JP2010028905A - 真空機器およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
本願各発明は、1×10−4Pa以下の高真空雰囲気で用いられる高度な真空機器を提供することを目的とする。
【解決手段】
真空雰囲気で用いられ、その表面がエポキシ樹脂で被覆された真空機器であって、前記エポキシ樹脂組成物は、米国材料試験協会規格(ASTM)D570に規定された23℃の吸水率が0.3%以下であり、かつ、膜厚が10μm以上、2000μm以下の真空機器である。
【選択図】図1
Description
図2は、従来の真空用モータに用いられるコイルの断面図である。図2において、20 は導体、30は無機絶縁層である。この無機絶縁層30は、シリコーン樹脂や、マイカ、ガラス、アルミナなどの無機物を含む含浸剤を、キシレンなどの溶剤で希釈しコイル含浸後に焼成することで形成されていた。
また、被覆などの絶縁材として安価で汎用性のあるエポキシ樹脂を使用した場合は、親水性が高いために吸湿量が多い。このような親水性が高い樹脂を用いた場合、真空雰囲気内における水分ガスの放出が多いため、真空雰囲気内が所定の真空度に達するための排気時間に24時間を超える長時間を要する場合もある。特に、1×10−4Pa以下の高真空状態に真空雰囲気を到達させようとすると、さらに時間を要する。現在、半導体デバイスの製造装置、液晶ディスプレイの製造装置を用いる製造ラインでは、高真空雰囲気が要求されている。そのよう製造ラインにおいて所定の真空雰囲気に到達するための時間は生産性に直接影響を与える重要な要素である。
エポキシ樹脂からの水分ガスの放出を低減させるため、その膜厚を薄くした場合、電気絶縁特性が満足しない。逆に、エポキシ樹脂の膜厚を厚くした場合、膜を形成する際に発生する収縮によってエポキシ樹脂内にクラックが発生する可能性もある。このクラックは水分ガスの放出を加速させる可能性もある。また、このクラックはパーティクルを発生させ、真空雰囲気内のコンタミネーションを増加させる可能性もある。さらに、真空用モータの電気絶縁特性を低下させる可能性もある。
本願発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、本願各発明は上記の点の少なくても1つ以上を解決できる優れた真空機器を提供することを目的とする。特に、1×10−4Pa以下の高真空雰囲気で用いられる高度な真空機器を提供することをさらなる目的とする。
(1)真空雰囲気で用いられ、その表面がエポキシ樹脂で被覆された真空機器であって、前記エポキシ樹脂組成物は、米国材料試験協会規格(ASTM)D570に規定された23℃の吸水率が0.3%以下であり、かつ、膜厚が10μm以上、2000μm以下の真空機器である。
(2)上記(1)の真空機器において、前記膜厚は90μm以上、2000μm以下である。
(3)上記(1)または(2)の真空機器において、前記真空雰囲気は1×10−4Pa以下である。
(4)上記(1)から(3)の真空機器において、前記エポキシ樹脂組成物は、少なくとも主剤と反応性希釈剤と触媒型硬化剤とから構成され、その配合比が前記主剤と前記反応性希釈剤との合計100重量部に対して前記触媒型硬化剤が0.5重量部以上7重量部以下である。
(5)上記(4)の真空機器において、前記主剤はナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、メソゲン基を持つエポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂のいずれかであり、前記触媒型硬化剤は、イミダゾール化合物、3フッ化ホウ素アミン錯体のいずれかである。
(6)上記(5)の真空機器において、前記イミダゾール化合物は、2エチル4メチルイミダゾール、2メチルイミダゾール、nウンデシルイミダゾール、1ベンジル2メチルイミダゾールのいずれかである。
(7)上記(1)から(6)の真空機器において、前記真空機器は導体の表面が絶縁体により被覆されたコイルを備え、前記絶縁体の表面は前記エポキシ樹脂組成物により被覆されている。
(8)上記(5)の真空機器において、前記3フッ化ホウ素アミン錯体は3フッ化ホウ素アニリン錯体、3フッ化ホウ素クロロフェニルアミン錯体、またはそれらの混合物である。
