JP2010040952A - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
基板処理装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010040952A JP2010040952A JP2008204968A JP2008204968A JP2010040952A JP 2010040952 A JP2010040952 A JP 2010040952A JP 2008204968 A JP2008204968 A JP 2008204968A JP 2008204968 A JP2008204968 A JP 2008204968A JP 2010040952 A JP2010040952 A JP 2010040952A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wall
- temperature
- processing chamber
- processing apparatus
- jacket
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 223
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 110
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 145
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 59
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 52
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 49
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 33
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 82
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 45
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 14
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 5
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】基板処理装置10は、ウエハ1を処理する処理室12と、処理室12の外周側に設けられたヒータ39と、ヒータ39の外周側に設けられた内側壁34と、内側壁34との間に空間36を形成して設けられる外側壁35と、空間36に設けられる冷却された水冷ジャケットと、内側壁34及び外側壁35の一方と接触する接触位置と、内側壁34及び外側壁35のいずれにも接触しない非接触位置との間で水冷ジャケットを移動させる移動機構64と、移動機構64を制御するコントローラとを有する。
【選択図】図1
Description
プロセスチューブ11の円筒状の中空部によって、基板として用いられるウエハ1を処理する処理室12が形成される。処理室12では、複数のウエハ1が一括して処理される。また、プロセスチューブ11の下端部に形成された開口部は炉口13として用いられる。炉口13を介して、処理室12内にウエハ1が出し入れされる。
内側壁34は、後述する発熱体としてのヒータ39の外周側に設けられる環状の内側壁として用いられていて、均熱チューブ14の外径よりも大径の円筒形状を有している。外側壁35は、内側壁34と同軸状であって、内側壁34の外周側との間に空間36を形成して設けられる環状の外側壁として用いられていて、内側壁34よりも大径の円筒形状を有している。内側壁34により加熱空間420が形成されている。
蓋等の開閉機構は、駆動源からの駆動伝達を受けて開閉するようにしても良い。この場合、後述する移動機構64と兼用し、移動機構64を切り替えて用いるようにしても良いし、移動機構64とは別の駆動源を用いても良い。
また、断熱槽33の下端部には冷却空気41を冷却空気通路42に供給する給気管43が接続されており、給気管43に供給された冷却空気41は冷却空気通路42の全周に拡散するようになっている。
また、断熱槽33の上端には断熱材等によって形成されたカバー44が被せられており、カバー44の中央部には排気口45が開設され、排気口45には排気路46が接続されている。排気口45に対向する位置にサブヒータユニット47が設置されている。
移動機構64は、水冷ジャケット60を、内側壁34及び外側壁35の少なくともいずれか一方に接触する接触位置と、内側壁34及び外側壁35のいずれにも接触しない非接触位置との間で移動させる。図1及び図2には、水冷ジャケット60が、内側壁34及び外側壁35と非接触位置にある状態が示されている。
図3(a)に示されるように、水冷ジャケット60の第1の例は、2つジャケット本体66、66を有する。ジャケット本体66、66は、それぞれ半円筒形で形成され、2つのジャケット本体66、66の両端部が互いに当接することで、円筒形状となる。また、ジャケット本体66、66には、先述の移動機構64がそれぞれ接続されている。
好ましくは、水冷ジャケット60が内側壁34と接触した状態で、水冷ジャケット60の両端部が互いに当接するように形成すると良い。このようにすると、外側壁35にくらべ高温になりがちであり、基板の温度制御に直接影響を与えやすい内側壁34をむらなく効率的に冷却することができる。
先述の第1の例では、ジャケット本体66、66は、ぞれぞれ半円筒形を有していたのに対して、この第2の例では、さらに、ジャケット本体66、66は上下に分割され配置されている。また、この第2例では、パイプ68は、ジャケット本体66、66の周方向に沿った周方向部分68cと、互いに隣り合う周方向部68cを連結する連結部68dとを有している。
尚、第1の例、及び第2の例では、2つのジャケット本体66、66にそれぞれ取り付けられたパイプ68、68は、互いに連結されていないが、伸縮自在なフレキシブルチューブを用いて2つのパイプ68、68を連結し、冷却水を導通可能に構成しても良い。
