JP2010040782A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 パッケージ側面部の口開きの発生及び内部への進行を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 主面上に素子領域が形成された半導体基板1と、素子領域の所定の位置上に形成された層間絶縁膜及び配線層と、層間絶縁膜、配線層及び半導体基板の主面を覆い、素子領域を取り囲む開口部に充填された封止樹脂膜9とを備え、封止樹脂膜9と開口部内の封止樹脂膜からなる接合部11とを連続的に形成することにより、封止樹脂9の口開きの発生及びその内部への進行を抑制する。
【選択図】 図1
【解決手段】 主面上に素子領域が形成された半導体基板1と、素子領域の所定の位置上に形成された層間絶縁膜及び配線層と、層間絶縁膜、配線層及び半導体基板の主面を覆い、素子領域を取り囲む開口部に充填された封止樹脂膜9とを備え、封止樹脂膜9と開口部内の封止樹脂膜からなる接合部11とを連続的に形成することにより、封止樹脂9の口開きの発生及びその内部への進行を抑制する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法、特に半導体装置のパッケージ構造及びその製造方法に関する。
近年、携帯電話等に代表される小型電子機器の急速な普及により、半導体装置も薄型、
小型、軽量のものが要求されるようになってきている。これらの要求に対応するためにウェハー状態にてパッケージングを行うウェハーレベルチップサイズパッケージ(以下WCSP:Wafer Level Chip Size Packageと称す。)構造が盛んに報告されている。
小型、軽量のものが要求されるようになってきている。これらの要求に対応するためにウェハー状態にてパッケージングを行うウェハーレベルチップサイズパッケージ(以下WCSP:Wafer Level Chip Size Packageと称す。)構造が盛んに報告されている。
WCSPでは、実装信頼性における寿命延長と落下や基板の折り曲げといった機械的強度を向上させるために、半導体チップを実装基板へ実装後にアンダーフィルを施す場合がある。アンダーフィルを施す場合、アンダーフィル材の塗布量はディスペンスノズルからの噴出量や毛細管現象による浸透性に依存するため、半導体チップの全面に亘って塗布量を均一にすることが困難であった。
そのため、アンダーフィル材塗布量の不均一や不足等によって半導体チップの側面において濡れ不均一や濡れ不足が発生してしまう恐れがある。このような濡れ不均一や濡れ不足が発生すると、シリコン基板や素子表面をコートする封止樹脂、或いはそれらの界面に応力が集中してパッケージ側面部に口開きが発生してしまう。その結果、パッケージ側面部の口開きが内部へ進行して、素子領域及び配線層の破壊を引き起こしてしまうことが問題となっている。
半導体チップには、ダイシング時のダメージ或いは水分と共に浸入する不純物の素子領域及び配線層への進入を防止するために、チップリング、或いは溝が設けられているものがある(例えば、特許文献1参照)。しかし、上記の原因による口開きは、シリコン基板と素子領域及び配線層との界面を裂いて発生し内部へ進行する場合が多く、チップリングや従来技術ではその進行を防止することが出来なかった。
特開2007−329396
本発明は、パッケージ側面部の口開きの発生及びその内部への進行を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様による半導体装置は、主面上に素子領域が形成された半導体基板と、前記素子領域の所定の位置上に形成された層間絶縁膜及び配線層と、前記層間絶縁膜、前記配線層及び前記半導体基板の主面を覆い、前記素子領域外に位置する開口部に充填された封止樹脂膜と、を備えることを特徴とする。
また、本発明の一態様による半導体装置の製造方法は、半導体基板の主面上に素子領域を形成する工程と、前記素子領域を取り囲む開口部を前記半導体基板上に形成する工程と、前記素子領域上の所定の位置に層間絶縁膜及び配線層を形成する工程と、前記層間絶縁膜、前記配線層及び前記半導体基板の主面を覆い、前記開口部内に封止樹脂膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、パッケージ側面部の口開きの発生及びその内部への進行を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
(第1の実施形態)
まず、図11に本発明の実施形態の一態様に係る半導体装置を実装基板に実装し、アンダーフィルを施した状態の断面図を示す。実装基板16と、主面を封止樹脂17で覆われたシリコン基板18が外部端子19を介して接続されており、その接続部及び半導体基板側面にはアンダーフィル20が施されている。このアンダーフィル20の不均一や不足等によって半導体チップの側面に応力がかかる場合がある。
まず、図11に本発明の実施形態の一態様に係る半導体装置を実装基板に実装し、アンダーフィルを施した状態の断面図を示す。実装基板16と、主面を封止樹脂17で覆われたシリコン基板18が外部端子19を介して接続されており、その接続部及び半導体基板側面にはアンダーフィル20が施されている。このアンダーフィル20の不均一や不足等によって半導体チップの側面に応力がかかる場合がある。