(9)上記(7)の真空機器において、前記絶縁体は、ふっ素樹脂、ポリエーテルサルホンなどの樹脂材質、または、セラミック、ガラス、絶縁性のめっきなどの無機材質、またはそれらを組み合わせた材質にて形成されたものである。
(10)上記(1)から(9)の真空機器において、前記エポキシ樹脂組成物中の水分子の拡散係数が3.0×10−13 m2/s以上である。
(11)上記(7)の真空機器において、前記コイルを巻回するボビンはエポキシ樹脂組成物、ふっ素樹脂、ポリフェニレンスルフィド、液晶ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレンなどのポリオレフィン、環状ポリオレフィン、ポリキシリレンの芳香族ポリオレフィンのいずれか一つ、またはそれらを組み合わせたものであって、水分子の拡散係数が3.0×10−13m2/s以上であるもの、または、セラミックである。
(12)導体上に絶縁体を形成する工程と、前記絶縁体上をエポキシ樹脂組成物で被覆する工程であって、前記エポキシ樹脂組成物は、米国材料試験協会規格(ASTM)D570に規定された23℃吸水率が0.3%以下で、その膜厚が10μm以上、2000μm以下になるよう真空含浸法、滴下含浸法または注型法により被覆する工程を備えた真空機器の製造方法である。
(13)上記(12)の真空機器の製造方法において、前記膜厚は90μm以上、2000μm以下である。
(14)上記(12)または(13)の真空機器の製造方法において、前記真空機器は1×10−4Pa以下の真空雰囲気で用いられる。
(15)上記(12)または(14)の真空機器の製造方法において、前記エポキシ樹脂組成物は、少なくとも主剤と反応性希釈剤と触媒型硬化剤とから構成され、その配合比が前記主剤と前記反応性希釈剤との合計100重量部に対して前記触媒型硬化剤が0.5重量部以上7重量部以下である。
(16)上記(15)の真空機器の製造方法において、前記主剤はナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、メソゲン基を持つエポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂のいずれかであり、前記触媒型硬化剤は、イミダゾール化合物、3フッ化ホウ素アミン錯体のいずれかである。
(17)上記(16)の真空機器の製造方法において、前記イミダゾール化合物は、2エチル4メチルイミダゾール、2メチルイミダゾール、nウンデシルイミダゾール、1ベンジル2メチルイミダゾールのいずれかである。
(18)上記(16)の真空機器の製造方法において、前記3フッ化ホウ素アミン錯体は3フッ化ホウ素アニリン錯体、3フッ化ホウ素クロロフェニルアミン錯体、またはそれらの混合物である。
(19)上記(12)から(18)の真空機器の製造方法において、前記エポキシ樹脂組成物中の水分子の拡散係数が3.0×10−13m2/s以上である。
(20)1×10−4Pa以下の真空雰囲気で用いられ、その表面の少なくとも一部はエポキシ樹脂で被覆された真空機器であって、
前記エポキシ樹脂組成物は、米国材料試験協会規格(ASTM)D570に規定された23℃の吸水率が0.3%以下であり、その膜厚が10μm以上、2000μm以下であり、少なくとも主剤と反応性希釈剤と触媒型硬化剤とから構成され、その配合比が前記主剤と前記反応性希釈剤との合計100重量部に対して前記触媒型硬化剤が0.5重量部以上7重量部以下の真空機器である。
請求項2記載の発明によれば、請求項1記載の発明により得られる効果に加え、絶縁破壊電圧の耐性の高い優れた真空機器を実現することができる。
請求項3記載の発明によれば、請求項1または2記載の発明により得られる効果に加え、高真空雰囲気において優れた真空機器を実現することができる。
請求項4記載の発明によれば、請求項1から3記載の発明により得られる効果に加え、安定した品質のエポキシ樹脂組成物を実現できるので、さらなる優れた真空機器を実現することができる。
請求項5、6、8記載の発明によれば、請求項4記載の発明により得られる効果に加え、最適な品質のエポキシ樹脂組成物を実現できるので、さらなる優れた真空機器を実現することができる。
請求項7記載の発明によれば、請求項1から6記載の発明により得られる効果に加え、種々の用途に適用されるモータのコイルを効果的に被覆することができるので、優れた真空機器を実現することができる。
