JP2010033689A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

【課題】第１のＭＲ磁性層（自由層）と、非磁性中間層と、第２のＭＲ磁性層（自由層）と、がこの順で互いに接して設けられたＭＲ積層体を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、無磁界状態における２つのＭＲ磁性層の磁化方向をこれらＭＲ磁性層間の磁気的相互作用に依ることなく互いに反平行の向きに制御する。
【解決手段】薄膜磁気ヘッドは、各々が第１のＭＲ磁性層６と第２のＭＲ磁性層８とに面してＭＲ積層体２の膜面直交方向にＭＲ積層体を挟んで設けられた第１及び第２のシールド層３，４を有している。第１のシールド層３は、第１のＭＲ磁性層６に記録媒体対向面と平行な向きの交換結合磁界を印加する第１の交換結合磁界印加層１３と、第１の交換結合磁界印加層との間で反強磁性結合する第１の反強磁性層１２と、を有している。第２のシールド層４も第１のシールド層と同様の構成を有している。
【選択図】図２Ａ

Description

本発明は薄膜磁気ヘッドに関し、特に外部磁界に対して磁化方向が変化する一対の磁性層を備えた薄膜磁気ヘッドの素子構造に関する。

ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の高記録密度化に伴い、高感度、高出力のヘッドが要求されている。この要求を満たすヘッドとしてスピンバルブヘッドが考案されている。スピンバルブヘッドには、非磁性中間層を介した一対の強磁性層が設けられている。反強磁性層が一方の強磁性層に接して配置されており、反強磁性層との交換結合によって、強磁性層の磁化方向は一方向に固着される。もう一方の強磁性層は、外部磁界に対して磁化方向が自由に回転する。このような強磁性層は自由層とも呼ばれる。スピンバルブヘッドにおいては、この２つの強磁性層におけるスピンの相対角度の変化によって、磁気抵抗変化が実現される。上記一対の強磁性層は一対のシールド層に挟まれており、記録媒体の同一トラック上の隣接するビットからの外部磁界が遮断される。

反強磁性層と強磁性層との交換結合はスピンバルブヘッドにおける本質的特徴の一つである。しかしながら、更なる高記録密度化が進み、リードギャップ（磁気ヘッドで媒体信号を読み取った時の信号の媒体進行方向の幅。シールド間に挟まれた膜の膜厚と相関がある。）が２０ｎｍ程度になると、反強磁性層をリードギャップ内に含める余裕がなくなる。そこで、何らかの方法で、強磁性層の磁化方向を制御し、２つの強磁性層の磁化方向がなす相対角度を外部磁界に応じて変化させる技術が必要となる。米国特許第７，０３５，０６２号明細書には、外部磁界に応じて磁化方向が変化する２つの自由層と、これらの自由層の間に挟まれた非磁性中間層と、を有する薄膜磁気ヘッドが開示されている。２つの自由層は非磁性中間層を介してＲＫＫＹ(Rudermann, Kittel, Kasuya, Yoshida)相互作用による交換結合をしており、磁界が全く印加されない状態（以下、この状態を無磁界状態と呼ぶ。）では、互いに反平行の向きに磁化されている。記録媒体対向面から見て２つの自由層及び非磁性中間層の裏面にはバイアス磁性層が設けられており、記録媒体対向面と直交する方向にバイアス磁界が印加される。バイアス磁性層からの磁界によって、２つの自由層の磁化方向は一定の相対角度をなす。この状態で、記録媒体対向面と直交する向きの外部磁界が記録媒体から与えられると、２つの自由層の磁化方向が変化し、この結果２つの自由層の磁化方向がなす相対角度が変化し、センス電流の電気抵抗が変化する。この性質を利用して外部磁界を検出することが可能となる。このように２つの自由層を用いた膜構成では、反強磁性層が不要となるため、膜構成が簡略され、リードギャップの低減が容易になるポテンシャルがある。なお、本明細書では、「平行」は磁化方向が互いに平行であり、かつ同じ方向を向いていることを、「反平行」は磁化方向が互いに平行であるが、逆方向を向いていることを意味する。

米国特許第７，０３５，０６２号明細書

しかしながら、２つの自由層をＲＫＫＹ相互作用によって磁気的に連結する方式の薄膜磁気ヘッドでは、非磁性中間層として利用できる材料が限定され、磁気抵抗変化率の向上も期待できない。そこで、２つの自由層を互いに反平行の向きに磁化する他の技術が必要となる。

本発明は、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第１のＭＲ磁性層（自由層）と、非磁性中間層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２のＭＲ磁性層（自由層）と、がこの順で互いに接して設けられたＭＲ積層体と、ＭＲ積層体の記録媒体対向面の反対面に設けられ、ＭＲ積層体に記録媒体対向面と直交する向きのバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加層と、を有する薄膜磁気ヘッドを対象とする。本発明の目的は、無磁界状態における２つのＭＲ磁性層の磁化方向をこれらＭＲ磁性層間の磁気的相互作用に依ることなく互いに反平行の向きに制御することによって高い磁化抵抗変化率を得ることができ、しかもリードギャップの低減が容易な薄膜磁気ヘッドを提供することである。

本発明の一実施形態に係る薄膜磁気ヘッドは、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第１のＭＲ磁性層と、非磁性中間層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２のＭＲ磁性層とを有し、第１のＭＲ磁性層と、非磁性中間層と、第２のＭＲ磁性層とがこの順で互いに接して設けられたＭＲ積層体と、各々が第１のＭＲ磁性層と第２のＭＲ磁性層とに面してＭＲ積層体の膜面直交方向にＭＲ積層体を挟んで設けられ、センス電流をＭＲ積層体の膜面直交方向に流す電極を兼ねる第１及び第２のシールド層と、ＭＲ積層体の記録媒体対向面の反対面に設けられ、ＭＲ積層体に記録媒体対向面と直交する向きのバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加層と、を有している。第１のシールド層は、第１のＭＲ磁性層に面して設けられ第１のＭＲ磁性層に記録媒体対向面と平行な向きの交換結合磁界を印加する第１の交換結合磁界印加層と、第１のＭＲ磁性層から見て第１の交換結合磁界印加層の裏面に第１の交換結合磁界印加層に接して設けられ第１の交換結合磁界印加層との間で反強磁性結合する第１の反強磁性層と、を有している。第２のシールド層は、第２のＭＲ磁性層に面して設けられ第２のＭＲ磁性層に記録媒体対向面と平行でかつ第１の交換結合磁界印加層が第１のＭＲ磁性層に及ぼす交換結合磁界と反平行な向きの交換結合磁界を印加する第２の交換結合磁界印加層と、第２のＭＲ磁性層から見て第２の交換結合磁界印加層の裏面に第２の交換結合磁界印加層に接して設けられ第２の交換結合磁界印加層との間で反強磁性結合する第２の反強磁性層と、を有している。

