JP2010074061A - 薄膜電界効果型トランジスタ - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 39
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 74
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 232
- 238000000034 method Methods 0.000 description 58
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 30
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 12
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 8
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 8
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 5
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000002438 flame photometric detection Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNWNNQTUZYVQRK-UHFFFAOYSA-N 5-bromo-1h-pyrrolo[2,3-c]pyridine-2-carboxylic acid Chemical compound BrC1=NC=C2NC(C(=O)O)=CC2=C1 NNWNNQTUZYVQRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002574 CR-39 Polymers 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- QDGONURINHVBEW-UHFFFAOYSA-N dichlorodifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(Cl)Cl QDGONURINHVBEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有するTFTであって、
1)前記活性層がアモルファス酸化物半導体層であり、該アモルファス酸化物半導体の金属成分中のIn原子比率が70%以上であり、Ga原子比率が25%以下、Al原子比率が25%以下であり、
2)前記ゲート絶縁膜と前記活性層との間に第1界面層を有し、該第1界面層はアモルファス酸化物半導体層であり、該アモルファス酸化物半導体の金属成分中のGa原子比率が5%以上、又はAl原子比率が5%以上であり、
3)前記第1界面層のアモルファス酸化物半導体のGa及びAl原子比率が前記活性層のアモルファス酸化物半導体のGa及びAl原子比率より高い。
【選択図】図1
Description
これらFPDは、ガラス基板上に設けた非晶質シリコン薄膜や多結晶シリコン薄膜を活性層に用いる電界効果型薄膜トランジスタ(以後の説明で、Thin Film Transistor、もしくはTFTと記載する場合がある)のアクティブマトリクス回路により駆動されている。
しかし、上述のシリコン薄膜を用いるトランジスタの製造は、比較的高温の熱工程を要し、一般的に耐熱性の低い樹脂基板上に直接形成することは困難である。
そこで、低温での成膜が可能なアモルファス酸化物、例えば、In−Ga−Zn−O系アモルファス酸化物を半導体薄膜に用いるTFTの開発が活発に行われている。アモルファス酸化物半導体を用いたTFTは、室温成膜が可能であり、フイルム上に作製が可能であるので、フイルム(フレキシブル)TFTの活性層の材料として最近注目を浴びている。
Applied Physics Letters 89,062103(2006)
<1> 基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、
1)前記活性層がアモルファス酸化物半導体層であり、該アモルファス酸化物半導体の金属成分中のIn原子比率が70%以上であり、Ga原子比率が25%以下、Al原子比率が25%以下であり、
2)前記ゲート絶縁膜と前記活性層との間に第1界面層を有し、該第1界面層はアモルファス酸化物半導体層であり、該アモルファス酸化物半導体の金属成分中のGa原子比率が5%以上、又はAl原子比率が5%以上であり、
3)前記第1界面層のアモルファス酸化物半導体のGa及びAl原子比率が前記活性層のアモルファス酸化物半導体のGa及びAl原子比率より高いことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。
<2> 前記活性層のアモルファス酸化物半導体の金属成分中Zn原子比率が5%以上であることを特徴とする<1>に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<3> 前記第1界面層の厚みが、0.3nm以上2.0nm未満である<1>又は<2>に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<4> 基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、
1)前記活性層がアモルファス酸化物半導体層であり、該アモルファス酸化物半導体の金属成分中のIn原子比率が70%以上であり、Ga原子比率が25%以下、Al原子比率が25%以下であり、
