導体装置のチップ上の温度分布を確認した。
図2(A)及び(B)は、第1の実施の形態による半導体装置と、従来技術による半導体装置との温度分布を比較するための図である。
図2(A)は、第1の実施の形態による半導体装置、すなわち図1に示した構成例と同様に、ゲート長方向に延在して形成された基線部、基線部と一体的に交差して形成され、ゲート幅方向に平行にかつ離間して形成された複数のゲート電極、及び隣り合う2つのゲート電極と基線部との間に囲まれた領域に1つずつ配置形成された複数の主電極領域を具える半導体装置について温度測定を行った結果を示している。そして、この温度測定に用いた半導体装置では、各FETにおけるゲート幅が9.6mm、各ゲート電極間のゲート長方向に沿った互いの離間距離が450μm、各FETにおけるゲート電極及び主電極間のゲート長方向に沿った互いの離間距離が100μmに設定されている。
また、図2(B)は、従来技術による半導体装置、すなわち図5に示した構成例と同様に、基線部とそれぞれ一体的に形成され、ゲート幅方向に互いに平行にかつ離間して形成されたゲート電極、及び隣り合う2つのゲート電極間にそれぞれ1つずつ配置形成された複数の主電極領域を具える半導体装置について温度測定を行った結果を示している。そして、この温度測定に用いた半導体装置では、各FETにおけるゲート幅が9.6mm、各ゲート電極間のゲート長方向に沿った互いの離間距離が(285〜355μm)、各FETにおけるゲート電極及び主電極間のゲート長方向に沿った互いの離間距離が100μmに設定されている。
また、図2(A)及び(B)は、半導体装置を下地の上側表面、すなわちFET等の素子が形成されている面から見た図であり、それぞれ半導体装置にゲート電圧を印加した状態における温度分布をサーモグラフィによって確認した図である。なお、図2(A)及び(B)は、実際にサーモグラフィによって取得したカラー画像をグレースケールに変換した複製図である。そして、図2(A)及び(B)において、31及び41の符号を付して示した領域は、元のカラー画像では赤色で表示されている。また、図2(A)及び(B)において、33及び43の符号を付して示した領域は、元のカラー画像では緑色で表示されている。また、図2(B)において、領域43の周囲を囲む45の符号を付して示した領域は、元のカラー画像では黄色で表示されている。そして、元のカラー画像における温度分布は、赤色、黄色、緑色の順に温度傾斜があることを示している。従って、上述した各符号を付して示した色の部分は、31及び41を付した部分が最も温度が高い高温部であり、45を付した部分が次いで温度が高い中温部、また、33及び43を付した部分が最も温度が低い低温部であることを示している。また、図2(A)及び(B)において、符号35及び47で示した領域は、下地上のチップ領域を示している。
そして、図2(A)において、各高温部分、すなわち31の符号を付した各発熱部は、第1の実施の形態による半導体装置における各ゲート電極13とドレイン電極19bとの間の各領域に相当する領域であり(図1参照)、ゲート電圧の印加時において当該領域が発熱していることを示している。そして、図2(A)から、第1の実施の形態による半導体装置では、各発熱部31が中心部から分散して配置されており、互いに大きく離間していることが確認できる。その結果、各発熱部31間においても熱が集中しておらず、チップ領域35全体において、効率よく発熱が分散している。
また、図2(A)では、各高温部分、すなわち41の符号を付した各発熱部は、従来技術による半導体装置における各ゲート電極105とドレイン電極107bとの間の各領域に相当する領域であり(図5参照)、ゲート電圧の印加時において当該領域が発熱していることを示している。そして、図2(B)から、従来技術による半導体装置では、各発熱部41が中心部に集中して配置されており、互いに近接していることが確認できる。その結果、各発熱部41間に符号45を付して示した中温部が存在しており、熱が集中していることがわかる。
これら図2(A)及び(B)から、第1の実施の形態による半導体装置では、従来技術による半導体装置と比して、発熱部31の配置を分散することによって、チップ領域35における発熱の熱集が良好に分散されていることが明らかである。
〈第2の実施の形態〉
第2の実施の形態では、ゲート長方向11に延在して形成された基線部、基線部と一体的に交差して形成され、ゲート幅方向15に平行にかつ離間して形成された複数のゲート電極、及び隣り合う2つのゲート電極と基線部との間に囲まれた領域に1つずつ配置形成された複数の主電極領域を具える半導体装置について説明する。
第2の実施の形態では、ゲート長方向11に延在して形成された基線部、基線部と一体的に交差して形成され、ゲート幅方向15に平行にかつ離間して形成された複数のゲート電極、及び隣り合う2つのゲート電極と基線部との間に囲まれた領域に1つずつ配置形成された複数の主電極領域を具える半導体装置について説明する。
この第2の実施の形態による半導体装置が、上述した第1の実施の形態による半導体装置と相違するのは、ゲート長方向11及びゲート幅方向15に隣り合う2つの主電極の一方をソース電極として用い、他方をドレイン電極として用いる点である。その他の構成要素及び作用効果は、第1の実施の形態と同様であるので、共通する構成要素については、同一の符号を付し、それらの重複する説明を省略する。