請求項9記載の発明によれば、請求項7記載の発明により得られる効果に加え、絶縁体の吸湿水分が比較的少ないので、所望の真空度に速やかに到達することができる優れた真空機器を実現することができる。
請求項10記載の発明によれば、請求項1から9記載の発明により得られる効果に加え、
所望の真空度に速やかに到達することができる優れた真空機器を実現することができる。
請求項11記載の発明によれば、請求項7記載の発明により得られる効果に加え、
所望の真空度に速やかに到達することができる優れた真空機器を実現することができる。
請求項12記載の発明によれば、エポキシ樹脂の吸湿水分が少なく、所望の真空度に速やかに到達することができる真空機器を簡易に製造することができる。この製法により得られた真空機器は、絶縁特性を維持しながら、真空雰囲気での水分ガスの放出を従来のものと比較して格段に低減することができる。さらに、その真空機器はパーティクルなどのコンタミネーションを最大限低減できる。
請求項13記載の発明によれば、請求項12記載の発明により得られる効果に加え、絶縁破壊電圧の耐性の高い優れた真空機器を形成することができる。
請求項14記載の発明によれば、請求項12または13記載の発明により得られる効果に加え、この製法により得られた真空機器は高真空雰囲気において優れた効果を有する。
請求項15記載の発明によれば、請求項12または14記載の発明により得られる効果に加え、安定した品質のエポキシ樹脂組成物を実現できるので、この製法により優れた真空機器を形成することができる。
請求項16、17、18記載の発明によれば、上記の効果に加え、最適な品質のエポキシ樹脂組成物を実現できるので、さらなる優れた真空機器を実現することができる。
請求項19記載の発明によれば、請求項12から18記載の発明により得られる効果に加え、所望の真空度に速やかに到達することができる優れた真空機器を実現することができる。
請求項20記載の発明によれば、吸湿水分が少ない安定した品質のエポキシ樹脂組成物により真空機器の表面の一部が被覆されているので、高真空度に速やかに到達することができる真空機器を実現することができる。さらに、絶縁特性を維持しながら、真空雰囲気での水分ガスの放出を従来のものと比較して格段に低減することができる。さらに、パーティクルなどのコンタミネーションを最大限低減した最適な真空機器を実現することができる。
樹脂5の水分子の吸水率は、米国材料試験協会(ASTM: American Society for Testing and Materials)の規格D570において0.3%以下である。また、樹脂5の拡散係数は3.0×10−13m2/s以上である。この樹脂5の膜厚は10μm以上、2000μm以下である。この膜厚とは、絶縁体3上に形成された樹脂5の垂直方向における厚さのことを言う。
本実施例、比較例および従来例に用いた樹脂5の材質は以下のとおりである。本実施例と従来例の場合、樹脂5の厚さは2000μmとした。比較例においては樹脂5の厚さを2000μmより大きくした。この結果、本実施例のエポキシ樹脂組成物にて水分ガスの放出特性が良好であることを確認した。なお、導体2にはエナメル線を、絶縁体3には2種ポリイミド線皮膜を、ボビン4にはフッ素樹脂を用いた。
[本実施例における樹脂]
触媒型硬化剤で硬化したエポキシ樹脂組成物であり、下記の化学構造を持つものとした。組み合わせと配合比(重量部)は表1のとおりとした
(a)ナフタレン型エポキシ樹脂
(b)ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂
(c)メソゲン基を持つエポキシ樹脂
(d)ビスフェノール型エポキシ樹脂
(e)フェニルグリシジルエーテル(反応性希釈剤の例)
(f)2エチル4メチルイミダゾール
(g)2メチルイミダゾール
(h)3フッ化ホウ素アニリン錯体
(i)ジアミノジフェニルメタン系硬化剤
(j)シリカ(充填材を添加する例)
[絶縁体]
本実施例、比較例および従来例に用いたコイル1の絶縁体3の材質は以下のとおりである。
(A)2種ポリイミド線
(B)セラミックとめっきの2層構造(特許文献1)
(14)縮合型硬化剤配合エポキシ樹脂
表1(14)に示したビスフェノールA型エポキシ樹脂と、ジアミノジフェニルメタン系硬化剤と、シリカの混合物である。配合比(重量比)=100/30/200。水分子の拡散係数は1×10−13m2/sである。
(15)無機含浸剤