パイプ68を装着する場合、外側壁35、又は内側壁34に対して、パイプ68だけが接触して、ジャケット本体66は接触しない可能性が生じてしまう。これに対して、ジャケット本体66内に冷却水の流れる流路を形成すれば、ジャケット本体66と、外側壁35、内側壁34との接触面積を大きくすることができる。
移動機構64は、ジャケット本体66を移動させるための駆動源として用いられる空気シリンダ70を有する。空気シリンダ70は、外側壁35に固定されたシリンダ本体72と、シリンダ本体72に装着され、シリンダ本体72からの突出量が変わるように移動する移動片74とを有する。また、移動機構64は、ジャケット本体66を移動可能に支持する支持機構76を有する。支持機構76は、外側壁35に対して摺動することができるように取り付けられた摺動部材78を有し、摺動部78の端部が、ジャケット本体66に接続されている。
ジャケット本体66の内側の面661の曲率、すなわち、ジャケット本体66の内側壁34に対向する面の曲率は、内側壁34の外側の面340の曲率、すなわち内側壁34のジャケット本体66と対向する面の曲率と同じとなっている。このため、ジャケット本体66の内側の面661と、内側壁34の外側の面340とは隙間なく接触可能である。
この変形例では、先述の例と同様に、ジャケット本体66の内側の面661の曲率は、内側壁34の外側の面340の曲率と同じとなっている。このため、ジャケット本体66の内側の面661と、内側壁34の外側の面340とは隙間なく接触可能である。
そこで、この第1の変形例では、外側壁35の内側の面351に、ジャケット本体66の外側の面660と内側の曲率が同じプレート80を設けて、さらに、このプレート80と外側壁35との間に熱伝導用の連結部材80a、80aを設けて、ジャケット本体66とプレート80とが隙間なく接触し、熱伝導を促進することができるようにしている。
この変形例では、先述の例と同様に、ジャケット本体66の内側の面661の曲率は、内側壁34の外側の面340の曲率と同じとなっている。このため、ジャケット本体66の内側の面661と、内側壁34の外側の面340とは隙間なく接触可能である。
この変形例では、先述の例と同様に、ジャケット本体66の内側の面661の曲率は、内側壁34の外側の面340の曲率と同じとなっている。このため、ジャケット本体66の内側の面661と、内側壁34の外側の面340とは隙間なく接触可能である。
そして、この第3の変形例では、隙間dに合せた均熱ブロック82、82が、例えば所定の間隔で外側壁35の内側の面351に取り付けられている。
この変形例では、ジャケット本体66の外周側にパイプを装着しているタイプの水冷ジャケット60に対応するべく、外側壁35に凹部35aが形成されている。凹部35aには、水冷ジャケット60が外側壁35に接触するように移動した際に、ジャケット本体66の外側壁35の対向する面に取り付けられたパイプ68が嵌りこむ。このため、水冷ジャケット60のパイプ68だけが外側壁35に接するのではなく、水冷ジャケット60が外側壁35に接するようになる。
コントローラ100は、少なくとも移動機構64を制御する制御部として用いられ、制御回路102を有し、制御回路102に温度センサ28からの出力が入力され、制御回路102からの出力で、少なくとも水冷装置62、移動機構64、ヒータ39、サブヒータユニット25、及びサブヒータユニット47が制御される。また、制御回路102には、操作手段として用いられる操作パネル104が取り付けられている。
また、図13には、シリコンで構成されるウエハ1の熱特性として、温度と、ウエハ1が熱を反射する反射率及び熱を放射する放射率との関係が示されている。図13においては、縦軸は、ウエハ1が熱を放射する放射率と、ウエハ1が熱を反射する反射率とを示し、横軸は温度(℃)を示している。
尚、ウエハ1が最も吸収しやすいピーク波長は、0.9μm程度である。また、プロセスチューブ11は石英(SiO2)で形成され、波長が4μm以上の熱を吸収するため、波長が4μm以上の熱ではウエハ1の温度が上昇しにくい。
すなわち、低温領域では、ヒータ39が発する熱のピーク波長が4μmから6μmとウエハ1に吸収されにくい波長であり、しかも、石英(SiO2)で構成されるプロセスチューブ11に、波長が4μm以上の熱線が吸収されるため、ウエハ1の温度が上昇しにくい。
ここで、フィードバック制御であるPID制御のみでは防止することが難しいオーバーシュートを生じにくくすることができる理由は、水冷ジャケット60を移動させることで、冷却の状態を迅速かつ細やかな調整することができるためである。
尚、水冷ジャケット60を内側壁34及び外側壁35のいずれにも接触しない状態とすることに替えて、水冷ジャケット60を外側壁35に接触させるようにしても良い。これにより、さらにヒータユニット30外部への放熱量が減るため、ヒータ39で消費される電力が少なくなり、エネルギー効率が向上する。また、例えば、クリーンルーム等の基板処理装置10が設置された場所の温度上昇を抑制することができ、該場所を冷却するためのエネルギー消費を抑制することができる。
先述の第1の実施形態に係る基板処理装置10は、バッチ式、縦形で、複数のウエハ1を処理するように構成されていた。これに対して、この第2の実施形態に係る基板処理装置10は、処理室12内で1枚のウエハ1を処理するように構成されている。
すなわち、この第2の実施形態に係る基板処理装置10では、処理室12内に設けられたサセプタ84に1枚のウエハ1が載置され、このウエハ1がガス導入管18から処理室12内に導入されたガスによって処理される。
また、先述の第1の実施形態に係る基板処理装置10では、ヒータ39、内側壁34、水冷ジャケット60、及び外側壁35は、同軸状に内側から外側に向かって配置されていた。これに対して、この第2の実施形態に係る基板処理装置10では、ヒータ39、内側壁34、水冷ジャケット60、及び外側壁35は、縦方向に配置されている。すなわち、処理室12の上方と下方とに、ヒータ39、内側壁34、水冷ジャケット60、及び外側壁35が、それぞれ処理室12から近い順に配置されている。