本実施形態では、封止樹脂17をシリコン基板18の主面に形成されている素子領域(図示せず)を取り囲むように形成された開口部に充填している。封止樹脂を開口部に充填することにより、従来の構造では抑制することが出来なかったパッケージ側面部の口開き及びその内部への進行を抑制することができる。
図1は本発明の第1の実施形態に係る半導体装置を模式的に示した断面図である。図1を参照して、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の説明を行う。実際には、半導体チップ上には実装基板と接続される外部端子が縦横に並列して形成されるが、本実施形態では半導体チップの一部、特に半導体チップの端面周辺部に注目して説明を行う。
本発明の第1の実施形態に係る半導体装置は、主面上に素子領域及び配線層等が形成されているシリコン基板1上に、半導体チップとその外部とを電気的に接続するための電極パッド2が設けられている。また、電極パッド2を設ける部分以外の領域には、例えば、パッシベーション膜であるシリコン酸化膜等からなる絶縁層3が形成されている。
電極パッド2及び絶縁層3上には電極パッド2上に部分的に開口部が設けられている樹脂層4が形成されている。樹脂層4は、例えば、ポリイミド等からなり半導体チップ表面の絶縁性の確保や半導体チップへの機械的応力を緩和する役割等を有している。その樹脂層4上、開口部の側面及び開口部の底面には、UBM(under barrier metal)層5が設けられている。
UBM層5上には、例えば、アルミニウムや銅からなる再配線層6が形成されている。再配線層6上には部分的に、金属柱からなるPOST7が設けられており、POST7上にははんだボールからなる外部端子8が形成され、再配線層6と電気的に接続されている。また、再配線層6上には、再配線層6及びシリコン基板1主面を覆うように封止樹脂9が形成されている。封止樹脂9は、例えば、エポキシ系樹脂等からなる。POST7は封止樹脂9に埋め込まれており、外部端子8も部分的に封止樹脂9に埋め込まれていても構わない。なお、本発明において封止樹脂とは、再配線層6及びシリコン基板1主面を覆うように施される最外層の樹脂のことを指す。
シリコン基板1の主面において素子領域よりも外側の領域には、接合部11を形成するための開口部10が設けられており、その開口部10内には封止樹脂が充填されている。封止樹脂9と、開口部10内に充填されている封止樹脂は連続的に形成されている。
開口部10の開口幅が封止樹脂9に含まれるフィラーの粒径よりも大きい、具体的には10μm以上の可能な幅でより広く形成されているものであれば、開口部10内部への封止樹脂9の充填性が向上するため望ましい。
開口部10は、電極パッド2が形成される領域よりも外側に素子が形成されていない場合は、電極パッドよりも外側の領域に形成すればよく、従来のチップリングが形成されていた領域に形成しても構わない。また、言い換えれば再配線層6が形成されている領域よりも外側に形成すればよい。尚、開口部10はシリコン基板1の連続的に設けられており、半導体チップの素子領域の外側の領域に断続的に形成しても構わない。しかし、素子領域を取り囲むように連続して形成することで封止樹脂9の口開き及びその内部への進行をより効果的に抑制することができる。
開口部10の深さは多層配線層を貫通し、シリコン基板1の内部まで到達していることが好ましい。開口部をシリコン基板1の内部まで到達させることにより、封止樹脂9の口開き及びその内部への進行をより効果的に抑制することができる。
また、図1に示したPOSTタイプの構造以外に図2に示したような、外部端子8を直接再配線層6に接続した再配線タイプの構造も考えられる。再配線タイプの構造の場合封止樹脂9は、例えば、BCB(Benzo Cyclo Butane)系樹脂、PBO(Poly Benzo-Oxazole)系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂等が考えられる。
上記の材料の中には例えば、ポリイミド等の半導体チップ表面の絶縁性の確保や半導体チップへの機械的応力緩和のために施される樹脂層4として用いられる樹脂も含まれている。しかし、本実施形態では、上記した樹脂を最外層に形成される封止樹脂9として用いており、その封止樹脂9を開口部10へ充填して接合部11を設けている。それにより、封止樹脂9の口開き及びその内部への進行を抑制することができる。
接合部11の形状は、図3に示したような、開口部10をエッチング形成する時に生じるテーパー形状となっていても構わない。封止樹脂9が開口部10内部に充填されていれば、アンカー効果を得ることができ、封止樹脂9の口開きの発生を抑制することができる。
本実施形態では、開口部10に封止樹脂9と一体となった接合部11を形成することによってパッケージ側面部の口開きの発生及びその内部への進行を抑制することができる。具体的には、開口部10に封止樹脂9を埋め込むことでアンカー効果による口開きの発生を抑制することができる。また、シリコン基板1と封止樹脂9との界面が裂けた場合でも、接合部11をシリコン基板1の内部まで到達させておくことにより口開きの内部への進行を食い止めることができる。
