JP2010056499A - 多層配線基板の製造方法及び多層配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】ビルドアップ法により金属配線を積層して多層配線基板を製造するに際して、形状精度の高い金属配線が積層形成された多層配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】第一電気回路１ａに突設された導体柱１ｂを埋設させるように絶縁層２が形成されてなる導体柱含有回路基板の表面に樹脂皮膜３を形成する皮膜形成工程と、樹脂皮膜の外表面側からレーザー加工することにより、回路溝４を形成及び導体柱１ｂを露出させる導体柱露出工程と、外表面全体にメッキ触媒６を付着させる触媒付着工程と、樹脂皮膜３を除去する皮膜除去工程と、メッキ触媒６が残留する部位に無電解メッキ膜を形成させることにより、第二電気回路８を形成するとともに導体柱１ｂにより第一電気回路１ａと第二電気回路８との層間接続を形成するメッキ処理工程と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、多層配線基板の製造方法及び多層配線基板に関する。

近年、電気・電子分野における配線回路の高密度化の要請に応じるべく、配線幅の細線化や配線間隔の狭化が進んでいる。

従来から、絶縁基材に金属配線を形成する方法としては、サブトラクティブ法やアディティブ法が知られている。サブトラクティブ法は、絶縁基材表面に被着された金属箔の不要な部分を除去（サブトラクティブ）することにより、金属配線を形成したい部分の金属箔のみを残す方法である。一方、アディティブ法は、絶縁基材表面の金属配線を形成したい部分のみに無電解メッキを施す方法である。

サブトラクティブ法は、厚膜の金属箔をエッチングすることにより、回路形成部分のみの金属箔を残す方法である。この方法によれば、除去される部分の金属を浪費することになる。一方、アディティブ法は、金属配線を形成したい部分のみに無電解メッキ膜を形成することができるために、金属を浪費しない。

従来の代表的なアディティブ法であるフルアディティブ法により、金属配線を形成する方法の概略について、図９（Ａ）〜（Ｅ）の工程断面図を参照しながら説明する。

はじめに、図９（Ａ）に示すように、スルーホール１０１が設けられた絶縁基材１００の表面にメッキ触媒１０２を付着させる。なお、絶縁基材１００の表面は、予め粗化されている。次に、図９（Ｂ）に示すように、フォトレジスト層１０３を形成する。次に、図９（Ｃ）に示すように、フォトレジスト層１０３の表面に所定の回路パターンが形成されたフォトマスク１１０を介して露光する。次に、図９（Ｄ）に示すように、回路パターンを現像する。そして、図９（Ｅ）に示すように、現像により形成された回路パターン部分及びスルーホールに無電解銅メッキを施すことにより金属配線１０４を形成する。このような工程により絶縁基材１００の表面に電気回路が形成される。

このような従来のアディティブ法によれば、次のような問題が生じていた。すなわち、フォトレジスト層１０３がフォトマスクのパターン通りに高精度に現像された場合には、フォトレジストで保護されていない部分のみに正確にメッキ膜を形成させることができる。しかし、フォトレジスト層１０３が高精度に現像されなかった場合には、絶縁基材１００の表面全体にメッキ触媒１０２が付着されているために、図１０に示すような、本来メッキ膜を形成したくない部分に余分なメッキ膜１０５が形成されることがあった。そして、このような余分なメッキ膜１０５が形成された場合には、隣接する金属配線間に短絡やマイグレーションが起こりやすくなる。特に、配線間隔が狭くなるにつれて、このような問題がより発生しやすくなる。

このような問題を解決すべく、下記特許文献１には、絶縁基材上に保護膜をコーティングする工程と、保護膜をコーティングした絶縁基材上に機械加工あるいはレーザービームの照射により配線パターンに対応した溝及びスルーホールを形成する工程と、絶縁基材全面に活性化層を形成する工程と、保護膜を剥離して溝およびスルーホールの内壁面のみに活性化層を残す工程と、絶縁基材に残された活性化層が付着した溝およびスルーホールの内壁面のみに選択的に導電層を形成する工程とを備えた印刷配線板の製造方法が記載されている。この方法を、図１１の工程断面図を参照しながら説明する。

はじめに、図１１（Ａ）に示すように、絶縁基材２００の表面に保護膜２０１をコーティングする。次に、図１１（Ｂ）に示すように、保護膜２０１をコーティングした絶縁基材２００上にレーザー加工により、所望の配線パターンの溝２０２及びスルーホール２０３を形成する。次に、図１１（Ｃ）に示すように、溝２０２及びスルーホール２０３の表面、並びに保護膜２０１の表面にメッキ触媒２０４を付着させる。そして、図１１（Ｄ）に示すように、保護膜２０１を剥離して、溝２０２およびスルーホール２０３の表面のみにメッキ触媒２０４を残す。次に、図１１（Ｅ）に示すように、メッキ触媒２０４が残された部分のみに選択的に無電解メッキ膜を形成することにより、スルーホール２０３の内壁面及び溝２０２のみに導電層２０５が形成される。

ところで、近年、高密度化された多層配線基板の製造方法として、各層の回路を逐次に一層ずつ形成し、層間接続ビアを形成しながら積層するビルドアップ法が知られている。ビルドアップ法の一般的な方法を図１２の工程断面図を参照しながら説明する。

ビルドアップ法においては、はじめに、図１２（Ａ）に示すように、第１層目の絶縁基材３００上に金属配線３０１を形成する。次に、図１２（Ｂ）に示すように、絶縁基材３００表面に絶縁樹脂層３０２を形成する。絶縁樹脂層３０２は、例えば、液状樹脂を塗布して硬化させたり、絶縁体フィルムを貼り合わせたりすることにより形成される。次に、図１２（Ｃ）に示すように、絶縁樹脂層３０２にブラインドビアホール（ＩＶＨ）３０４を形成する。ＩＶＨ３０４はレーザー加工により形成される。レーザー加工により形成されたＩＶＨ３０４の底部には、図１２（Ｃ）に示すように、樹脂残渣であるスミア３０５が残る。金属配線３０１は薄膜であるために、レーザー加工によりスミア３０５を完全に除去しようとすると、金属配線３０１が薄くなったり、孔が空いてしまったりするおそれがある。そのために、レーザー加工は、絶縁樹脂を完全に除去する前に終了しなければならない。このように、ＩＶＨ３０４の底部のスミア３０５をレーザー加工により完全に除去することが困難である。