シリコン化合物、マイカガラス、無機繊維、金属酸化物などを混練したものである(特許文献1)。
[本実施例の成形方法]
エポキシ樹脂組成物の被覆を真空注形にて成形し、その成形時間は注形と硬化をあわせて5時間以内であった。したがって、従来の無機含浸剤にて形成されたコイルよりも生産性は大幅に改善された。なお、被覆厚さは図示しない金型とコイル1とのギャップにて管理した。
真空用モータコイルの真空中でのガス放出特性の評価結果を表2〜4に示す。
表中のガス放出の評価結果マークにおいて、×印は5×10-5Pa m3/sを超える場合、△は1×10-5Pa m3/sより大きく5×10-5Pa m3/s以下の場合、○印は1×10-5Pa m3/s以下の場合、◎印は5×10-6Pa m3/s以下の場合を表す。絶縁特性の評価結果のマークは、×印は漏洩電流が10mA以上の場合、○印は10mA以下の場合を表す。
以上の結果より、従来のモータコイルに使用される吸水率の大きいエポキシ樹脂モールドを用いた場合に対し、本実施例のガス放出速度は小さく、本発明の有効性が確認された。また、従来の無機絶縁で成形したコイルに対し、本実施例のコイルは生産性や絶縁特性は良好であり、本発明の有効性が確認された。なお、残留ガススペクトルの測定結果より、いずれの実施例も室温での放出ガスの主成分は水であり、ガス放出速度は水分子の放出速度と考えて良い。
表5に本発明の材料構成にて成形した真空用モータに用いられるコイルの製造条件を示す。コイル1の表面の樹脂5は、表1に示したエポキシ樹脂組成物(3)を用いた。被覆厚さは500μmとした。
本実施例と比較例に用いた絶縁体3の材質は、以下のとおりである。
[本実施例の絶縁体]
(B)セラミックとめっきの2層構造(特許文献1)
(C)ふっ素樹脂(四フッ化エチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA))
(D)ポリエーテルサルホン
[比較例の絶縁皮膜]
(A)2種ポリイミド線皮膜
表6に本実施例の材料構成にて成形した真空用モータコイルの製造条件および評価結果を示す。本実施例に用いた絶縁体、樹脂は以下のとおりである。
[絶縁体]
(B)セラミックとめっきの2層構造
(C)ふっ素樹脂(フロロエチレンプロピレン(FEP))
(D)ポリエーテルサルホン
[樹脂]
表1に示した触媒配合エポキシ樹脂である。
[樹脂の形成]
樹脂(1)、(8)は金型内で真空含浸の後、2時間の加熱硬化にて形成した。樹脂(2)、(9)は触媒配合エポキシ樹脂を15分の滴下含浸の後、2時間の加熱硬化にて形成した。樹脂(3)、(11)は10分の注形と20分の脱泡の後、2時間の加熱硬化にて形成した。いずれの試料も2000μmの厚さで形成した。したがって、従来の無機含浸剤にて形成する場合よりも生産性は大幅に改善された。ボビンは実施例1、2と同じものを用いた。
また、コイルのガス放出特性や絶縁特性の評価結果についての表示方法は、実施例1、2と同じである。
なお、実施例1〜3ではボビンを用いた例にて説明したが、ボビンを用いない場合はさらにガス放出速度が低減されるので、その効果はより大きくなる。
本実施例の真空用モータコイルの構成は、図1と同じである。本実施例の樹脂5は拡散係数の大きなエポキシ樹脂組成物にて形成されており、その拡散係数は3〜10×10−13m2/sである。
表7に本実施例の材料構成にて成形した真空用モータコイルの製造条件および評価結果を示す。なお、表中の拡散係数の単位は、10−13m2/sである。
[絶縁体]
(E)ふっ素樹脂(ポリテトラフロロエチレン(PTFE))
[樹脂]
被覆に用いたエポキシ樹脂組成物の原料は以下のとおりである。
(16)触媒配合エポキシ樹脂
ヒドロキシ安息香酸エステル型液晶エポキシ樹脂(メソゲン基の例)と、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂とブチルグリシジルエーテル(単官能型の例)と、2メチルイミダゾールの混合物である。配合比(重量比)=35/35/30/0.7。拡散係数は7×10−13m2/sである。
(17)触媒配合エポキシ樹脂
ナフタレン型エポキシ樹脂と、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂と、フェニルグリシジルエーテルと、nウンデシルイミダゾールの混合物である。配合比(重量比)=35/35/30/5。拡散係数は5×10−13m2/sである。
