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  1. 波長<100nm、特に波長<30nmを持つマイクロリトグラフィーのために物体、特に、マスクの検査のための検査系において、物体平面(1)内の視野を照明する照明系を備え、物体平面内で照明される視野の内部に検査される物体が配置され、像平面(3)内での物体の少なくとも一部分の結像を拡大するための波長≦100nmのための結像系を備え、像平面(3)内に配置される撮像系とを備える前記検査系。
  2. 検査系は、物体平面内の物体を位置決めする位置決め装置を含むことを特徴とする請求項1に記載の検査系。
  3. 結像系は調整可能な開口絞り(B)を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の検査系。
  4. 照明系は、結像系内の開口絞り(B)の平面に結合する平面内で調整可能な照明開口絞りを含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の検査系。
  5. 照明系または結像系は、絞り平面(B)内または絞り平面(B)の近く、または、絞り平面(B)に対して結合する平面内で不明瞭化絞りを含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の検査系。
  6. 照明系は、調整可能な視野絞りを含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の検査系。
  7. 撮像系は、像平面(3)内での物体像の分析のための分析ユニットを含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の検査系。
  8. 検査系は、焦点調整装置を含むことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の検査系。
  9. 焦点調整装置は、物体平面(1)に対して垂直方向へ物体を移動する移動装置を含むことを特徴とする請求項8に記載の検査系。
  10. 撮像系は、物体が焦点調整装置によりもたらされる設定焦点位置での像を撮像することを特徴とする請求項8又は9に記載の検査系。
  11. 分析ユニットは、マイクロコンピュータ装置を含むことを特徴とする請求項7〜10のいずれか1項に記載の検査系。
  12. 波長≦100nmのための結像系は、反射型X線顕微鏡を含むことを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の検査系。
  13. 請求項12に記載の検査系であって、前記反射型X線顕微鏡は、第1鏡(S1)と第2鏡(S2)とを含み、物体平面(1)から像平面(3)までの光路内に配置される第1副系とを備え、反射型X線顕微鏡は、光路内で第1副系に後置される少なくとも一つの第3鏡(S3)を有する第2副系を含むことを特徴とする前記検査系。
  14. 第1鏡(S1)は凹面鏡であり、第2鏡(S2)は凸面鏡であることを特徴とする請求項13に記載の検査系。
  15. 第1鏡(S1)は凹面鏡であり、第2鏡(S2)は凹面鏡であることを特徴とする請求項13に記載の検査系。
  16. 第2副系は第3鏡(S3)と第4鏡(S4)とを含むことを特徴とする請求項13に記載の検査系。
  17. 第3鏡(S3)と第4鏡(S4)は、それぞれ、凹面鏡であることを特徴とする請求項16に記載の検査系。
  18. 第3鏡(S3)は凸面鏡であり、第4鏡(S4)は凹面鏡であることを特徴とする請求項16に記載の検査系。
  19. X線顕微鏡は、β≧50x、特に、100x≦β≦1000xの範囲の倍率を有することを特徴とする請求項13〜18に記載の検査系。
  20. 物体平面から像平面までの光路内で、中間像平面内で実際の中間像が結像されることを特徴とする請求項13〜19に記載の検査系。
  21. 焦点調整装置は、中間像平面(2)に対して垂直方向への第2副系の移動ための移動装置を含むことを特徴とする請求項20に記載の検査系。
  22. 焦点調整装置は、物体平面(1)に対して垂直方向へ物体を移動する移動装置を含むことを特徴とする請求項21に記載の検査系。
  23. X線顕微鏡は光軸を有し、顕微鏡の第1、第2および第3の鏡(S1、S2、S3)は光軸(HA)に対して調心されて配置されることを特徴とする請求項13〜22のいずれか1項に記載の検査系。
  24. X線顕微鏡は光軸を有し、顕微鏡の第1、第2、第3および第4の鏡(S1、S2、S3、S4)は光軸(HA)に対して調心されて配置されることを特徴とする請求項13〜22いずれか1項に記載の検査系。
  25. 物体平面(1)内の物体は、光軸(HA)に対して偏心して光軸の近くに配置されることを特徴とする請求項13〜24のいずれか1項に記載の検査系。
  26. 開口絞り(B)は、光軸(HA)に対して偏心して設けられることを特徴とする請求項13〜25のいずれか1項に記載の検査系。
  27. 開口絞り(B)は、物体平面(1)から像平面(3)までの光路内で、物体平面(1)の後で第1鏡(S1)の前に配置されることを特徴とする請求項13〜26のいずれか1項に記載の検査系。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7351980B2 (en) * 2005-03-31 2008-04-01 Kla-Tencor Technologies Corp. All-reflective optical systems for broadband wafer inspection
WO2007020004A1 (de) * 2005-08-17 2007-02-22 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv und verfahren zur optimierung einer systemblende eines projektionsobjektivs
US7564564B2 (en) * 2006-08-22 2009-07-21 Artium Technologies, Inc. Automatic set-up for instrument functions
DE102006044202A1 (de) * 2006-09-15 2008-05-21 Fahrzeugwerk Bernard Krone Gmbh Dolly-Achse
