JP2010040771A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012173067A1 (ja) * 2011-06-16 2012-12-20 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体装置の製造装置及び記憶媒体
WO2013153777A1 (ja) * 2012-04-11 2013-10-17 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置
WO2014013941A1 (ja) * 2012-07-18 2014-01-23 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
CN113088902A (zh) * 2021-04-12 2021-07-09 贵州大学 一种在原料氧化情况下制备单一相高锰硅薄膜的工艺方法

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63121640A (ja) * 1986-11-11 1988-05-25 Sumitomo Metal Ind Ltd 肌焼鋼
JPH11152528A (ja) * 1997-11-18 1999-06-08 Japan Energy Corp 高純度Mn材料の製造方法及び薄膜形成用高純度Mn材料
JP2001284678A (ja) * 2000-03-17 2001-10-12 Read Rite Corp スピンバルブ磁気抵抗効果素子
JP2001345325A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Nec Kyushu Ltd 半導体装置の配線形成方法
JP2004052036A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Kubota Corp 耐浸炭性にすぐれる加熱炉用部材
JP2004319834A (ja) * 2003-04-17 2004-11-11 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2006135363A (ja) * 2006-02-14 2006-05-25 Renesas Technology Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2007059660A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Sony Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2007173511A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2007208170A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2007221103A (ja) * 2006-01-20 2007-08-30 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
WO2008027214A2 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Lam Research Corporation Methods and apparatus for barrier interface preparation of copper interconnect
JP2008066428A (ja) * 2006-09-06 2008-03-21 Sony Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
WO2008049019A2 (en) * 2006-10-17 2008-04-24 Enthone Inc. Copper deposition for filling features in manufacture of microelectronic devices
JP2008124275A (ja) * 2006-11-13 2008-05-29 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2008153472A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2008192684A (ja) * 2007-02-01 2008-08-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63121640A (ja) * 1986-11-11 1988-05-25 Sumitomo Metal Ind Ltd 肌焼鋼
JPH11152528A (ja) * 1997-11-18 1999-06-08 Japan Energy Corp 高純度Mn材料の製造方法及び薄膜形成用高純度Mn材料
JP2001284678A (ja) * 2000-03-17 2001-10-12 Read Rite Corp スピンバルブ磁気抵抗効果素子
JP2001345325A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Nec Kyushu Ltd 半導体装置の配線形成方法
JP2004052036A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Kubota Corp 耐浸炭性にすぐれる加熱炉用部材
JP2004319834A (ja) * 2003-04-17 2004-11-11 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2007059660A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Sony Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2007173511A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2007221103A (ja) * 2006-01-20 2007-08-30 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2007208170A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2006135363A (ja) * 2006-02-14 2006-05-25 Renesas Technology Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
WO2008027214A2 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Lam Research Corporation Methods and apparatus for barrier interface preparation of copper interconnect
JP2010503204A (ja) * 2006-08-30 2010-01-28 ラム リサーチ コーポレーション 銅配線のバリア界面調整のための方法および装置
JP2008066428A (ja) * 2006-09-06 2008-03-21 Sony Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
WO2008049019A2 (en) * 2006-10-17 2008-04-24 Enthone Inc. Copper deposition for filling features in manufacture of microelectronic devices
JP2010507263A (ja) * 2006-10-17 2010-03-04 エントン インコーポレイテッド 超小型電子デバイスの製造におけるフィチャーを埋め込むための銅堆積
JP2008124275A (ja) * 2006-11-13 2008-05-29 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2008153472A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2008192684A (ja) * 2007-02-01 2008-08-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012173067A1 (ja) * 2011-06-16 2012-12-20 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体装置の製造装置及び記憶媒体
KR20140041745A (ko) * 2011-06-16 2014-04-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 장치 및 기억 매체
TWI470679B (zh) * 2011-06-16 2015-01-21 東京威力科創股份有限公司 Semiconductor device manufacturing method
JPWO2012173067A1 (ja) * 2011-06-16 2015-02-23 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体装置の製造装置及び記憶媒体
KR101659469B1 (ko) 2011-06-16 2016-09-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 장치 및 기억 매체
WO2013153777A1 (ja) * 2012-04-11 2013-10-17 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置
JPWO2013153777A1 (ja) * 2012-04-11 2015-12-17 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置
WO2014013941A1 (ja) * 2012-07-18 2014-01-23 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
JPWO2014013941A1 (ja) * 2012-07-18 2016-06-30 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
CN113088902A (zh) * 2021-04-12 2021-07-09 贵州大学 一种在原料氧化情况下制备单一相高锰硅薄膜的工艺方法

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JP2010050360A (ja) 半導体装置の製造方法
JP5288734B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法

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