2)前記活性層と前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の間に第2界面層を有し、該第2界面層はアモルファス酸化物半導体層であり、該アモルファス酸化物半導体の金属成分中のGa原子比率が5%以上、又はAl原子比率が5%以上であり、
3)前記第2界面層のアモルファス酸化物半導体のGa及びAl原子比率が前記活性層のアモルファス酸化物半導体のGa及びAl原子比率より高いことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。
<5> 前記活性層のアモルファス酸化物半導体の金属成分中Zn原子比率が5%以上であることを特徴とする<4>に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<6> 前記第2界面層の厚みが、1nm以上100nm未満である<4>又は<5>に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<7> 前記活性層の厚みが、1.0nm以上20nm未満である<1>〜<6>のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
本発明のTFTは、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を順次有し、ゲート電極に電圧を印加して、活性層に流れる電流を制御し、ソース電極とドレイン電極間の電流をスイッチングする機能を有するアクテイブ素子である。TFT構造として、スタガ構造及び逆スタガ構造いずれをも形成することができる。
好ましくは、活性層のアモルファス酸化物半導体のGa原子比率が20%以下、より好ましくは10%以下である。
好ましくは、活性層のアモルファス酸化物半導体のAl原子比率が20%以下、より好ましくは10%以下である。
好ましくは、第1界面層のアモルファス酸化物半導体のGa原子比率が15%以上、より好ましくは、30%以上である。
好ましくは、第1界面層のアモルファス酸化物半導体のAl原子比率が15%以上、より好ましくは、30%以上である。
好ましくは、活性層のアモルファス酸化物半導体の金属成分中Zn原子比率が5%以上であり、より好ましくは、8%以上、更に好ましくは、10%以上である。
次に、図面を用いて、詳細に本発明におけるTFTの構造を説明する。
図1は、本発明の薄膜電界効果型トランジスタであって、逆スタガ構造の一例を示す模式図である。基板1がプラスチックフィルムなどの可撓性基板の場合、基板1の一方の面に絶縁層7を配し、その上にゲート電極2、ゲート絶縁膜3、第1界面層6、活性層4を積層して有し、その表面にソース電極5−1とドレイン電極5−2が設置される。
活性層は、In原子比率が70%以上で、Ga及びAl原子比率が25%以下のアモルファス酸化物半導体層である。
第1界面層は、Ga又はAl原子比率が5%以上のアモルファス酸化物半導体層であり、活性層のアモルファス酸化物半導体よりGa及びAlを高い含有率で含有する。
好ましくは、第1界面層の厚みは0.3nm以上2.0nm以下であり、活性層の厚みより薄い。
プラスチックフィルム基板11の一方の面に絶縁層17を配し、その上にゲート電極12、ゲート絶縁膜13、活性層14、第2界面層16、ソース電極15−1及びドレイン電極15−2が積層して設置される。各層を構成する材料は、図1に示した構成と同様の材料が用いられる。
第2界面層は、活性層のアモルファス酸化物半導体よりGa又はAlを高い含有率で含有するアモルファス酸化物で構成され、TFT形成後の後工程でTFTが熱や紫外線などの外部刺激により活性層の電気特性が変質したり、保存安定性が劣化することを防止する。
第2界面層を活性層よりも厚くすることによりさらにその効果を高めることができる。
プラスチックフィルム基板41の一方の面に絶縁層47を配し、その上にゲート電極422、ゲート絶縁膜43、中間層48、ソース電極45−1及びドレイン電極45−2を設置後、第1界面層46、活性層44が積層して設置される。各層を構成する材料は、図1に示した構成と同様の材料が用いられる。中間層48は、SiO2等の無機酸化物よりなる層である。
図1に示す逆スタガ型構成におけると同様の効果が得られる。
本発明における活性層の電気伝導度について説明する。
電気伝導度とは、物質の電気伝導のしやすさを表す物性値であり、物質のキャリア濃度n、電気素量をe、キャリア移動度μとすると物質の電気伝導度σは以下の式で表される。
σ=neμ
活性層がn型半導体である時はキャリアは電子であり、キャリア濃度とは電子キャリア濃度を、キャリア移動度とは電子移動度を示す。同様に、活性層がp型半導体ではキャリアは正孔であり、キャリア濃度とは、正孔キャリア濃度を、キャリア移動度とは正孔移動度を示す。尚、物質のキャリア濃度とキャリア移動度とは、ホール測定により求めることができる。
厚みが分かっている膜のシート抵抗を測定することにより、膜の電気伝導度を求めることができる。半導体の電気伝導度は温度により変化するが、本文記載の電気伝導度は、室温(20℃)での電気伝導度を示す。
ゲート絶縁膜としては、SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、Y2O3、Ta2O5、HfO2等の絶縁体、又はそれらの化合物を少なくとも二つ以上含む混晶化合物が用いられる。また、ポリイミドのような高分子絶縁体もゲート絶縁膜として用いることができる。
本発明に用いられる活性層は、アモルファス酸化物半導体層であり、該アモルファス酸化物半導体の金属成分中のIn原子比率が70%以上であり、Ga原子比率が25%以下、Al原子比率が25%以下である。
好ましくは、活性層のアモルファス酸化物半導体のIn原子比率が80%以上、より好ましくは85%以上である。
好ましくは、活性層のアモルファス酸化物半導体のGa原子比率が20%以下、より好ましくは10%以下である。
