JP2010034526A5 - - Google Patents

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上記目的を達成するために、第1の本発明は、 数層の配線基板であって、
前記複数層中の第1層である可溶性の多孔膜部材層に、導電性ナノ粒子を含む第1の配線パターンを有し、
前記複数層中の第2層は、電気絶縁性の基材であり、

前記第1の配線パターンは、一部分が前記多孔膜部材層中に存在し、他部分が前記多孔膜部材層から突出し、前記一部分と前記他部分とは外形が連続している配線基板である。
又、第2の本発明は、
前記多孔膜部材層は、前記第1層の全体に形成されている第1の本発明の配線基板である。
又、第の本発明は、
前記多孔膜部材層に、導電性ナノ粒子を含まない第2の配線パターンが形成され、前記第2の配線パターン上に前記第1の配線パターンが配置されている第1または第2の本発明の配線基板である。
又、第の本発明は、 前記第2層に導電性ナノ粒子を含まない第2の配線パターンが形成されており、
前記複数層中の第3層は、有機フィルムで形成されたフィルム基材によって形成されており、
前記第1層の前記多孔膜部材層は、前記第2の配線パターンが形成されておらず、前記第3層の、一方面に前記第1層、他方面に前記第2層が配置されており、
前記第2の配線パターンは、前記第3層と反対側の、前記第2層の面に形成されている、第1から第3のいずれかの本発明の配線基板である。
又、第の本発明は、
前記複数層中に2つの第1層を有した配線基板であって、
温度変動による反りを抑制するように、前記2つの第1層は、熱膨張率が異なる多孔膜部材を含んでいる、第1から第4のいずれかの本発明の配線基板である。
又、第の本発明は、
前記配線基板は、屈曲部を中心にして屈曲されており
前記多孔膜部材層は、前記屈曲部の近傍を除いて部分的に前記第1層に設けられた第1、第3から第5のいずれかの本発明の配線基板である。
又、第の本発明は、
前記複数層のうちの第4層が、紫外線硬化型樹脂によって形成されている、第1から第6のいずれかの本発明の配線基板である。
又、第の本発明は、
前記第1の配線パターンの全部又は一部は、前記第1層を挟む2つの層に形成された配線パターン間を電気的に接続する層間接続用のビアとして用いられる、第1から第7のいずれかの本発明の配線基板である。
又、第の本発明は、
前記複数層のうち隣接して配置された所定数の層が、前記第1層である、第1から第8のいずれかの本発明の配線基板である。
又、第10の本発明は、
前記隣接して配置された前記第1層における第1の配線パターンの少なくとも一部の配線部分は、それらの幅方向の中心が同一直線上に位置するように形成されている、第の本発明の配線基板である。
又、第11の本発明は、
複数の前記第1層に形成されている前記配線部分の幅が同じである、第9または第10の本発明の配線基板である。
又、第12の本発明は、 複数層の配線基板であって、
前記複数層中の第1層である可溶性の多孔膜部材層に、導電性ナノ粒子を含む第1の配線パターンを有し、
前記複数層中の第2層は、電気絶縁性の基材であり、
前記複数層のうち隣接して配置された所定数の層が、複数の前記第1層であり、
前記複数の第1層における第1の配線パターンの一部の配線部分は、前記複数の第1層間で、幅方向の中心が同一直線上に位置するように形成され、
前記複数の第1層で、第1の所定の第1層から、隣接する第2の所定の第1層に向けて、前記配線部分の幅は、同じ、又は大きくなるように形成されており、
前記第2の所定の第1層の、前記第1の所定の第1層側の反対面に隣接して配置されている第3の所定の第1層に形成されている前記配線部分の幅は、前記第1の所定の第1層に形成されている前記配線部分の幅以下であり、
前記第3の所定の第1層から、前記第2の所定の第1層の反対側に配置されている第4の所定の第1層に向けて、隣接する前記第1層間における前記配線部分の幅は、同じ、又は大きくなるように形成されてい配線基板である。
又、第13の本発明は、
前記複数の第1層のうち、少なくともいずれかの第1層に空洞が形成されている、第12の本発明の配線基板である。
又、第14の本発明は、
前記空洞は、前記第1の配線パターンの一部の配線部分に隣接して形成されている、第13の本発明の配線基板である。
又、第15の本発明は、
前記隣接して配置された前記複数の第1層における第1の配線パターンの少なくとも一部の配線部分は、それらの幅方向の中心が同一直線上に位置するように形成されており、
前記空洞が隣接している前記第1の配線パターンの前記一部の配線部分は、前記幅方向の中心が同一直線上に位置するように形成されている前記第1の配線パターンの一部の配線部分であり、
