JP2010045245A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010045245A JP2010045245A JP2008209000A JP2008209000A JP2010045245A JP 2010045245 A JP2010045245 A JP 2010045245A JP 2008209000 A JP2008209000 A JP 2008209000A JP 2008209000 A JP2008209000 A JP 2008209000A JP 2010045245 A JP2010045245 A JP 2010045245A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- type
- semiconductor device
- main
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 485
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 218
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 92
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 73
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 19
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 18
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- 238000001994 activation Methods 0.000 claims description 9
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 301
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 35
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 For example Substances 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/063—Reduced surface field [RESURF] pn-junction structures
- H01L29/0634—Multiple reduced surface field (multi-RESURF) structures, e.g. double RESURF, charge compensation, cool, superjunction (SJ), 3D-RESURF, composite buffer (CB) structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/0852—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate of DMOS transistors
- H01L29/0873—Drain regions
- H01L29/0878—Impurity concentration or distribution
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
- H01L29/66333—Vertical insulated gate bipolar transistors
- H01L29/66348—Vertical insulated gate bipolar transistors with a recessed gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
- H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
- H01L29/7397—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions and a gate structure lying on a slanted or vertical surface or formed in a groove, e.g. trench gate IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/868—PIN diodes
Abstract
【解決手段】n型主半導体層1において、pチャネル層2とn+型フィールドストップ層5の間の領域に、n型低濃度ベース層14およびそれよりも不純物濃度の低いn型極低濃度ベース層15が、n型主半導体層1の第一主面に垂直に交互に繰り返し設けられる。このような半導体装置の作成用基板の製造は、まず、n型主半導体層1に、トレンチを形成し、イオン注入および熱処理により、トレンチの底面に活性層を形成する。この活性層が、n+型フィールドストップ層5である。次いで、トレンチをn型主半導体層1の不純物濃度よりも低い不純物濃度の半導体で埋める。これにより、n型低濃度ベース層14およびn型極低濃度ベース層15が形成される。
【選択図】図19
Description
図1は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。図1に示すように、この半導体装置は、フィールドストップ領域を有するトレンチゲート型IGBTである。低濃度のn型主半導体層1の第一主面側の表面領域および第二主面側の表面領域に、それぞれ、pチャネル層(チャネル領域)2および高濃度のp型コレクタ層3が設けられている。n型主半導体層1の、pチャネル層2とp型コレクタ層3の間の領域は、不純物濃度が一様なn型ベース層4である。n型ベース層4とp型コレクタ層3の間には、n+型フィールドストップ層5が設けられている。
実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法について説明する。実施の形態2の説明および添付図面について、実施の形態1と重複する説明は省略する。図8は、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。図8に示すように、この半導体装置は、バッファ領域を有する超接合型MOSFETである。図8に示すように、第2のn型半導体基板51上にn型エピタキシャル層52を有するエピタキシャル基板31の第二主面側の表面領域に、n型ドレイン層32が設けられている。n型ドレイン層32の上には、第2のn型半導体基板51を介してn型エピタキシャル層52とp型半導体層57を交互に繰り返し接合させてなる並列pn構造が設けられている。第2のn型半導体基板51と、n型エピタキシャル層52およびp型半導体層57の並列pn構造領域との間には、n+型バッファ層35が設けられている。並列pn構造のp型半導体層57の表面には、pチャネル領域36が設けられている。pチャネル領域36の表面には、p型ベース領域37とn型ソース領域38が設けられている。
図15は、本発明の実施の形態3にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。図15に示すように、この半導体装置は、半導体基板の内部に、半導体基板よりも高濃度の領域を有するPINダイオードである。図15に示すように、低濃度のn型主半導体層61の第一主面側の表面領域および第二主面側の表面領域に、それぞれ、p型アノード層62および高濃度のn型カソード層63が設けられている。n型主半導体層61の、p型アノード層62とn型カソード層63の間の領域は、不純物濃度が一様な第2のn型半導体層64である。第2のn型半導体層64の内部には、第2のn型半導体層64よりも高濃度の第3のn+型半導体層65が設けられている。p型アノード層62の表面には、金属膜からなるアノード電極66が設けられている。n型カソード層63の表面には、金属膜からなるカソード電極67が設けられている。