ＩＶＨ３０４の底部に残ったスミア３０５は導通不良の原因となる。このためスミア３０５は、デスミア処理により、図１２（Ｄ）に示すように除去しなければならない。デスミア処理とは、過マンガン酸溶液等に浸漬することにより、スミア３０５を溶解除去する処理である。なお、デスミア処理は、絶縁樹脂層３０２の表面を粗化する処理を兼ねている。この粗化された表面は、絶縁樹脂層３０２と新たに形成される二層目の金属配線３０７との密着性を高める。次に、図１２（Ｅ）に示すように、絶縁樹脂層３０２の表面にフォトレジスト層３０６を形成する。次に、図１２（Ｆ）に示すように、フォトレジスト層３０６の表面に所定の回路パターンが形成された図略のフォトマスクを介して露光した後、回路パターンを現像する。そして、図１２（Ｇ）に示すように、現像により形成された回路パターン部分及びスルーホールに無電解銅メッキを施すことにより金属配線３０７が形成される。
特開昭５８−１８６９９４号公報

図１２（Ａ）〜（Ｇ）を参照して説明したようなビルドアップ法に、高精度の金属配線を形成しうる図１１（Ａ）〜（Ｅ）で説明したようなアディティブ法を適用して新たな金属配線を形成する場合、以下に説明するような問題があった。図１１（Ａ）〜（Ｅ）に記載されたアディティブ法をビルドアップ法に適用する場合の工程について、図１３の工程断面図を参照しながら説明する。

はじめに、図１３（Ａ）に示すように、絶縁基材３００の表面に金属配線３０１を形成する。次に、図１３（Ｂ）に示すように、絶縁基材３００の表面に絶縁樹脂層２００を形成する。次に、図１３（Ｃ）に示すように、絶縁樹脂層２００上に保護膜２０１をコーティングする。次に、レーザー加工により、図１３（Ｄ）に示すように、保護膜２０１をコーティングした絶縁樹脂層２００上に配線パターンに対応した溝２０２及びスルーホール２０３を形成する。このとき、レーザー加工により形成されたスルーホール２０３の底部にはスミア３０５が残る。スミア３０５は、導通不良の原因になるために除去しなければならない。しかしながら、保護膜２０１の形成後にデスミア処理する場合、図１３（Ｅ）に示すようにスミア３０５とともに保護膜２０１も膨潤又は溶解してしまうという問題があった。また、メッキ触媒を付着させた後、デスミア処理をする場合には、金属配線を形成しようとする部分のメッキ触媒が遊離してしまうという問題があった。従って、図１２（Ａ）〜（Ｅ）で説明したようなアディティブ法をビルドアップ法に適用した方法では、高精度な金属配線を有する多層配線基板が得られなかった。

本発明は、上記問題点を解決するものであり、ビルドアップ法により金属配線を積層して多層配線基板を製造するに際して、形状精度の高い金属配線が積層形成された多層配線基板を提供することを目的とする。

本発明の多層配線基板の製造方法は、第一電気回路の所定位置に突設された導体柱を埋設させるように絶縁層が形成されてなる導体柱含有回路基板の、前記導体柱の突設側の絶縁層表面に樹脂皮膜を形成する皮膜形成工程と、前記樹脂皮膜の外表面側からレーザー加工することにより、少なくとも前記樹脂皮膜の厚み分以上の深さの回路溝を形成する回路溝形成工程と、前記樹脂皮膜の外表面側からレーザー加工することにより、前記導体柱を露出させる導体柱露出工程と、前記露出した導体柱，前記回路溝表面及び前記樹脂皮膜の外表面全体にメッキ触媒を付着させる触媒付着工程と、前記樹脂皮膜を除去する皮膜除去工程と、前記皮膜除去工程の後に、前記メッキ触媒が残留する部位に無電解メッキ膜を形成させることにより、第二電気回路を形成するとともに前記導体柱により前記第一電気回路と前記第二電気回路との層間接続を形成するメッキ処理工程と、を備えることを特徴とする。上記構成によれば、導体柱含有回路基板の絶縁層表面に形成された樹脂皮膜をレーザー加工により部分的に除去して回路溝を形成し、その回路溝の表面及び除去されていない樹脂皮膜の表面全体にメッキ触媒を付着させた後、樹脂皮膜を除去することにより、回路溝の表面のみにメッキ触媒を付着させることができる。そして、メッキ触媒が付着している部分によって規定される部分のみに無電解メッキ膜が形成される。このように、電気回路を形成したい部分のみにメッキ触媒を付着させることにより、高精度な輪郭を維持した電気回路を形成することができる。また、樹脂皮膜の外表面側からレーザー加工することにより導体柱を露出させた後、無電解メッキ膜を形成するために、予め形成された第一電気回路と絶縁層上に新たに形成される第二電気回路とを導体柱により層間接続することができる。この場合において、下層の第一電気回路には導体柱が形成されているために、掘り込むように導体柱を露出させたとしても、第一電気回路自身は損傷されない。従って、高エネルギーのレーザー加工により導体柱表面のスミアを完全に除去することができる。このために、デスミア処理をしなくても導体柱を介して第一電気回路と第二電気回路との間で充分な層間接続を維持することができる。このように、本方法によれば、デスミア処理を必要とせずに層間接続をすることが可能であるために、第二電気回路の形成に用いられる樹脂皮膜がデスミア処理により剥離または溶解することを抑制することができる。その結果、新たに形成される第二電気回路の輪郭を高い精度で維持することができ、回路線間に無電解メッキ膜の断片等が残留することを抑制することができる。従って、ビルドアップ法により、配線幅や配線間隔が狭い第二電気回路を積層する場合でも、短絡やマイグレーションの発生が抑制された電気回路が形成される。なお、本明細書において、「導体柱」は電気回路の表面に略垂直方向に突設された、電気回路を形成する金属箔に比べて充分に厚い厚みを有する導電性の凸部であればよく、その形状は特に限定されない。従って、円柱、角柱のような柱状の形状ほか、導体バンプと呼ばれるような錐状の形状のものも含まれる。

また、前記導体柱の露出は、レーザー加工により導体柱の頂部の一部が除去されているようなものであることが好ましい。導体柱は、第一電気回路を形成している金属箔に比べて充分な厚みを有する。そのために、導体柱に強度の高いレーザーを照射しても、第一電気回路を形成している金属箔は損傷されない。従って、レーザー加工により導体柱の頂部の一部が除去される程度に露出させることにより、デスミア処理を施さずに、導体柱表面に残留するスミアを充分に除去することができる。

また、前記回路溝は、前記樹脂皮膜を通過して、前記絶縁層を掘り込むように形成されていることが好ましい。このような場合には、形成されるメッキ膜を厚膜にしたり、後述する図４に示すような絶縁層の深い部分に回路を形成することができる。