好ましくは、活性層のアモルファス酸化物半導体のAl原子比率が20%以下、より好ましくは10%以下である。
好ましくは、活性層のアモルファス酸化物半導体の金属成分中Zn原子比率が5%以上であり、より好ましくは、8%以上、更に好ましくは、10%以上である。
具体的に本発明に係るアモルファス酸化物半導体は、In−Oを結晶構造に含むもの、In−Ga−Zn−Oを結晶構造に含もの(IGZOと略記する)が好ましい。この組成のアモルファス酸化物半導体の特徴としては、電気伝導度が増加するにつれ、電子移動度が増加する傾向を示す。また、電気伝導度を制御するには、成膜中の酸素分圧により制御が可能であることが特開2006−165529号公報に開示されている。
本発明における活性層は、好ましくは、電気伝導度が10−4Scm−1以上102Scm−1未満である。より好ましくは10−1Scm−1以上102Scm−1未満である。
<活性層の電気伝導度>
本発明における活性層の酸素空孔密度と第1界面層の酸素空孔密度は、好ましくは等しい。好ましくは、活性層と第2界面層の酸素空孔密度が等しい。
酸素空孔密度は、ホール効果測定法にて測定されたキャリア濃度が酸素空孔密度によって表される。酸素空孔密度は、ホール効果測定法によるキャリア濃度測定により測定される。
−ホール効果測定法によるキャリア濃度測定−
物性測定用サンプルのキャリア濃度の測定には、ResiTest8300型(東陽テクニカ社製)を用いてホール効果測定を行うことにより求める。ホール効果測定は20℃の環境下で行う。キャリア濃度測定用サンプルの膜厚測定には、触針式表面形状測定機DekTak−6M(ULBAC社製)を用いることができる。測定用サンプルの膜厚は、活性層と同条件で成膜した100nm厚のサンプルを用いることができる。電極はAlを用いることができる。
活性層の電気伝導度の調整手段としては、活性層が酸化物半導体である場合は下記の手段を挙げることが出来る。第1界面層及び第2界面層の電気伝導度を調製する場合も同様に下記の手段を用いることが出来る。
(1)酸素欠陥による調整
酸化物半導体において、酸素欠陥ができると、キャリア電子が発生し、電気伝導度が大きくなることが知られている。よって、酸素欠陥量を調整することにより、酸化物半導体の電気伝導度を制御することが可能である。酸素欠陥量を制御する具体的な方法としては、成膜中の酸素分圧、成膜後の後処理時の酸素濃度と処理時間等がある。ここでいう後処理とは、具体的に100℃以上の熱処理、酸素プラズマ、UVオゾン処理がある。これらの方法の中でも、生産性の観点から成膜中の酸素分圧を制御する方法が好ましい。成膜中の酸素分圧を調整することにより、酸化物半導体の電気伝導度の制御ができることは、特開2006−165529号公報に開示されており、本手法を利用することができる。
酸化物半導体の金属組成比を変えることにより、電気伝導度が変化することが知られている。例えば、InGaZn1−XMgXO4において、Mgの比率が増えていくと、電気伝導度が小さくなることが、特開2006−165529号公報に開示されている。また、(In2O3)1−X(ZnO)Xの酸化物系において、Zn/In比が10%以上では、Zn比率が増加するにつれ、電気伝導度が小さくなることが報告されている(「透明導電膜の新展開II」シーエムシー出版、P.34−35)。これら組成比を変える具体的な方法としては、例えば、スパッタによる成膜方法においては、組成比が異なるターゲットを用いる。または、多元のターゲットにより、共スパッタし、そのスパッタレートを個別に調整することにより、膜の組成比を変えることが可能である。
酸化物半導体に、Li,Na,Mn,Ni,Pd,Cu,Cd,C,N,P等の元素を不純物として添加することにより、電子キャリア濃度を減少させること、つまり電気伝導度を小さくすることが可能であることが、特開2006−165529号公報に開示されている。不純物を添加する方法としては、酸化物半導体と不純物元素とを共蒸着により行う、成膜された酸化物半導体膜に不純物元素のイオンをイオンドープ法により行う等がある。
上記(1)〜(3)においては、同一酸化物半導体系での電気伝導度の調整方法を述べたが、もちろん酸化物半導体材料を変えることにより、電気伝導度を変えることができる。例えば、一般的にSnO2系酸化物半導体は、In2O3系酸化物半導体に比べて電気伝導度が小さいことが知られている。このように酸化物半導体材料を変えることにより、電気伝導度の調整が可能である。特に電気伝導度の小さい酸化物材料としては、Al2O3、Ga2O3、ZrO2、Y2O3、Ta2O3、MgO、HfO3等の酸化物絶縁体材料が知られており、これらを用いることも可能である。
電気伝導度を調整する手段としては、上記(1)〜(4)の方法を単独に用いても良いし、組み合わせても良い。
活性層の成膜方法は、酸化物半導体の多結晶焼結体をターゲットとして、気相成膜法を用いるのが良い。気相成膜法の中でも、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法(PLD法)が適している。さらに、量産性の観点から、スパッタリング法が好ましい。
第1界面層及び第2界面層の成膜も同様に上記の手段を用いることが出来る。
また、膜厚は触針式表面形状測定により求めることができる。組成比は、RBS(ラザフォード後方散乱)分析法により求めることができる。
本発明の第1界面層は、アモルファス酸化物半導体層であり、該アモルファス酸化物半導体の金属成分中のGa原子比率が5%以上、又はAl原子比率が5%以上であり、第1界面層のアモルファス酸化物半導体のGa及びAl原子比率が活性層のアモルファス酸化物半導体のGa及びAl原子比率より高い。
本発明の第2界面層は、アモルファス酸化物半導体層であり、該アモルファス酸化物半導体の金属成分中のGa原子比率が5%以上、又はAl原子比率が5%以上であり、第2界面層のアモルファス酸化物半導体のGa及びAl原子比率が活性層のアモルファス酸化物半導体のGa及びAl原子比率より高い。