すなわち、移動機構64は、水冷ジャケット60を上下動させることで、外側壁35に接触する位置と、内側壁34に接触する位置と、外側壁35及び内側壁34のいずれにも接触しない位置の間で移動させる。尚、図14には、水冷ジャケット60が、外側壁35及び内側壁34のいずれにも接触しない位置に配置された状態が示されている。
この場合、処理室12を形成するプロセスチューブが一定の熱容量を有するため、このプロセスチューブからの放熱により、温度変化にブレーキが効かないことがあり、昇温工程から安定化工程に移行する際に、温度のオーバーシュートが生じてしまう。ここで、温度のオーバーシュートを回避するために、設定値と実測値のと偏差から制御量を算出するフィードバック制御であるPID制御で、ヒータ39等による過大な加熱を行わないようにする調整しようとすると、例えば、温度を200℃まで上昇させて、安定するまでに長い時間を必要としてしまう。
これに対して、第1の実施形態に係る基板処理装置10、及び第2の実施形態に係る基板処理装置10によれば、処理温度、加熱温度に応じたフレキシブルな対応が可能であり、かつ温動履歴の迅速かつ細やかな調整が可能であり、膜質、膜厚均一性に優れたウエハ1の処理が可能である。
一方、例えば、600℃等、高い温度でウエハ1を処理する場合、処理室12内の温度が十分に高ければ、水冷ジャケット60を、内側壁34及び外側壁35と非接触状態とすることで、水冷ジャケット60によって、内側壁34及び外側壁35が熱を奪われることなく、高温に保たれた処理室12内でのウエハ1の処理が可能となる。
基板を処理する処理室と、
前記処理室の外周側に設けられ、前記処理室を加熱する発熱体と、
前記発熱体の外周側に設けられる環状の内側壁と、
前記内側壁の外周側との間に間隙を形成して設けられる環状の外側壁と、
前記間隙に設けられる冷却された環状の冷却部材と、
前記内側壁及び前記外側壁の少なくともいずれか一方と接触する接触位置と、前記内側壁及び前記外側壁のいずれにも接触しない非接触位置との間で前記冷却部材を移動させる移動機構と、
少なくとも前記移動機構を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
前記冷却部材は、前記内側壁に対向する面の曲率が、前記内側壁の前記冷却部材に対向する面の曲率と等しい付記1記載の基板処理装置。
前記冷却部材は、前記外側壁に対向する面の曲率が、前記外側壁の前記冷却部材に対向する面の曲率と等しい付記1又は2記載の基板処理装置。
基板を処理する処理室と、
前記処理室の外側に設けられ、前記処理室を加熱する発熱体と、
前記発熱体の外側に設けられる内側壁と、
前記内側壁の外側との間に間隙を形成して設けられる外側壁と、
前記間隙に設けられる冷却された冷却部材と、
前記内側壁と接触する接触位置と、前記外側壁と接触する接触位置との間で前記冷却部材を移動させる移動機構と、
少なくとも前記移動機構を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
処理室を加熱する発熱体の外周側に設けられる環状の内側壁と、前記内側壁の外周側に設けられる環状の外側壁との間の隙間に設けられる環状の冷却部材を、前記内側壁及び前記外側壁の少なくともいずれか一方と接触する接触位置と、前記内側壁及び前記外側壁のいずれにも接触しない非接触位置との間で移動させる移動機構によって、前記内側壁に接触する接触位置に移動させる工程と、前記処理室で基板を処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
前記制御部は、前記処理室内の温度、及び該温度の変化の少なくともいずれか一方に応じて、前記移動機構を制御する付記1乃至4いずれか記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記処理室内での基板の処理温度が、25℃以上250℃未満で設定されている際に、前記冷却部材を前記内側壁に接触させるように前記移動機構を制御する付記1乃至4いずれか記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記処理室内での基板の処理温度が、25℃以上250℃未満で設定されている際に、前記処理室内の温度を上昇させる工程、前記処理室内の温度を上昇させた温度に安定させる工程、前記処理室内で基板を処理する工程、及び前記処理室内の温度を降下させる工程のいずれの工程中でも、前記冷却部材が前記内側壁に接触するように、前記移動機構を制御する付記7記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記処理室内での基板の処理温度が25℃以上500℃未満で設定されている際に、少なくとも前記処理室内の温度を上昇させる工程中は、前記冷却部材が前記内側壁に接触するように前記移動機構を制御する付記1乃至4いずれか記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記処理室内での基板の処理温度が500℃以上1050℃以下で設定される際に、少なくとも前記処理室内で基板を処理する工程中は、前記冷却部材が前記外側壁に接触するように前記移動機構を制御する付記1乃至4いずれか記載の基板処理装置。
前記移動機構は、前記冷却部材を、前記内側壁の前記冷却部材に対向する面に垂直な方向に移動させる付記1乃至4いずれか記載の基板処理装置。