前記空洞が隣接している前記配線部分の幅は、前記空洞が形成されている第1層に隣接する少なくとも一方の第1層に形成されている前記配線部分の幅よりも小さく、
前記空洞は、前記隣接するなくとも一方の第1層に形成されている前記配線部分にも隣接している、第14の本発明の配線基板である。
又、第16の本発明は、
前記第2の配線パターンは、その表面と前記第2の配線パターンが形成されている層の表面が同一面上に位置するように前記層に形成されている、第3〜15のいずれかの本発明の配線基板である。
又、第17の本発明は、
前記第2の配線パターンは、その表面が前記第2の配線パターンが形成されている層の表面から突出して形成されている、第3〜16の本発明の配線基板である。
又、第18の本発明は、
前記第1の配線パターンは、第1の導電性ナノ粒子層と第2の導電性ナノ粒子層を有し、
前記第1の導電性ナノ粒子層は、前記多孔膜部材の厚み方向の全部又は一部を占めており、
前記第2の導電性ナノ粒子層は、前記多孔膜部材の上に位置している、第1から17のいずれかの本発明の配線基板である。
又、第19の本発明は、
単層又は複数層の配線基板の製造方法であって、
インクジェット法を用いて、導電性ナノ粒子を含む材料を可溶性の多孔膜部材に吐出して、いずれか1つの層に第1の配線パターンを形成する第1の配線パターン形成工程と、
前記導電性ナノ粒子を含まない材料を用いて第2の配線パターンを形成する第2の配線パターン形成工程とを備えた、配線基板の製造方法であり、
前記第1の配線パターンを形成した後に、前記多孔膜部材を所定の溶液で処理し、前記多孔膜部材の厚みを減らす処理工程を備えた配線基板の製造方法である。
又、第20の本発明は、
前記複数層のうちの1層は、電気絶縁性の基材であり、
前記第2の配線パターン形成工程は、前記第2の配線パターンを有する転写材を用いて前記基材に前記第2の配線パターンを転写する転写工程であり、
前記第2の配線パターンの表面は、前記基材の表面と同一面上となる、第19の本発明の配線基板の製造方法である。
又、第21の本発明は、 前記多孔膜部材は、ポリアミドイミド、又はポリエーテルイミドを主成分として含んでおり、
前記所定の溶液とは、N−メチル−2−ピロリドンである、第19または20の本発明の配線基板の製造方法である。

Claims (21)

  1. 数層の配線基板であって、
    前記複数層中の第1層である可溶性の多孔膜部材層に、導電性ナノ粒子を含む第1の配線パターンを有し、
    前記複数層中の第2層は、電気絶縁性の基材であり、
    前記第1の配線パターンは、一部分が前記多孔膜部材層中に存在し、他部分が前記多孔膜部材層から突出し、前記一部分と前記他部分とは外形が連続している配線基板。
  2. 前記多孔膜部材層は、前記第1層の全体に形成されている請求項1記載の配線基板。
  3. 前記多孔膜部材層に、導電性ナノ粒子を含まない第2の配線パターンが形成され、前記第2の配線パターン上に前記第1の配線パターンが配置されている請求項1または2記載の配線基板。
  4. 前記第2層に導電性ナノ粒子を含まない第2の配線パターンが形成されており、
    前記複数層中の第3層は、有機フィルムで形成されたフィルム基材によって形成されており、
    前記第1層の前記多孔膜部材層は、前記第2の配線パターンが形成されておらず、前記第3層の、一方面に前記第1層、他方面に前記第2層が配置されており、
    前記第2の配線パターンは、前記第3層と反対側の、前記第2層の面に形成されている、請求項1から3のいずれか1項に記載の配線基板。
  5. 前記複数層中に2つの第1層を有した配線基板であって、
    温度変動による反りを抑制するように、前記2つの第1層は、熱膨張率が異なる多孔膜部材を含んでいる、請求項1から4のいずれか1項に記載の配線基板。
  6. 前記配線基板は、屈曲部を中心にして屈曲されており
    前記多孔膜部材層は、前記屈曲部の近傍を除いて部分的に前記第1層に設けられた請求項1、3から5のいずれか1項に記載の配線基板。
  7. 前記複数層のうちの第4層が、紫外線硬化型樹脂によって形成されている、請求項1から6のいずれか1項に記載の配線基板。
  8. 前記第1の配線パターンの全部又は一部は、前記第1層を挟む2つの層に形成された配線パターン間を電気的に接続する層間接続用のビアとして用いられる、請求項1から7のいずれか1項に記載の配線基板。
  9. 前記複数層のうち隣接して配置された所定数の層が、前記第1層である、請求項1から8のいずれか1項に記載の配線基板。
  10. 前記隣接して配置された前記第1層における第1の配線パターンの少なくとも一部の配線部分は、それらの幅方向の中心が同一直線上に位置するように形成されている、請求項記載の配線基板。