US20080144167A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 General Electric Company Optical imaging system and method for high speed and high resolution
DE102007062198A1 (de) 2007-12-21 2009-06-25 Carl Zeiss Microimaging Gmbh Katoptrisches Objektiv zur Abbildung eines im Wesentlichen linienförmigen Objektes
DE102008015996A1 (de) * 2008-03-27 2009-10-01 Carl Zeiss Sms Gmbh Mikroskop und Mikroskopierverfahren zur Untersuchung eines reflektierenden Objektes
KR101535230B1 (ko) * 2009-06-03 2015-07-09 삼성전자주식회사 Euv 마스크용 공간 영상 측정 장치 및 방법
WO2010148293A2 (en) 2009-06-19 2010-12-23 Kla-Tencor Corporation Euv high throughput inspection system for defect detection on patterned euv masks, mask blanks, and wafers
WO2010147846A2 (en) * 2009-06-19 2010-12-23 Kla-Tencor Technologies Corporation Inspection systems and methods for detecting defects on extreme ultraviolet mask blanks
NL2004949A (en) * 2009-08-21 2011-02-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus.
DE102010009022B4 (de) 2010-02-22 2019-10-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem sowie Projektionsobjektiv einer Maskeninspektionsanlage
DE102010029049B4 (de) 2010-05-18 2014-03-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für ein Metrologiesystem für die Untersuchung eines Objekts mit EUV-Beleuchtungslicht sowie Metrologiesystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102010025033B4 (de) * 2010-06-23 2021-02-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Defekterkennung und Reparatur von EUV-Masken
DE102010047050B4 (de) * 2010-09-29 2021-09-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Charakterisierung einer Struktur auf einer Maske und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US8837041B2 (en) * 2010-11-23 2014-09-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Magnifying imaging optical system and metrology system with an imaging optical system of this type
JP4761588B1 (ja) * 2010-12-01 2011-08-31 レーザーテック株式会社 Euvマスク検査装置
KR102013083B1 (ko) * 2011-01-11 2019-08-21 케이엘에이 코포레이션 Euv 이미징을 위한 장치 및 이의 이용 방법
DE102011003302A1 (de) 2011-01-28 2012-08-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Vergrößerte abbildende Optik sowie Metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102011005881A1 (de) 2011-03-22 2012-05-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Einstellung eines Beleuchtungssystems einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
DE102011079382B4 (de) 2011-07-19 2020-11-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Analysieren und zum Beseitigen eines Defekts einer EUV Maske
DE102013204445A1 (de) * 2013-03-14 2014-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Vergrößernde abbildende Optik sowie EUV-Maskeninspektionssystem mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102013212613B4 (de) 2013-06-28 2015-07-23 Carl Zeiss Sms Gmbh Beleuchtungsoptik für ein Metrologiesystem sowie Metrologiesystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102014219755A1 (de) 2013-10-30 2015-04-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Element