図3は、この発明の第2の実施の形態を説明する概略図であり、下地を上側表面、すなわちFET等の素子が形成されている面から見た平面図である。なお、この図3では、図1と同様に、第2の実施の形態に係る特徴部分を明瞭に示すために、例えば層間絶縁層、上部配線層等の上層を省略している。
第2の実施の形態では、各主電極19のうち、ソース電極19aとして用いるものと、ドレイン電極19bとして用いるものとの配置を、上述した第1の半導体装置における配置から変更する。すなわち、第2の実施の形態では、ゲート長方向11に隣り合う各2つの主電極19のみでなく、ゲート幅方向15に、基線部17を挟んで隣り合う2つの主電極19についても、一方をソース電極19aとして用い、他方をドレイン電極19bとして用いる。
このような配置で、各主電極19をソース電極19aとドレイン電極19bとに割り振ることによって、第2の実施の形態では、上述した第1の実施の形態と比して、より電気的特性に優れた半導体装置を提供することができる。以下、この効果について説明する。
半導体装置を実装基板に実装する際には、ドレイン電極19bに接続されるワイヤの、ドレイン電極19bと接続されているのとは反対側の端部を、ゲート幅方向15における片側に引き出して、この引き出した端部を実装基板に接続する。そして、各FETから出力された各電波を実装基板側に導通させるに当たり、各電波の波長間で互いに位相差が生じないようにする必要がある。そこで、各ドレイン電極19bのワイヤボンディング領域29bと実装基板との間を導通させる各ワイヤを、互いに等しい長さとするのが好ましい。なお、この第2の実施の形態では、図3に示した構成例において、紙面に向かって下側を、ドレイン電極19bに接続するワイヤを引き出す側とする。
チップ上において、ゲート幅方向15のワイヤを引き出す側の片側に配置形成されている各ドレイン電極19b、すなわちドレイン電極19baに接続されるワイヤの長さと、この片側とは反対側に配置形成されている各ドレイン電極19b、すなわちドレイン電極19bbに接続されるワイヤの長さとを等しくした場合、ドレイン電極19baに接続されるワイヤが撓む。そして、この撓みによって、半導体装置を実装基板と接続した場合に、各ワイヤ同士が互いに接触または交差する可能性がある。
上述した第1の実施の形態では、各ドレイン電極19bがゲート幅方向15に隣り合って配置されているため(図1参照)、これら隣り合うドレイン電極19bに接続される各ワイヤ間の距離が短く、その結果、ワイヤ同士が接触したり交差したりする可能性が大きい。そのため、ワイヤ同士の接触や交差に起因した寄生容量が生じる可能性がある。そして、このような寄生容量の発生を防ぐために、ワイヤを長く設定して、隣り合うドレイン電極19bに接続される各ワイヤを、互いに離間させるために迂回させて実装基板へと引き出す必要がある。
これに対して、第2の実施の形態では、ゲート長方向11及びゲート幅方向15に隣り合う各主電極19を、一方をソース電極19a、また他方をドレイン電極として用いる配置としているため、ゲート長方向11及びゲート幅方向15のいずれの方向においてもドレイン電極19bが隣り合っていない。
従って、第1の実施の形態と比して、ドレイン電極19bに接続される各ワイヤ間が互いに大きく離間するため、ワイヤ同士が接触や交差をすることがなく、ワイヤ同士の接触や交差に起因した寄生容量が生じるのを防止できる。
また、第1の実施の形態とは異なり、ワイヤを長く設定することによって、接触や交差を回避する必要がないため、半導体装置の基板実装に際して、第1の実施の形態と比してワイヤを短くすることができる。周知の通り、半導体装置と実装基板とを接続するワイヤは、例えばAu(金)等の高価な材料が用いられる。従って、この第2の実施の形態では、ワイヤを短く設定できるため、実装基板に実装する際の製造コストを削減することができる。
〈第1の変形例〉
第1の変形例では、上述した第1または第2の実施の形態において、ドレイン電極の上側全面がワイヤボンディング領域である半導体装置について説明する。
第1の変形例では、上述した第1または第2の実施の形態において、ドレイン電極の上側全面がワイヤボンディング領域である半導体装置について説明する。
この第1の変形例による半導体装置が、上述した第1及び第2の実施の形態による半導体装置と相違するのは、ドレイン電極のワイヤボンディング領域を、各ドレイン電極の上側全面に形成する点である。その他の構成要素及び作用効果は、第1及び第2の実施の形態と同様であるので、共通する構成要素については、同一の符号を付し、それらの重複する説明を省略する。
図4は、この発明の第1の変形例を説明する概略図であり、下地を上側表面、すなわちFET等の素子が形成されている面から見た平面図である。なお、この図4では、図1及び3と同様に、第1の変形例に係る特徴部分を明瞭に示すために、例えば層間絶縁層、上部配線層等の上層を省略している。
第1の変形例では、上述した第1及び第2の実施の形態による半導体装置における複数の主電極19のうち、ドレイン電極19bとして用いられる主電極の上側全面をワイヤボンディング領域51とする。すなわち、図示しない層間絶縁膜に対して、各ドレイン電極19bの上側全面を露出させる孔部を穿つことによって、ワイヤボンディング領域51を形成する。なお、図4では、一例として、第2の実施の形態による半導体装置において、この第1の変形例を適用した場合の構成例を示している。