また、上記多層配線基板の製造方法においては、さらに、前記樹脂皮膜が蛍光性物質を含有し、前記皮膜除去工程の後、前記蛍光性物質からの発光を用いて皮膜除去不良を検査するための検査工程を備えることが好ましい。上記のような多層配線基板の製造方法においては、配線幅及び配線間隔が極端に小さくなった場合には、隣接する配線間の本来除去すべきであった部分の皮膜が完全に除去しきれず、わずかに残留することも懸念される。また、レーザー加工の際に除去された樹脂被膜の断片が、形成された回路溝に入り込み残留することも懸念される。配線間に樹脂皮膜が残留した場合には、その部分にメッキ膜が形成されてしまい、マイグレーションや短絡の原因になりうる。また、形成された回路溝に樹脂被膜の断片が残留した場合には、電気回路の耐熱性不良や伝搬損失の原因にもなる。このような場合において、上記のように樹脂皮膜に蛍光性物質を含有させ、皮膜除去工程の後、皮膜除去面に所定の発光源を照射して皮膜が残留している部分のみを蛍光性物質により発光させることにより、皮膜除去不良の有無や皮膜除去不良の箇所を検査することができる。

また、前記樹脂皮膜の厚みが１０μｍ以下であることが、微細な電気回路をより高精度に形成することができる点から好ましい。

また、前記樹脂皮膜は、所定の液体に膨潤されることにより前記絶縁層表面から剥離されるような膨潤性樹脂皮膜であること、具体的には、前記液体に対する膨潤度が５０％以上であるような膨潤性樹脂皮膜であることが好ましい。このような膨潤性樹脂皮膜を用いることにより、絶縁層表面から樹脂皮膜を容易に剥離除去することができる。

また、前記導体柱含有回路基板が、前記第一電気回路の所定位置に予め突設された導体柱の形成面に絶縁層を積層一体化するようにして形成された基板であることが、導体柱を容易に絶縁層中に埋設させることができるために製造が容易である点から好ましい。

また、前記導体柱含有回路基板が、前記第一電気回路の所定位置に予め突設された導体柱の形成面に樹脂溶液を塗布した後、硬化させることにより絶縁層を形成することにより得られた基板であることが、絶縁層の厚みの調整が容易である点から好ましい。

また、前記導体柱含有回路基板が、第一電気回路の表面に絶縁層を形成した後、前記絶縁層の前記第一電気回路の形成面に対する反対面から穴あけ加工することにより、前記電気回路を露出させ、露出した前記第一電気回路表面からメッキ膜を成長形成させることにより穴あけ加工された部分に導体柱を形成することにより得られた基板であることが好ましい。この場合において、前記穴あけ加工された部分にメッキ膜を成長形成させる工程が、穴あけ加工後にデスミア処理した後、露出した前記第一電気回路を電極として、電解メッキによりメッキ膜を成長形成させる工程であることがより好ましい。この方法によれば、樹脂皮膜を形成させる前に第一電気回路表面をデスミア処理し、その後、電解メッキにより層間接続部になる導電柱を形成することができる。従って、回路形成時の樹脂皮膜がデスミア処理により膨潤又は溶解するおそれがない。この場合において、露出させた第一電気回路を電極として、電解メッキによりメッキを成長形成させることができるために、容易に導電柱を形成することができる。また、第一電気回路に給電することが困難な場合には、露出した第一電気回路の表面をメッキ核として、無電解メッキによりメッキ膜を成長形成させることもできる。

また、本発明の別の多層配線基板の製造方法としては、基板上に形成された第一電気回路の形成面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層表面に樹脂皮膜を形成する皮膜形成工程と、前記樹脂皮膜の外表面側からレーザー加工することにより、少なくとも前記樹脂皮膜の厚み分以上の深さの回路溝を形成する回路溝形成工程と、前記回路溝表面及び前記樹脂皮膜の外表面全体にメッキ触媒を付着させる触媒付着工程と、前記樹脂皮膜を除去する皮膜除去工程と、前記皮膜除去工程の後に、前記メッキ触媒が残留する部位に無電解メッキ膜を形成させることにより第二電気回路を形成するメッキ処理工程と、前記第二電気回路の所定の部分において穴あけ加工することにより、前記第一電気回路表面を露出させる穴あけ工程と、露出した前記第一電気回路の表面からメッキ膜を成長形成させることにより穴あけ加工された部分に導体柱を形成することにより前記第一電気回路と前記第二電気回路との層間接続部を形成する層間接続部形成工程と、を備えることを特徴とする。上記構成によれば、第二電気回路の形成後に、所望の部分に第一電気回路との層間接続部を形成することができる。また、第二電気回路の形成後に穴あけ加工し、メッキ膜を成長形成させて第一電気回路と第二電気回路との層間接続部になる導体柱を形成するために、第一電気回路表面のスミアを除去するためにデスミア処理しても、第二電気回路形成に影響しない。その結果、ビルドアップ法により、配線幅や配線間隔が狭い第二電気回路を積層する場合でも、短絡やマイグレーションの発生が抑制された第二電気回路が形成される。この場合において、露出させた第一電気回路を電極として、電解メッキによりメッキを成長形成させることができるために、容易に導電柱を形成することができる。また、第一電気回路に給電することが困難な場合には、露出した前記電気回路表面をメッキ核として、無電解メッキによりメッキ膜を成長形成させることもできる。

本発明の製造方法によれば、予め形成された第一電気回路の上層に新たな第二電気回路を積層した多層配線基板を製造する場合において、新たに形成される第二電気回路の形状精度を維持しながら、第一電気回路との導通不良を抑制した多層配線基板を得ることができる。

［第１実施形態］
図１は本実施形態を説明するための工程図である。図１中、１，２は絶縁層（絶縁基材）、１ａは第一電気回路、３は樹脂皮膜、４は回路溝、５は貫通孔、６はメッキ触媒、７は無電解メッキ膜、である。また、第一電気回路１ａの表面の所定の位置には、略円錐状の導体バンプ（導体柱）１ｂが形成されている。

本実施形態の製造方法においては、はじめに、図１（Ａ）に示すように、絶縁基材１表面に形成された第一電気回路１ａと絶縁基材２とを重ね合わせ、第一電気回路１ａの所定位置に突設された導体バンプ１ｂを埋設させるように積層する。それにより、図１（Ｂ）に示すように、積層一体化された導体柱含有回路基板９が形成される。このとき、第一電気回路１ａの表面に突設された導体バンプ１ｂは絶縁基材２に侵入することにより埋設されている。

絶縁基材としては、多層配線基板の製造に用いられうる各種有機基板が用いられる。有機基板の具体例としては、エポキシ樹脂シート、アクリル樹脂シート、ポリカーボネート樹脂シート、ポリイミド樹脂シート等が特に限定なく用いられうる。また、上記樹脂シートの他、繊維基板に熱硬化性樹脂が含浸されてなるプリプレグも好ましく用いられうる。絶縁基材２の厚みは特に限定されないが、例えば、１０〜２００μｍ、さらには２０〜１００μｍ程度であることが好ましい。

また、導体柱含有回路基板９の形成においては、絶縁層１の第一電気回路１ａが形成された側の表面に、樹脂溶液を塗布した後、硬化させることにより絶縁層２を形成してもよい。このような方法に用いられる樹脂溶液としては、従来から多層配線基板の製造に用いられているような、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂溶液が特に限定なく用いられうる。

本実施形態においては、第一電気回路１ａは、絶縁基材１表面に形成されている。そして、第一電気回路１ａの表面の所定の位置には導体バンプ１ｂが突設されている。第一電気回路１ａは、サブトラクティブ法、アディティブ法等の従来から知られた回路形成方法により形成されうる。

導体バンプ１ｂは、第一電気回路１ａの表面に、導電性ペーストをスクリーン印刷することにより形成されうる。具体的には、スクリーン印刷により、例えば、銀ペースト等の導電性ペーストを第一電気回路１ａの表面の所定の位置に印刷する。なお、一回の印刷で所望の高さが得られない場合には、スクリーン印刷を複数回繰り返して、導電性ペーストを高さ方向に継ぎ足してもよい。そして、所定の位置に導電性ペーストを載置した後、半硬化状態で頂部が尖った円錐状などの形状に成形し、さらに硬化させることにより導体バンプが形成される。また、半硬化状態で成形する代わりに、導電性ペーストを所定の位置に載置した後、硬化させた後、エッチングプロセスを用いて所定の形状に成形してもよい。また、別の方法としては、比較的厚膜の金属箔をフォトレジスト法を用いてエッチングすることにより形成したり、さらには、メッキプロセスを用いて形成してもよい。

導体バンプ１ｂの形状、大きさ、間隔等は特に限定されない。具体的には、例えば、略円錐状であって、高さが５〜２００μｍ程度、底面の直径が１０〜５００μｍ程度のようなものが挙げられる。

第一電気回路１ａの表面に絶縁層２を形成するときの導体バンプ１ｂの埋設の形態は例えば、図２（Ａ）に示すように、絶縁基材２に導体バンプ１ｂの頭部が露出せずに完全に埋没しているような形態や、図２（Ｂ）に示すように、絶縁基材２に導体バンプ１ｂが貫通するように突き刺され、導体バンプ１ｂの頂部のみが露出するような形態など、特に限定されない。

絶縁層２の形成は、例えば、絶縁基材２を絶縁層１表面に形成された第一電気回路１ａに重ね合わせ、加熱プレスすることにより行われうる。絶縁基材２としてプリプレグを用いる場合には、この加熱プレスにより硬化させてもよい。

次に、図１（Ｃ）に示すように、導体柱含有回路基板９の主面（導体バンプ１ｂの突設側に対向する絶縁層２の表面）に樹脂皮膜３を形成する（皮膜形成工程）。

樹脂皮膜３は、絶縁層２の表面に液状材料を塗布した後、乾燥させたり、絶縁層２の表面に、予め形成された樹脂フィルムを貼り合せたりすることにより形成される。

樹脂皮膜３は、所定の液体で膨潤または溶解させることにより、絶縁層２の表面から容易に除去しうるような樹脂皮膜が好ましく用いられうる。具体的には、例えば、有機溶剤やアルカリ溶液により容易に溶解しうる可溶型樹脂からなる皮膜や、所定の溶媒で膨潤しうる膨潤性樹脂からなる皮膜（本明細書においては、膨潤性樹脂皮膜ともいう）が挙げられる。これらの中では、正確な除去が容易である点から膨潤性樹脂皮膜が特に好ましい。

膨潤性樹脂皮膜としては、膨潤液に対する膨潤度が５０％以上、さらには１００％以上で、１０００％以下であるような膨潤度の樹脂皮膜が好ましく用いられうる。前記膨潤度が低すぎる場合には、膨潤性樹脂皮膜が剥離しにくくなる傾向があり、高すぎる場合には、皮膜強度が低下することにより剥離する際に破れる等して剥離が困難になる傾向がある。このような膨潤性樹脂は、絶縁層２の表面にエラストマーのサスペンジョン又はエマルジョンを塗布した後、乾燥することや、支持基板にそれらを塗布した後、乾燥することにより形成される皮膜を絶縁層２の表面に転写することにより形成することができる。

このようなエラストマーの具体例としては、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマー樹脂粒子の架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度の膨潤性樹脂皮膜を容易に形成することができる。

塗布する方法は特に限定されず、従来から知られたスピンコート法やバーコーター法等が特に限定なく用いられうる。

樹脂皮膜３の厚みとしては、１０μｍ以下、さらには５μｍ以下であり、０．１μｍ以上、さらには１μｍ以上であることが好ましい。樹脂皮膜３の厚みが厚すぎる場合には、微細な回路パターンをレーザー加工により形成する際に精度が低下する傾向があり、前記厚みが薄すぎる場合は、均一な膜厚の樹脂皮膜を形成しにくくなる傾向がある。

次に、図１（Ｄ）に示すように、樹脂皮膜３の外表面側からレーザー加工することにより、少なくとも前記樹脂皮膜の厚み分以上の深さの回路溝４を形成する（回路溝形成工程）。このようにレーザー加工を用いることにより、配線幅２０μｍ以下のような微細な回路溝も容易に形成することができる。このような微細な金属配線を形成することにより、高精度の加工が要求されるアンテナ回路等を容易に形成することができる。また、レーザー加工によれば、レーザーの強度を変化させることにより、切削深さ等を自由に調整することができる。また、レーザー加工によれば、絶縁層２の電気回路を形成したい部分の樹脂皮膜のみを選択的に除去することができる。これにより、後述する触媒付着工程と皮膜除去工程とを経て、絶縁層２の電気回路を形成したい部分のみにメッキ触媒を残留させることができるために、高精度な輪郭を維持した第二電気回路を形成することができる。

そして、図１（Ｄ）に示すように、樹脂皮膜３の外表面側からレーザー加工することにより、導体バンプ１ｂを露出させる（導体柱露出工程）。このとき、導体バンプ１ｂを露出させることにより、絶縁層２を貫通する貫通孔５が形成される。導体バンプ１ｂの露出は表面のスミアを充分に除去するために、図３に示すように、その頂部を除去して、導体バンプ１ｂ自身を掘り込んだような状態になるように露出させることが好ましい。導体バンプ１ｂは、第一電気回路１ａに比べて充分な厚みを有するために、高いレーザー強度で照射しても、孔ができるようなことがない。従って、第一電気回路１ａの表面に突設された導体バンプ１ｂを掘り込むように高い強度でレーザー加工したとしても、第一電気回路１ａ自身は損傷されない。そして、このように導体バンプ１ｂを露出させることにより、導体バンプ１ｂ表面のスミアを完全に除去することができる。従って、デスミア処理しなくても新たに形成される第二電気回路の金属配線と導体バンプとの間で充分な層間接続を維持することができる。すなわち、レーザー加工により導体バンプ１ｂを露出させた後、後述するメッキ処理を施すことにより、露出した導体バンプ１ｂと新たに形成される第二電気回路とをメッキ膜により層間接続することができる。

次に、図１（Ｅ）に示すように、レーザー加工により露出した導体バンプ１ｂ，回路溝４及び樹脂皮膜３の外表面全体にメッキ触媒またはその前駆体を付着させる（触媒付着工程）。

メッキ触媒６は、後述するメッキ処理工程において、無電解メッキ膜を充分且つ効果的に成長形成させるために付与される触媒またはその前駆体であり、無電解メッキ用の触媒として知られたものであれば特に限定なく用いられうる。その具体例としては、例えば、金属パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等、または、これらを生成させるような前駆体等が挙げられる。

メッキ触媒６を付着させる方法としては、例えば、次のような方法が挙げられる。はじめに、絶縁層２の表面に付着している油分等を除去するために、界面活性剤溶液中で所定の時間湯洗する。次に、濃度０．１％程度の塩化第一錫水溶液等に浸漬して塩化第一錫を吸着させた後、濃度０．０１％程度の塩化パラジウム水溶液等にさらに浸漬することにより塩化パラジウムを吸着させる。そして、レーザー加工された部分の表面、及びレーザー加工されていない樹脂皮膜３の表面全体において、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で酸化還元反応（ＳｎＣｌ₂＋ＰｄＣｌ₂→ＳｎＣｌ₄＋Ｐｄ↓）させることにより金属パラジウムを形成させる。

このような触媒付着処理により、図１（Ｅ）に示すように、レーザー加工された部分の表面、及びレーザー加工されていない樹脂皮膜３の表面全体にメッキ触媒６を付着させることができる。

次に、図１（Ｆ）に示すように、樹脂皮膜３を所定の液体で膨潤または溶解させることにより除去する（皮膜除去工程）。この工程によれば、レーザー加工により形成された回路溝４及び露出した導体バンプ１ｂの表面のみにメッキ触媒６を残留させ、それ以外の部分（樹脂皮膜３の表面）に付着されたメッキ触媒６を除去することができる。

皮膜除去工程において、樹脂皮膜３を除去する方法としては、アルカリ溶液等の所定の液に所定の時間浸漬することにより、樹脂皮膜３を溶解除去する方法や又は樹脂皮膜３を膨潤させて剥離する方法が挙げられる。アルカリ溶液としては、所定の濃度のアルカリ水溶液、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等が用いられうる。また、この際、除去効率を高めるために、浸漬中に超音波照射することが好ましい。なお、膨潤させて剥離するときには、必要に応じて軽い力で引き剥がしてもよい。

次に、図１（Ｇ）に示すように、皮膜除去工程の後に、メッキ触媒６が残留する部位に、無電解メッキ膜を形成する（メッキ処理工程）。この工程により、第二電気回路を形成したい部分のみに無電解メッキ膜を析出させることができる。また、この工程により、新たに形成される上層の第二電気回路８と下層の第一電気回路１ａとが導体バンプ１ｂ及び無電解メッキ膜７を介して層間接続される。

無電解メッキ膜の形成方法としては、皮膜除去工程後の導体柱含有回路基板９を無電解めっき液に浸漬することにより、メッキ触媒６が付着された部分のみに無電解メッキ膜７を析出させる方法が用いられうる。

無電解メッキに用いられる金属としては、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ａｌ（アルミニウム）等が挙げられる。これらの中では、Ｃｕを主成分とするメッキが導電性に優れている点から好ましく、また、Ｎｉを含む場合には耐食性や、はんだ等との密着性に優れている点等から好ましい。

無電解メッキ膜７の膜厚は、特に限定されないが、０．１〜１０μｍ、さらには１〜５μｍ程度であることが好ましい。

このようなメッキ処理工程により、絶縁層２表面のレーザー加工された部分のみに無電解メッキ膜７を析出させることができる。これにより絶縁層２表面に第二電気回路８が形成されるとともに、形成された第二電気回路８と第一電気回路１ａとが導体バンプ１ｂにより層間接続される。

このような工程を経て、図１（Ｇ）に示すような絶縁層２の表面に第二電気回路８を有する多層配線基板１０が形成される。多層配線基板１０においては、上層の第２電気回路８は導体バンプ１ｂ及び無電解メッキ膜７を介して下層の第１電気回路１ａと導通化されている。

なお、本実施形態の製造方法を用いれば、レーザー加工による除去深さを調整することにより、図４に示すように、絶縁層２の深い部分に形成される第二電気回路８ａや、８ａと８ｂのように、互いに深さの異なる位置に第二電気回路を形成したりすることもできる。また、８ｃに示すように、形成される溝を深く形成して厚膜にメッキ膜を形成することにより、断面積が大きい金属配線を容易に形成することができる。この場合には、金属配線の電気容量を増加させることができるとともに、金属配線の強度を向上させることができる点から好ましい。

上記多層配線基板の製造方法においては、樹脂皮膜３に蛍光性物質を含有させることにより、上述した皮膜除去工程の後、検査対象面に紫外光や近紫外 光を照射することによる蛍光性物質からの発光を用いて皮膜除去不良を検査することができる。本実施形態の多層配線基板の製造方法においては、配線幅及び配線間隔が極端に小さい金属配線を形成することができる。このような場合においては、図５の回路５０の上面拡大図における樹脂皮膜の残渣５３として示したように、隣接する金属配線５１間の樹脂皮膜が完全に除去されずに残留することが懸念される。金属配線間に樹脂皮膜が残留した場合には、その部分にメッキ膜が形成されてしまい、マイグレーションや短絡の原因になりうる。このような場合、樹脂皮膜３に蛍光性物質を含有させ、皮膜除去工程の後、皮膜除去面に所定の発光源を照射して皮膜が残留している部分のみを蛍光性物質により発光させることにより、皮膜除去不良の有無や皮膜除去不良の箇所を検査することができる。

本検査工程に用いられる樹脂皮膜に含有させうる蛍光性物質は、所定の光源により光を照射することにより発光特性を示すものであればとくに限定されない。その具体例としては、例えば、Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｉｎｅ、Ｅｏｓｉｎｅ、Ｐｙｒｏｎｉｎｅ Ｇ等が挙げられる。

本検査工程により蛍光性物質からの発光が検出された部分は、樹脂皮膜３が残留する部分である。従って、発光が検出された部分を除去することにより、その部分にメッキ膜が形成されることを抑制できる。これにより、マイグレーションや短絡の発生を未然に抑制することができる。

なお、本実施形態においては、上述のように、絶縁基材１表面に形成された第一電気回路１ａを用いたが、電気回路を用いる代わりに、回路形成されていない金属箔を用いてもよい。この場合には所定の部分に導体バンプが形成された金属箔シートが用いることができる。そして、メッキ処理工程後に、サブトラクティブ法により積層一体化された金属箔をエッチングして電気回路を形成してもよい。

以上説明した多層配線基板の製造方法によれば、ビルドアップ法により電気回路を積層して多層配線基板を製造するに際して、下層の第一電気回路に形成されている導体バンプをレーザー加工することにより露出させて無電解メッキ膜を形成することにより、新たに形成される上層の第二電気回路と予め形成されている下層の第一電気回路との層間接続を容易に実現できる。また、新たに形成される第二電気回路は、金属配線を形成したい部分のみにメッキ触媒を付着させて形成されるために、形状精度の高い電気回路が得られる。これにより、形状精度の高い電気回路が形成された多層配線基板を提供することができる。このような多層配線基板の製造方法を用いることにより、配線幅及び配線間隔が狭いＩＣサブストレート、携帯電話用プリント配線板、立体配線基板等の用途に用いられる多層配線基板を製造することができる。

［第２実施形態］
第２実施形態では、第一電気回路の所定位置に突設された導体柱を埋設させるように絶縁層が形成されてなる、導体柱含有回路基板の他の製造方法について説明する。なお、導体柱含有回路基板の製造以外の各工程は、第１実施形態と同様の工程が用いられうるので、詳しい説明は省略する。

第２実施形態における導体柱含有回路基板の製造方法について、図６を参照して説明する。

図６中、１，２は絶縁層（絶縁基材）、１ａは第一電気回路、６０はレーザー加工された穴、６１はスミア、６２は導体柱である。

本実施形態の製造方法においては、はじめに、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、第一電気回路１ａが形成されている絶縁層１の表面に絶縁層２を形成する。そして、図６（Ｃ）に示すように、絶縁層２の第一電気回路１ａとの張り合わせ面に対する反対面から、絶縁層にレーザー加工等により穴あけ加工することにより、第一電気回路１ａの表面を露出させる。このとき、レーザー加工により形成された穴６０の底部における第一電気回路１ａの表面には、図６（Ｃ）に示すように、樹脂残渣であるスミア６１が残る。穴６０の底部に残ったスミア６１は導通不良の原因となる。このためスミア６１は、デスミア処理により、図６（Ｄ）に示すように除去することが好ましい。なお、デスミア処理は、過マンガン酸溶液等に浸漬することによりスミア６１を溶解除去するための公知の方法が特に限定なく用いられる。

そして、デスミア処理した後、露出させた第一電気回路１ａの表面から電解メッキまたは無電解メッキによりメッキを成長させることにより、図６（Ｅ）に示すように、第一電気回路１ａの表面に導体柱６２が突設される。なお、電解メッキを施す場合には、第一電気回路１ａが電極として機能し、無電解メッキを施す場合には第一電気回路１ａの表面がメッキ核として機能する。

第１実施形態で用いた導体柱含有回路基板９の代わりに、上述した導体柱含有回路基板６９を用いる以外は、第１実施形態で説明したのと同様の各工程を用いることにより、多層配線基板が得られる。すなわち、導体柱含有回路基板６９の表面に樹脂皮膜３を形成する（皮膜形成工程）。そして、樹脂皮膜３の外表面側からのレーザー加工することにより、少なくとも前記樹脂皮膜の厚み分以上の深さの回路溝４を形成する（回路溝形成工程）。そして、樹脂皮膜３の外表面側からレーザー加工することにより、導体柱６２を露出させる（導体柱露出工程）。そして、レーザー加工により露出した導体柱６２，回路溝４及び樹脂皮膜３の外表面全体にメッキ触媒またはその前駆体を付着させる（触媒付着工程）。そして、樹脂皮膜３を所定の液体で膨潤または溶解させることにより除去する（皮膜除去工程）。そして、皮膜除去工程の後に、メッキ触媒６が残留する部位に、無電解メッキ膜を形成する（メッキ処理工程）。このような工程を経て、絶縁層２の表面に第二電気回路８を有する多層配線基板が形成される。多層配線基板においては、上層の第２電気回路８は導体柱６２及び無電解メッキ膜７を介して下層の第１電気回路１ａと導通化されている。

このような方法によれば、樹脂皮膜を形成させる前に第一電気回路表面にデスミア処理を施し、その後、電解メッキまたは無電解メッキにより層間接続部になる導電柱を形成することができる。従って、デスミア処理により樹脂皮膜等が生じるおそれがない。また、露出させた第一電気回路を電極として給電することにより、電解メッキによりメッキを成長形成させた場合には、より効率的に導電柱を形成することができる。また、第一電気回路に給電することが困難な場合には、露出した前記電気回路表面をメッキ核として、無電解メッキによりメッキ膜を成長形成させることもできる。

［第３実施形態］
第３実施形態では、第１実施形態及び第２実施形態で説明したように、樹脂皮膜３を形成する前に形成された導電柱を用いる代わりに、樹脂皮膜を剥離して第二電気回路を形成した後に、層間接続部となる導体柱を形成する方法について説明する。なお、第１実施形態及び第２実施形態で説明したと同様の工程については、詳しい説明は省略する。

本実施形態の製造方法においては、はじめに、図７（Ａ）に示すように、絶縁基材１表面に形成された第一電気回路１ａに絶縁層２を積層する。それにより、図７（Ｂ）に示すように、積層一体化された導体柱含有回路基板７９が形成される。

次に、図７（Ｃ）に示すように、絶縁層２の表面に樹脂皮膜３を形成する（皮膜形成工程）。次に、図７（Ｄ）に示すように、樹脂皮膜３の外表面側からのレーザー加工することにより、少なくとも樹脂皮膜３の厚み分以上の深さの回路溝４を形成する（回路溝形成工程）。

次に、図７（Ｅ）に示すように、レーザー加工により形成された回路溝４及び樹脂皮膜３の外表面全体にメッキ触媒６を付着させる（触媒付着工程）。このような触媒付着処理により、レーザー加工された回路溝４の表面、及びレーザー加工されていない樹脂皮膜３の表面全体にメッキ触媒６を付着させることができる。

次に、図７（Ｆ）に示すように、樹脂皮膜３を所定の液体で膨潤または溶解させることにより除去する（皮膜除去工程）。この工程によれば、レーザー加工により形成された回路溝４の表面のみにメッキ触媒６を残留させ、それ以外の樹脂皮膜３の表面に付着されたメッキ触媒６を除去することができる。

次に、図７（Ｇ）に示すように、皮膜除去工程の後に、メッキ触媒６が残留する部位に、無電解メッキ膜を形成する（メッキ処理工程）。この工程により、第二電気回路８を形成したい部分のみに無電解メッキ膜を析出させることができる。

次に、図８（Ａ）に示すように、第二電気回路８の層間接続を形成したい部分において穴あけ加工することにより、第一電気回路１ａ表面を露出させる（穴あけ工程）。このように第二電気回路８の形成後に、第一電気回路との穴あけ加工することにより所望の部分に層間接続部を形成することができる。このとき、レーザー加工により形成された穴８０の底部における第一電気回路１ａの表面には、図８（Ａ）に示すように、樹脂残渣であるスミア８１が残る。穴８０の底部に残ったスミア８１は導通不良の原因となる。このためスミア８１は、デスミア処理により、図８（Ｂ）に示すように除去することが好ましい。

そして、デスミア処理した後、露出させた第一電気回路１ａの表面から電解メッキまたは無電解メッキによりメッキを成長させることにより、図８（Ｃ）に示すように、第一電気回路１ａの表面に導体柱８２が突設される。なお、電解メッキを施す場合には、第一電気回路１ａが電極として機能し、無電解メッキを施す場合には第一電気回路１ａの表面がメッキ核として機能する。

このような方法によれば、樹脂皮膜３を剥離して第二電気回路８を形成した後に、層間接続部となる導体柱８２を形成するために、穴あけ加工後にデスミア処理しても第二電気回路８の形成に影響しない。その結果、ビルドアップ法により、配線幅や配線間隔が狭い第二電気回路を積層する場合でも、短絡やマイグレーションの発生が抑制された第二電気回路が形成される。

以下、本発明を実施例により、さらに詳しく説明する。なお、本発明の範囲は、実施例により何ら限定されるものではない。

表面に金属配線（厚み１８μｍ）が形成された回路基板を厚み１００μｍのプリプレグに重ね合わせる。なお、前記金属配線の表面には、所定の位置に高さ５０μｍ、底面の直径２００μｍの円錐状導体バンプが形成されている。この導体バンプは、導電性ペーストにより形成されたものである。そして、この重ね合わせ体を導体バンプがプリプレグに侵入するように加熱加圧成形することにより、重ね合わせ体が積層一体化された積層体が得られる。

次に、得られた積層体のプリプレグ側表面にスピンコート法を用いて、スチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）サスペンジョン（日本ゼオン（株）製、粒子径２００ｎｍ、固形分１５％）を塗布し、８０℃で３０分間乾燥することにより、２μｍ厚の樹脂皮膜を形成する。

そして、樹脂皮膜が形成された積層体に対して、レーザー加工により所定の位置に幅２０μｍ、深さ３０μｍの略長方形断面の溝形成を行う。また、導体バンプが形成されている部分に向けて、導体バンプを掘り込んで露出させるように孔形成を行う。なお、レーザー加工にはＵＶ−ＹＡＧレーザーを備えたＥＳＩ社製のＭＯＤＥＬ５３３０を用いる。

次に、レーザー加工された積層体をクリーナーコンディショナー（Ｃ／Ｎ３３２０）中に浸漬した後、水洗する。そして、付着されるスズ−パラジウムコロイドの分解を抑制するために、ＰＤ４０４（シプレイ・ファーイースト（株）製）を用いてプリディップ工程を行う。そして、キャタリスト液（ＣＡＴ４４、シプレイ・ファーイースト（株）製）に浸漬し、無電解銅メッキの核となるパラジウムをスズ−パラジウムコロイドの状態で樹脂皮膜が形成された積層体に吸着させる。

そして、スズ−パラジウムコロイドが吸着された積層体を、５％水酸化ナトリウム水溶液中に超音波処理しながら１０分間浸漬することにより、表面のＳＢＲ皮膜を膨潤させることにより、樹脂皮膜を剥離させる。

次に、積層体表面に紫外光を照射する。このとき、紫外光の照射により部分的に蛍光発光が認められる。蛍光部分が認められた部分は、布でラビングすることにより除去する。

次に、積層体をアクセレータ薬液（ＡＣＣ１９Ｅ、シプレイ・ファーイースト（株）製）に浸漬することにより、パラジウム核を発生させる。そして、積層体を無電解メッキ液（ＣＭ３２８Ａ，ＣＭ３２８Ｌ、ＣＭ３２８Ｃ、シプレイ・ファーイースト（株）製）に浸漬させて無電解銅メッキ処理を行う。これにより、厚み５μｍの無電解銅メッキ膜が析出する。上述のような無電解メッキ処理された積層体表面をＳＥＭ（走査型顕微鏡）により観察することにより、レーザー加工された溝部分には、無電解メッキ膜により形成された金属配線が高精度に形成されており、また、導体バンプの表面と溝部分とが無電解メッキ膜により導通化されていることが確認できる。

なお、膨潤性樹脂皮膜の膨潤度は、以下のように測定する。

離型紙上に、絶縁基材上に膨潤性樹脂皮膜を形成するために塗布したＳＢＲサスペンジョンを塗布し、８０℃で３０分間乾燥することにより、エポキシ樹脂基板に形成した厚みと同様の厚みである、２μｍ厚の皮膜を形成する。そして、形成された皮膜を強制的に剥離したものを試料とする。そして、得られた試料０．０２ｇ程度を秤量する。このときの試料重量を膨潤前重量ｍ’とする。そして、秤量された試料を２０±２℃の水酸化ナトリウム５％水溶液１０ｍｌ中に１５分間浸漬する。そして、遠心分離器を用いて１０００Gで約１０分間遠心分離処理を行い、試料に付着した水分等を除去する。そして、遠心分離後の膨潤した試料の重量を測定し、膨潤後重量ｍとする。得られた、膨潤前重量ｍ’及び膨潤後重量ｍから、
「膨潤度ＳＷ＝（ｍ−ｍ’）／ｍ’×１００（%）」の式から、膨潤度を算出する。なお、その他の条件は、ＪＩＳ Ｌ１０１５ ８．２７（アルカリ膨潤度の測定方法）に準じて行う。このとき、得られる膨潤度は約７５０％である。

図１は、本発明に係る第１実施形態を説明するための工程断面図である。 図２（Ａ）は、絶縁層に導体バンプをその頭部が露出せずに埋め込まれるように重ね合わせた形態、図２（Ｂ）は絶縁層に導体バンプを貫通するように突き刺して、その頭部が露出するように重ね合わせた形態、を示す模式断面図である。 図３は、導体バンプの頂部を除去して、導体バンプ自身を掘り込んだような状態になるように露出させた形態を示す模式断面図である。 図４は、絶縁層に形成される金属配線の種々の形態を示す断面模式図である。 図５は、検査工程を説明するための回路の上面拡大図である。 図６は、本発明に係る第２実施形態における、導体柱含有回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 図７は、本発明に係る第３実施形態の多層配線基板の製造方法の前半部を説明するための工程断面図である。 図８は、本発明に係る第３実施形態の多層配線基板の製造方法の後半部を説明するための工程断面図である。 図９は、従来技術であるフルアディティブ法による金属配線の形成工程を説明するための工程断面図である。 図１０は、従来技術であるアディティブ法により形成された回路の輪郭形状を説明するための説明図である。 図１１は、特許文献１に記載されたアディティブ法による金属配線形成を説明するための工程図である。 図１２は、ビルドアップによる金属配線形成を説明するための工程図である。 図１３は、特許文献１に記載されたアディティブ法をビルドアップ法に適用する場合の工程について説明するための工程図である。

符号の説明

１，２，１００，３００ 絶縁層（絶縁基材）
１ａ 第一電気回路
８，８ａ，８ｂ，８ｃ，５１ 第二電気回路
１ｂ，６２，８２ 導体柱（導体バンプ）
３ 樹脂皮膜
４，２０２ 回路溝
５，６０，８０，１０１，２０３，３０４ スルーホール（貫通孔）
６，１０２，２０４ メッキ触媒
７ 無電解メッキ膜
９，６９，７９ 導体柱含有回路基板
１０ 多層配線基板
５０ 回路
５３ 樹脂皮膜の残渣
６１，８１，３０５ スミア
１０３，３０６ フォトレジスト層
１０４ 金属配線
１０５ 余分なメッキ膜
１１０ フォトマスク
２００，３０２ 絶縁樹脂層
２０１ 保護膜
２０５ 導電層

Claims (15)

1. 第一電気回路の所定位置に突設された導体柱を埋設させるように絶縁層が形成されてなる導体柱含有回路基板の、前記導体柱の突設側の絶縁層表面に樹脂皮膜を形成する皮膜形成工程と、
   前記樹脂皮膜の外表面側からレーザー加工することにより、少なくとも前記樹脂皮膜の厚み分以上の深さの回路溝を形成する回路溝形成工程と、
   前記樹脂皮膜の外表面側からレーザー加工することにより、前記導体柱を露出させる導体柱露出工程と、
   前記露出した導体柱，前記回路溝表面及び前記樹脂皮膜の外表面全体にメッキ触媒を付着させる触媒付着工程と、
   前記樹脂皮膜を除去する皮膜除去工程と、
   前記皮膜除去工程の後に、前記メッキ触媒が残留する部位に無電解メッキ膜を形成させることにより、第二電気回路を形成するとともに前記導体柱により前記第一電気回路と前記第二電気回路との層間接続を形成するメッキ処理工程と、を備えることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
2. 前記導体柱の露出がレーザー加工により導体柱の頂部の一部を除去させるものである請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
3. 前記回路溝が前記樹脂皮膜を通過して、前記絶縁層を掘り込むように形成される請求項１または２に記載の多層配線基板の製造方法。
4. 前記樹脂皮膜が蛍光性物質を含有するものであり、前記皮膜除去工程の後、前記蛍光性物質からの発光を用いて皮膜除去不良を検査するための検査工程をさらに備える請求項１〜３の何れか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
5. 前記樹脂皮膜の厚みが１０μｍ以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
6. 前記樹脂皮膜が、所定の液体に膨潤されることにより前記絶縁層表面から剥離されるような膨潤性樹脂皮膜である請求項１〜５の何れか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
7. 前記導体柱含有回路基板が、前記第一電気回路の所定位置に予め突設された導体柱の形成面に絶縁層を積層一体化するようにして得られた基板である請求項１〜６の何れか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
8. 前記導体柱含有回路基板が、前記第一電気回路の所定位置に予め突設された導体柱の形成面に樹脂溶液を塗布した後、硬化させることにより絶縁層を形成して得られた基板である請求項１〜６の何れか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
9. 前記導体柱含有回路基板が、第一電気回路の表面に絶縁層を形成した後、前記絶縁層の前記第一電気回路の形成面に対する反対面から穴あけ加工することにより、前記第一電気回路を露出させ、露出した前記第一電気回路からメッキ膜を成長形成させることにより穴あけ加工された部分に導体柱を形成することにより得られた基板である請求項１〜６の何れか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
10. メッキ膜を成長形成させる工程が、穴あけ加工後にデスミア処理した後、露出した前記第一電気回路を電極として、電解メッキによりメッキ膜を成長形成させる工程である請求項９に記載の多層配線基板の製造方法。
11. メッキ膜を成長形成させる工程が、穴あけ加工後にデスミア処理した後、露出した前記第一電気回路をメッキ核として、無電解メッキによりメッキ膜を成長形成させる工程である請求項９に記載の多層配線基板の製造方法。
12. 基板上に形成された第一電気回路の形成面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
    前記絶縁層表面に樹脂皮膜を形成する皮膜形成工程と、
    前記樹脂皮膜の外表面側からレーザー加工することにより、少なくとも前記樹脂皮膜の厚み分以上の深さの回路溝を形成する回路溝形成工程と、
    前記回路溝表面及び前記樹脂皮膜の外表面全体にメッキ触媒を付着させる触媒付着工程と、
    前記樹脂皮膜を除去する皮膜除去工程と、
    前記皮膜除去工程の後に、前記メッキ触媒が残留する部位に無電解メッキ膜を形成させることにより第二電気回路を形成するメッキ処理工程と、
    前記第二電気回路の所定の部分において穴あけ加工することにより、前記第一電気回路を露出させる穴あけ工程と、
    露出した前記第一電気回路の表面からメッキ膜を成長形成させることにより穴あけ加工された部分に導体柱を形成することにより前記第一電気回路と前記第二電気回路との層間接続部を形成する層間接続部形成工程と、を備えることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
13. メッキ膜を成長形成させる工程が、穴あけ加工後にデスミア処理した後、露出した前記第一電気回路を電極として、電解メッキによりメッキ膜を成長形成させる工程である請求項１２に記載の多層配線基板の製造方法。
14. メッキ膜を成長形成させる工程が、穴あけ加工後にデスミア処理した後、露出した前記第一電気回路の表面をメッキ核として、無電解メッキによりメッキ膜を成長形成させる工程である請求項１２に記載の多層配線基板の製造方法。
15. 請求項１〜１４の何れか１項に記載の製造方法により得られた多層配線基板。

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