CN106030405B (zh) * 2014-02-21 2020-11-03 保罗·谢勒学院 使用相干衍射成像方法以及使用微型小孔和孔系统的反射模式的成像系统
EP3518041A1 (en) * 2018-01-30 2019-07-31 ASML Netherlands B.V. Inspection apparatus and inspection method
JP2020173296A (ja) * 2019-04-08 2020-10-22 株式会社ニューフレアテクノロジー Euvマスクのパターン検査装置及びeuvマスクのパターン検査方法
WO2020230667A1 (ja) 2019-05-10 2020-11-19 日亜化学工業株式会社 画像表示装置の製造方法および画像表示装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS612124A (ja) * 1984-06-14 1986-01-08 Canon Inc 結像光学系
JP2603225B2 (ja) * 1986-07-11 1997-04-23 キヤノン株式会社 X線投影露光装置及び半導体製造方法
DE3752388T2 (de) * 1986-07-11 2006-10-19 Canon K.K. Verkleinerndes Projektionsbelichtungssystem des Reflexionstyps für Röntgenstrahlung
US4912737A (en) 1987-10-30 1990-03-27 Hamamatsu Photonics K.K. X-ray image observing device
JPH02210299A (ja) * 1989-02-10 1990-08-21 Olympus Optical Co Ltd X線用光学系及びそれに用いる多層膜反射鏡
JPH0782117B2 (ja) * 1989-02-23 1995-09-06 オリンパス光学工業株式会社 反射型結像光学系
JP2865257B2 (ja) * 1989-03-07 1999-03-08 オリンパス光学工業株式会社 シュヴアルツシルド光学系
US5063586A (en) * 1989-10-13 1991-11-05 At&T Bell Laboratories Apparatus for semiconductor lithography
JP2945431B2 (ja) * 1990-03-01 1999-09-06 オリンパス光学工業株式会社 結像型x線顕微鏡
JP2921038B2 (ja) 1990-06-01 1999-07-19 キヤノン株式会社 X線を用いた観察装置
DE4027285A1 (de) * 1990-08-29 1992-03-05 Zeiss Carl Fa Roentgenmikroskop
US5291339A (en) * 1990-11-30 1994-03-01 Olympus Optical Co., Ltd. Schwarzschild optical system
JPH04321047A (ja) 1991-01-21 1992-11-11 Nikon Corp フォトマスク検査装置及びフォトマスク検査方法
JPH04353800A (ja) * 1991-05-31 1992-12-08 Olympus Optical Co Ltd 軟x線顕微鏡
US5177774A (en) * 1991-08-23 1993-01-05 Trustees Of Princeton University Reflection soft X-ray microscope and method
JPH06237016A (ja) * 1993-02-09 1994-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光ファイバモジュールおよびその製造方法
JPH0728226A (ja) 1993-04-30 1995-01-31 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 領域的イメージを測定する装置及び方法
JP3336361B2 (ja) * 1993-06-11 2002-10-21 株式会社ニコン 縮小投影露光用反射型x線マスクの検査装置および検査方法
US6438199B1 (en) 1998-05-05 2002-08-20 Carl-Zeiss-Stiftung Illumination system particularly for microlithography
DE19923609A1 (de) * 1998-05-30 1999-12-02 Zeiss Carl Fa Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie
US6328482B1 (en) * 1998-06-08 2001-12-11 Benjamin Bin Jian Multilayer optical fiber coupler
JP4374735B2 (ja) * 1999-08-11 2009-12-02 株式会社ニコン 反射型軟x線顕微鏡、マスク検査装置及び反射マスクの製造方法
EP1126477A3 (de) * 2000-02-14 2003-06-18 Leica Microsystems Lithography GmbH Verfahren zur Untersuchung von Strukturen auf einem Halbleiter-Substrat
JP2002329473A (ja) * 2001-02-27 2002-11-15 Jeol Ltd X線分光器を備えた透過型電子顕微鏡
DE10319269A1 (de) * 2003-04-25 2004-11-25 Carl Zeiss Sms Gmbh Abbildungssystem für ein, auf extrem ultravioletter (EUV) Strahlung basierendem Mikroskop

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