このように構成された薄膜磁気ヘッドでは、各々が第１及び第２の反強磁性層との反強磁性結合によって磁化方向が強固に固定された第１及び第２の交換結合磁界印加層からの磁界が第１及び第２のＭＲ磁性層に印加される。第１の交換結合磁界印加層からの磁界と第２の交換結合磁界印加層からの磁界は反平行であるため、無磁化状態では第１及び第２のＭＲ磁性層は互いに反平行の向きに磁化される。しかし、実際には、バイアス磁界印加層から、記録媒体対向面と直交する向きのバイアス磁界を受けるため、第１及び第２のＭＲ磁性層は、反平行と平行の中間の状態に磁化される。これを初期磁化状態として記録媒体からの外部磁界が印加されると、第１及び第２のＭＲ磁性層の磁化方向のなす相対角度が外部磁界の大きさ及び向きに応じて変化するため、磁気抵抗効果を利用した外部磁界の検出が可能となる。

しかも、第１及び第２の反強磁性層並びに第１及び第２の交換結合磁界印加層はシールド層としての機能も有しているため、リードギャップの低減にも寄与する。本発明は、従来ＭＲ磁性層と磁気的に結合していなかったシールド層が、ＭＲ磁性層と磁気的に結合していることが大きな特徴となっている。

このようにして、高い磁化抵抗変化率を得ることが可能で、しかもリードギャップの低減が容易な薄膜磁気ヘッドを提供することができる。

本発明の一実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの側方断面図である。 図１の２Ａ−２Ａ方向から見た薄膜磁気ヘッドの読込部の側面図である。 図１と同じ方向から見た薄膜磁気ヘッドの読込部の断面図である。 図１に示す薄膜磁気ヘッドの作動原理を示す概念図である。 図１に示す薄膜磁気ヘッドの作動原理を示す概念図である。 図１に示す薄膜磁気ヘッドの作動原理を示す概念図である。 図１に示す薄膜磁気ヘッドの作動原理を示す概念図である。 第１及び第２のＭＲ磁性層に印加される磁界強度と信号出力との関係を示す模式図である。 本発明の変形例の薄膜磁気ヘッドの構成と作動原理を示す概念図である。 交換結合磁界印加層の膜厚と交換磁界との関係を示すグラフである。 交換結合磁界印加層の膜厚とＭＲ変化率との関係を示すグラフである。 交換結合磁界印加層の膜厚とＭＲ変化率のばらつきとの関係を示すグラフである。 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造に係るウエハの平面図である。 本発明のスライダの斜視図である。 本発明のスライダが組込まれたヘッドジンバルアセンブリを含むヘッドアームアセンブリの斜視図である。 本発明のスライダが組込まれたヘッドアームアセンブリの側方図である。 本発明のスライダが組込まれたハードディスク装置の平面図である。

以下、図面を参照して本発明の一実施形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。図１は、本実施形態の薄膜磁気ヘッドの側方断面図である。図２Ａは、図１の２Ａ−２Ａ方向、すなわち記録媒体対向面Ｓから見た薄膜磁気ヘッドの読込部の側面図、図２Ｂは、図１と同じ方向から見た薄膜磁気ヘッドの読込部の断面図である。記録媒体対向面Ｓとは、薄膜磁気ヘッド１の、記録媒体Ｍとの対向面である。

薄膜磁気ヘッド１は、ＭＲ積層体２と、ＭＲ積層体２の膜面直交方向ＰにＭＲ積層体２を挟んで設けられた第１及び第２のシールド層３，４とを有している。表１には、ＭＲ積層体２と第１及び第２のシールド層３，４の膜構成を示す。表は、第１のシールド層３から第２のシールド層４に向けて積層順に下から上に記載している。なお磁化方向は図３Ａの磁化方向と対応している。

図２Ａ及び表１を参照すると、ＭＲ積層体２は、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第１のＭＲ磁性層６と、非磁性中間層７と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２のＭＲ磁性層８と、を有し、第１のＭＲ磁性層６と、非磁性中間層７と、第２のＭＲ磁性層８とがこの順で互いに接している。また、第１のＭＲ磁性層６に隣接して第１の磁気的連結層５が、第２のＭＲ磁性層８に隣接して第２の磁気的連結層９が各々設けられている。

第１のＭＲ磁性層６及び第２のＭＲ磁性層８はCoFe層からなり、非磁性中間層７はZnO層からなる。第１のＭＲ磁性層６及び第２のＭＲ磁性層８は、NiFeやCoFeBで形成することもできる。第１のＭＲ磁性層６はNiFe/CoFeの２層膜で、第２のＭＲ磁性層８はCoFe/NiFeの２層膜から形成することもできる。ここで、本明細書ではＡ／Ｂ／Ｃ・・等の表記は膜Ａ，Ｂ，Ｃ・・がこの順で積層されていることを示す。すなわち、第１のＭＲ磁性層６及び第２のＭＲ磁性層８を２層構成とする場合は、CoFe層がZnO層と接するようにするのが好ましい。非磁性中間層７は、MgO，Al₂O₃，AlN，TiO₂，NiO等で形成してもよい。非磁性中間層７として金属またはZnO等の半導体を用いた場合、薄膜磁気ヘッド１はＣＰＰ(Current Perpendicular to the Plane)−ＧＭＲ(Giant Magneto-Resistance)素子として機能し、MgO等の絶縁体を用いた場合、薄膜磁気ヘッド１はＴＭＲ(Tunneling Magneto-Resistance)素子として機能する。