既に説明したように、半導体装置を実装基板に実装する際には、ドレイン電極19bに接続されるワイヤの、ドレイン電極19bと接続されているのとは反対側の端部を、ゲート幅方向15における片側に引き出して、この引き出した端部を実装基板に接続する。そして、各FETから出力された各電波を、これら各電波の波長間で互いに位相差が生じないように実装基板側に導通させるために、各ドレイン電極19bのワイヤボンディング領域51と実装基板との間を導通させる各ワイヤを、互いに等しい長さとする必要がある。なお、この第1の変形例では、上述した第2の実施の形態と同様に、図4に示した構成例において、紙面に向かって下側を、ワイヤを引き出す側とする。
そして、この第1の変形例では、各ワイヤを互いに接触または交差させることなく、かつ各ワイヤを短く設定するためのより好適な構成として、ドレイン電極19bの上側全面をワイヤボンディング領域51としている。そして、図示しないワイヤをゲート幅方向15における片側に引き出すに当たり、この片側と反対の側に形成されている各ドレイン電極19bb、及び実装基板間を導通させるワイヤが最短の長さとなるワイヤボンディング領域51aの位置にワイヤの一端を接続する。これに対応して、上述した第1の実施の形態及び第2の実施の形態では、各ワイヤの長さが等しく設定されるため、ワイヤを引き出す側に形成されている各ドレイン電極19ba、及び実装基板間を導通させるワイヤの長さについても最短となる。
第1の変形例では、ドレイン電極19bとして用いられる主電極の上側全面をワイヤボンディング領域51としているため、上述した第1及び第2の実施の形態と比して、ワイヤを接続できる領域が広くなる。その結果、半導体装置を実装基板に実装する際において、各ドレイン電極19b及び実装基板間を接続する各ワイヤの長さを、より短くすることができる。
従って、第1及び第2の実施の形態と比して、各ワイヤの撓みを小さくすることができるため、ワイヤ同士が接触や交差をすることがなく、ワイヤ同士の接触や交差に起因した寄生容量が生じるのを防止できる。
また、第1及び第2の実施の形態と比して、よりワイヤを短くすることができるため、この第1の変形例では、実装基板に実装する際において、ワイヤに係る製造コストを削減することができる。
また、第1の変形例では、ワイヤボンディング領域51を広く設定しているため、各ワイヤボンディング領域に対して複数本のワイヤを接続することが可能である。そのため、第1の変形例では、接続される各ドレイン電極19b及び実装基板間のインダクタンスが低減されるため、第1及び第2の実施の形態と比して、より良好な高周波特性を有する半導体装置を提供することができる。
11、109:ゲート長方向
13、105:ゲート電極
15、111:ゲート幅方向
17、115:基線部
19、107:主電極
21、101:下地
23、103:活性領域
25、113:非活性領域
27、117:ゲートパッド
29、51、110a、110b:ワイヤボンディング領域
108a、108b:共有部
119、121:接続部
123、125:交差部
127:中空部
13、105:ゲート電極
15、111:ゲート幅方向
17、115:基線部
19、107:主電極
21、101:下地
23、103:活性領域
25、113:非活性領域
27、117:ゲートパッド
29、51、110a、110b:ワイヤボンディング領域
108a、108b:共有部
119、121:接続部
123、125:交差部
127:中空部
Claims (5)
- ゲート幅方向に互いに平行にかつ離間して形成されている複数のゲート電極と、ゲート長方向に延在して形成されている基線部と、複数の主電極とが下地の上側に設けられており、
前記ゲート電極は、前記基線部とそれぞれ交差し、かつ該基線部と一体的に形成されており、
前記主電極は、前記基線部、及び隣り合うゲート電極の間に囲まれた領域に1つずつ配置形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記ゲート長方向に隣り合う2つの前記主電極は、一方がソース電極として用いられ、他方がドレイン電極として用いられ、
前記ゲート幅方向に隣り合う2つの前記主電極は、ソースまたはドレイン電極の一方の、同一の主電極である
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記ゲート長方向及び前記ゲート幅方向に隣り合う2つの前記主電極は、一方がソース電極として用いられ、他方がドレイン電極として用いられる
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置であって、
前記基線部の上側に、ゲート電圧を印加するための複数のゲートパッドが200〜1000μm毎に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置であって、
前記複数の主電極のうち、ドレイン電極として用いられる主電極の上側全面がワイヤボンディング領域である
ことを特徴とする半導体装置。
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- 2008-09-29 JP JP2008250548A patent/JP2010080877A/ja active Pending
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