少なくとも前記内側壁は、前記発熱体と同材質で構成される付記1乃至4いずれか記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記処理室内での基板の処理温度が、予め定められた所定温度以上の場合は、前記冷却部材を前記外側壁に接触させ、前記処理室内での処理温度が前記所定温度よりも低い場合は、前記冷却部材を前記内側壁に接触させるように前記移動機構を制御して基板を処理する付記1乃至4いずれか記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記処理室内での基板の処理温度が、予め範囲が定められた複数の温度領域のいずれの範囲内にあるかに応じて、前記冷却部材が、前記内側壁及び前記外側壁のいずれにも接触しない位置、前記内側壁に接触する位置、及び前記外側壁に接触する位置のいずれかに配置されるように前記移動機構を制御する付記1乃至4いずれか記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記処理室内の温度の変動状態と、前記処理室内における基板の処理温度が予め範囲が定められた複数の温度領域のいずれの範囲内にあるかとに応じて、前記冷却部材が前記内側壁及び前記外側壁のいずれにも接触しない位置、前記内側壁に接触する位置、及び前記外側壁に接触する位置のいずれかに配置されるように前記移動機構を制御する付記1乃至4いずれか記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記処理室内の温度変動状態が、前記処理室内の温度が降下する温度降下工程中には、前記冷却部材を前記内側壁に接触するように前記移動機構を制御する付記1乃至4いずれか記載の基板処理装置。
基板を処理する処理室と、
前記処理室の外周側に設けられ、前記処理室を加熱する発熱体と、
前記発熱体の外周側に設けられる環状の内側壁と、
前記内側壁の外周側との間に間隙を形成して設けられる環状の外側壁と、
前記間隙に設けられる冷却された環状の冷却部材と、
前記内側壁及び前記外側壁の少なくともいずれか一方と接触する接触位置と、前記内側壁及び前記外側壁のいずれにも接触しない非接触位置との間で前記冷却部材を移動させる移動機構と、
を有する加熱装置。
前記冷却部材は、前記内側壁に対向する面の曲率が、前記内側壁の前記冷却部材に対向する面の曲率と等しい付記17記載の加熱装置。
前記冷却部材は、前記外側壁に対向する面の曲率が、前記外側壁の前記冷却部材に対向する面の曲率と等しい付記17又は18記載の加熱装置。
基板を処理する処理室と、
前記処理室の外側に設けられ、前記処理室を加熱する発熱体と、
前記発熱体の外側に設けられる内側壁と、
前記内側壁の外側との間に間隙を形成して設けられる外側壁と、
前記間隙に設けられる冷却された冷却部材と、
前記内側壁と接触する接触位置と、前記外側壁と接触する接触位置との間で前記冷却部材を移動させる移動機構と、
を有する加熱装置。
処理室を加熱する発熱体の外側に設けられる内側壁と、前記内側壁の外側に設けられる外側壁との間の隙間に設けられる冷却部材を、移動機構によって前記内側壁に接触させて、前記処理室内で基板を処理する半導体装置の製造方法。
10 基板処理装置
12 処理室
28 温度センサ
34 内側壁
35 外側壁
36 空間
39 ヒータ
60 水冷ジャケット
62 水冷装置
64 移動機構
66 ジャケット本体
68 パイプ
76 支持機構
100 コントローラ
102 制御回路
Claims (5)
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室の外周側に設けられ、前記処理室を加熱する発熱体と、
前記発熱体の外周側に設けられる環状の内側壁と、
前記内側壁の外周側との間に間隙を形成して設けられる環状の外側壁と、
前記間隙に設けられる冷却された環状の冷却部材と、
前記内側壁及び前記外側壁の少なくともいずれか一方と接触する接触位置と、前記内側壁及び前記外側壁のいずれにも接触しない非接触位置との間で前記冷却部材を移動させる移動機構と、
少なくとも前記移動機構を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。 - 前記冷却部材は、前記内側壁に対向する面の曲率が、前記内側壁の前記冷却部材に対向する面の曲率と等しい請求項1記載の基板処理装置。
- 前記冷却部材は、前記外側壁に対向する面の曲率が、前記外側壁の前記冷却部材に対向する面の曲率と等しい請求項1又は2記載の基板処理装置。
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室の外側に設けられ、前記処理室を加熱する発熱体と、
前記発熱体の外側に設けられる内側壁と、
前記内側壁の外側との間に間隙を形成して設けられる外側壁と、
前記間隙に設けられ、強制的に冷却された冷却部材と、
前記内側壁と接触する位置と、前記外側壁と接触する位置との間で前記冷却部材を移動させる移動機構と、
少なくとも前記移動機構を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。 - 処理室を加熱する発熱体の外周側に設けられる環状の内側壁と、前記内側壁の外周側に設けられる環状の外側壁との間の隙間に設けられる環状の冷却部材を、前記内側壁及び前記外側壁の少なくともいずれか一方と接触する接触位置と、前記内側壁及び前記外側壁のいずれにも接触しない非接触位置との間で移動させる移動機構によって、前記内側壁に接触する接触位置に移動させる工程と、
前記処理室で基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008204968A JP5043776B2 (ja) | 2008-08-08 | 2008-08-08 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
KR1020090030752A KR101070667B1 (ko) | 2008-08-08 | 2009-04-09 | 기판 처리 장치, 가열 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
TW098111919A TWI406350B (zh) | 2008-08-08 | 2009-04-10 | 基板處理裝置、加熱裝置及半導體裝置之製造方法 |
US12/429,462 US8030599B2 (en) | 2008-08-08 | 2009-04-24 | Substrate processing apparatus, heating device, and semiconductor device manufacturing method |
CN2009101369370A CN101645393B (zh) | 2008-08-08 | 2009-04-28 | 基板处理装置、加热装置及半导体装置的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008204968A JP5043776B2 (ja) | 2008-08-08 | 2008-08-08 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010040952A true JP2010040952A (ja) | 2010-02-18 |