第１の磁気的連結層５は、第１のＭＲ磁性層６と第１のシールド層３の第１の交換結合磁界印加層１３との間に設けられており、以下に詳述するように、第１の交換結合磁界印加層１３からの交換磁界を第１のＭＲ磁性層６に伝達する機能を有している。第１の磁気的連結層５は、本実施形態ではRu層/CoFe層/Ru層/CoFe層/Ru層の５層の積層構成となっている。

同様に、第２の磁気的連結層９は、第２のＭＲ磁性層８と第２のシールド層４の第２の交換結合磁界印加層１４との間に設けられており、以下に詳述するように、第２の交換結合磁界印加層１４からの交換磁界を第２のＭＲ磁性層８に伝達する機能を有している。第２の磁気的連結層９は、本実施形態ではRu層/CoFe層/Ru層の３層の積層構成となっている。

第１のシールド層３は、第２のシールド層４とともに、センス電流をＭＲ積層体２の膜面直交方向Ｐに流す電極を兼ねている。第１のシールド層３は、第１のＭＲ磁性層６に面する側に、第１の磁気的連結層５を介して設けられている。第１のシールド層３は、第１の交換結合磁界印加層１３と、第１のＭＲ磁性層６から見て第１の交換結合磁界印加層１３の裏面に第１の交換結合磁界印加層１３に接して設けられた第１の反強磁性層１２と、第１のＭＲ磁性層６から見て第１の反強磁性層１２の裏面に設けられた第１の主シールド層１１、とを有している。第１の交換結合磁界印加層１３は、第１の反強磁性層１２に接して設けられたCoFe層１３ａと、CoFe層１３ａ及び第１の磁気的連結層５の双方に接して設けられたNiFe層１３ｂの２層構成である。第１の交換結合磁界印加層１３の膜厚は、後述するように５〜８０ｎｍの範囲にあることが望ましい。第１の反強磁性層１２はIrMnからなり、隣接するCoFe層１３ａとの間で強い反強磁性結合をしている。第１の反強磁性層１２は他にも、Fe-Mn，Ni-Mn，Pt-Mn，Pd-Pt-Mn等の合金、またはIrMnを含めたこれらの組み合わせから形成することができる。第１の主シールド層１１はNiFe層からなり、記録媒体Ｍの同一トラック上の隣接するビットからの外部磁界を遮断する。第１の主シールド層１１の構成は従来から公知のシールド層と同等であり、一般的には１〜２μｍの膜厚を有している。第１の主シールド層１１は第１の交換結合磁界印加層１３及び第１の反強磁性層１２よりも厚い。また、第１の主シールド層１１は一般に多磁区構造をとるため、透磁率が高い。このため、第１の主シールド層１１はシールドとして効果的に機能する。

第２のシールド層４の構成も第１のシールド層３の構成と同様である。すなわち、第２のシールド層４は、第２のＭＲ磁性層８に面する側に、第２の磁気的連結層９を介して設けられている。第２のシールド層４は、第２の交換結合磁界印加層１４と、第２のＭＲ磁性層８から見て第２の交換結合磁界印加層１４の裏面に第２の交換結合磁界印加層１４に接して設けられた第２の反強磁性層１５と、第２のＭＲ磁性層８から見て第２の反強磁性層１５の裏面に設けられた第２の主シールド層１６、とを有している。第２の交換結合磁界印加層１４は、第２の反強磁性層１５に接して設けられたCoFe層１４ｂと、CoFe層１４ｂ及び第２の磁気的連結９の双方に接して設けられたNiFe層１４ａの２層構成である。第２の交換結合磁界印加層１４の膜厚は５〜８０ｎｍの範囲にある。第２の反強磁性層１５はIrMnからなり、隣接するCoFe層１４ｂとの間で強く反強磁性結合している。第２の反強磁性層１５は他にも、Fe-Mn，Ni-Mn，Pt-Mn，Pd-Pt-Mn等の合金から形成することができる。第２の主シールド層１６はNiFe層からなり、記録媒体の同一トラック上の隣接するビットからの外部磁界を遮断する。第２の主シールド層１６の構成は従来から公知のシールド層と同等であり、一般的には１〜２μｍの膜厚を有している。第２の主シールド層１６は第２の交換結合磁界印加層１４及び第２の反強磁性層１５よりも厚い。また、第２の主シールド層１６は一般に多磁区構造をとるため、透磁率が高い。このため、第２の主シールド層１６はシールドとして効果的に機能する。

第１及び第２のシールド層３，４の第１及び第２の反強磁性層１２，１５は、各々、第１及び第２の交換結合磁界印加層１３，１４のCoFe層１３ａ，１４ｂと接している。これは、第１及び第２の反強磁性層１２，１５との大きな交換結合強度を確保するためである。もし、第１及び第２の反強磁性層１２，１５がNiFe層１３ｂ，１４ａと接していると、交換結合強度が小さくなり、第１及び第２の交換結合磁界印加層１３，１４の磁化方向を第１及び第２の反強磁性層１２，１５によって強固に固定することが困難となる。NiFe層１３ｂ，１４ａは、シールド層の軟磁気特性を改善してシールド層としての機能を効果的に発揮させるために設けられている。

第２の反強磁性層１５と第２の主シールド層１６との間にCu等の非磁性層（図示せず）を挿入してもよい。非磁性層の厚さはCuの場合は１ｎｍ程度で十分である。非磁性層を挿入することによって、主シールド層１６が多磁区化しやすくなり、主シールド層１６の外部磁界に対するシールド性能が向上する。しかし、非磁性層を設けない場合は主シールド層１６の磁区が動くことによるノイズが発生しにくくなる。従って、非磁性層を挿入するか否かは設計上の判断に委ねられる。

図２Ａを参照すると、ＭＲ積層体２のトラック幅方向Ｔ両側にはAl₂O₃からなる絶縁層１７が形成されている。絶縁層１７を設けることで、ＭＲ積層体２の膜面直交方向Ｐに流れるセンス電流をＭＲ積層体２に集中させることができる。絶縁層１７はＭＲ積層体２の側面に絶縁に必要な膜厚で形成されていればよく、その外側に導電性の膜が存在していてもよい。しかし、その場合でも、第１のシールド層３と第２のシールド層４とは絶縁されている必要がある。