  11. 複数の前記第1層に形成されている前記配線部分の幅が同じである、請求項9または10に記載の配線基板。
  12. 複数層の配線基板であって、
    前記複数層中の第1層である可溶性の多孔膜部材層に、導電性ナノ粒子を含む第1の配線パターンを有し、
    前記複数層中の第2層は、電気絶縁性の基材であり、
    前記複数層のうち隣接して配置された所定数の層が、複数の前記第1層であり、
    前記複数の第1層における第1の配線パターンの一部の配線部分は、前記複数の第1層間で、幅方向の中心が同一直線上に位置するように形成され、
    前記複数の第1層で、第1の所定の第1層から、隣接する第2の所定の第1層に向けて、前記配線部分の幅は、同じ、又は大きくなるように形成されており、
    前記第2の所定の第1層の、前記第1の所定の第1層側の反対面に隣接して配置されている第3の所定の第1層に形成されている前記配線部分の幅は、前記第1の所定の第1層に形成されている前記配線部分の幅以下であり、
    前記第3の所定の第1層から、前記第2の所定の第1層の反対側に配置されている第4の所定の第1層に向けて、隣接する前記第1層間における前記配線部分の幅は、同じ、又は大きくなるように形成されている配線基板。
  13. 前記複数の第1層のうち、少なくともいずれかの第1層に空洞が形成されている、請求項12記載の配線基板。
  14. 前記空洞は、前記第1の配線パターンの一部の配線部分に隣接して形成されている、請求項13記載の配線基板。
  15. 前記隣接して配置された前記複数の第1層における第1の配線パターンの少なくとも一部の配線部分は、それらの幅方向の中心が同一直線上に位置するように形成されており、
    前記空洞が隣接している前記第1の配線パターンの前記一部の配線部分は、前記幅方向の中心が同一直線上に位置するように形成されている前記第1の配線パターンの一部の配線部分であり、
    前記空洞が隣接している前記配線部分の幅は、前記空洞が形成されている第1層に隣接する少なくとも一方の第1層に形成されている前記配線部分の幅よりも小さく、
    前記空洞は、前記隣接するなくとも一方の第1層に形成されている前記配線部分にも隣接している、請求項14記載の配線基板。
  16. 前記第2の配線パターンは、その表面と前記第2の配線パターンが形成されている層の表面が同一面上に位置するように前記層に形成されている、請求項3〜15のいずれかに記載の配線基板。
  17. 前記第2の配線パターンは、その表面が前記第2の配線パターンが形成されている層の表面から突出して形成されている、請求項3〜16のいずれかに記載の配線基板。
  18. 前記第1の配線パターンは、第1の導電性ナノ粒子層と第2の導電性ナノ粒子層を有し、
    前記第1の導電性ナノ粒子層は、前記多孔膜部材の厚み方向の全部又は一部を占めており、
    前記第2の導電性ナノ粒子層は、前記多孔膜部材の上に位置している、請求項1から17のいずれかに記載の配線基板。
  19. 単層又は複数層の配線基板の製造方法であって、
    インクジェット法を用いて、導電性ナノ粒子を含む材料を可溶性の多孔膜部材に吐出して、いずれか1つの層に第1の配線パターンを形成する第1の配線パターン形成工程と、
    前記導電性ナノ粒子を含まない材料を用いて第2の配線パターンを形成する第2の配線パターン形成工程とを備えた、配線基板の製造方法であり、
    前記第1の配線パターンを形成した後に、前記多孔膜部材を所定の溶液で処理し、前記多孔膜部材の厚みを減らす処理工程を備えた配線基板の製造方法。
  20. 前記複数層のうちの1層は、電気絶縁性の基材であり、
    前記第2の配線パターン形成工程は、前記第2の配線パターンを有する転写材を用いて前記基材に前記第2の配線パターンを転写する転写工程であり、
    前記第2の配線パターンの表面は、前記基材の表面と同一面上となる、請求項19記載の配線基板の製造方法。
  21. 前記多孔膜部材は、ポリアミドイミド、又はポリエーテルイミドを主成分として含んでおり、
    前記所定の溶液とは、N−メチル−2−ピロリドンである、請求項19または20に記載の配線基板の製造方法。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8919428B2 (en) 2007-10-17 2014-12-30 Purdue Research Foundation Methods for attaching carbon nanotubes to a carbon substrate