JP5043776B2 JP5043776B2 (ja) | 2012-10-10 |
Family
ID=41651936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008204968A Active JP5043776B2 (ja) | 2008-08-08 | 2008-08-08 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8030599B2 (ja) |
JP (1) | JP5043776B2 (ja) |
KR (1) | KR101070667B1 (ja) |
CN (1) | CN101645393B (ja) |
TW (1) | TWI406350B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014109073A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Samsung Corning Precision Materials Co Ltd | ロール・ツー・ロールスパッタリング方法 |
JP2015501379A (ja) * | 2011-10-21 | 2015-01-15 | リベル | 真空蒸着によって薄膜を堆積させる装置のための噴射システム |
WO2018179157A1 (ja) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、ヒータユニットおよび半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200802553A (en) * | 2006-05-17 | 2008-01-01 | Eagle Ind Co Ltd | Heating apparatus |
US8375891B2 (en) * | 2006-09-11 | 2013-02-19 | Ulvac, Inc. | Vacuum vapor processing apparatus |
JP2010016225A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Tokyo Electron Ltd | 温度調節機構および温度調節機構を用いた半導体製造装置 |
IT1392068B1 (it) * | 2008-11-24 | 2012-02-09 | Lpe Spa | Camera di reazione di un reattore epitassiale |
JP5572447B2 (ja) * | 2010-05-25 | 2014-08-13 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 |
US20140117005A1 (en) * | 2010-10-27 | 2014-05-01 | Tangteck Equipment Inc. | Diffusion furnace |
TWI408327B (zh) * | 2010-12-03 | 2013-09-11 | Tangteck Equipment Inc | 擴散爐裝置的加熱冷卻方法 |
US20120168143A1 (en) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | Poole Ventura, Inc. | Thermal Diffusion Chamber With Heat Exchanger |
JP2012195565A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-10-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
JP6164776B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2017-07-19 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6158025B2 (ja) * | 2013-10-02 | 2017-07-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置及び成膜方法 |
CN103757595B (zh) * | 2014-01-17 | 2015-10-28 | 北京交通大学 | 一种磁控溅射镀膜机传热装置 |
JP6255267B2 (ja) * | 2014-02-06 | 2017-12-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、加熱装置、天井断熱体及び半導体装置の製造方法 |
CN105789084B (zh) * | 2014-12-17 | 2019-04-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 加热腔室以及半导体加工设备 |
JP6358977B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理方法、及び、プログラム |
JP6710130B2 (ja) * | 2016-09-13 | 2020-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US10571337B2 (en) * | 2017-05-26 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Thermal cooling member with low temperature control |