図２Ｂに示すように、ＭＲ積層体２の記録媒体対向面Ｓの反対面には、Al₂O₃からなる絶縁層１９を介して、バイアス磁界印加層１８が設けられている。バイアス磁界印加層１８はCoPt，CoCrPt等よりなる硬磁性膜であり、ＭＲ積層体２に記録媒体対向面Ｓと直交する向きＱのバイアス磁界を印加する。絶縁層１９は、センス電流がバイアス磁界印加層１８に流れ込むことを防止する。

図１を参照すると、第２のシールド層４の上には、スパッタ法等によって形成された素子間シールド層３１を介して書込部２０が設けられている。書込部２０はいわゆる垂直磁気記録用の構成を有している。書込のための磁極層は主磁極層２１と補助磁極層２２とからなる。これらの磁極層２１，２２は、フレームめっき法等によって形成される。主磁極層２１は、FeCoから形成され、記録媒体対向面Ｓにおいて、記録媒体対向面Ｓとほぼ直交する向きで露出している。主磁極層２１の周囲には、絶縁材料からなるギャップ層２４の上を延びるコイル層２３が巻回しており、コイル層２３によって主磁極層２１に磁束が誘導される。コイル層２３は、フレームめっき法等によって形成される。この磁束は主磁極層２１の内部を導かれ、記録媒体対向面Ｓから記録媒体に向けて放出される。主磁極層２１は、記録媒体対向面Ｓ付近で、膜面直交方向Ｐだけでなく、トラック幅方向Ｔ（図１における紙面直交方向。図２Ａも参照。）にも絞られており、高記録密度化に対応した微細で強い書込磁界を発生する。

補助磁極層２２は主磁極層２１と磁気的に結合した磁性層である。補助磁極層２２はNi，Fe，Coのいずれか２つまたは３つからなる合金などで形成された、膜厚約０．０１μｍ〜約０．５μｍの磁極層である。補助磁極層２２は主磁極層２１から分岐して設けられ、記録媒体対向面Ｓ側ではギャップ層２４及びコイル絶縁層２５を介して主磁極層２１と対向している。補助磁極層２２の記録媒体対向面Ｓ側の端部は、補助磁極層２２の他の部分より層断面が広いトレーリングシールド部を形成している。このような補助磁極層２２を設けることによって、記録媒体対向面Ｓ近傍において、補助磁極層２２と主磁極層２１との間の磁界勾配がより急峻になる。この結果、信号出力のジッタが小さくなり、読み出し時のエラーレートを小さくすることができる。

次に、図３Ａ〜３Ｄ，図４を参照して、本実施形態の薄膜磁気ヘッドが記録媒体に記録された磁気情報を読み取る作動原理を説明する。まず、外部磁界もバイアス磁界印加層１８からのバイアス磁界も印加されていない無磁界状態を想定する。図３Ａは、このような仮想的な状態における、ＭＲ積層体及びシールド層の磁化状態を示す模式図である。バイアス磁界が印加されていないことを示すため、バイアス磁界印加層１８は破線で表示されている。図４は、第１及び第２のＭＲ磁性層に印加される磁界強度と信号出力との関係を示す模式図である。横軸は磁界強度、縦軸は信号出力を示す。なお、図３Ａ〜３Ｄの各図において白抜き矢印は各磁性層の磁化方向を示している。

第１のシールド層３の第１の反強磁性層１２と、第２のシールド層４の第２の反強磁性層１５はあらかじめ、磁化方向が同じ向き（左向き）となるように磁化されている。従って、第１の交換結合磁界印加層１３は第１の反強磁性層１２との反強磁性結合によって、図中右側に磁化されている。同様に、第２の交換結合磁界印加層１４は第２の反強磁性層１５との反強磁性結合によって、図中右側に磁化されている。

第１の磁気的連結層５は、Ru層５ａとCoFe層５ｂとRu層５ｃとCoFe層５ｄとRu層５ｅの積層構造となっており、CoFe層５ｂと第１の反強磁性層１３は、Ru層５ａを介して交換結合している。Ruの交換結合強度は膜厚に依存して正または負の値を示すことが知られており、例えば膜厚が０．４ｎｍ，０．８ｎｍ，１．７ｎｍで大きな負の交換結合強度が得られる。ここで、交換結合強度が負であるとは、Ru層の両側の磁性層の磁化方向が互いに反平行になることを意味する。従って、Ru層５ａの膜厚をこれらの値に設定することでCoFe層５ｂは図中左向きに磁化される。同様に、CoFe層５ｂとCoFe層５ｄはRu層５ｃを介して交換結合している。さらに、CoFe層５ｄと第１のＭＲ磁性層６は、Ru層５ｅを介して交換結合している。Ru層５ｃ，５ｅの膜厚を例えば０．４ｎｍ，０．８ｎｍ，または１．７ｎｍに設定することによって、第１のＭＲ磁性層６図中左向きに磁化される。第２の反強磁性層１５、第２の交換結合磁界印加層１４、第２の磁気的連結層９、及び第２のＭＲ磁性層８の磁化方向についても同様に考えることができる。従って、図３Ａの例では、第２のＭＲ磁性層８は図中右向きに磁化される。

図４の状態Ａは図３Ａの状態を示しており、第１のＭＲ磁性層６の磁化方向ＦＬ１と第２のＭＲ磁性層８の磁化方向ＦＬ２は、バイアス磁界層１８からのバイアス磁界及び記録媒体Ｍからの外部磁界がないため、互いに反平行の向きとなっている。もっとも、第１のＭＲ磁性層６の磁化方向ＦＬ１と第２のＭＲ磁性層８の磁化方向ＦＬ２は厳密に反平行になっている必要はなく、後述するようにバイアス磁界を印加したときに、磁化方向が互いに逆方向に回転することができればよい。

このように、第１の磁気的連結層５は、第１の交換結合磁界印加層１３と第１のＭＲ磁性層６とを磁気的に連結しており、第１の交換結合磁界印加層１３は、第１の磁気的連結層５を介して、記録媒体対向面Ｓと平行な向きの交換結合磁界を第１のＭＲ磁性層６に印加する機能を果たしている。同様に、第２の磁気的連結層９は、第２の交換結合磁界印加層１４と第２のＭＲ磁性層８とを磁気的に連結しており、第２の交換結合磁界印加層１４は、第２の磁気的連結層９を介して、記録媒体対向面Ｓと平行な向きの交換結合磁界を第２のＭＲ磁性層８に印加する機能を果たしている。この結果、第１のＭＲ磁性層６と第２のＭＲ磁性層８は、無磁界状態で、互いに反平行な向きに磁化される。