図19は、本発明の実施の形態4にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。図19に示すように、この半導体装置は、半導体基板の不純物濃度が半導体基板の主面に垂直に交互に異なる濃度を持つベース領域を有するトレンチゲート型IGBTである。実施の形態4では、図19に示すように、実施の形態1と同様の構造であり、実施の形態1におけるn型ベース層4が、相対的に不純物濃度の高いn型低濃度ベース層14、または相対的に不純物濃度の低いn型極低濃度ベース層15となっている。n型低濃度ベース層14およびn型極低濃度ベース層15は、n型主半導体層1の第一主面に垂直に例えばストライプ状に交互に繰り返し設けられている。
図22は、本発明の実施の形態5にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。図22に示すように、この半導体装置は、半導体基板の不純物濃度が半導体基板の主面に垂直に交互に異なる濃度を持つ半導体層を有するPINダイオードである。図22に示すように、実施の形態3に示す半導体装置の第2のn型半導体層64が、相対的に不純物濃度の高いn型低濃度半導体層68、または相対的に不純物濃度の低いn型極低濃度半導体層69となっている。n型低濃度半導体層68およびn型極低濃度半導体層69は、n型主半導体層61の第一主面に垂直に例えばストライプ状に交互に繰り返し設けられている。その他、p型アノード層62、n型カソード層63、アノード電極66およびカソード電極67が、実施の形態3と同様に設けられている。
図25は、本発明の実施の形態6にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。図25に示すように、この半導体装置は、実施の形態5に示す半導体装置に追加して、n型低濃度半導体層68とn型極低濃度半導体層69が交互に繰り返してなる半導体層と、n型カソード層63との界面に、第3のn+型半導体層65が設けられている。
図26は、本発明の実施の形態7にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。図26に示すように、この半導体装置は、実施の形態6に示す半導体装置において、n型極低濃度半導体層69の幅が、p型アノード層62側で広く、n型カソード層63に近づくにつれて狭くなる構造を有している。
実施の形態5に従いPINダイオードを作製した。出発基板として、FZ(Floating Zone)法で作製されたシリコンインゴットから切り出されたn型のFZシリコン基板を用いた。このFZシリコン基板の抵抗率は40Ωcmであり、厚さは500μmであり、面方位は(100)であり、オリフラの方向は<100>であった。
2 チャネル層
3 コレクタ層
4 ベース層
5 フィールドストップ層
6 エミッタ領域
7 トレンチ
8 ゲート絶縁膜
9 ゲート電極
10 層間絶縁膜
11 エミッタ電極
12 ボディ領域
13 コレクタ電極
14 低濃度ベース層
15 極低濃度ベース層
Claims (19)
- 半導体基板の第一主面に、一部が開口するマスクを形成するマスク工程と、
前記半導体基板の、前記マスクの開口部分に露出する半導体部分をエッチングして、前記半導体基板の第一主面に複数のトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
前記トレンチの底面の半導体層に、ドーパントをイオン注入するイオン注入工程と、
前記ドーパントが注入された不純物層を活性化し、隣接する不純物層をつなげる活性化工程と、
前記トレンチを半導体で埋める埋め込み工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記埋め込み工程の後、前記半導体基板の第一主面を平坦にする第1の平坦化工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の平坦化工程の後、前記半導体基板の第二主面を平坦にする第2の平坦化工程をさらに含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の平坦化工程において、平坦化された前記半導体基板の厚さが150μm以下であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記トレンチ形成工程の後、前記イオン注入工程の前に、前記トレンチの側壁および底面に酸化膜を形成する工程と、
前記イオン注入工程の後、前記活性化工程の前に、前記酸化膜を除去する工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記酸化膜の厚さは、30nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記活性化工程の後、前記埋め込み工程の前に、前記マスクを除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ドーパントが前記半導体基板と同一導電型であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体は、前記半導体基板と同一導電型であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体は、前記半導体基板の不純物濃度と同程度の不純物濃度であることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体は、前記半導体基板の不純物濃度とは異なる不純物濃度であることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体は、前記半導体基板とは異なる導電型であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体は、珪素を主成分とする単結晶半導体層であることを特徴とする請求項1〜12のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 第一主面および第二主面を有し、前記第一主面に垂直な方向に不純物濃度が繰り返し増減する濃度分布を有する第1導電型の主半導体層と、
前記主半導体層の前記第一主面側に設けられた第2導電型のアノード層と、
前記アノード層の表面に設けられたアノード電極と、
前記主半導体層の前記第二主面側に設けられた第1導電型のカソード層と、
前記カソード層の表面に設けられたカソード電極と、
前記主半導体層と前記カソード層の間に設けられた、前記主半導体層よりも高濃度で、前記第一主面に垂直な方向に不純物濃度が繰り返し増減する第1導電型高濃度層と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記主半導体層における不純物濃度の分布は、相対的に不純物濃度の高い低濃度半導体層と相対的に不純物濃度の低い極低濃度半導体層がストライプ状に交互に繰り返す分布であることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。
- 前記極低濃度半導体層と前記アノード層との接合面の幅は、前記極低濃度半導体層と前記カソード層との接合面の幅よりも広いことを特徴とする請求項15に記載の半導体装置。
- 第一主面および第二主面を有し、前記第一主面に垂直な方向に不純物濃度が繰り返し増減する濃度分布を有する第1導電型の主半導体層と、
前記主半導体層の前記第一主面側に設けられた第2導電型のチャネル層と、
前記チャネル層の表面に選択的に設けられた第1導電型のソース領域と、
前記チャネル層と前記ソース領域上に絶縁層を介して設けられたゲート電極と、
前記チャネル層と前記ソース領域に接するように設けられたソース電極と、
前記主半導体層の前記第二主面側に設けられた第1導電型のドレイン層と、
