JP2010021446A - プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板を載置する載置台に対向するように、下面に多数のガス吐出孔が形成されたガスシャワーヘッドを処理容器の天壁に設けると共に、このガスシャワーヘッドの周囲における処理容器の天壁を誘電体により構成し、この誘電体上に基板の上方の処理領域の周囲に電磁誘導により前記基板の径方向に概略平行な電界を形成し、更にガスシャワーヘッドに負の直流電圧を印加する。
【選択図】図5
Description
例えばエッチング処理を行う場合において、上記のパターンマスクの下層側には、具体的には例えば反射防止膜、アモルファスカーボン膜、シリコン酸化膜及びエッチングストップ膜などの互いに組成の異なる膜が上側からこの順番でシリコン膜上に積層されている。そこで、この多層膜に凹部を形成する時には、各々の膜毎にエッチングガスを切り替えると共に、このエッチングガスの流量や圧力などの処理条件を調整するようにしている。そのため、面内において各々の膜を均一にエッチングするためには、各々の膜の処理条件に応じて、ウェハの上方の処理領域における濃度分布が均一となるように処理ガスを供給すると共に、この処理ガスを均一にプラズマ化する必要がある。
基板に対してプラズマにより処理を行うプラズマ処理装置において、
処理容器内に設けられ、基板を載置するための載置台と、
この載置台に対向するように設けられ、前記処理容器内に処理ガスを供給するための多数のガス吐出孔がその下面に形成された導電性部材からなるガスシャワーヘッドと、
前記ガスシャワーヘッドの下方空間を囲む領域に誘導結合型プラズマを発生させるために高周波電流が供給される誘導コイルと、
前記ガスシャワーヘッドに負の直流電圧を印加し、前記誘導コイルにより誘導された電界を処理領域の中央部側に引き込むための負電圧供給手段と、
前記処理容器内を真空排気するための手段と、を備えたことを特徴とする。
前記誘導コイルは処理容器の周方向に沿って複数配置されていることが好ましい。
また、前記誘導コイルは、その一辺が基板と並行となるように角型に巻回されていることが好ましい。
前記誘導コイルは、前記処理容器よりも上方側に設けられ、
前記ガスシャワーヘッドの周囲における前記処理容器の天壁は、誘電体により構成されていても良い。前記誘導コイルは、誘電体に埋設されて処理容器の天壁の一部を構成していても良い。
前記ガスシャワーヘッドの少なくとも下面側は、シリコンにより構成されていることが好ましい。
基板に対して行われる処理のレシピと前記負の直流電圧の大きさと誘導コイルに供給される高周波電流の大きさとを対応づけて記憶した記憶部と、
この記憶部からレシピに応じた前記負の直流電圧の大きさと前記高周波電流の大きさとを読み出して制御信号を出力する制御部と、を備えていることが好ましい。
基板に対してプラズマにより処理を行うプラズマ処理方法において、
処理容器内の載置台上に基板を載置する工程と、
次に、前記載置台に対向するように設けられた導電性部材からなるガスシャワーヘッドよりも前記処理容器の径方向外方側に位置する誘導コイルに高周波電流を供給することにより、前記ガスシャワーヘッドの下方側空間を囲む領域に電界を形成する工程と、
前記ガスシャワーヘッドの下面のガス吐出孔から前記処理容器内に処理ガスを供給して、前記電界により処理ガスをプラズマ化する工程と、
前記ガスシャワーヘッドに負の直流電圧を印加し、前記誘導コイルにより誘導された電界を処理領域の中央部側に引き込む工程と、を含むことを特徴とする。
前記電界を形成する工程は、処理容器の周方向に沿って複数配置された前記誘導コイルにより発生させる工程であっても良い。
前記電界を形成する工程は、その一辺が基板と並行となるように角型に巻介された前記誘導コイルにより発生させる工程であっても良い。
また、上記プラズマ処理方法は、
基板に対して行われる処理のレシピと前記負の直流電圧の大きさと誘導コイルに供給される高周波電流の大きさとを対応づけて記憶した記憶部から、レシピに応じた前記負の直流電圧の大きさと前記高周波電流の大きさとを読み出す工程を行うことが好ましい。
基板に対してプラズマにより処理を行うプラズマ処理装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上記プラズマ処理方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする。
載置台3の内部には、温調媒体が通流する温調流路37が形成されており、この温調媒体によってウェハWの温度を調整するように構成されている。また、載置台3の内部には熱伝導性ガスをバックサイドガスとしてウェハWの裏面に供給するためのガス流路38が形成されており、このガス流路38は載置台3の上面の複数箇所にて開口している。既述の静電チャック34には、このガス流路38に連通する複数の貫通孔34aが形成されており、上記のバックサイドガスは、この貫通孔34aを介してウェハWの裏面側に供給される。