第１のＭＲ磁性層６と第２のＭＲ磁性層８には実際にはバイアス磁界が印加されているため、次に、図３Ｂに示すように、外部磁界が印加されず、バイアス磁界だけが印加された状態を考える。ここでは、バイアス磁界は記録媒体対向面Ｓに向かう方向に印加されているとする。第１のＭＲ磁性層６と第２のＭＲ磁性層８の磁化方向は、各々、バイアス磁界の影響を受けて、記録媒体対向面Ｓに向かって回転する。この結果、第１のＭＲ磁性層６と第２のＭＲ磁性層８の磁化方向は、反平行状態から平行状態に向かって回転し、図４に状態Ｂとして示す初期磁化状態（バイアス磁界だけが印加されている状態）となる。なお、図４では、バイアス磁界及び外部磁界の向きは図中下向きを正としている。

この状態で記録媒体Ｍからの外部磁界が印加されると、第１のＭＲ磁性層６の磁化方向と第２のＭＲ磁性層８の磁化方向との相対角度は、磁界の方向に応じて、増加または減少する。具体的には、図３Ｃに示すように、記録媒体対向面Ｓから記録媒体Ｍを向く磁界ＭＦ１が記録媒体Ｍから印加された場合には、第１のＭＲ磁性層６と第２のＭＲ磁性層８の磁化方向はさらに記録媒体対向面Ｓに向かって回転し、第１のＭＲ磁性層６と第２のＭＲ磁性層８の磁化方向は平行状態Ｃに近づく（図４の状態Ｄ）。平行状態に近づくほど電極（第１及び第２のシールド層３，４）から供給される電子が散乱されにくくなり、センス電流の電気抵抗値が減少する。すなわち信号出力が低下する。一方、図３Ｄに示すように、記録媒体Ｍから記録媒体対向面Ｓを向く磁界ＭＦ２が印加された場合には、第１のＭＲ磁性層６と第２のＭＲ磁性層８の磁化方向は逆に記録媒体対向面Ｓから遠ざかる向きに回転し、第１のＭＲ磁性層６と第２のＭＲ磁性層８の磁化方向は反平行状態に近づく（図４の状態Ｅ）。反平行状態に近づくほど電極から供給される電子が散乱されやすくなり、センス電流の電気抵抗値が増加する。すなわち信号出力が増加する。こうして、第１のＭＲ磁性層６と第２のＭＲ磁性層８の磁化方向の相対角度の変化を利用して外部磁界を検出することができる。

第１、第２の磁気的連結層５，９は、その内部の磁性層の磁化方向が交換結合によって強固に固定されているため、外部磁界によって影響を受けにくい。このため、第１のＭＲ磁性層６と第２のＭＲ磁性層８の磁化方向は第１、第２の磁気的連結層５，９の磁化方向の変動によっては影響されにくく、主に外部磁界に反応して磁化方向を変えることができる。

本実施形態では、第１のＭＲ磁性層６と第２のＭＲ磁性層８の磁化方向が状態Ｂ（初期磁化状態）で概ね直交するようにバイアス磁界印加層１８の膜厚、形状等が調整されている。初期磁化状態で磁化方向が直交していると、図４から明らかなように、外部磁界の変化に対する出力変化（信号出力の傾き）が大きくなり、大きな磁気抵抗変化率を得ることができると共に、良好な出力対称性を得ることができる。

このように、第１、第２の磁気的連結層５，９は、第１、第２の交換結合磁界印加層１３，１４の磁化方向に関する情報、特に磁化方向の異方的性質を第１、第２のＭＲ磁性層６，８に伝達する機能を有している。しかし、第１、第２の磁気的連結層５，９は、リードギャップを調整する機能も有している点に留意されたい。リードギャップの目標値は、薄膜磁気ヘッドが実現しようとする線記録密度に基づいて決定されるが、第１、第２のＭＲ磁性層６，８及び非磁性中間層７の膜厚は他の様々な要因によって決定されるため、第１、第２の磁気的連結層５，９は、リードギャップを所望の大きさに調整する機能を有する。

第１、第２の磁気的連結層５，９を構成するRu層の膜厚は上述の通り自由度が小さく、CoFe層の磁化方向を外部磁界に対して固定するためには、CoFe層の膜厚をあまり大きくすることもできない。そこで、第１、第２の磁気的連結層５，９が大きな膜厚を必要とするときは、Ru層とCoFe層の積層数を増やすことが望ましい。例えば、本実施形態では第１、第２の磁気的連結層５，９はRu層／CoFe層／Ru層の３層構成、または、Ru層／CoFe層／Ru層／CoFe層／Ru層の５層構成を用いているが、Ru層／CoFe層／Ru層／CoFe層／Ru層／CoFe層／Ru層の７層構成など他の構成を用いることもできる。

第１、第２の磁気的連結層５，９の層構成を設定する際は、以下の点を考慮することが望ましい。第１及び第２の反強磁性層１２，１５の着磁方向は、着磁工程上の理由から、同じ方向に揃えた方が磁化状態が安定化する。このため、本実施形態では第１及び第２の反強磁性層１２，１５は、図３Ａにおいて図中左向きに磁化している。ただし、第１及び第２の反強磁性層１２，１５は、隣接するCoFe層１３ａ，１４ｂと接する一原子層だけが図中左向きに磁化されており、全体として左向きに磁化されているわけではない。従って、第１及び第２の反強磁性層１２，１５については、磁化方向の図示はしていない（図３Ｂ〜３Ｄ，５も同様。）。もちろん、第１及び第２の反強磁性層１２，１５がともに右向きに磁化されていてもかまわない。また、第１のＭＲ磁性層６と第２のＭＲ磁性層８は、初期磁化状態で、非磁性中間層７を挟んで反平行に磁化されることが望ましい。本実施形態では、これらの条件を満たすためには、反強磁性結合をするRu層／CoFe層の組の数を調整している。すなわち、第１の磁気的連結層５をRu層／CoFe層／Ru層／CoFe層／Ru層の５層構成とし、第２の磁気的連結層９をRu層／CoFe層／Ru層の３層構成とすることで、第１のＭＲ磁性層６と第２のＭＲ磁性層８とが反平行に磁化されるのである。第１の磁気的連結層５をRu層／CoFe層／Ru層の３層構成とし、第２の磁気的連結層９をRu層／CoFe層／Ru層／CoFe層／Ru層の５層構成としても構わない。

