JP2000208559A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 接合部のクラックによる電気的劣化を低減す
ることができる樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
を提供することを目的とする。 【解決手段】 樹脂封止型半導体装置において、半導体
素子１の電極パッド２に接続されるＣｕの再配線３と、
この再配線３に接続されるＣｕポスト４と、このＣｕポ
スト４と同一面となるように封止される異方性導電樹脂
５とを有し、半導体素子１が複数並んでいるウエハ状態
で処理されて個片化される半導体素子に大きさが近い半
導体装置であって、前記異方性導電樹脂５を半導体素子
１の側面まで封止する。
ることができる樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
を提供することを目的とする。 【解決手段】 樹脂封止型半導体装置において、半導体
素子１の電極パッド２に接続されるＣｕの再配線３と、
この再配線３に接続されるＣｕポスト４と、このＣｕポ
スト４と同一面となるように封止される異方性導電樹脂
５とを有し、半導体素子１が複数並んでいるウエハ状態
で処理されて個片化される半導体素子に大きさが近い半
導体装置であって、前記異方性導電樹脂５を半導体素子
１の側面まで封止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置の構造とその製造方法に関するものである。
装置の構造とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯機器が急速に普及し、これに
伴ってその中に搭載される樹脂封止型半導体装置の薄型
／小型／軽量のものが要求されるようになっており、こ
れらに対応するために数多くのものが提案されている。
伴ってその中に搭載される樹脂封止型半導体装置の薄型
／小型／軽量のものが要求されるようになっており、こ
れらに対応するために数多くのものが提案されている。
【０００３】図５はかかる従来の樹脂封止型半導体装置
の構成図である。
の構成図である。
【０００４】この図に示すように、半導体素子１０１の
電極パッド１０２にＣｕの再配線１０３を電気的に接続
させ、約１５０μｍ高さのＣｕポスト１０４に達してい
る。そして、そのＣｕポスト１０４の高さに樹脂１０５
を封止し、露出したＣｕポスト１０４の先端部には、半
田ボール１０６等の金属が施されている。
電極パッド１０２にＣｕの再配線１０３を電気的に接続
させ、約１５０μｍ高さのＣｕポスト１０４に達してい
る。そして、そのＣｕポスト１０４の高さに樹脂１０５
を封止し、露出したＣｕポスト１０４の先端部には、半
田ボール１０６等の金属が施されている。
【０００５】図６はそのような樹脂封止型半導体装置の
概略製造工程断面図である。
概略製造工程断面図である。
【０００６】まず、図６（ａ）に示すように、半導体素
子１１１上にＣｕポスト１１２を形成し、次に、図６
（ｂ）に示すように、樹脂１１３により樹脂封止する。
次に、図６（ｃ）に示すように、研磨剤１１４により表
面研磨を行い樹脂１１３をＣｕポスト１１２と同一面に
なるように研磨する。次に、図６（ｄ）に示すように、
半田ボール１１５をＣｕポスト１１２に接続されるよう
に形成して端子を形成する。
子１１１上にＣｕポスト１１２を形成し、次に、図６
（ｂ）に示すように、樹脂１１３により樹脂封止する。
次に、図６（ｃ）に示すように、研磨剤１１４により表
面研磨を行い樹脂１１３をＣｕポスト１１２と同一面に
なるように研磨する。次に、図６（ｄ）に示すように、
半田ボール１１５をＣｕポスト１１２に接続されるよう
に形成して端子を形成する。
【０００７】ここまでの工程は、全て半導体素子１１１
が複数並んでいるウエハ状態で処理されている。最後
に、図６（ｅ）に示すように、ダイシングソー１１６に
より半導体装置にダイシングされ個片化される。これら
は半導体素子に極めて大きさが近い樹脂封止型半導体装
置１１７となる。
が複数並んでいるウエハ状態で処理されている。最後
に、図６（ｅ）に示すように、ダイシングソー１１６に
より半導体装置にダイシングされ個片化される。これら
は半導体素子に極めて大きさが近い樹脂封止型半導体装
置１１７となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図５に示すように、半