第1界面層及び第2界面層の金属原子比率を上記範囲に制御することにより、活性層の界面における酸素欠陥の経時変化を抑制することができ、閾値電圧の経時安定性が向上すること、及び閾値電圧の面内均一性が増加する利点を生じる。
上記範囲の下限を下まわると、閾値電圧の経時変化が増大したり、閾値電圧のばらつきが増大するので好ましくなく、上限を超えると移動度が低下したり、ヒステレシスが増加するので好ましくない。
好ましくは、In−Ga−Zn−Oを含み、結晶状態における組成がInGaO3(ZnO)m(mは6未満の自然数)で表されるアモルファス酸化物半導体が好ましい。特に、InGaZnO4が好ましい。
Al含有アモルファス酸化物なども好ましく用いることができる。例えば、In、ZnにAlを含有させたアモルファス酸化物半導体が好ましい。
本発明におけるゲート電極としては、例えば、Al、Mo、Cr、Ta、Ti、Au、またはAg等の金属、Al−Nd、APC等の合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性化合物、またはこれらの混合物を好適に挙げられる。
ゲート電極の厚みは、10nm以上1000nm以下とすることが好ましい。
本発明におけるソース電極及びドレイン電極材料として、例えば、Al、Mo、Cr、Ta、Ti、Au、またはAg等の金属、Al−Nd、APC等の合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性化合物、またはこれらの混合物を好適に挙げられる。
ソース電極及びドレイン電極の厚みは、10nm以上1000nm以下とすることが好ましい。
図5に示されるように、ソース・ドレイン電極を形成した後に活性層が成膜されるボトムコンタクト型構成の場合、ゲート絶縁膜23の上に中間層7を設置した後にソース電極5−21及びドレイン電極5−22を設置するのが好ましい。
中間層は、ゲート絶縁膜と酸化物半導体層との界面の密着強度を高める層である。特に
ゲート絶縁膜を有機材料で形成した場合に有効で、該中間層の設置により界面の電気特性が安定化する。
中間層に用いられる材料としては、MgO、SiO、SiO2、Al2O3、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、TiO2等の金属酸化物、SiNx、SiNxOy等の金属窒化物、MgF2、LiF、AlF3、CaF2等の金属フッ化物等が挙げられる。好ましくは、アモルファス膜SiO2膜である。
本発明に於ける中間層の厚みは、好ましくは、1nm〜500nmであり、より好ましくは2nm〜100nmであり、さらに好ましくは5nm〜50nmである。
本発明に用いられる基板は特に限定されることはなく、例えばYSZ(ジルコニア安定化イットリウム)、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリブチレンテレフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカ−ボネ−ト、ポリエ−テルスルホン、ポリアリレ−ト、アリルジグリコ−ルカ−ボネ−ト、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の合成樹脂等の有機材料、などが挙げられる。前記有機材料の場合、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、低吸湿性等に優れていることが好ましい。
必要によって、TFT上に保護絶縁膜を設けても良い。保護絶縁膜は、半導体層を大気による劣化から保護する目的や、TFT上に作製される電子デバイスとを絶縁する目的がある。
必要によって、TFTの後処理として、熱処理を行っても良い。熱処理としては、温度100℃以上で、大気下または窒素雰囲気下で行う。熱処理を行う工程としては、半導体層を成膜後でも良いし、TFT作製工程の最後に行っても良い。熱処理を行うことにより、TFTの特性の面内バラつきが抑制される、駆動安定性が向上する等の効果がある。
本発明の電界効果型薄膜トランジスタは、液晶やEL素子を用いた画像表示装置、特にFPDのスイッチング素子、駆動素子として用いることができる。特に、フレキシブルFPD装置のスイッチング素子、駆動素子として用いるのが適している。
また、本発明の電界効果型薄膜トランジスタは、表示装置以外にも、有機プラスチックフィルムのような可撓性基板上に本発明の電界効果型薄膜トランジスタを形成し、ICカードやIDタグなどに幅広く応用が可能である。
1.TFT素子の作製
1)本発明のTFT素子1の作製
下記により図5の構成のTFT素子1を作製した。
・基板41:厚さ125μmのポリエチレンナフタレート(PEN)フィルムを用いた。
・絶縁層47:SiONを500nmの厚みにスパッタリング蒸着法により蒸着した。
・ゲート電極42:厚さ40nmのモリブデン層をスパッタリング蒸着法により成膜し、フォトリソグラフィー法およびエッチングによりストライプ状のゲート電極を形成した。
・ゲート絶縁膜43:アクリル樹脂をスピンコートした後、焼成して0.5μm厚のゲート絶縁膜43を形成した。
本発明のTFT素子1の作製に於いて、第1界面層46を除いて、下記の第2界面層56を導入して、本発明のTFT素子2を作製した。
・第2界面層56:活性層44を成膜した後、活性層44の上に、IGZOの組成を有するターゲットを使い、酸素導入RFマグネトロンスパッタ法により、IGZOを、メタルマスクを介して室温成膜し、厚さ40nmの第2界面層56を形成した。
本発明のTFT素子1の作製において、第1界面層46を除いた他は本発明のTFT素子1の作製と同様にして、比較のTFT素子1を作製した。