また、この下部電極31の外周縁上には、静電チャック34を囲むようにフォーカスリング39が配置されており、このフォーカスリング39を介してプラズマが載置台3上のウェハWに収束するように構成されている。
その後、エッチングガス及びArガスの供給を停止すると共に、誘導コイル70への高周波の供給とガスシャワーヘッド4への負の直流電圧の印加とを停止する。そして処理容器21内を真空排気して、続いてエッチング処理を行う膜であるアモルファスカーボン膜に応じたレシピをメモリ14から読み出し、このアモルファスカーボン膜のエッチング処理を行う。しかる後、アモルファスカーボン膜の下層側の膜に対して、同様に順次レシピを読み出してエッチング処理を行っていく。
次に、既述のように、負の直流電源53からガスシャワーヘッド4に負の直流電圧を印加することにより、電子密度がどのように変化するか確かめるためにCCP装置を用いて行った実験について説明する。
電子密度測定プローブを用いて、ガスシャワーヘッド4に負の直流電圧(900V)を印加した時と、負の直流電圧を印加しなかった時と、の当該ガスシャワーヘッド4の下方における電子密度の差を比較した。また、処理容器21内に所定の流量の処理ガスを供給して処理容器21内の圧力が6.67Pa(50mTorr))となるように調整すると共に、高周波電源31aから13.56MHz、2000Wの高周波を載置台3に供給し、ガスシャワーヘッド4に図示しないプラズマ生成用の高周波電源から60MHz、300Wの高周波を供給することにより、処理容器21内の処理ガスをプラズマ(イオン)化した。この場合には、ガスシャワーヘッド4にも高周波を供給しているが、本発明のプラズマ処理装置においても同様の傾向になると考えられる。
図15に示すように、ガスシャワーヘッド4に負の直流電圧を印加することにより、このガスシャワーヘッド4の下方側における電子密度が増加することが分かった。そのため、ガスシャワーヘッド4と載置台3との間のプラスイオンがDCシースにより当該ガスシャワーヘッド4側に引き寄せられ、またプラズマ中のプラス(Ar+)イオンがガスシャワーヘッド4に衝突して電子が生成することが分かる。
また、図示を省略するが、別途行った計算や実験により、ガスシャワーヘッド4に200V以上の負の直流電圧を印加することで、電子密度が増加することが分かった。
次に、既述の図3に示すように誘導コイル70を巻回すると共に、ガスシャワーヘッド4に負の直流電圧を印加した時に、処理容器21内に形成されるTMモードの電界の密度分布がどのように変化するか確認するために、電磁界計算ソフト例えばCOMSOLを用いてシミュレーション(計算)を行った。
誘導コイル70には13.56MHz、1500Wの高周波を供給した場合について計算を行った。また、ガスシャワーヘッド4に負の直流電圧を印加することにより、ガスシャワーヘッド4の下方側に形成されるDCシース75の厚さが1mm、5mm、10mmとなる場合について夫々計算を行った。そして、処理容器21の中央から右半分について、処理ガスに吸収される電界強度を調べた。この吸収電界強度(処理ガスに吸収される電界の強度)によって、DCシース75の下方側のプラズマの電子密度を評価することができる。
図16(a)に示すように、DCシース厚の場合が1mmの場合であっても、DCシース75の下方側における吸収電界強度が処理容器21の中央部に近接する領域まで大きくなっていることから、TMモードの電界がウェハWの中央部側に向かって長く伸びていることが分かった。また、同図(b)、(c)に示すように、このDCシースの厚さを増やしていくことにより、つまりガスシャワーヘッド4に印加する負の直流電圧を大きくしていくことにより、誘導コイル70の下方側に形成されるTMモードの電界がウェハWの中央部側に向かって更に引き寄せられて伸びていくことが分かった。
次に、既述の特許文献1の装置と同様に、ウェハWの周方向と同心円状の電界(θ方向の電界:TEモード)が形成されるように、コイルをウェハWと同心円状に巻回した場合について上記の実施例2と同様の計算を行った。
(計算結果)
その結果、図17に示すように、吸収電界強度が大きい領域はコイルの下方位置であり、そのためウェハWの中央部側には電界が伸びていかないことが分かった。また、DCシースの厚さが増えた場合でも、この電界には大きな変化が見られなかった。このことから、コイルにより形成される電界をウェハWの中央部側に延伸させるためには、TMモードの電界を形成する必要のあることが分かった。従って、既述のように、本発明において、誘導コイル70は、電界Erと電界Ezとが形成されるように、ウェハWの径方向に概略平行な部分と、鉛直方向に概略平行な部分と、が形成されるように巻回あるいは配置する必要のあることが分かった。
4 ガスシャワーヘッド
7 制御部
14 メモリ
21 処理容器
53 直流電源
60 外側天板
70 誘導コイル
71 高周波電源
75 DCシース
80 TMモードの電界
Claims (14)
- 基板に対してプラズマにより処理を行うプラズマ処理装置において、
処理容器内に設けられ、基板を載置するための載置台と、
この載置台に対向するように設けられ、前記処理容器内に処理ガスを供給するための多数のガス吐出孔がその下面に形成された導電性部材からなるガスシャワーヘッドと、
前記ガスシャワーヘッドの下方空間を囲む領域に誘導結合型プラズマを発生させるために高周波電流が供給される誘導コイルと、
前記ガスシャワーヘッドに負の直流電圧を印加し、前記誘導コイルにより誘導された電界を処理領域の中央部側に引き込むための負電圧供給手段と、
前記処理容器内を真空排気するための手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記誘導コイルは、基板と並行でかつ処理容器の径方向と交差する方向に伸びる軸の回りに巻回されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘導コイルは処理容器の周方向に沿って複数配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘導コイルは、その一辺が基板と並行となるように角型に巻回されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘導コイルは、前記処理容器よりも上方側に設けられ、
前記ガスシャワーヘッドの周囲における前記処理容器の天壁は、誘電体により構成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。 - 前記誘導コイルは、誘電体に埋設されて処理容器の天壁の一部を構成していることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガスシャワーヘッドの少なくとも下面側は、シリコンにより構成されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
- 基板に対して行われる処理のレシピと前記負の直流電圧の大きさと誘導コイルに供給される高周波電流の大きさとを対応づけて記憶した記憶部と、
この記憶部からレシピに応じた前記負の直流電圧の大きさと前記高周波電流の大きさとを読み出して制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。 - 基板に対してプラズマにより処理を行うプラズマ処理方法において、
処理容器内の載置台上に基板を載置する工程と、
次に、前記載置台に対向するように設けられた導電性部材からなるガスシャワーヘッドよりも前記処理容器の径方向外方側に位置する誘導コイルに高周波電流を供給することにより、前記ガスシャワーヘッドの下方側空間を囲む領域に電界を形成する工程と、
前記ガスシャワーヘッドの下面のガス吐出孔から前記処理容器内に処理ガスを供給して、前記電界により処理ガスをプラズマ化する工程と、
前記ガスシャワーヘッドに負の直流電圧を印加し、前記誘導コイルにより誘導された電界を処理領域の中央部側に引き込む工程と、を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記電界を形成する工程は、基板と並行でかつ処理容器の径方向と交差する方向に伸びる軸の回りに巻回された前記誘導コイルにより発生させる工程であることを特徴とする請求項9に記載のプラズマ処理方法。
- 前記電界を形成する工程は、処理容器の周方向に沿って複数配置された前記誘導コイルにより発生させる工程であることを特徴とする請求項9または10に記載のプラズマ処理方法。
- 前記電界を形成する工程は、その一辺が基板と並行となるように角型に巻介された前記誘導コイルにより発生させる工程であることを特徴とする請求項9ないし11のいずれか一つに記載のプラズマ処理方法。
- 基板に対して行われる処理のレシピと前記負の直流電圧の大きさと誘導コイルに供給される高周波電流の大きさとを対応づけて記憶した記憶部から、レシピに応じた前記負の直流電圧の大きさと前記高周波電流の大きさとを読み出す工程を行うことを特徴とする請求項9ないし12のいずれか一つに記載のプラズマ処理方法。
- 基板に対してプラズマにより処理を行うプラズマ処理装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項9ないし13のいずれか一つに記載のプラズマ処理方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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