所望のリードギャップが小さい場合には、第１、第２の磁気的連結層５，９のいずれかをRu層の単層構成とすることも考えられる。第２の磁気的連結層９をRu層の単層構成としたときの膜構成を表２に示す。第１及び第２の反強磁性層１２，１５の磁化方向を揃え、かつ第１のＭＲ磁性層６と第２のＭＲ磁性層８とが反平行に磁化されるように、第１の磁気的連結層５はRu層／CoFe層／Ru層の３層構成としている。むろん、第１の磁気的連結層５をRu層の単層構成とし、第２の磁気的連結層９をRu層／CoFe層／Ru層の３層構成とすることもできる。さらに、第１及び第２の反強磁性層１２，１５の磁化方向を逆にすれば、第１、第２の磁気的連結層５，９をともにRu層の単層構成とすることも可能である。

このように、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１のＭＲ磁性層６と第１の交換結合磁界印加層１３との間、及び第２のＭＲ磁性層８と第２の交換結合磁界印加層１４との間の少なくとも一方に、少なくとも１層のRu層を含む磁性層（磁気的連結層）を有する構成が可能である。また、第１のＭＲ磁性層６と第１の交換結合磁界印加層１３との間、及び第２のＭＲ磁性層８と第２の交換結合磁界印加層１４との間の少なくとも一方に、Ru層からなる磁気的連結層を有する構成も可能である。

さらに、図５に示すように、第１の交換結合磁界印加層１３の代わりに、Ruなどからなる非磁性導電層４１ｂを挟んで反強磁性結合する一対の強磁性層４１ａ，４１ｃで構成されたシンセテッィク交換結合磁界印加層４１を用いてもよい。強磁性層４１ａ，４１ｃはCoFe層、NiFe層、CoFe層とNiFe層の積層構造などで形成される。非磁性導電層４１ｂをRu層で形成する場合、膜厚は０．８ｎｍ程度が好ましい。また、シンセテッィク交換結合磁界印加層４１のトータル膜厚は５〜１００ｎｍ程度が好ましい。

本構成によれば、磁化方向が第１のシールド層３の内部で一度反転するため、第１の磁気的連結層５はRu層／CoFe層／Ru層の３層構成とすることができる。この結果、第１の磁気的連結層５と第２の磁気的連結層９の膜構成及び膜厚を揃えることができる。また、図３Ａと図５の比較から分るように、第１の磁気的連結層５の膜厚を減らすことができるため、リードギャップの低減につながり、さらなる高記録密度化に寄与する。

第１の交換結合磁界印加層１３に代えて第２の交換結合磁界印加層１４が強磁性層/非磁性導電層/強磁性層のシンセテッィク構成を備えていてもよい。要するに、本発明においては、第１の交換結合磁界印加層１３及び第２の交換結合磁界印加層１４の磁化方向を揃え、かつ第１のＭＲ磁性層６と第２のＭＲ磁性層８とが反平行に磁化されるように、第１の磁気的連結層５、第２の磁気的連結層９、第１の交換結合磁界印加層１３、及び第２の交換結合磁界印加層１４の膜構成を適宜設定することができる。

なお、CoFe層を複数層用いる場合には、各CoFe層の膜厚は揃えておくことが望ましい。CoFe層は外部磁界によって磁化されて、磁化方向が外部磁界に向かって回転しようとするが、もし、CoFe層の膜厚が異なると、膜厚の大きいCoFe層が交換結合力に打ち勝ってより回転しやすくなり、第１、第２の交換結合磁界印加層１３，１４の磁化方向に関する情報を第１、第２のＭＲ磁性層６，８に伝達するという機能が阻害されるためである。

本実施形態の薄膜磁気ヘッドは、以下の方法で製造することができる。まず、基板９１（図１参照）上に第１のシールド層３を作成し、次に、第１のシールド層３の上に、スパッタリングによってＭＲ積層体２を構成する各層を形成する。次に、これらの各層をパターニングし、トラック幅方向Ｔの両側の部分を絶縁膜１７で埋め戻す。その後、記録媒体対向面Ｓから素子のハイトｈ（図１参照）に相当する部分までを残してミリングし、絶縁層１９を介してバイアス磁界印加層１８を形成する。以上によって、ＭＲ積層体２のトラック幅方向Ｔの両側側面に絶縁層１７が形成され、記録媒体対向面Ｓから見てＭＲ積層体２の裏側にバイアス磁界印加層１８が形成される。その後第２のシールド層４を形成する。さらに、上述した書込部２０を公知の手法で作成する。

（実施例）
ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、ALTiC(Al₂O₃-TiC)基板上に厚さ１μｍの第１のシールド層３を成膜し、その上にIrMn合金を５nm堆積して第１の反強磁性層１２を形成した。続いて厚さをパラメータとしたCoFe合金及びNiFe合金をこの順で堆積して第１の交換結合磁界印加層１３を形成した。第１の交換結合磁界印加層１３上に厚さ０．８ｎｍのRu層と厚さ１ｎｍのCoFe合金と厚さ０．８ｎｍのRu層からなる多層膜を堆積して第１の磁気的連結層５を形成した。第１の磁気的連結層５上に、厚さ４ｎｍの第１のＭＲ磁性層６と、厚さ２ｎｍのZnOからなる非磁性中間層７と、厚さ４ｎｍの第２のＭＲ磁性層８を順に堆積した。その後、第１の磁気的連結層５と同じ構成の第２の磁気的連結層９を堆積し、ミリングして再生ヘッド形状とした。さらに、厚さをパラメータとしたNiFe合金及びCoFe合金をこの順で堆積して第２の交換結合磁界印加層１４を形成した。その上に厚さ５ｎｍのIrMn合金を堆積して第２の反強磁性層１５を形成した。その層上に厚さ１ｎｍのCu層を堆積した後、厚さ１μｍのNiFe合金を堆積して第２のシールド層４を形成した。その後２５０℃で３時間の磁場中アニールを施して再生ヘッドのテストサンプルを作成した。また、基準ケースとして第１及び第２の交換結合磁界印加層１３，１４を形成しないサンプルも作成した。各サンプルで、NiFe合金とCoFe合金の膜厚は、第１の交換結合磁界印加層１３と第２の交換結合磁界印加層１４とで同一とした。