本発明のTFT素子1において、活性層44としてIZOの替わりにIGZOを用いた以外は本発明のTFT素子1の作製と同様にして比較のTFT素子2を作製した。
本発明のTFT素子2において、活性層44としてIZOの替わりにIGZOを用いた以外は本発明のTFT素子1の作製と同様にして比較のTFT素子3を作製した。
得られた本発明のTFT素子、及び比較のTFT素子について下記の評価を行った。
1)評価方法
<電界効果移動度の測定>
図4に模式的に示すように、ドレイン−ソース間電流(IDS)をゲート−ソース間電圧(VGS)の関数とし取得し、得られた曲線より閾値電圧(Vth)を求める。この場合ドレイン−ソース間電圧(VDS)は10Vに固定し、VGSは−10Vから+15Vまで変化させた。(IDS)1/2vs.(VGS)カーブから、閾値電圧と電界効果移動度を下記式を使って抽出した。
IDS=μFE・Cdielectric・(W/2L)・(VGS−Vth)2
ここで、μFEは電界効果移動度、Vthは閾値電圧、Wはチャネル巾、Lはチャネル長、そしてCdielectricはゲート絶縁膜誘電容量(中間層を含む)である。
上記の電界効果移動度の測定を、25mm2における9ケのTFT素子に対して実施し、その中での閾値電圧のバラツキ(標準偏差値:σ)を閾値バラツキとした。
得られた本発明のTFT素子1、及び比較のTFT素子1〜3について、それぞれの素子製造後1ヶ月後と3ヶ月後に上記測定を行い、その間の閾値電圧の変化を測定した。
結果を表1に示した。
その結果、本発明の素子1と素子2は、移動度が高く、しきい値バラツキが小さく、保存安定性も高い。一方、比較の素子1は、界面層がないので保存安定性に劣り、しきい値バラツキも大きい。また、比較用の素子2と3は、移動度に劣った。
1)本発明のTFT素子3、4の作製
実施例1の本発明のTFT素子1、2において、第1界面層を下記に変更し、その他は同様にして、それぞれ、本発明のTFT素子3、4を作製した。
中間層48上および、ソース電極45−1、ドレイン電極45−2の上に、InAlZnO4(IAlZOと略記する)の組成を有するターゲットを使い、酸素導入RFマグネトロンスパッタ法により、IAlZOを、メタルマスクを介して室温成膜し、厚さ1.0nmの第1界面層46を形成した。
実施例1と同様に評価した結果を表2に示す。
その結果、本発明のTFT素子3、4は、実施例1と同様に、移動度が高く、且つ、閾値バラツキが小さく、保存安定性に優れていた。
2,12,22,32,42:ゲート電極
3,13,23,33,43:ゲート絶縁膜
4,14,24,34,44:活性層
5−1,15−1,25−1,35−1,45−1:ソース電極
5−2,15−2,25−2,35−2,45−2:ドレイン電極
6,26,46:第1界面層
16,36:第2界面層
48:中間層
Claims (7)
- 基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、
1)前記活性層がアモルファス酸化物半導体層であり、該アモルファス酸化物半導体の金属成分中のIn原子比率が70%以上であり、Ga原子比率が25%以下、Al原子比率が25%以下であり、
2)前記ゲート絶縁膜と前記活性層との間に第1界面層を有し、該第1界面層はアモルファス酸化物半導体層であり、該アモルファス酸化物半導体の金属成分中のGa原子比率が5%以上、又はAl原子比率が5%以上であり、
3)前記第1界面層のアモルファス酸化物半導体のGa及びAl原子比率が前記活性層のアモルファス酸化物半導体のGa及びAl原子比率より高いことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 - 前記活性層のアモルファス酸化物半導体の金属成分中Zn原子比率が5%以上であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記第1界面層の厚みが、0.3nm以上2.0nm未満である請求項1又は請求項2に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、
1)前記活性層がアモルファス酸化物半導体層であり、該アモルファス酸化物半導体の金属成分中のIn原子比率が70%以上であり、Ga原子比率が25%以下、Al原子比率が25%以下であり、
2)前記活性層と前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の間に第2界面層を有し、該第2界面層はアモルファス酸化物半導体層であり、該アモルファス酸化物半導体の金属成分中のGa原子比率が5%以上、又はAl原子比率が5%以上であり、
3)前記第2界面層のアモルファス酸化物半導体のGa及びAl原子比率が前記活性層のアモルファス酸化物半導体のGa及びAl原子比率より高いことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 - 前記活性層のアモルファス酸化物半導体の金属成分中Zn原子比率が5%以上であることを特徴とする請求項4に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記第2界面層の厚みが、1nm以上100nm未満である請求項4又は請求項5に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記活性層の厚みが、1.0nm以上20nm未満である請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010074061A true JP2010074061A (ja) | 2010-04-02 |
JP5258475B2 JP5258475B2 (ja) | 2013-08-07 |
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ID=42205552
