JP2010047741A5

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Publication number: JP2010047741A5
Application number: JP2008320024A
Authority: JP
Filing date: 2008-12-16
Publication date: 2011-12-01
Anticipated expiration: 2028-12-16

Claims

（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）硬化触媒を含有する熱硬化性樹脂組成物において、
前記硬化触媒が、下記一般式（１）で表されるオニウム塩を含み、
光反射部材を形成するために用いられる、熱硬化性樹脂組成物。

［式（１）中、
Ｘ^＋は、脂肪族４級ホスホニウムイオン、芳香族４級ホスホニウムイオン、１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデカン−７−エンのオニウムイオン及びイミダゾール誘導体のオニウムイオンから選ばれるカチオンを示し、
Ｙ⁻は、テトラフルオロホウ酸イオン、テトラフェニルホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ビストリフルオロメチルスルホニルイミド酸イオン、トリス（トリフルオロメチルスルホニル）炭素酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、ハロゲン化酢酸イオン、カルボン酸イオン及びハロゲンイオンから選ばれるアニオンを示す。］
前記オニウム塩が、下記一般式（２）で表されるホスホニウム塩である、請求項１に記載の熱硬化性樹脂組成物。

［式（２）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立にアリール基、アラルキル基又は炭素原子数１〜１８の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示し、前記アリール基及び前記アラルキル基はヒドロキシ基又はアルコキシ基で置換されていてもよい。］
前記硬化触媒が、２５℃〜２５０℃において固体の塩である、請求項１又は２に記載の熱硬化性樹脂組成物。
前記硬化触媒の含有率が、前記エポキシ樹脂及び前記硬化剤の合計量に対して０．００１質量％〜５質量％である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
下記一般式（３）又は（４）で表される金属化合物を更に含有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。

［式（３）中、
Ｍは亜鉛、チタン、アルミニウム、バリウム、ホウ素、ケイ素及びジルコニウムから選ばれる金属又は半金属元素を示し、
Ｒ^ｘは、置換基を有していてもよい炭素数２〜５０のアシレート基、置換基を有していてもよい炭素数２〜５０のアルコキシ基、又はキレート基を示し、ｍはＭの結合価数を示し、同一分子中の複数のＲ^ｘは同一でも異なっていてもよい。］

［式（４）中、
ｎは正の整数を示し、
Ｒ^５は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基、置換基を有していてもよいエチル基、置換基を有していてもよいプロピル基、置換基を有していてもよいイソプロピル基、置換基を有していてもよいフェニル基又は置換基を有していてもよいグリシドキシプロピル基を示し、
Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、フェニル基、グリシドキシプロピル基、３−アミノプロピル基、アミノフェニル基、アミノフェノキシプロピル基、キレート基、又はアシレート基を示し、同一分子中の複数のＲ^７及びＲ^８は同一でも異なっていてもよい。］
前記金属化合物の含有率が、前記エポキシ樹脂及び前記硬化剤の合計量に対して０．００１質量％〜５質量％である、請求項５に記載の熱硬化性樹脂組成物。
前記エポキシ樹脂が２以上のエポキシ基を有する化合物であり、前記硬化剤が酸無水物基を有する化合物である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
（Ｅ）アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム及び無機中空粒子からなる群から選ばれる少なくとも１種の白色顔料を更に含有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
前記白色顔料の中心粒径が０．１μｍ〜５０μｍである、請求項８に記載の熱硬化性樹脂組成物。
前記白色顔料の含有率が、当該熱硬化性樹脂組成物全体に対して１０体積％〜８５体積％である、請求項８又は９に記載の熱硬化性樹脂組成物。
硬化後の波長４００ｎｍにおける光反射率が７０％以上である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
底面及び内周側面から構成される凹部を有するとともに、該内周側面を形成する樹脂成形品を有し、該底面が光半導体素子搭載領域である光半導体素子搭載用基板であって、
前記樹脂成形品が、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物から形成することのできるものである、光半導体素子搭載用基板。
底面及び内周側面から構成される凹部を有するとともに、該内周側面を形成する樹脂成形品を有し、該底面が光半導体素子搭載領域である光半導体素子搭載用基板の製造方法であって、
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物をトランスファー成形することにより前記樹脂成形品を形成する工程を備える、製造方法。
請求項１２に記載の光半導体素子搭載用基板と、
当該光半導体素子搭載用基板の光半導体素子搭載領域に搭載された光半導体素子と、
前記光半導体素子を当該光半導体素子搭載用基板の凹部内で覆う封止樹脂層と、
を備える光半導体装置。