前記ドレイン層の表面に設けられたドレイン電極と、
前記主半導体層と前記ドレイン層の間に設けられた、前記主半導体層よりも高濃度で、前記第一主面に垂直な方向に不純物濃度が繰り返し増減する第1導電型高濃度層と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 第一主面および第二主面を有し、前記第一主面に垂直な方向に不純物濃度が繰り返し増減する濃度分布を有する第1導電型の主半導体層と、
前記主半導体層の前記第一主面側に設けられた第2導電型のチャネル層と、
前記チャネル層の表面に選択的に設けられた第1導電型のエミッタ領域と、
前記チャネル層と前記エミッタ領域上に絶縁層を介して設けられたゲート電極と、
前記チャネル層と前記エミッタ領域に接するように設けられたエミッタ電極と、
前記主半導体層の前記第二主面側に設けられた第2導電型のコレクタ層と、
前記コレクタ層の表面に設けられたコレクタ電極と、
前記主半導体層と前記コレクタ層の間に設けられた、前記主半導体層よりも高濃度で、前記第一主面に垂直な方向に不純物濃度が繰り返し増減する第1導電型高濃度層と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記主半導体層における不純物濃度の分布は、相対的に不純物濃度の高い低濃度半導体層と相対的に不純物濃度の低い極低濃度半導体層がストライプ状に交互に繰り返す分布であることを特徴とする請求項18に記載の半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008209000A JP5439763B2 (ja) | 2008-08-14 | 2008-08-14 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US12/539,295 US8258032B2 (en) | 2008-08-14 | 2009-08-11 | Power semiconductor devices and methods for manufacturing the same |
US13/557,480 US8742501B2 (en) | 2008-08-14 | 2012-07-25 | Power semiconductor devices and methods for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008209000A JP5439763B2 (ja) | 2008-08-14 | 2008-08-14 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010045245A true JP2010045245A (ja) | 2010-02-25 |
JP5439763B2 JP5439763B2 (ja) | 2014-03-12 |
Family
ID=41680688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008209000A Expired - Fee Related JP5439763B2 (ja) | 2008-08-14 | 2008-08-14 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8258032B2 (ja) |
JP (1) | JP5439763B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009277939A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011233670A (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-17 | Fuji Electric Co Ltd | 超接合半導体装置の製造方法 |
JP2013135213A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
US9391167B1 (en) | 2015-09-02 | 2016-07-12 | Hyundai Motor Company | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2017005140A (ja) * | 2015-06-11 | 2017-01-05 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁ゲート型スイッチング装置とその製造方法 |
US9577082B2 (en) | 2015-07-21 | 2017-02-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
JP2019110288A (ja) * | 2017-10-24 | 2019-07-04 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag | dV/dt制御性を備えたIGBTを製造する方法 |
US11581428B2 (en) | 2017-10-24 | 2023-02-14 | Infineon Technologies Ag | IGBT with dV/dt controllability |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8084811B2 (en) * | 2009-10-08 | 2011-12-27 | Monolithic Power Systems, Inc. | Power devices with super junctions and associated methods manufacturing |
CN102254944A (zh) * | 2010-05-21 | 2011-11-23 | 上海新进半导体制造有限公司 | 一种沟槽mosfet功率整流器件及制造方法 |
KR101129029B1 (ko) * | 2010-06-11 | 2012-03-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 수직형 트랜지스터의 불순물영역 형성방법 및 이를 이용한 수직형 트랜지스터 제조방법 |
US9685523B2 (en) * | 2014-12-17 | 2017-06-20 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Diode structures with controlled injection efficiency for fast switching |
JP2012186353A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Fuji Electric Co Ltd | 複合半導体装置 |
JP5937413B2 (ja) * | 2011-06-15 | 2016-06-22 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US8803251B2 (en) * | 2011-07-19 | 2014-08-12 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Termination of high voltage (HV) devices with new configurations and methods |
US9029944B2 (en) | 2013-02-18 | 2015-05-12 | Infineon Technologies Austria Ag | Super junction semiconductor device comprising implanted zones |