(18)触媒配合エポキシ樹脂
ナフタレン型エポキシ樹脂と、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂と、フェニルグリシジルエーテルと、1ベンジル2メチルイミダゾールイミダゾールの混合物である。配合比(重量比)=34/33/33/7。拡散係数は4×10−13m2/sである。
(19)触媒配合エポキシ樹脂。ナフタレン型エポキシ樹脂とジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂とフェニルグリシジルエーテルと3フッ化ホウ素アニリン錯体の混合物。配合比(重量比)=30/40/30/2。拡散係数は6×10−13m2/sである。
(20)触媒配合エポキシ樹脂。ナフタレン型エポキシ樹脂とジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂とフェニルグリシジルエーテルと3フッ化ホウ素クロロフェニルアミン錯体の混合物。配合比(重量比)=34/33/33/6。拡散係数は4×10−13m2/s
である。
[樹脂の形成]
エポキシ樹脂による被覆の形成は、真空注形と2時間の加熱硬化にて形成した。その成形時間は注形と硬化をあわせて5時間以内であった。したがって、従来の無機含浸剤にて形成されたコイルよりも生産性は大幅に改善された。なお、被覆厚さは図示しない金型と要素コイル1とのギャップにて1500〜2000μmに管理した。
ボビンは実施例1、2、3と同じである。また、要素コイルのガス放出特性や絶縁特性の評価記号は実施例1、2、3と同じである。
なお、本実施例はボビンを用いた例にて説明したが、ボビンを用いない場合はさらにガス放出速度が低減されるので、その効果は説明するまでもない。
本実施例の真空用モータコイルの構成は、図1の巻き線を同じ外形の銅電極に置き換えた図示しないモデルとした。表8〜10に本発明の材料構成にて、樹脂5の厚さを変化させて成形した真空用モータコイルの評価結果を示す。各試料とも10個の試料を作製して絶縁破壊電圧を測定し、平均値と標準偏差σを計算して、平均値−3σの値で評価した。なお、本実施例に用いた樹脂は、表1に示した(2)、(3)、(4)を用いた。
真空用モータコイルを模擬した試料について、10−4Pa以下の真空中での絶縁破壊電圧の評価結果を表8〜10に示す。表中の絶縁破壊電圧の評価結果マークにおいて、×印は絶縁破壊電圧の平均値−3σの値が100V以下の場合、○印は100V以上、1200V以下の場合、◎印は1200V以上の場合を表す。
本実施例の真空用モータコイルの構成は、図1に示したものとした。表11〜13に本発明の材料構成にて、被覆樹脂の厚さを変化させて成形した真空用モータコイルの評価結果を示す。各試料とも10個の試料を作製して剥離強さを測定し、平均値と標準偏差σを計算して、平均値−3σの値で評価した。なお、本実施例に用いた被覆樹脂は、表1に示した(2)、(3)、(4)を用いた。
密着性の評価結果を表11〜13に示す。表中の剥離強さの評価結果マークにおいて、×印は剥離強さ平均値−3σの値が0MPa以下の場合、○印は0MPa以上の場合を表す。
2 導体
3 絶縁体
4 ボビン
5 樹脂
Claims (20)
- 真空雰囲気で用いられ、その表面がエポキシ樹脂で被覆された真空機器であって、
前記エポキシ樹脂組成物は、米国材料試験協会(ASTM)の規格D570に規定された23℃の吸水率が0.3%以下であり、かつ、膜厚が10μm以上、2000μm以下であることを特徴とする真空機器。 - 前記膜厚は90μm以上、2000μm以下であることを特徴とする請求項1記載の真空機器。
- 前記真空雰囲気は1×10−4Pa以下であることを特徴とする請求項1または2記載の真空機器。
- 前記エポキシ樹脂組成物は、少なくとも主剤と反応性希釈剤と触媒型硬化剤とから構成され、その配合比が前記主剤と前記反応性希釈剤との合計100重量部に対して前記触媒型硬化剤が0.5重量部以上7重量部以下であることを特徴とする請求項1から3記載の真空機器。
- 前記主剤はナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、メソゲン基を持つエポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂のいずれかであり、前記触媒型硬化剤は、イミダゾール化合物、3フッ化ホウ素アミン錯体のいずれかであることを特徴とする請求項4記載の真空機器。