CN110736345B (zh) * | 2018-07-18 | 2021-01-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 用于SiC高温氧化工艺的工艺腔室及热处理炉 |
JP7126425B2 (ja) * | 2018-10-16 | 2022-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板の搬入方法及び基板処理方法 |
US11339466B2 (en) | 2020-03-20 | 2022-05-24 | Applied Materials, Inc. | Heated shield for physical vapor deposition chamber |
CN113637953B (zh) * | 2021-08-06 | 2023-09-01 | 苏州步科斯新材料科技有限公司 | 一种快速冷却的碳化硅涂层沉积装置及使用方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06333841A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-12-02 | Canon Inc | 非単結晶シリコン系半導体膜の形成方法および装置 |
JP2007066934A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4545327A (en) * | 1982-08-27 | 1985-10-08 | Anicon, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus |
JPH03112672A (ja) | 1989-09-27 | 1991-05-14 | Canon Inc | 印字記録装置 |
KR100299113B1 (ko) | 1993-06-30 | 2001-11-30 | 히가시 데쓰로 | 열처리장치및열처리방법 |
JP3451137B2 (ja) | 1994-08-29 | 2003-09-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の熱処理装置 |
JPH08195351A (ja) | 1995-01-17 | 1996-07-30 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体反応炉 |
US6307184B1 (en) * | 1999-07-12 | 2001-10-23 | Fsi International, Inc. | Thermal processing chamber for heating and cooling wafer-like objects |
JP3112672B1 (ja) | 1999-11-22 | 2000-11-27 | 助川電気工業株式会社 | 縦型加熱装置 |
JP3479020B2 (ja) * | 2000-01-28 | 2003-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US6547922B2 (en) * | 2000-01-31 | 2003-04-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Vacuum-processing apparatus using a movable cooling plate during processing |
JP3912208B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2007-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP4158386B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2008-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 冷却装置及びこれを用いた熱処理装置 |
JP4180424B2 (ja) | 2003-04-04 | 2008-11-12 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法およびicの製造方法 |
US20070137794A1 (en) * | 2003-09-24 | 2007-06-21 | Aviza Technology, Inc. | Thermal processing system with across-flow liner |
WO2006049055A1 (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
DE102006018515A1 (de) * | 2006-04-21 | 2007-10-25 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit absenkbarer Prozesskammerdecke |
DE102007009145A1 (de) * | 2007-02-24 | 2008-08-28 | Aixtron Ag | Vorrichtung zum Abscheiden kristalliner Schichten wahlweise mittels MOCVD oder HVPE |
-
2008
- 2008-08-08 JP JP2008204968A patent/JP5043776B2/ja active Active
-
2009
- 2009-04-09 KR KR1020090030752A patent/KR101070667B1/ko active IP Right Grant
- 2009-04-10 TW TW098111919A patent/TWI406350B/zh active
- 2009-04-24 US US12/429,462 patent/US8030599B2/en active Active