次に、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法の説明を行う。図4は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
まず、図4(a)に示すような主面上に素子領域及び配線層等(図示せず)が形成されているシリコン基板1上の所定の領域に、半導体チップとその外部とを電気的に接続するための電極パッド2及び絶縁層3を形成する。
次いで、図4(b)に示すように、電極パッド2及び絶縁層3上に樹脂層4を形成する。続いて、図4(c)に示すように、樹脂層4の電極パット2上、開口部を形成する領域及びダイシングライン部(図示せず)を開口し、シリコン基板1、樹脂層4及び電極パット上にUBM層5を形成する。UBM層5を形成した後、図5(a)に示すように、UBM層5上に再配線層6を形成する。この再配線層6をマスクにしてUBM層5を選択的に除去する。この際、ダイシングライン部(図示せず)のUBM層5もあわせて除去する。
次に図5(b)に示すように、開口部を形成する領域のみを開口したハードマスク12を形成する。続いて、図5(c)CF4やCHF3等のガスを用いたRIE(Reactive Ion Etching)等のドライエッチングを行い、開口部10を形成する。開口部10形成後ハードマスク12を除去する。
POSTタイプの半導体パッケージ構造の場合は、図6(a)に示すように、再配線層6上の所定の領域上にPOST7を形成した後、図6(b)に示すように、再配線層6、POST7及びシリコン基板1の主面を封止樹脂9で覆うとともに、開口部10内部へも樹脂を充填することにより接合部11を形成する。
POSTタイプの場合には、封止樹脂9の形成方法として、液状の樹脂を印刷により塗布した後にキュアリングにより硬化させて形成する方法や、タブレット状樹脂でのトランファーモールド等により形成する方法等が考えられる。封止樹脂9形成後、図6(c)に示すように、POST7を露出させPOST7上にはんだからなる外部端子8をボール搭載やはんだ印刷等にて付与しリフローにより溶融させ形成する。
一方、再配線タイプの半導体パッケージ構造の場合は、図7(a)に示すように、再配線層6上の所定の領域上で再配線層6及びシリコン基板1の主面を封止樹脂9で覆うとともに、開口部10内部へも樹脂を充填することにより接合部11を形成する。
再配線タイプの場合には、封止樹脂9の形成方法として、液状の樹脂を用いてスピンコート、印刷、ディスペンサー等で形成する方法や、タブレット状樹脂でのトランスファーモールド等により形成する方法等が考えられる。封止樹脂9形成後、図7(b)に示すように、封止樹脂9に選択的に再配線層6が露出する開口部を形成し開口部にはんだからなる外部端子8をボール搭載やはんだ印刷等にて付与しリフローにより溶融させ形成する。
本実施形態によれば、次のような効果が得られる。すなわち、開口部10に封止樹脂9と一体となった接合部11を形成することによってパッケージ側面部の口開きの発生を抑制することができる。具体的には、溝10に封止樹脂9を埋め込むことでアンカー効果による口開きの発生を抑制することができる。また、シリコン基板1と封止樹脂9との界面が裂けた場合でも、接合部11をシリコン基板1の内部まで到達させておくことにより口開きの内部への進行を食い止めることができる。
なお、開口部10を形成する工程としては本実施形態に記載した順序に限らず、封止樹脂9を形成する工程以前の任意の工程にて行うことが出来る。例えば、図4(a)の工程において、電極パッド2及び絶縁層3を形成した後にハードマスク12を形成し、開口部10を形成しても構わない。
(第2の実施形態)
図8は本発明の第2の実施形態に係る半導体装置を模式的に示した断面図である。図8を参照して、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の説明を行う。尚、図8には第1の実施形態と同じ箇所には同じ符号を付している。
図8は本発明の第2の実施形態に係る半導体装置を模式的に示した断面図である。図8を参照して、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の説明を行う。尚、図8には第1の実施形態と同じ箇所には同じ符号を付している。
第2の実施形態は第1の実施形態と比較して、開口部内に、開口部の開口幅よりも大きい幅を有する領域が形成されていることを特徴としている。具体的には、図8に示すように、開口部14内部の形状を拡大し、開口部14の開口幅よりも幅を大きくした領域を有する接合部13を有していることを特徴としている。また、第1の実施形態と同様に、封止樹脂9と、開口部10内に充填されている封止樹脂は連続的に形成されている。
開口部14の開口幅よりも大きく形成されている領域を有することで、第1の実施形態と比較して、シリコン基板1と封止樹脂9との食い付きをさらに強固にすることができ、より高いアンカー効果を得ることができる。