導体素子１０１の電極パッド１０２にＣｕの再配線１０
３を電気的に接続させ、約１５０μｍ高さのＣｕポスト
１０４に達しているものがウエハ状態である。この状態
から、図６（ｂ）に示すように、樹脂封止工程に入る。
樹脂封止はＣｕポスト１１２を完全に覆う。樹脂キュア
後、Ｃｕポスト１１２の先端を露出さるために、Ｃｕポ
スト１１２と同一面になるまで表面研磨する。
導体素子１０１の電極パッド１０２にＣｕの再配線１０
３を電気的に接続させ、約１５０μｍ高さのＣｕポスト
１０４に達しているものがウエハ状態である。この状態
から、図６（ｂ）に示すように、樹脂封止工程に入る。
樹脂封止はＣｕポスト１１２を完全に覆う。樹脂キュア
後、Ｃｕポスト１１２の先端を露出さるために、Ｃｕポ
スト１１２と同一面になるまで表面研磨する。
【０００９】次に、露出したＣｕポスト１１２の先端部
には、半田ボール１１５等の金属が施される。最後に、
半導体装置にダイシングされ個片化され、これが一つの
半導体装置１１７となる。その後、図７に示すように、
基板２０１に実装されて、電子機器ができあがる。
には、半田ボール１１５等の金属が施される。最後に、
半導体装置にダイシングされ個片化され、これが一つの
半導体装置１１７となる。その後、図７に示すように、
基板２０１に実装されて、電子機器ができあがる。
【００１０】しかしながら、この基板実装の際、接合部
にクラックが発生し、電気的劣化が大きいという問題点
があった。これは、図８に示すように、半導体装置１１
７と基板２０１との熱膨張差によるもので、図９に示す
ように、半田ボール１１５にクラック１１８が入るため
である。
にクラックが発生し、電気的劣化が大きいという問題点
があった。これは、図８に示すように、半導体装置１１
７と基板２０１との熱膨張差によるもので、図９に示す
ように、半田ボール１１５にクラック１１８が入るため
である。
【００１１】本発明は、上記問題点を除去し、接合部の
クラックによる電気的劣化を低減することができる樹脂
封止型半導体装置及びその製造方法を提供することを目
的とする。
クラックによる電気的劣化を低減することができる樹脂
封止型半導体装置及びその製造方法を提供することを目
的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕樹脂封止型半導体装置において、半導体素子の電
極パッドに接続される金属配線と、この金属配線に接続
される金属ポストと、この金属ポストと基板とを電気的
に接続する異方性導電樹脂とを有し、半導体素子が複数
並んでいるウエハ状態で処理されて個片化される半導体
素子を有する半導体装置であって、前記異方性導電樹脂
が半導体素子の側面まで封止するようにしたものであ
る。
成するために、 〔１〕樹脂封止型半導体装置において、半導体素子の電
極パッドに接続される金属配線と、この金属配線に接続
される金属ポストと、この金属ポストと基板とを電気的
に接続する異方性導電樹脂とを有し、半導体素子が複数
並んでいるウエハ状態で処理されて個片化される半導体
素子を有する半導体装置であって、前記異方性導電樹脂
が半導体素子の側面まで封止するようにしたものであ
る。
【００１３】〔２〕樹脂封止型半導体装置において、半
導体素子の電極パッドに接続される金属配線と、この金
属配線に接続される金属ポストと、この金属ポストと同
一面となるように封止される異方性導電樹脂とを有し、
半導体素子が複数並んでいるウエハ状態で処理されて個
片化される半導体素子に大きさが近い半導体装置であっ
て、前記異方性導電樹脂が半導体素子より大きめに樹脂
が残されるようにしたものである。
導体素子の電極パッドに接続される金属配線と、この金
属配線に接続される金属ポストと、この金属ポストと同
一面となるように封止される異方性導電樹脂とを有し、
半導体素子が複数並んでいるウエハ状態で処理されて個
片化される半導体素子に大きさが近い半導体装置であっ
て、前記異方性導電樹脂が半導体素子より大きめに樹脂
が残されるようにしたものである。
【００１４】〔３〕樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、半導体素子の金属電極に金属配線を電気的に接
続させ、この金属配線に接続される金属ポストをウエハ
状態で形成する工程と、前記半導体素子のラインにハー
フカットをする工程と、異方性導電樹脂封止及びその樹
脂キュアを行う工程と、前記ハーフカットした深さまで