こうして得たテストサンプルの交換結合磁界、磁気抵抗変化率（ＭＲ変化率）、及び磁気抵抗変化率のCOV値（分散を平均値で除した値）を、図６Ａ〜６Ｃ及び表３に示す。交換結合磁界はあまり大きいとシールド層としての機能が害され、あまり小さいと第１及び第２のＭＲ磁性層６，８の磁化方向が固定されにくくなる。これらを考慮して４［ｋＡ／ｍ］（５０［Ｏｅ］）以上、１５９［ｋＡ／ｍ］（２０００［Ｏｅ］）以下を許容範囲とした。磁気抵抗変化率は高い程好ましいが、ここでは基準ケースの磁気抵抗変化率である１４％を上回る場合に本発明の効果があると評価した。COV値は小さいほど好ましいが、実用上の観点から５%以下を許容範囲とした。

これらの図及び表３から、交換磁界は第１及び第２の交換結合磁界印加層１３，１４の膜厚４〜８０ｎｍの範囲で、磁気抵抗変化率は膜厚５〜２００ｎｍの範囲で、磁気抵抗変化率のばらつき（COV値）は膜厚５〜８０ｎｍの範囲で許容範囲内となっている。表３において許容範囲にあるケースは網掛け表示している。以上より、第１及び第２の交換結合磁界印加層１３，１４の膜厚は５〜８０ｎｍの範囲が好ましい。表３にはすべての判断基準を満足するケースを好適ケースとして表示し、対応する合計膜厚の欄を太線で囲んである。なお、合計膜厚が同じである好適ケース１，２の比較、及び好適ケース３，４の比較より、第１及び第２の交換結合磁界印加層１３，１４にCoFe層を設け、CoFe層が第１及び第２の反強磁性層１２，１５に接する構成とすることで大きな交換磁界が得られることがわかる。

以上説明したように、本実施形態及び本実施例の薄膜磁気ヘッドでは、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第１及び第２のＭＲ磁性層６，８を、第１及び第２の磁気的連結層５，９を介して、第１及び第２の交換結合磁界印加層１３，１４からの交換結合磁界によって、無磁界状態において互いに反平行に磁化している。従って、非磁性中間層７に交換結合作用を奏する材料を用いる必要がなく、磁気抵抗効果を最大限に発揮することのできる材料を適宜用いることが可能となり、高い磁気抵抗変化率を得ることができる。第１及び第２の交換結合磁界印加層１３，１４は第１及び第２の反強磁性層１２，１５によって強固に磁化されるため、第１及び第２のＭＲ磁性層６，８の磁化状態を制御しやすくなり、ばらつきが少なくかつ高い磁気抵抗変化率を得ることができる。さらに、第１及び第２の交換結合磁界印加層１３，１４並びに第１及び第２の反強磁性層１２，１５はシールド層３，４の機能を奏するため、リードギャップの減少にも寄与する。すなわち、本実施形態及び実施例の薄膜磁気ヘッドでは、第１及び第２の交換結合磁界印加層１３，１４並びに第１及び第２の反強磁性層１２，１５が、第１及び第２のＭＲ磁性層６，８の磁化状態を制御する磁化制御層としての機能と、シールド層としての機能を両立している。

次に、上述した薄膜磁気ヘッドの製造に用いられるウエハについて説明する。図７を参照すると、ウエハ１００の上には、少なくとも前述の薄膜磁気ヘッドを構成する積層体が成膜されている。ウエハ１００は、記録媒体対向面Ｓを研磨加工する際の作業単位である、複数のバー１０１に分割される。バー１０１は、研磨加工後さらに切断されて、薄膜磁気ヘッドを含むスライダ２１０に分離される。ウエハ１００には、ウエハ１００をバー１０１に、バー１０１をスライダ２１０に切断するための切り代（図示せず）が設けられている。

図８を参照すると、スライダ２１０は、ほぼ六面体形状をなしており、そのうちの一面はハードディスクと対向する記録媒体対向面Ｓとなっている。

図９を参照すると、ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、スライダ２１０と、スライダ２１０を弾性的に支持するサスペンション２２１と、を備えている。サスペンション２２１は、ステンレス鋼によって形成された板ばね状のロードビーム２２２と、ロードビーム２２２の一端部に設けられたフレクシャ２２３と、ロードビーム２２２の他端部に設けられたベースプレート２２４と、を有している。フレクシャ２２３にはスライダ２１０が接合され、スライダ２１０に適度な自由度を与える。フレクシャ２２３の、スライダ２１０が取り付けられる部分には、スライダ２１０の姿勢を一定に保つためのジンバル部が設けられている。

スライダ２１０は、回転駆動される円盤状の記録媒体であるハードディスクに対向するように、ハードディスク装置内に配置されている。ハードディスクが図９におけるｚ方向に回転すると、ハードディスクとスライダ２１０との間を通過する空気流によって、スライダ２１０に、ｙ方向下向きに揚力が生じる。スライダ２１０は、この揚力によってハードディスクの表面から浮上するようになっている。スライダ２１０の空気流出側の端部（図８における左下の端部）の近傍には、薄膜磁気ヘッド１が形成されている。

ヘッドジンバルアセンブリ２２０をアーム２３０に取り付けたものはヘッドアームアセンブリ２２１と呼ばれる。アーム２３０は、スライダ２１０をハードディスク２６２のトラック横断方向ｘに移動させる。アーム２３０の一端はベースプレート２２４に取り付けられている。アーム２３０の他端部には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２３１が取り付けられている。アーム２３０の中間部には軸受け部２３３が設けられている。アーム２３０は、軸受け部２３３に取り付けられた軸２３４によって回動自在に支持されている。アーム２３０及び、アーム２３０を駆動するボイスコイルモータは、アクチュエータを構成する。

