JP4337983B2 - 混在型半導体集積回路及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1及び図2に示すように、本発明の実施の形態に係る混在型半導体集積回路1は、基板10上の第1の領域A(図1中及び図2中、左側)に配設され、半導体素子Trを有する第1の半導体活性領域31と、基板10上の第1の領域Aに隣接する第2の領域B(図1中及び図2中、中央)に配設された第2の半導体活性領域32と、第1の半導体活性領域31、第2の半導体活性領域32のそれぞれの側面周囲を取り囲む絶縁分離領域40と、基板10上の第2の領域Bに隣接する第3の領域C(図1中及び図2中、右側)に配設され、第2の半導体活性領域32の側面周囲を取り囲む絶縁分離領域40の一部及びトレンチ45によって側面周囲が取り囲まれたメカニカル電極331と、第2の半導体活性領域32に一端が配置され、他端が第1の半導体活性領域31に延在する第1の薄膜配線70と、メカニカル電極331に一端が接続され、他端が絶縁分離領域40の一部上を通過し第2の半導体活性領域32上の第1の薄膜配線70の一端に接続された第2の薄膜配線90とを備えている。
びに薄膜配線の製作が終了した後に形成されているので、メカニカル電極331の側面周囲をすべてトレンチ45により取り囲むと薄膜配線は切断されてしまう。つまり、第3の領域Cの第2の半導体活性領域32(又は第1の領域Aの第1の半導体活性領域31)とメカニカル電極331との間に半導体素子Tr間を絶縁分離するための絶縁分離領域40の一部を残しておけば、この部分に機械的駆動系330を形成するためのトレンチ45を配設する必要がなく、この部分に第2の薄膜配線90を配設することができる。換言すれば、絶縁分離領域40の一部を残しておくことにより、薄膜配線プロセスが及ぶ範囲をメカニカル電極331上まで広げることができ、絶縁分離領域40の一部上において第2の薄膜配線90が切断されることがない。
図3に示すように、混在型半導体集積回路1は、第1の領域Aに配設された駆動回路100と、第1の領域Aに配設されかつ駆動回路100に接続された検査回路200と、第2の領域Bに配設されかつ検査回路200に接続された検査用外部端子70Pと、第3の領域Cに配設された機械的駆動系330とを備えている。
次に、前述の混在型半導体集積回路1の製造方法を説明する。
10 基板
11 空洞
100 駆動回路
200 検査回路
20 絶縁層
30 単結晶半導体層
31 第1の半導体活性領域
32 第2の半導体活性領域
33 第3の半導体活性領域
330 機械的駆動系
331 メカニカル電極
332 変形部
333 可動部
334 固定部
40 絶縁分離領域
41 分離用トレンチ
42 第1の分離用絶縁体
43 埋設体
44 第2の分離用絶縁体
45 トレンチ
51 ゲート絶縁膜
52 制御電極
53 主電極又は半導体領域
60、80 層間絶縁膜
61〜63、81〜83 接続孔
70、70M 第1の薄膜配線
70P 検査用外部端子
90 第2の薄膜配線
A 第1の領域
B 第2の領域
C 第3の領域
Tr 半導体素子
Claims (12)
- 基板上の第1の領域に配設された半導体活性層と、
前記半導体活性層の側面周囲を取り囲む絶縁分離領域と、
前記基板上の前記第1の領域に隣接する第2の領域に配設され、前記絶縁分離領域の一部及びトレンチにより側面周囲が取り囲まれたメカニカル電極と、
前記メカニカル電極に一端が接続され、他端が前記絶縁分離領域の一部上を通過し前記半導体活性層上に延在する薄膜配線と、
を備えたことを特徴とする混在型半導体集積回路。 - 前記絶縁分離領域は、前記半導体活性領域の側面周囲に配設された分離用トレンチと、この分離用トレンチ内部に埋設された絶縁体とを備えていることを特徴とする請求項1に記載の混在型半導体集積回路。
- 前記基板は半導体基板又は絶縁基板であり、
前記半導体活性層は、前記基板上に絶縁体を介在して配設された単結晶半導体層であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の混在型半導体集積回路。 - 前記第2の領域には、前記メカニカル電極に駆動信号が供給されると動作する機械的駆動系が配設され、前記第1の領域には、前記駆動信号を生成する駆動回路が配設されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の混在型半導体集積回路。
- 基板上の第1の領域に配設され、半導体素子を有する第1の半導体活性領域と、
前記基板上の第1の領域に隣接する第2の領域に配設された第2の半導体活性領域と、
前記第1の半導体活性領域、第2の半導体活性領域のそれぞれの側面周囲を取り囲む絶縁分離領域と、
前記基板上の前記第2の領域に隣接する第3の領域に配設され、前記第2の半導体活性領域の側面周囲を取り囲む前記絶縁分離領域の一部及びトレンチによって側面周囲が取り囲まれたメカニカル電極と、
前記第2の半導体活性領域に一端が配置され、他端が前記第1の半導体活性領域に延在する第1の薄膜配線と、
前記メカニカル電極に一端が接続され、他端が前記絶縁分離領域の一部上を通過し前記第2の半導体活性領域上の前記第1の薄膜配線の一端に接続された第2の薄膜配線と、
を備えたことを特徴とする混在型半導体集積回路。 - 前記第3の領域には、前記メカニカル電極に駆動信号が供給されると動作するMEMSが配設され、前記第1の領域には、前記駆動信号を生成する駆動回路とこの駆動回路を検査する検査回路とが配設され、前記第2の領域には、前記駆動回路から検査回路を経て接続された検査用外部端子が配設されていることを特徴とする請求項5に記載の混在型半導体集積回路。
- 基板上の半導体層において、第1の領域の輪郭に沿って絶縁分離領域を形成し、前記絶縁分離領域により側面周囲が取り囲まれた半導体活性領域を形成する工程と、
前記半導体活性領域から前記絶縁分離領域の一部上を通過し、前記半導体層の前記第1の領域に隣接する第2の領域の一部に接続された薄膜配線を形成する工程と、
前記第2の領域において、前記絶縁分離領域の一部を除き、前記半導体層の前記薄膜配線が接続された周囲にトレンチを形成し、このトレンチと前記絶縁分離領域の一部とによって側面周囲が取り囲まれたメカニカル電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする混在型半導体集積回路の製造方法。 - 前記絶縁分離領域を形成した後に前記薄膜配線を形成し、前記薄膜配線を形成した後に前記トレンチを形成したことを特徴とする請求項7に記載の混在型半導体集積回路の製造方法。
- 基板上の半導体層において、第1の領域の輪郭及び前記第1の領域に隣接する第2の領域の輪郭に沿って絶縁分離領域を形成し、前記絶縁分離領域により側面周囲が取り囲まれた第1の半導体活性領域を前記第1の領域に、第2の半導体活性領域を第2の領域にそれぞれ形成する工程と、
前記第2の半導体活性領域に一端が配置され、他端が前記第1の半導体活性領域に延在する第1の薄膜配線を形成する工程と、
前記第1の薄膜配線の一端に接続され、前記第2の半導体活性領域から前記絶縁分離領域の一部上を通過し、前記半導体層の前記第2の領域に隣接する第3の領域の一部に接続された第2の薄膜配線を形成する工程と、
前記第3の領域において、前記絶縁分離領域の一部を除き、前記半導体層の前記第2の薄膜配線が接続された周囲にトレンチを形成し、このトレンチと前記絶縁分離領域の一部とによって側面周囲が取り囲まれたメカニカル電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする混在型半導体集積回路の製造方法。 - 前記絶縁分離領域を形成し、前記第1の半導体活性領域及び前記第2の半導体活性領域を同時に形成した後に前記第1の薄膜配線を形成し、前記第1の薄膜配線を形成した後に前記第2の薄膜配線を形成し、前記第2の薄膜配線を形成した後に前記トレンチを形成したことを特徴とする請求項9に記載の混在型半導体集積回路の製造方法。
- 前記第1の薄膜配線又は前記第2の薄膜配線を形成した後に、前記第2の領域において、前記第1の薄膜配線又は前記第2の薄膜配線に検査用プローブを接触し、前記第1の半導体活性領域に形成される回路の検査を行う工程を更に備えたことを特徴とする請求項10に記載の混在型半導体集積回路の製造方法。
- 前記メカニカル電極を形成する工程の後に、更に前記メカニカル電極が形成された前記第2の領域又は前記第3の領域において、前記基板を除去する工程を備えたことを特徴とする請求項8、請求項10、請求項11のいずれかに記載の混在型半導体集積回路の製造方法。
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