JP2010067852A - 回路装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明では、半導体素子等の回路素子が組み込まれた回路基板12を金型30の内部に収納させ、熱硬化性樹脂を含む樹脂シート42を、回路基板12と金型30の内壁下面との間に介在させている。この状態で、金型30を180℃程度に加熱し、ゲート44から液状の封止樹脂を注入することで、溶融した樹脂シート42により回路基板12の下面を薄く封止樹脂により被覆することができる。
【選択図】図2
Description
12 回路基板
14 封止樹脂
14A 第1封止樹脂
14B 第2封止樹脂
16 導電パターン
17 リード
18 絶縁層
20A 半導体素子
20B チップ素子
22 金属細線
30 金型
32 上金型
34 下金型
36 キャビティ
38 ランナー
40,40A,40B,40C ポッド
42 樹脂シート
44 ゲート
46 エアベント
48 タブレット
50 プランジャー
52 当接ピン
Claims (7)
- 導電パターンおよび回路素子から成る混成集積回路を回路基板の上面に組み込む工程と、
前記回路基板をモールド金型のキャビティに収納させて、前記キャビティに封止樹脂を注入することで、前記回路基板の上面、側面および下面を、熱硬化性樹脂を含む封止樹脂により封止する工程と、を備え、
前記封止する工程では、熱硬化性樹脂を含む樹脂シートを、前記回路基板と前記モールド金型の内壁下面との間に介在させ、溶融した前記樹脂シートにより前記回路基板の下面を被覆することを特徴とする回路装置の製造方法。 - 前記封止する工程では、
前記回路基板の対向する側辺から導出されるリードを前記モールド金型で狭持することにより、前記樹脂シートが前記回路基板の下面に押圧された状態で固定され、
溶融した前記樹脂シートから成る封止樹脂により前記回路基板の下面が被覆される厚さは、前記樹脂シートよりも薄いことを特徴とする請求項1記載の回路装置の製造方法。 - 前記封止する工程では、前記樹脂シートを溶融させた後に、前記モールド金型のゲートから前記キャビティに液状の封止樹脂を注入し、
前記樹脂シートを、前記注入される前記封止樹脂よりも先に加熱硬化させることを特徴とする請求項2記載の回路装置の製造方法。 - 前記樹脂シートは、加熱硬化する前の粉体の前記熱硬化性樹脂を加圧して成形されることを特徴とする請求項3記載の回路装置の製造方法。
- 前記モールド金型のゲートから前記キャビティに注入される樹脂と、前記樹脂シートとは組成が同じであることを特徴とする請求項4記載の回路装置の製造方法。
- 前記樹脂シートの大きさを前記回路基板よりも大きく形成し、前記回路基板の下面全域を前記樹脂シートにより被覆することを特徴とする請求項5記載の回路装置の製造方法。
- 溶融した前記樹脂シートから成り前記回路基板の下面を被覆する前記封止樹脂に含まれるフィラーは、前記ゲートから注入されて前記回路基板の上面を被覆する前記封止樹脂に含まれるフィラーよりも、均一に分散した状態であることを特徴とする請求項6記載の回路装置の製造方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012004435A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | On Semiconductor Trading Ltd | 回路装置の製造方法および樹脂封止装置 |
KR20130138010A (ko) * | 2012-06-08 | 2013-12-18 | 현대모비스 주식회사 | 휴대용 전자통신 장치 및 이의 제조 방법 |
US8614397B2 (en) | 2010-07-22 | 2013-12-24 | On Semiconductor Trading, Ltd. | Circuit device |
US8624408B2 (en) | 2010-07-22 | 2014-01-07 | On Semiconductor Trading, Ltd. | Circuit device and method of manufacturing the same |
JP2015215061A (ja) * | 2014-05-12 | 2015-12-03 | 日本精工株式会社 | 転がり軸受 |
CN117334644A (zh) * | 2023-11-29 | 2024-01-02 | 四川弘智远大科技有限公司 | 一种集成电路封装的实时固化结构 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05102216A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH05198707A (ja) * | 1992-01-22 | 1993-08-06 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH05243301A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置製造方法 |
JP2000114295A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2003017631A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置およびその製造方法 |
-
2008
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05102216A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH05198707A (ja) * | 1992-01-22 | 1993-08-06 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH05243301A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置製造方法 |
JP2000114295A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2003017631A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置およびその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012004435A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | On Semiconductor Trading Ltd | 回路装置の製造方法および樹脂封止装置 |
US8614397B2 (en) | 2010-07-22 | 2013-12-24 | On Semiconductor Trading, Ltd. | Circuit device |
US8624408B2 (en) | 2010-07-22 | 2014-01-07 | On Semiconductor Trading, Ltd. | Circuit device and method of manufacturing the same |
KR20130138010A (ko) * | 2012-06-08 | 2013-12-18 | 현대모비스 주식회사 | 휴대용 전자통신 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2015215061A (ja) * | 2014-05-12 | 2015-12-03 | 日本精工株式会社 | 転がり軸受 |
CN117334644A (zh) * | 2023-11-29 | 2024-01-02 | 四川弘智远大科技有限公司 | 一种集成电路封装的实时固化结构 |
CN117334644B (zh) * | 2023-11-29 | 2024-02-13 | 四川弘智远大科技有限公司 | 一种集成电路封装的实时固化结构 |
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