次に、図１０及び図１１を参照して、上述したスライダが組込まれたヘッドスタックアセンブリとハードディスク装置について説明する。ヘッドスタックアセンブリとは、複数のアームを有するキャリッジの各アームにヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものである。図１０はヘッドスタックアセンブリの側面図、図１１はハードディスク装置の平面図である。ヘッドスタックアセンブリ２５０は、複数のアーム２３０を有するキャリッジ２５１を有している。各アーム２３０には、ヘッドジンバルアセンブリ２２０が、互いに間隔を開けて垂直方向に並ぶように取り付けられている。キャリッジ２５１の、アーム２３０の反対側には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２５３が取り付けられている。ボイスコイルモータは、コイル２５３を挟んで対向する位置に配置された永久磁石２６３を有している。

図１１を参照すると、ヘッドスタックアセンブリ２５０は、ハードディスク装置に組込まれている。ハードディスク装置は、スピンドルモータ２６１に取り付けられた複数枚のハードディスク２６２を有している。ハードディスク２６２毎に、ハードディスク２６２を挟んで対向するように２つのスライダ２１０が配置されている。スライダ２１０を除くヘッドスタックアセンブリ２５０及びアクチュエータは、本発明における位置決め装置に対応し、スライダ２１０を支持すると共に、スライダ２１０をハードディスク２６２に対して位置決めする。スライダ２１０はアクチュエータによって、ハードディスク２６２のトラック横断方向に動かされ、ハードディスク２６２に対して位置決めされる。スライダ２１０に含まれる薄膜磁気ヘッド１は、記録ヘッドによってハードディスク２６２に情報を記録し、再生ヘッドによってハードディスク２６２に記録されている情報を再生する。

本発明の望ましい実施形態について提示し、詳細に説明したが、添付の特許請求の範囲の趣旨または範囲から逸脱しない限り、さまざまな変更及び修正が可能であることを理解されたい。

１ 薄膜磁気ヘッド
２ ＭＲ積層体
３ 第１のシールド層
４ 第２のシールド層
５ 第１の磁気的連結層
６ 第１のＭＲ磁性層
７ 非磁性中間層
８ 第２のＭＲ磁性層
９ 第２の磁気的連結層
１１ 第１の主シールド層
１２ 第１の反強磁性層
１３ 第１の交換結合磁界印加層
１４ 第２の交換結合磁界印加層
１５ 第２の反強磁性層
１６ 第２の主シールド層
１７，１９ 絶縁層
１８ バイアス磁界印加層

Claims (11)

1. 外部磁界に応じて磁化方向が変化する第１のＭＲ磁性層と、非磁性中間層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２のＭＲ磁性層とを有し、該第１のＭＲ磁性層と、該非磁性中間層と、該第２のＭＲ磁性層とがこの順で互いに接して設けられたＭＲ積層体と、
   各々が前記第１のＭＲ磁性層と前記第２のＭＲ磁性層とに面して前記ＭＲ積層体の膜面直交方向に前記ＭＲ積層体を挟んで設けられ、センス電流を前記ＭＲ積層体の前記膜面直交方向に流す電極を兼ねる第１及び第２のシールド層と、
   前記ＭＲ積層体の記録媒体対向面の反対面に設けられ、前記ＭＲ積層体に該記録媒体対向面と直交する向きのバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加層と、
   を有し、
   前記第１のシールド層は、
   前記第１のＭＲ磁性層に面して設けられ、前記第１のＭＲ磁性層に前記記録媒体対向面と平行な向きの交換結合磁界を印加する第１の交換結合磁界印加層と、
   前記第１のＭＲ磁性層から見て前記第１の交換結合磁界印加層の裏面に該第１の交換結合磁界印加層に接して設けられ、該第１の交換結合磁界印加層との間で反強磁性結合する第１の反強磁性層と、を有し、
   前記第２のシールド層は、
   前記第２のＭＲ磁性層に面して設けられ、前記第２のＭＲ磁性層に前記記録媒体対向面と平行で、かつ前記第１の交換結合磁界印加層が前記第１のＭＲ磁性層に及ぼす交換結合磁界と反平行な向きの交換結合磁界を印加する第２の交換結合磁界印加層と、
   前記第２のＭＲ磁性層から見て前記第２の交換結合磁界印加層の裏面に該第２の交換結合磁界印加層に接して設けられ、該第２の交換結合磁界印加層との間で反強磁性結合する第２の反強磁性層と、を有している、薄膜磁気ヘッド。
2. 前記第１及び第２の反強磁性層は各々、Fe-Mn，Ni-Mn，Ir-Mn，Pt-Mn，Pd-Pt-Mn合金の少なくとも１つを含んでいる、請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 前記第１及び第２の交換結合磁界印加層は各々、前記第１及び第２の反強磁性層に接して設けられたCoFe合金層を含んでいる、請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
4. 前記第１または第２の交換結合磁界印加層の一方のみが、非磁性導電層を挟んで互いに反強磁性結合する強磁性層を含んでいる、請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
5. 前記第１及び第２の交換結合磁界印加層膜厚は各々、５〜８０ｎｍの範囲にある、請求項１から４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
6. 前記ＭＲ積層体は、前記第１のＭＲ磁性層と前記第１の交換結合磁界印加層との間、または前記第２のＭＲ磁性層と前記第２の交換結合磁界印加層との間の少なくとも一方に、少なくとも１層のルテニウム(Ru)層を含む磁性層からなる第１の磁気的連結層を有している、請求項１から５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
7. 前記ＭＲ積層体は、前記第１のＭＲ磁性層と前記第１の交換結合磁界印加層との間、及び前記第２のＭＲ磁性層と前記第２の交換結合磁界印加層との間の少なくとも一方に、ルテニウム(Ru)層からなる第１の磁気的連結層を有している、請求項１から５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
8. 請求項１から７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドを備えたスライダ。
9. 請求項１から７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドとなるべき積層体が形成されたウエハ。
10. 請求項８に記載のスライダと、前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと、を有するヘッドジンバルアセンブリ。
11. 請求項８に記載のスライダと、該スライダを支持するとともに、該スライダを記録媒体に対して位置決めする装置と、を有するハードディスク装置。

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