裏面研磨を行う工程と、半導体素子の個片化を行い、半
導体装置に個別化する工程と、この個別化された半導体
装置を基板へ位置合わせを行い、熱を加えて基板に固定
する工程とを施すようにしたものである。
おいて、半導体素子の金属電極に金属配線を電気的に接
続させ、この金属配線に接続される金属ポストをウエハ
状態で形成する工程と、前記半導体素子のラインにハー
フカットをする工程と、異方性導電樹脂封止及びその樹
脂キュアを行う工程と、前記ハーフカットした深さまで
裏面研磨を行う工程と、半導体素子の個片化を行い、半
導体装置に個別化する工程と、この個別化された半導体
装置を基板へ位置合わせを行い、熱を加えて基板に固定
する工程とを施すようにしたものである。
【００１５】〔４〕上記〔３〕記載の樹脂封止型半導体
装置の製造方法において、前記（ｃ）工程は、トランス
ファモールド法、ポッティング法、印刷法で異方性導電
樹脂が半導体素子の側面まで封止され、材料が熱硬化性
や熱可塑性で熱硬化性の場合は、仮の半硬化工程を施す
ようにしたものである。
装置の製造方法において、前記（ｃ）工程は、トランス
ファモールド法、ポッティング法、印刷法で異方性導電
樹脂が半導体素子の側面まで封止され、材料が熱硬化性
や熱可塑性で熱硬化性の場合は、仮の半硬化工程を施す
ようにしたものである。
【００１６】〔５〕上記〔３〕記載の樹脂封止型半導体
装置の製造方法において、前記（ｃ）工程は、トランス
ファモールド法、ポッティング法、印刷法で異方性導電
樹脂が半導体素子より大きめに樹脂が残るように封止さ
れ、材料が熱硬化性や熱可塑性で熱硬化性の場合は、仮
の半硬化工程を施すようにしたものである。
装置の製造方法において、前記（ｃ）工程は、トランス
ファモールド法、ポッティング法、印刷法で異方性導電
樹脂が半導体素子より大きめに樹脂が残るように封止さ
れ、材料が熱硬化性や熱可塑性で熱硬化性の場合は、仮
の半硬化工程を施すようにしたものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の態様を図面
を参照しながら詳細に説明する。
を参照しながら詳細に説明する。
【００１８】図１は本発明の実施例を示す樹脂封止型半
導体装置の断面図である。
導体装置の断面図である。
【００１９】この図において、１は半導体素子、１Ａは
半導体素子の側面、２は電極パッド、３はＣｕの再配
線、４はＣｕポスト、５は異方性導電樹脂、５Ａは導電
粒子である。
半導体素子の側面、２は電極パッド、３はＣｕの再配
線、４はＣｕポスト、５は異方性導電樹脂、５Ａは導電
粒子である。
【００２０】半導体素子１の電極パッド２にＣｕの再配
線３を電気的に接続させ、約１５０μｍ高さのＣｕポス
ト４に達しているものがウエハ状態である。この状態か
らＣｕポスト４を完全に覆う樹脂封止工程にはいるが、
異方性導電樹脂５の封止前にあらかじめ半導体素子１の
ラインにハーフカットをする。
線３を電気的に接続させ、約１５０μｍ高さのＣｕポス
ト４に達しているものがウエハ状態である。この状態か
らＣｕポスト４を完全に覆う樹脂封止工程にはいるが、
異方性導電樹脂５の封止前にあらかじめ半導体素子１の
ラインにハーフカットをする。
【００２１】その後、樹脂封止及び樹脂キュアを行う。
その後、裏面研磨を行う。裏面研磨は先にハーフカット
したところまで行う。そして、最終的に個片化する。ま
た、従来方法と同様にハーフカットなしでもよい。
その後、裏面研磨を行う。裏面研磨は先にハーフカット
したところまで行う。そして、最終的に個片化する。ま
た、従来方法と同様にハーフカットなしでもよい。
【００２２】この実施例では、半導体素子１の側面１Ａ
まで異方性導電樹脂５が封止されており、この半導体装
置は、最初のウエハのハーフカットの刃の幅が最後に個
片化するために異方性導電樹脂５部をカットする刃の幅
より広くなっている。例えば、前者が３５μｍ幅で後者
が２５μｍ幅となる。そのため、５μｍの異方性導電樹
脂５が半導体素子１の側面に付く。ただし、これは最初
のウエハのハーフカット部に樹脂が注入された場合であ
る。注入されない場合は、以下に示す図２のように、刃
の幅を大きくとればよい。
まで異方性導電樹脂５が封止されており、この半導体装
置は、最初のウエハのハーフカットの刃の幅が最後に個
片化するために異方性導電樹脂５部をカットする刃の幅
より広くなっている。例えば、前者が３５μｍ幅で後者
が２５μｍ幅となる。そのため、５μｍの異方性導電樹
脂５が半導体素子１の側面に付く。ただし、これは最初
のウエハのハーフカット部に樹脂が注入された場合であ
る。注入されない場合は、以下に示す図２のように、刃
の幅を大きくとればよい。
【００２３】図２は本発明の実施例の変形例を示す樹脂
封止型半導体装置の断面図である。
封止型半導体装置の断面図である。
【００２４】この実施例では、異方性導電樹脂５が半導
体素子１の側面１Ａには注入されない場合であり、異方
性導電樹脂５は半導体素子１より大きめに樹脂が残る。
体素子１の側面１Ａには注入されない場合であり、異方
性導電樹脂５は半導体素子１より大きめに樹脂が残る。
【００２５】図３は本発明の実施例を示す樹脂封止型半
導体装置の基板への実装状態を示す断面図である。
導体装置の基板への実装状態を示す断面図である。
【００２６】この図に示すように、異方性導電樹脂５を
封止後、個片化した半導体装置を基板１１のＣｕ電極１
２に位置合わせして、異方性導電樹脂５の導電粒子５Ａ
により、半導体装置は導電粒子５Ａ−Ｃｕ電極１２を介
して基板１１に接続され、実装することができる。
封止後、個片化した半導体装置を基板１１のＣｕ電極１
２に位置合わせして、異方性導電樹脂５の導電粒子５Ａ
により、半導体装置は導電粒子５Ａ−Ｃｕ電極１２を介
して基板１１に接続され、実装することができる。
【００２７】次に、本発明の実施例を示す樹脂封止型半
導体装置の製造方法について説明する。
導体装置の製造方法について説明する。
【００２８】図４は本発明の実施例を示す樹脂封止型半
導体装置の概略製造工程断面図である。
導体装置の概略製造工程断面図である。
【００２９】（１）まず、図４（ａ）に示すように、半
導体素子２１のＣｕパッド（図示なし）にＣｕの再配線
（図示なし）を電気的に接続させ、約１５０μｍ高さの
Ｃｕポスト２２がウエハ状態で形成する。
導体素子２１のＣｕパッド（図示なし）にＣｕの再配線
（図示なし）を電気的に接続させ、約１５０μｍ高さの
Ｃｕポスト２２がウエハ状態で形成する。
【００３０】（２）次に、図４（ｂ）に示すように、こ
の状態からＣｕポスト２２を完全に覆う樹脂封止工程に
はいるが、異方性導電樹脂を封止する前にダイシングソ
ー２３によりあらかじめ半導体素子２１のラインにハー
フカットをする。
の状態からＣｕポスト２２を完全に覆う樹脂封止工程に
はいるが、異方性導電樹脂を封止する前にダイシングソ
ー２３によりあらかじめ半導体素子２１のラインにハー
フカットをする。
【００３１】（３）その後、図４（ｃ）に示すように、
異方性導電樹脂封止及びその樹脂キュアを行い異方性導
電樹脂２４を形成する。異方性導電樹脂封止方法は、ト
ランスファーモールド法、ポッティング法、印刷法が挙
げられる。また、異方性導電樹脂２４の材料は熱硬化性
や熱可塑性のものが挙げられる。熱硬化性材料の場合
は、仮の硬化工程とする。本硬化は後の基板実装時に行
う。
異方性導電樹脂封止及びその樹脂キュアを行い異方性導
電樹脂２４を形成する。異方性導電樹脂封止方法は、ト
ランスファーモールド法、ポッティング法、印刷法が挙
げられる。また、異方性導電樹脂２４の材料は熱硬化性
や熱可塑性のものが挙げられる。熱硬化性材料の場合
は、仮の硬化工程とする。本硬化は後の基板実装時に行
う。
【００３２】（４）次いで、図４（ｄ）に示すように、
異方性導電樹脂封止終了後、研磨ステージ（図示なし）
に固定し、研磨剤２５により裏面研磨を行う。裏面研磨
は先にハーフカットしたところまで行う。ウエハの裏面
からの個片化は、半導体素子２１部は個片化されている
ので切断の認識は容易となる。
異方性導電樹脂封止終了後、研磨ステージ（図示なし）
に固定し、研磨剤２５により裏面研磨を行う。裏面研磨
は先にハーフカットしたところまで行う。ウエハの裏面
からの個片化は、半導体素子２１部は個片化されている
ので切断の認識は容易となる。
【００３３】（５）次に、図４（ｅ）に示すように、更
に、ダイシングソー２６により、半導体素子の個片化を
行い、半導体装置２７を個別化する。
に、ダイシングソー２６により、半導体素子の個片化を
行い、半導体装置２７を個別化する。
【００３４】（６）次に、図４（ｆ）に示すように、個
別化された半導体装置２７は、基板３１への実装時に基
板３１上のＣｕ電極３２に個別化された半導体装置２７
のＣｕポスト２４に合わせ、その後、熱を加えて基板３
１に固定する。電気的には異方性導電樹脂２４中の導電
粒子２４ＡがＣｕ電極３２、Ｃｕポスト２２に接続され
る。
別化された半導体装置２７は、基板３１への実装時に基
板３１上のＣｕ電極３２に個別化された半導体装置２７
のＣｕポスト２４に合わせ、その後、熱を加えて基板３
１に固定する。電気的には異方性導電樹脂２４中の導電
粒子２４ＡがＣｕ電極３２、Ｃｕポスト２２に接続され
る。
【００３５】このように、この実施例によれば、１回の
樹脂封止工程で基板に実装した半導体装置の構造を容易
に実現することができる。
樹脂封止工程で基板に実装した半導体装置の構造を容易
に実現することができる。
【００３６】また、異方性導電樹脂を封止後、個片化し
た半導体装置であるため、基板に実装後、基板にも樹脂
が封止され、接着され、熱時のストレスを受け難くな
る。
た半導体装置であるため、基板に実装後、基板にも樹脂
が封止され、接着され、熱時のストレスを受け難くな
る。
【００３７】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００３８】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。
よれば、次のような効果を奏することができる。
【００３９】（Ａ）接合部のクラックによる電気的劣化
を低減することができる。
を低減することができる。
【００４０】（Ｂ）異方性導電樹脂を封止後、個片化し
た半導体装置であるため、基板に実装後、基板にも樹脂
が封止され、接着され、熱時のストレスを受け難くな
る。
た半導体装置であるため、基板に実装後、基板にも樹脂
が封止され、接着され、熱時のストレスを受け難くな
る。
【００４１】（Ｃ）１回の樹脂封止工程で基板に実装し
た樹脂封止型半導体装置の構造を容易に得ることができ
る。
た樹脂封止型半導体装置の構造を容易に得ることができ
る。
【図１】本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の実施例の変形例を示す樹脂封止型半導
体装置の断面図である。
体装置の断面図である。
【図３】本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
基板への実装状態を示す断面図である。
基板への実装状態を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
概略製造工程断面図である。
概略製造工程断面図である。
【図５】従来の樹脂封止型半導体装置の構成図である。
【図６】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程断面図
である。
である。
【図７】従来の樹脂封止型半導体装置の基板への実装状
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
【図８】従来の樹脂封止型半導体装置の問題点の説明図
（その１）である。
（その１）である。
【図９】従来の樹脂封止型半導体装置の問題点の説明図
（その２）である。
（その２）である。
１，２１ 半導体素子 １Ａ 半導体素子の側面 ２ 電極パッド ３ Ｃｕの再配線 ４，２２ Ｃｕポスト ５，２４ 異方性導電樹脂 ５Ａ，２４Ａ 導電粒子 １１，３１ 基板 １２，３２ Ｃｕ電極 ２３，２６ ダイシングソー ２５ 研磨剤 ２７ 半導体装置
Claims (5)
- 【請求項１】 樹脂封止型半導体装置において、（ａ）
半導体素子の電極パッドに接続される金属配線と、
（ｂ）該金属配線に接続される金属ポストと、（ｃ）該
金属ポストと基板とを電気的に接続する異方性導電樹脂
とを有し、（ｄ）半導体素子が複数並んでいるウエハ状
態で処理されて個片化される半導体素子を有する半導体
装置であって、（ｅ）前記異方性導電樹脂を半導体素子
の側面まで封止することを特徴とする樹脂封止型半導体
装置。 - 【請求項２】 樹脂封止型半導体装置において、（ａ）
半導体素子の電極パッドに接続される金属配線と、
（ｂ）該金属配線に接続される金属ポストと、（ｃ）該
金属ポストと同一面となるように封止される異方性導電
樹脂とを有し、（ｄ）半導体素子が複数並んでいるウエ
ハ状態で処理されて個片化される半導体素子に大きさが
近い半導体装置であって、（ｅ）前記異方性導電樹脂が
半導体素子より大きめに樹脂が残されることを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 樹脂封止型半導体装置の製造方法におい
て、（ａ）半導体素子の金属電極に金属配線を電気的に
接続させ、該金属配線に接続される金属ポストをウエハ
状態で形成する工程と、（ｂ）前記半導体素子のライン
にハーフカットをする工程と、（ｃ）異方性導電樹脂封
止及びその樹脂キュアを行う工程と、（ｄ）前記ハーフ
カットした深さまで裏面研磨を行う工程と、（ｅ）半導
体素子の個片化を行い、半導体装置に個別化する工程
と、（ｆ）該個別化された半導体装置を基板へ位置合わ
せを行い、熱を加えて基板に固定する工程とを施すこと
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、前記（ｃ）工程は、トランスファモ
ールド法、ポッティング法、印刷法で異方性導電樹脂が
半導体素子の側面まで封止され、材料が熱硬化性や熱可
塑性で熱硬化性の場合は、仮の半硬化工程を施すことを
特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項３記載の樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、前記（ｃ）工程は、トランスファモ
ールド法、ポッティング法、印刷法で異方性導電樹脂が
半導体素子より大きめに樹脂が残るように封止され、材
料が熱硬化性や熱可塑性で熱硬化性の場合は、仮の半硬
化工程を施すことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00493599A JP3330890B2 (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00493599A JP3330890B2 (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208559A true JP2000208559A (ja) | 2000-07-28 |
| JP3330890B2 JP3330890B2 (ja) | 2002-09-30 |
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ID=11597447
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00493599A Expired - Fee Related JP3330890B2 (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3330890B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005538572A (ja) * | 2002-09-11 | 2005-12-15 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | ウエハ被覆およびダイ分離するための切断方法 |
| US7327041B2 (en) | 2001-05-28 | 2008-02-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor package and a method for producing the same |
| CN112466765A (zh) * | 2020-11-26 | 2021-03-09 | 安徽光智科技有限公司 | 焦平面阵列倒装互连工艺方法及焦平面阵列探测器 |
-
1999
- 1999-01-12 JP JP00493599A patent/JP3330890B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2005538572A (ja) * | 2002-09-11 | 2005-12-15 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | ウエハ被覆およびダイ分離するための切断方法 |
| CN112466765A (zh) * | 2020-11-26 | 2021-03-09 | 安徽光智科技有限公司 | 焦平面阵列倒装互连工艺方法及焦平面阵列探测器 |
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| JP3330890B2 (ja) | 2002-09-30 |
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