US8262835B2 (en) * 2007-12-19 2012-09-11 Purdue Research Foundation Method of bonding carbon nanotubes
JP5615002B2 (ja) * 2010-03-02 2014-10-29 株式会社ミマキエンジニアリング プリンタ装置およびその印刷方法
KR101100110B1 (ko) * 2010-03-15 2011-12-29 한국철강 주식회사 기판 또는 플렉서블 기판을 포함하는 광기전력 장치 및 그 제조 방법
JP2013016633A (ja) * 2011-07-04 2013-01-24 Alps Electric Co Ltd 配線基板の製造方法
CN103249243A (zh) * 2012-02-03 2013-08-14 景硕科技股份有限公司 线路积层板的线路结构
US10462909B2 (en) * 2014-11-14 2019-10-29 Fuji Corporation Wiring board manufacturing method and wiring board manufacturing device
CN104735917B (zh) * 2015-03-30 2018-02-02 中国科学院化学研究所 一种柱状嵌入式柔性电路的制备方法及应用
KR102517008B1 (ko) * 2018-05-08 2023-03-31 더블유.엘. 고어 앤드 어소시에이트스, 인코포레이티드 신장 가능한 기재 상의 연성의 신장 가능한 인쇄 회로
JP7263703B2 (ja) * 2018-06-20 2023-04-25 コニカミノルタ株式会社 パターン形成方法、パターン形成物およびパターン形成装置
JP2021125521A (ja) * 2020-02-04 2021-08-30 矢崎総業株式会社 プリント配線板、プリント回路板、及びプリント配線板の製造方法
CN113709997B (zh) * 2021-09-28 2023-08-25 廖勇志 一种柔性导电膜及电路板的制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3980801B2 (ja) * 1999-09-16 2007-09-26 株式会社東芝 三次元構造体およびその製造方法
JP2002329974A (ja) * 2001-05-01 2002-11-15 Nitto Denko Corp 配線基板及びその製造方法
JP4042497B2 (ja) * 2002-04-15 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 導電膜パターンの形成方法、配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体
JP2004084556A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 排ガス浄化用触媒担体、それを用いた排ガス浄化体及びその製造方法
JP3887337B2 (ja) * 2003-03-25 2007-02-28 株式会社東芝 配線部材およびその製造方法
JP2006026522A (ja) * 2004-07-15 2006-02-02 Seiko Epson Corp 薄膜パターンの形成方法、デバイスおよびその製造方法
JP2006147646A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Seiko Epson Corp 配線形成方法、配線形成システム、並びに電子機器
US7732349B2 (en) * 2004-11-30 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of insulating film and semiconductor device
US7985677B2 (en) * 2004-11-30 2011-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP2007123507A (ja) 2005-10-27 2007-05-17 Kyocera Corp セラミック多層配線基板の製造方法
JPWO2007097249A1 (ja) * 2006-02-20 2009-07-09 ダイセル化学工業株式会社 多孔性フィルム及び多孔性フィルムを用いた積層体
JP2009088460A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 回路パターン形成方法

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