開口部14の深さは多層配線層を貫通し、シリコン基板1の内部まで到達していることが好ましい。開口部をシリコン基板1の内部まで到達させることにより、封止樹脂9の口開き及びその内部への進行をより効果的に抑制することができる。
また、本実施形態も図8に示したPOSTタイプの構造以外に図9に示したような、外部端子8を直接再配線層6に接続した再配線タイプの構造も考えられる。再配線タイプの構造の場合にも、第1の実施形態と比較して、シリコン基板1と封止樹脂9との食い付きをさらに強固にすることができ、より高いアンカー効果を得ることができる。
次に、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法の説明を行う。図10は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。再配線層6を形成するまでの工程は、前記した第1の実施形態と同じであるため、ここでは説明は省略する。まず、図10(a)に示すように、開口部14を形成する領域のみを開口したハードマスク15を形成する。
続いて、CF4やCHF3等のガスを用いたRIE(Reactive Ion Etching)等のドライエッチングを行い、開口部14を形成する。ドライエッチングに続き、ウェットエッチングを行うことによって開口部14内部に図10(b)に示すような、開口幅よりも大きい幅を有する領域を形成することができる。以後の工程は前記した第1の実施形態と同様であるのでここでは説明は省略する。
第1の実施形態と同様に、POSTタイプの場合には、封止樹脂9の形成方法として、液状の樹脂を印刷により塗布した後にキュアリングにより硬化させて形成する方法や、タブレット状樹脂でのトランファーモールド等により形成する方法等が考えられる。また、再配線タイプの場合には、封止樹脂9の形成方法として、液状の樹脂を用いてスピンコート、印刷、ディスペンサー等で形成する方法や、タブレット状樹脂でのトランスファーモールド等により形成する方法等が考えられる。
なお、開口部14を形成する工程としては本実施形態に記載した順序に限らず、封止樹脂9を形成する工程以前の任意の工程にて行うことが出来る。例えば、電極パッド2及び絶縁層3を形成した後にハードマスク15を形成し、開口部14を形成しても構わない。
本実施形態によれば、次のような効果が得られる。すなわち、開口部14に封止樹脂9と一体となった接合部13を形成することによってパッケージ側面部の口開きを抑制することができる。さらに、接合部13内に開口幅よりも大きい幅が形成されている領域を設けることによってシリコン基板1と封止樹脂9との食い付きをさらに強固にすることができ、より高いアンカー効果を得ることができる。また、シリコン基板1と封止樹脂9との界面が裂けた場合でも、接合部13をシリコン基板1の内部まで到達させておくことにより口開きの内部への進行を食い止めることができる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々に変形して実施することができる。例えば、第2の実施形態において、開口部14が部分的にエッチング形成する時に生じるテーパー形状となっていても構わない。
1 シリコン基板
2 電極パッド
3 絶縁層
4 樹脂層
5 UBM層
6 再配線層
7 POST
8 外部端子
9 封止樹脂
10、14 溝
11、13 接合部
12、15 ハードマスク
2 電極パッド
3 絶縁層
4 樹脂層
5 UBM層
6 再配線層
7 POST
8 外部端子
9 封止樹脂
10、14 溝
11、13 接合部
12、15 ハードマスク
Claims (6)
- 主面上に素子領域が形成された半導体基板と、
前記素子領域の所定の位置上に形成された層間絶縁膜及び配線層と、
前記層間絶縁膜、前記配線層及び前記半導体基板の主面を覆い、前記素子領域外に位置する開口部に充填された封止樹脂膜と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記開口部は、前記素子領域を取り囲むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記開口部の開口幅は、10μm以上であることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
- 前記開口部内に、前記開口部の開口幅よりも大きい幅を有する領域が形成されていることを特徴とする請求項1乃至3記載の半導体装置。
- 前記開口部に充填された前記封止樹脂膜は、前記半導体基板内部まで到達していることを特徴とする請求項1乃至4記載の半導体装置。
- 半導体基板の主面上に素子領域を形成する工程と、
前記素子領域を取り囲む開口部を前記半導体基板上に形成する工程と、
前記素子領域上の所定の位置に層間絶縁膜及び配線層を形成する工程と、
前記層間絶縁膜、前記配線層及び前記半導体基板の主面を覆い、前記開口部内に封止樹脂膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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