- 前記イミダゾール化合物は、2エチル4メチルイミダゾール、2メチルイミダゾール、nウンデシルイミダゾール、1ベンジル2メチルイミダゾールのいずれかであることを特徴とする請求項5記載の真空機器。
- 前記真空機器は導体の表面が絶縁体により被覆されたコイルを備え、前記絶縁体の表面は前記エポキシ樹脂組成物により被覆されていることを特徴とする請求項1から6記載の真空機器。
- 前記3フッ化ホウ素アミン錯体は3フッ化ホウ素アニリン錯体、3フッ化ホウ素クロロフェニルアミン錯体、またはそれらの混合物であることを特徴とする請求項5記載の真空機器。
- 前記絶縁体は、ふっ素樹脂、ポリエーテルサルホンなどの樹脂材質、または、セラミック、ガラス、絶縁性のめっきなどの無機材質、またはそれらを組み合わせた材質にて形成されたものであることを特徴とする請求項7記載の真空機器。
- 前記エポキシ樹脂組成物中の水分子の拡散係数が3.0×10−13 m2/s以上であることを特徴とする請求項1から9記載の真空機器。
- 前記コイルを巻回するボビンはエポキシ樹脂組成物、ふっ素樹脂、ポリフェニレンスルフィド、液晶ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレンなどのポリオレフィン、環状ポリオレフィン、ポリキシリレンの芳香族ポリオレフィンのいずれか一つ、またはそれらを組み合わせたものであって、水分子の拡散係数が3.0×10−13m2/s以上であるもの、または、セラミックを用いたことを特徴とする請求項7記載の真空機器。
- 導体上に絶縁体を形成する工程と、
前記絶縁体上をエポキシ樹脂組成物で被覆する工程であって、前記エポキシ樹脂組成物は、米国材料試験協会規格(ASTM)D570に規定された23℃吸水率が0.3%以下で、その膜厚が10μm以上、2000μm以下になるよう真空含浸法、滴下含浸法または注型法により被覆する工程とを備えたことを特徴とする真空機器の製造方法。 - 前記膜厚は90μm以上、2000μm以下であることを特徴とする請求項12記載の真空機器の製造方法。
- 前記真空機器は1×10−4Pa以下の真空雰囲気で用いられることを特徴とする請求項12または13記載の真空機器の製造方法。
- 前記エポキシ樹脂組成物は、少なくとも主剤と反応性希釈剤と触媒型硬化剤とから構成され、その配合比が前記主剤と前記反応性希釈剤との合計100重量部に対して前記触媒型硬化剤が0.5重量部以上7重量部以下であることを特徴とする請求項12から14記載の真空機器の製造方法。
- 前記主剤はナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、メソゲン基を持つエポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂のいずれかであり、前記触媒型硬化剤は、イミダゾール化合物、3フッ化ホウ素アミン錯体のいずれかであることを特徴とする請求項15記載の真空機器の製造方法。
- 前記イミダゾール化合物は、2エチル4メチルイミダゾール、2メチルイミダゾール、nウンデシルイミダゾール、1ベンジル2メチルイミダゾールのいずれかであることを特徴とする請求項16記載の真空機器の製造方法。
- 前記3フッ化ホウ素アミン錯体は3フッ化ホウ素アニリン錯体、3フッ化ホウ素クロロフェニルアミン錯体、またはそれらの混合物であることを特徴とする請求項16記載の真空機器の製造方法。
- 前記エポキシ樹脂組成物中の水分子の拡散係数が3.0×10−13 m2/s以上であることを特徴とする請求項12から18記載の真空機器の製造方法。
- 1×10−4Pa以下の真空雰囲気で用いられ、その表面の少なくとも一部はエポキシ樹脂で被覆された真空機器であって、
前記エポキシ樹脂組成物は、
米国材料試験協会規格(ASTM)D570に規定された23℃の吸水率が0.3%以下であり、
その膜厚が10μm以上、2000μm以下であり、
少なくとも主剤と反応性希釈剤と触媒型硬化剤とから構成され、その配合比が前記主剤と前記反応性希釈剤との合計100重量部に対して前記触媒型硬化剤が0.5重量部以上7重量部以下であることを特徴とする真空機器。
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