JP2010073803A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
Abstract
【課題】半導体チップとこれを封止する樹脂との密着性を改善する方法を提供する。
【解決手段】一態様に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法は、主面に第1電極を有する基板1と、第1主面に第2電極を有する半導体チップ4とを、前記主面と前記第1主面とが対向するように配置し、前記第1電極と前記第2電極とを接続する工程と、前記基板に前記半導体チップ4が接続された状態で、前記第1主面に対向する第2主面を研削して前記半導体チップ4を薄化する工程と、前記半導体チップ4を薄化した後に、前記半導体チップの側面、前記第2主面上を樹脂により封止する工程とを有する。
【選択図】図2
【解決手段】一態様に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法は、主面に第1電極を有する基板1と、第1主面に第2電極を有する半導体チップ4とを、前記主面と前記第1主面とが対向するように配置し、前記第1電極と前記第2電極とを接続する工程と、前記基板に前記半導体チップ4が接続された状態で、前記第1主面に対向する第2主面を研削して前記半導体チップ4を薄化する工程と、前記半導体チップ4を薄化した後に、前記半導体チップの側面、前記第2主面上を樹脂により封止する工程とを有する。
【選択図】図2
Description
本発明は、薄型化に有利な樹脂封止型の半導体装置の製造方法に関する。
半導体デバイスの多ピン化や優れた電気特性を実現するBGA(Ball Grid Array)パッケージにおいて、パッケージ厚は中の半導体チップの研削厚で決まっている。組立作業時にある程度の厚さがないと、組立時のダイシング工程で割れなど不具合が発生してしまう為、パッケージ厚は所定の厚さを有している。しかしながら、高性能チップを限られた空間で実装するためにも、さらなるパッケージの薄型化は必要な技術となっている。
パッケージの薄型化の技術を用いた半導体装置が、特許文献1に記載されている。特許文献1に記載された製造方法を図3に示す。図3(a)は、半導体チップの接合工程を示す。図3(a)に示すように、表面上にAuなどの電極を有するポリイミド基板などの基板1と、表面にAuなどからなるバンプ3を有する半導体チップ4とを準備する。そして、半導体チップ4の表面が基板1の表面と向き合うように配置して、基板1の電極とバンプ3とを接続し、基板1に対して半導体チップ4を接合する。その後、基板1のバンプ3側、半導体チップ4の側面及び裏面部分をエポキシ系の樹脂5でモールドする。
次に、図3(b)に示すように、グラインダー6にて半導体チップ4の裏面上の樹脂5を研削し、半導体チップ4の裏面を露出させる。そして、図3(c)で示すように、半導体チップ4を例えば50μm程度まで薄くする。この工程により、半導体チップ4の裏面と樹脂5の表面とは同一平面に形成される。
次に図3(d)に示すように、半導体チップ4の裏面及びその両側面部の樹脂5の表面に導電性フィルムとして金属層7を形成する。この金属層7は、密着性を保つ目的で、厚さ100μm以下のTiN層、50μmのAu層の積層構造となっている。なお、金属層7は他の金属、金属化合物である場合もあり、金属層7の代わりに樹脂層を形成する場合も含まれる。
最後に、図3(e)に示すように、ダイシングソー8を用いて半導体チップ間を研削し、図3(f)に示すように樹脂封止型半導体装置を個々に切り出す。この切り出し工程により切り出される樹脂封止型半導体装置においては、半導体チップ4はどの面も露呈されていない。
特開2004−158739号公報
しかしながら、かかる方法では、図3(d)に示すように金属層7を樹脂5及び半導体チップ4を研削した後に形成する必要がある。この場合、樹脂封止型半導体装置の温度変化のストレスなどで、金属層7と樹脂5の熱膨張率の差により、半導体チップ4とその周辺に密着性の問題が発生する。
本発明の一態様に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法は、主面に第1電極を有する基板と、第1主面に第2電極を有する半導体チップとを、前記主面と前記第1主面とが対向するように配置し、前記第1電極と前記第2電極とを接続する工程と、前記基板に前記半導体チップが接続された状態で、前記第1主面に対向する第2主面を研削して前記半導体チップを薄化する工程と、前記半導体チップを薄化した後に、前記半導体チップの側面、前記第2主面上を樹脂により封止する工程とを有する。
このように、基板に接合された半導体チップを研削して薄化した後に、半導体チップの側面及び裏面を覆うように一括で樹脂モールドすることができるため、半導体チップの側面を覆った後に裏面を覆う金属膜を形成する必要がなくなる。これにより、樹脂の半導体チップや基板に対する密着性を改善することができる。
本発明によれば、半導体チップとこれを封止する樹脂との密着性を改善することが可能な樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することができる。
本発明の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の構成について、図1を参照して説明する。図1は、本実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置10の構成を示す断面図である。図1に示すように、本実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置10は、基板1、アンダーフィル2、バンプ3、半導体チップ4、樹脂5を備える。