- 2009-04-28 CN CN2009101369370A patent/CN101645393B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06333841A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-12-02 | Canon Inc | 非単結晶シリコン系半導体膜の形成方法および装置 |
JP2007066934A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015501379A (ja) * | 2011-10-21 | 2015-01-15 | リベル | 真空蒸着によって薄膜を堆積させる装置のための噴射システム |
JP2014109073A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Samsung Corning Precision Materials Co Ltd | ロール・ツー・ロールスパッタリング方法 |
WO2018179157A1 (ja) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、ヒータユニットおよび半導体装置の製造方法 |
JPWO2018179157A1 (ja) * | 2017-03-29 | 2019-11-07 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、ヒータユニットおよび半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201007869A (en) | 2010-02-16 |
US20100032425A1 (en) | 2010-02-11 |
TWI406350B (zh) | 2013-08-21 |
JP5043776B2 (ja) | 2012-10-10 |
US8030599B2 (en) | 2011-10-04 |
KR20100019312A (ko) | 2010-02-18 |
CN101645393A (zh) | 2010-02-10 |
CN101645393B (zh) | 2011-08-17 |
KR101070667B1 (ko) | 2011-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5043776B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
KR101624984B1 (ko) | 열처리 챔버에서 웨이퍼 지지부의 온도 측정 및 제어 장치 및 방법 | |
US7941039B1 (en) | Pedestal heat transfer and temperature control | |
JP4537200B2 (ja) | ウエハバッチ処理システム及び方法 | |
JPH06310448A (ja) | 熱処理装置 | |
US11384434B2 (en) | Substrate processing apparatus and heater device | |
KR100423629B1 (ko) | 저항 가열 단일 웨이퍼 노 | |
TWI466216B (zh) | 基板處理裝置,半導體裝置之製造方法及頂板斷熱體 | |
US20190024232A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate retainer | |
KR102424677B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 | |
JP5568387B2 (ja) | 加熱装置及び基板処理方法並びに基板処理装置 | |
JP2006505947A (ja) | 強制対流利用型の急速加熱炉 | |
JP4404620B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2007242850A (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
JP4495717B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2004311648A (ja) | 基板処理装置 | |
WO2023145054A1 (ja) | ヒータユニット、多層構造体、処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2005093911A (ja) | 基板処理装置 | |
KR102709567B1 (ko) | 초고온 열처리 장치 | |
JP2006222327A (ja) | 基板処理装置 | |
WO2021039271A1 (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
JP2008311587A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004311775A (ja) | 半導体処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110801 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120420 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120613 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120628 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120712 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5043776 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150720 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |