JP2010021557A - ダイシング液及びウエハダイシング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも1種のジカルボン酸及び/又はその塩、少なくとも1種のヒドロキシカルボン酸及び/又はその塩、又はアミン基を含有する酸、と、リン酸エステル分岐アルコールエトキシレートを基礎材料とする界面活性剤、アルキルジフェニルオキサイドジスルホン酸を基礎材料とする界面活性剤、ドデシルベンゼンスルホン酸(DDBSA)を基礎材料とする界面活性剤、第二アルキルスルホン酸を基礎材料とする界面活性剤、及びそれらの組み合わせ、からなる群より選ばれる界面活性剤、とを含み、残りが実質的に脱イオン水であり、フッ素を含まず且つpHが約1〜約4である。
【選択図】なし
Description
少なくとも1種のジカルボン酸及び/又はその塩、
少なくとも1種のヒドロキシカルボン酸及び/又はその塩、又はアミン基を含有する酸、
次のものからなる群、すなわち、
リン酸エステル、分岐アルコールエトキシレートを基礎材料とする界面活性剤、
次の構造
を有する、アルキルジフェニルオキサイドジスルホン酸を基礎材料とする界面活性剤、
次の構造
次の構造
を有する、第二アルキルスルホン酸を基礎材料とする界面活性剤、
及びそれらの組み合わせ、
からなる群より選ばれる界面活性剤、
を含み、残りが実質的に脱イオン水であるダイシング液であり、フッ素を含まず且つpHが約1〜約4であるダイシング液を提供する。
ウエハを連続的に脱イオン水と接触させる工程、及び、
ウエハを連続的に、以下のものを含むダイシング液、すなわち、
少なくとも1種のジカルボン酸及び/又はその塩、
少なくとも1種のヒドロキシカルボン酸及び/又はその塩、又はアミン基を含有する酸、
次のものからなる群、すなわち、
リン酸エステル、分岐アルコールエトキシレートを基礎材料とする界面活性剤、
次の構造
を有するアルキルジフェニルオキサイドジスルホン酸を基礎材料とする界面活性剤、
次の構造
次の構造
を有する第二アルキルスルホン酸を基礎材料とする界面活性剤、
及びそれらの組み合わせ、
からなる群より選ばれる界面活性剤、
を含み、残りが実質的に脱イオン水であるダイシング液であり、フッ素を含まず且つpHが約1〜約4であるダイシング液、と接触させる工程、
を含むウエハダイシング方法を提供する。
を持つアルキルジフェニルオキサイドジスルホン酸を基礎材料とする界面活性剤、次の構造、
を持つ第二アルキルスルホン酸を基礎材料とする界面活性剤、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる。
ダイシング処理を行う間に、ウエハには静電荷が蓄積した。この電荷の蓄積及び/又はその後の静電放電(ESD)は、ウエハ上の敏感なデバイスを損傷することもあり得た。静電荷はまた、ウエハ表面にパーティクルを引きつけることもあり得た。従って、ダイシング処理中の静電荷の蓄積を消散させることが重要であった。
この実験で試験したウエハは、Al酸化膜/Al/熱酸化膜/Si基板の積層構造を持つ6インチのむき出しのSiであった。ダイシング液BをDI水で希釈して、いろいろな濃度のものを得た。
この実験で試験したウエハは、Al(0.5%Cu)/熱酸化膜/Si、及びCu/熱酸化膜/Siの、ブランケットウエハであった。ソーイングによるウエハダイシング処理は30分継続するよう設定した。
この実験で試験したウエハは、パターン化したAl接合パッドのウエハであった。これらのウエハはセグメント(完全なウエハではない)であって、ホトレジストを除去するためにアッシング処理された。ソーイングによるウエハダイシング処理は10分継続するよう設定された。
ソーイング中に、DI水とウエハ材料(主としてSi、あるいは何であれ基板の材料)からなるスラリーが形成された。このスラリーには、ウエハにくっつく親和力があった。ウエハは、そのスラリーを容易に洗い流すのを可能にするパッシベーション膜で被覆された。
この実験で試験したウエハは、Cu/熱酸化膜/Siのブランケットウエハであった。ウエハのダイシング処理は、10分継続するよう設定された。
この実験で試験したウエハは、Al(0.5%Cu)/熱酸化膜/Siのブランケットウエハであった。ウエハのダイシング処理は、30分継続するよう設定された。
Claims (16)
- 露出したメタライゼーション領域への汚染物質残留物の付着と該露出したメタライゼーション領域の腐食を抑制するのに有効なダイシング液(ウエハをダイシングするための液)であって、以下のもの、すなわち、
少なくとも1種のジカルボン酸及び/又はその塩、
少なくとも1種のヒドロキシカルボン酸及び/又はその塩、又はアミン基を含有する酸、
次のものからなる群、すなわち、
リン酸エステル分岐アルコールエトキシレートを基礎材料とする界面活性剤、
次の構造
を有する、アルキルジフェニルオキサイドジスルホン酸を基礎材料とする界面活性剤、
次の構造
次の構造
を有する、第二アルキルスルホン酸を基礎材料とする界面活性剤、
及びそれらの組み合わせ、
からなる群より選ばれる界面活性剤、
を含み、残りが実質的に脱イオン水であるダイシング液であり、フッ素を含まず且つpHが約1〜約4であるダイシング液。 - 前記少なくとも1種のジカルボン酸、その塩が、約0.005〜約16wt%であり、
前記少なくとも1種のヒドロキシカルボン酸、その塩が、約0.003〜約4wt%であり、
前記界面活性剤が約0.0001〜約0.5wt%であり、
そして残りが実質的に脱イオン水である、請求項1記載のダイシング液。 - 前記ジカルボン酸が、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸及びフマル酸からなる群より選ばれる、請求項2記載のダイシング液。
- 前記ジカルボン酸がマロン酸とシュウ酸の混合物を含む、請求項2記載のダイシング液。
- クエン酸、マロン酸、シュウ酸及び脱イオン水を含む、請求項2記載のダイシング液。
- クエン酸を4.0%、マロン酸を2.0%、シュウ酸を4.0%、界面活性剤を0.4%含み、残りが実質的に脱イオン水である、請求項1記載のダイシング液。
- 前記界面活性剤が、次の構造
を有する、第二アルキルスルホン酸を基礎材料とする界面活性剤である、請求項6記載のダイシング液。 - 露出したメタライゼーション領域への汚染物質残留物の付着と該露出したメタライゼーション領域の腐食を抑制するのに有効なダイシング液(ウエハをダイシングするための液)であって、以下のもの、すなわち、
4.0%のクエン酸、
2.0%のマロン酸、
4.0%のシュウ酸、
次のものからなる群、すなわち、
リン酸エステル分岐アルコールエトキシレートを基礎材料とする界面活性剤、
次の構造
を有する、アルキルジフェニルオキサイドジスルホン酸を基礎材料とする界面活性剤、
次の構造
次の構造
を有する、第二アルキルスルホン酸を基礎材料とする界面活性剤、
及びそれらの組み合わせ、
からなる群より選ばれる、0.4%の界面活性剤、
を含み、残りが実質的に脱イオン水であるダイシング液であり、pHが約1〜約4であるダイシング液。 - 前記界面活性剤が、次の構造
を有する、第二アルキルスルホン酸を基礎材料とする界面活性剤である、請求項8記載のダイシング液。 - ウエハをダイシングする方法であり、接合用パッドを備えたウエハをソーによりダイシングし、ウエハをソーイングすることにより汚染物質残留物が生じ、腐食が全露出メタライゼーション領域に生じることがあり得るウエハダイシング方法であって、
ウエハを連続的に脱イオン水と接触させる工程、及び、
ウエハを連続的に、以下のものを含むダイシング液(ウエハをダイシングするための液)、すなわち、
少なくとも1種のジカルボン酸及び/又はその塩、
少なくとも1種のヒドロキシカルボン酸及び/又はその塩、又はアミン基を含有する酸、
次のものからなる群、すなわち、
リン酸エステル、分岐アルコールエトキシレートを基礎材料とする界面活性剤、
次の構造
を有する、アルキルジフェニルオキサイドジスルホン酸を基礎材料とする界面活性剤、
次の構造
次の構造
を有する第二アルキルスルホン酸を基礎材料とする界面活性剤、
及びそれらの組み合わせ、
からなる群より選ばれる界面活性剤、
を含み、残りが実質的に脱イオン水であるダイシング液であり、フッ素を含まず且つpHが約1〜約4であるダイシング液、と接触させる工程、
を含むウエハダイシング方法。 - 前記少なくとも1種のジカルボン酸、その塩が、約0.005〜約16wt%であり、
前記少なくとも1種のヒドロキシカルボン酸、その塩が、約0.003〜約4wt%であり、
前記界面活性剤が約0.0001〜約0.5wt%であり、
そして残りが実質的に脱イオン水である、請求項10記載の方法。 - 前記ジカルボン酸が、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸及びフマル酸からなる群より選ばれる、請求項11記載の方法。
- 前記ジカルボン酸がマロン酸とシュウ酸の混合物を含む、請求項11記載の方法。
- 前記ダイシング液がクエン酸、マロン酸、シュウ酸及び脱イオン水を含む、請求項11記載の方法。
- 前記ダイシング液が、クエン酸を4.0%、マロン酸を2.0%、シュウ酸を4.0%、界面活性剤を0.4%、及びそれらの組み合わせを含み、残りが実質的に脱イオン水である、請求項9記載の方法。
- 前記界面活性剤が、次の構造
を有する、第二アルキルスルホン酸を基礎材料とする界面活性剤である、請求項15記載の方法。
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