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011077978A1 (en) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
WO2012074046A1 (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-07 | 株式会社神戸製鋼所 | 配線構造およびスパッタリングターゲット |
JP2013038400A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-02-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
US8461007B2 (en) | 2010-04-23 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2013149965A (ja) * | 2011-12-23 | 2013-08-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US8546225B2 (en) | 2010-04-23 | 2013-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2013190992A1 (ja) * | 2012-06-20 | 2013-12-27 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
KR101457762B1 (ko) | 2012-07-09 | 2014-11-03 | 청주대학교 산학협력단 | 금속 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US9070777B2 (en) | 2012-01-17 | 2015-06-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
JP2016157959A (ja) * | 2010-05-14 | 2016-09-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017046009A (ja) * | 2011-03-28 | 2017-03-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び液晶表示装置 |
JP2017055120A (ja) * | 2010-09-13 | 2017-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN107768384A (zh) * | 2016-08-23 | 2018-03-06 | 三星显示有限公司 | 薄膜晶体管阵列面板 |
JP2019057622A (ja) * | 2017-09-21 | 2019-04-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2019106546A (ja) * | 2012-06-29 | 2019-06-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20200093701A (ko) * | 2010-04-02 | 2020-08-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US11374130B2 (en) | 2020-02-07 | 2022-06-28 | Kioxia Corporation | Semiconductor device and semiconductor memory device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5869110B2 (ja) | 2012-05-10 | 2016-02-24 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びx線センサ |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006165529A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Canon Inc | 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ |
JP2007073701A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ |
JP2007281409A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-10-25 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタ |
JP2008042088A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Nec Corp | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP2008199005A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-09-22 JP JP2008242628A patent/JP5258475B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006165529A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Canon Inc | 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ |
JP2007073701A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ |
JP2007281409A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-10-25 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタ |
JP2008042088A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Nec Corp | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP2008199005A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Cited By (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8372664B2 (en) | 2009-12-25 | 2013-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
WO2011077978A1 (en) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
US8790942B2 (en) | 2009-12-25 | 2014-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
US11380800B2 (en) | 2010-04-02 | 2022-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102292523B1 (ko) * | 2010-04-02 | 2021-08-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102436902B1 (ko) | 2010-04-02 | 2022-08-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20200093701A (ko) * | 2010-04-02 | 2020-08-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20210102500A (ko) * | 2010-04-02 | 2021-08-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2019192921A (ja) * | 2010-04-23 | 2019-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9202877B2 (en) | 2010-04-23 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9812533B2 (en) | 2010-04-23 | 2017-11-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8461007B2 (en) | 2010-04-23 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8546225B2 (en) | 2010-04-23 | 2013-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2016106411A (ja) * | 2010-04-23 | 2016-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016157959A (ja) * | 2010-05-14 | 2016-09-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101932576B1 (ko) | 2010-09-13 | 2018-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP2017055120A (ja) * | 2010-09-13 | 2017-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2012074046A1 (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-07 | 株式会社神戸製鋼所 | 配線構造およびスパッタリングターゲット |
TWI508227B (zh) * | 2010-12-02 | 2015-11-11 | Kobe Steel Ltd | Wiring construction and sputtering target |
US9184298B2 (en) | 2010-12-02 | 2015-11-10 | Kobe Steel, Ltd. | Interconnect structure and sputtering target |
KR101536491B1 (ko) * | 2010-12-02 | 2015-07-13 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 배선 구조 및 스퍼터링 타깃 |