CN104253040A (zh) * | 2013-06-25 | 2014-12-31 | 无锡华润上华半导体有限公司 | Trench FS结构的绝缘栅双极型晶体管的制备方法 |
US20150001578A1 (en) * | 2013-06-27 | 2015-01-01 | Fairchild Korea Semiconductor Ltd. | Power semiconductor device and method of manufacturing the same |
US9231091B2 (en) * | 2014-05-12 | 2016-01-05 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device and reverse conducting insulated gate bipolar transistor with isolated source zones |
JP6319454B2 (ja) * | 2014-10-24 | 2018-05-09 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
CN105633139B (zh) * | 2016-03-23 | 2019-02-15 | 无锡新洁能股份有限公司 | 具有载流子存储结构的igbt器件及其制造方法 |
CN114156180A (zh) * | 2022-02-08 | 2022-03-08 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 | 绝缘栅双极型晶体管及其制造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01209766A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 縦型電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JPH04127480A (ja) * | 1990-09-18 | 1992-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 高耐圧低抵抗半導体装置及びその製造方法 |
JPH09232567A (ja) * | 1995-11-06 | 1997-09-05 | Consorzio Per La Ric Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | Mosゲートパワーデバイス及びその製造方法 |
JP2000200906A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-07-18 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
JP2002246597A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2009218543A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2663679B2 (ja) | 1990-04-20 | 1997-10-15 | 富士電機株式会社 | 伝導度変調型mosfet |
US6127226A (en) * | 1997-12-22 | 2000-10-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for forming vertical channel flash memory cell using P/N junction isolation |
KR100613703B1 (ko) | 1998-07-17 | 2006-08-21 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 높은 저지 전압용 전력 반도체 소자 |
DE10207522B4 (de) | 2001-02-23 | 2018-08-02 | Fuji Electric Co., Ltd. | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP3951738B2 (ja) | 2001-02-23 | 2007-08-01 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4539011B2 (ja) | 2002-02-20 | 2010-09-08 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体装置 |
JP4093042B2 (ja) | 2002-12-09 | 2008-05-28 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置 |
US7737522B2 (en) * | 2005-02-11 | 2010-06-15 | Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. | Trench junction barrier controlled Schottky device with top and bottom doped regions for enhancing forward current in a vertical direction |
JP4449776B2 (ja) | 2005-02-17 | 2010-04-14 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2007055352A1 (ja) | 2005-11-14 | 2007-05-18 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5984282B2 (ja) * | 2006-04-27 | 2016-09-06 | 富士電機株式会社 | 縦型トレンチ型絶縁ゲートmos半導体装置 |
JP5682097B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2015-03-11 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
-
2008
- 2008-08-14 JP JP2008209000A patent/JP5439763B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-08-11 US US12/539,295 patent/US8258032B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-07-25 US US13/557,480 patent/US8742501B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01209766A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 縦型電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JPH04127480A (ja) * | 1990-09-18 | 1992-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 高耐圧低抵抗半導体装置及びその製造方法 |
JPH09232567A (ja) * | 1995-11-06 | 1997-09-05 | Consorzio Per La Ric Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | Mosゲートパワーデバイス及びその製造方法 |