ポリイミド基板などの基板1の表面(主面)上には、Auなどの第1電極11が設けられている。また、半導体チップ4の表面(第1主面)には、第2電極12が設けられており、その上にAuなどからなるバンプ3が形成されている。半導体チップ4の第1主面と基板1の主面とは、向き合うように配置されている。また、基板1と半導体チップ4とは、樹脂などのアンダーフィル2を介して接合され、基板1の第1電極11と第2電極12とはバンプ3を介して接続されている。すなわち、半導体チップ4は、基板1にフェースダウン実装されている。
基板1の主面(バンプ3側の面)上には、半導体チップ4を覆うようにエポキシ系の樹脂5が形成されている。すなわち、基板1の主面、半導体チップ4の側面及び裏面(第2主面)は、樹脂5によりモールドされている。また、半導体チップ4は、例えば、50μm程度まで薄くされている。
ここで、図2を参照して、本発明の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置10の製造方法について説明する。図2は、本実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置10の製造方法を説明する製造工程断面図である。ここでは、2つの半導体チップ4が基板1上に接合される例について図示している。
図2(a)は半導体チップの接合工程を示している。図2(a)に示すように、まず、表面上に第1電極11を有する基板1と、第2電極12上にバンプ3を有する半導体チップ4とを準備する。半導体チップ4は、所定の厚さを有している。そして、半導体チップ4の表面が基板1の表面と向き合うように配置して、基板1の第1電極11と第2電極12とをバンプ3を介して接続する。これにより、基板1上に、所定の厚さを有する半導体チップが実装される。そして、基板1と半導体チップ4との間隙に、アンダーフィル2を形成し、基板1に対して半導体チップ4を接合する。
次に、図2(b)に示すようにグラインダー6を用いて半導体チップ4の裏面を研削し、図2(c)に示すように半導体チップ4を上述の所定の厚さよりも薄くする。例えば、半導体チップ4を50μm程度まで薄くする。
続いて、図2(d)に示すように、複数の半導体チップ4を覆うように樹脂5を形成する。この工程により半導体チップ4の側面及び裏面が樹脂5で覆われ、どの面も露呈されていない状態となる。すなわち、半導体チップ4の有する面のうち、基板1と接触する面以外の面が樹脂5により覆われる。また、基板1の表面のうち、半導体チップ4が覆っていない領域も、樹脂5により覆われる。
最後に、図2(e)に示すように、ダイシングソー8を用いて半導体チップ4間を研削し、図2(f)に示すように、樹脂封止型半導体装置10を個々に切り出す。この切り出し工程を経た後でも、それぞれの樹脂封止型半導体装置10において、半導体チップ4はどの面も樹脂5で覆われ露呈されていない。
このように、本発明に係る樹脂封止型半導体装置10では、基板1に半導体チップ4を接合し、半導体チップ4を研削した後に、半導体チップ4のどの面も露呈しないように樹脂5で覆う構成となっている。このため、半導体チップ4を研削した後に別の膜を形成する必要がなく、一括して半導体チップ4を樹脂5で覆うことができる。これにより、従来のように樹脂5と別層との界面が存在せず、樹脂そのものが半導体チップと優れた密着性を有するという効果がある。
以上説明したように、本発明によれば、従来の半導体チップの研削後に金属膜などを形成する製造方法と比べて、半導体チップと樹脂の密着性を改善することができる。また、本発明によれば、従来の金属層を形成する工程を省略することができるため、製造方法を簡単にすることができる。
1 基板
2 アンダーフィル
3 バンプ
4 半導体チップ
5 樹脂
6 グラインダー
7 金属層
8 ダイシングソー
10 樹脂封止型半導体装置
11 第1電極
12 第2電極
2 アンダーフィル
3 バンプ
4 半導体チップ
5 樹脂
6 グラインダー
7 金属層
8 ダイシングソー
10 樹脂封止型半導体装置
11 第1電極
12 第2電極
Claims (4)
- 主面に第1電極を有する基板と、第1主面に第2電極を有する半導体チップとを、前記主面と前記第1主面とが対向するように配置し、前記第1電極と前記第2電極とを接続する工程と、
前記基板に前記半導体チップが接続された状態で、前記第1主面に対向する第2主面を研削して前記半導体チップを薄化する工程と、
前記半導体チップを薄化した後に、前記半導体チップの側面、前記第2主面上を樹脂により封止する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記基板上に複数の前記半導体チップを接続し、当該複数の半導体チップを樹脂により封止した後に、個々の半導体チップ毎に切断する工程をさらに有する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップの第1主面と前記基板の主面との間に、アンダーフィルを形成する工程をさらに有する請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板の第1の面に所定の厚さを有する半導体チップを実装する工程と、
前記半導体チップを前記所定の厚さよりも薄く研削する工程と、
前記研削後に前記半導体チップの有する面のうち前記基板と接触する面以外と、前記基板の前記第1の面のうち前記半導体チップが覆っていない領域とを覆うように樹脂封止する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
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