JP2012231114A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-11-22 | Kobe Steel Ltd | 配線構造およびスパッタリングターゲット |
CN103238217A (zh) * | 2010-12-02 | 2013-08-07 | 株式会社神户制钢所 | 配线结构和溅射靶材 |
US20130248858A1 (en) * | 2010-12-02 | 2013-09-26 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Interconnect structure and sputtering target |
US10192997B2 (en) | 2011-03-28 | 2019-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor |
JP2017046009A (ja) * | 2011-03-28 | 2017-03-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び液晶表示装置 |
US9929280B2 (en) | 2011-03-28 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor film containing indium |
JP2013038400A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-02-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
US9698275B2 (en) | 2011-07-08 | 2017-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US9559213B2 (en) | 2011-12-23 | 2017-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2013149965A (ja) * | 2011-12-23 | 2013-08-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9070777B2 (en) | 2012-01-17 | 2015-06-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
TWI613826B (zh) * | 2012-06-20 | 2018-02-01 | 富士軟片股份有限公司 | 薄膜電晶體的製造方法、薄膜電晶體、顯示裝置、影像感測器及x線感測器 |
KR101634482B1 (ko) * | 2012-06-20 | 2016-07-08 | 후지필름 가부시키가이샤 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
KR20150021051A (ko) * | 2012-06-20 | 2015-02-27 | 후지필름 가부시키가이샤 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
JP2014003244A (ja) * | 2012-06-20 | 2014-01-09 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、表示装置、イメージセンサー及びx線センサー |
WO2013190992A1 (ja) * | 2012-06-20 | 2013-12-27 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
US9673048B2 (en) | 2012-06-20 | 2017-06-06 | Fujifilm Corporation | Method of producing thin film transistor, thin film transistor, display device, image sensor, and X-ray sensor |
JP2019106546A (ja) * | 2012-06-29 | 2019-06-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101457762B1 (ko) | 2012-07-09 | 2014-11-03 | 청주대학교 산학협력단 | 금속 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
CN107768384A (zh) * | 2016-08-23 | 2018-03-06 | 三星显示有限公司 | 薄膜晶体管阵列面板 |
JP2019057622A (ja) * | 2017-09-21 | 2019-04-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US11075305B2 (en) | 2017-09-21 | 2021-07-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
US11374130B2 (en) | 2020-02-07 | 2022-06-28 | Kioxia Corporation | Semiconductor device and semiconductor memory device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5258475B2 (ja) | 2013-08-07 |
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