JP2000200906A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-07-18 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
JP2002246597A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2009218543A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009277939A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011233670A (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-17 | Fuji Electric Co Ltd | 超接合半導体装置の製造方法 |
JP2013135213A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2017005140A (ja) * | 2015-06-11 | 2017-01-05 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁ゲート型スイッチング装置とその製造方法 |
US9577082B2 (en) | 2015-07-21 | 2017-02-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
US9391167B1 (en) | 2015-09-02 | 2016-07-12 | Hyundai Motor Company | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2019110288A (ja) * | 2017-10-24 | 2019-07-04 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag | dV/dt制御性を備えたIGBTを製造する方法 |
US11581428B2 (en) | 2017-10-24 | 2023-02-14 | Infineon Technologies Ag | IGBT with dV/dt controllability |
US11594621B2 (en) | 2017-10-24 | 2023-02-28 | Infineon Technologies Ag | Method of processing a power semiconductor device |
JP7319037B2 (ja) | 2017-10-24 | 2023-08-01 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲー | dV/dt制御性を備えたIGBTを製造する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100038675A1 (en) | 2010-02-18 |
JP5439763B2 (ja) | 2014-03-12 |
US8742501B2 (en) | 2014-06-03 |
US20120286326A1 (en) | 2012-11-15 |
US8258032B2 (en) | 2012-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5439763B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP7182594B2 (ja) | ゲート・トレンチと、埋め込まれた終端構造とを有するパワー半導体デバイス、及び、関連方法 | |
KR101620717B1 (ko) | 메사 섹션이 셀 트렌치 구조체들 사이에 형성된 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
US9722020B2 (en) | Super junction semiconductor device having columnar super junction regions extending into a drift layer | |
US11552172B2 (en) | Silicon carbide device with compensation layer and method of manufacturing | |
US7041560B2 (en) | Method of manufacturing a superjunction device with conventional terminations | |
US7410891B2 (en) | Method of manufacturing a superjunction device | |
TWI509814B (zh) | 高壓快速恢復溝槽二極體及其製備方法 | |
JP2003273355A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
US11764063B2 (en) | Silicon carbide device with compensation region and method of manufacturing | |
CN109564932B (zh) | 半导体装置 | |
JP2010141310A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR101802419B1 (ko) | 트렌치형 필러 옥사이드를 이용한 탄화규소 슈퍼정션 모스펫 및 그 제조방법 | |
CN113424328A (zh) | 具有非对称沟槽氧化物的碳化硅mosfet结构 | |
US10186573B2 (en) | Lateral power MOSFET with non-horizontal RESURF structure | |
JP2013251467A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US9029250B2 (en) | Method for producing semiconductor regions including impurities | |
US11961904B2 (en) | Semiconductor device including trench gate structure and buried shielding region and method of manufacturing | |
US11245010B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
US20210408279A1 (en) | Semiconductor device including trench gate structure and buried shielding region and method of manufacturing | |
CN116705604A (zh) | 双沟槽mosfet器件及其提高耐压能力的制备方法 | |
JP2009152522A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110422 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110614 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130521 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130722 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131119 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |