JP2010020878A - 不揮発性メモリのプログラミング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】メモリに書き込むための電圧、時間、及び電力を低減するための不揮発性メモリのプログラミング方法を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリのプログラミング方法が提供される。その方法は、ソース又はドレインのキャリアを基板内へ注入すべくソース又はドレインに少なくとも電圧を印加する工程と、十分なエネルギーを有する基板内にあるキャリアが電荷記憶デバイスに到達すべく酸化層を通過することができるようにゲート又は基板に第3の電圧を印加する工程とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】不揮発性メモリのプログラミング方法が提供される。その方法は、ソース又はドレインのキャリアを基板内へ注入すべくソース又はドレインに少なくとも電圧を印加する工程と、十分なエネルギーを有する基板内にあるキャリアが電荷記憶デバイスに到達すべく酸化層を通過することができるようにゲート又は基板に第3の電圧を印加する工程とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、不揮発性メモリのプログラミング方法に関し、特にメモリに書き込むための電圧、時間、及び電力を低減するための不揮発性メモリのプログラミング方法に関する。
不揮発性メモリは、電力供給が停止された場合であっても記憶された情報を保持することができるとともに、電力が供給されている場合には情報を幾度も書き換えることができる。不揮発性メモリの物理的制限に起因して、デバイスの寸法が小さくなると、トンネル酸化層の厚みが小さくなる。また、トンネル酸化層は高速な読み出し/書き込み処理を幾度も経る。トンネル酸化層の漏洩パスが一旦形成されると、フローティングゲートに記憶された電荷は開放されて情報が消去されることになる。一態様において、デバイスが薄い酸化層を有する場合、メモリのデータ保持能力が低下することになる。別の態様において、記憶能力を向上するために酸化層の厚みを増すと、電荷の書き込み速度は遅くなる。従って、メモリデバイスの速度、信頼性、及びデータ保持能力の間では調整が必要である。
不揮発性メモリをプログラミングするための従来の方法は2つある。1つはファウラー・ノルドハイム(FN:Fowler-Nordheim)トンネリングプログラム処理であり、もう1つはチャネルホットエレクトロン(CHE:channel-hot-electron)プログラム処理である。いくつかのセルが同時にプログラムされる場合、CHEプログラム処理はデータをより高速に書き込むが、より多くのエネルギーを消費する。FNトンネリングプログラム処理のエネルギー消費はより少なく、且ついくつかのセルは同時にプログラム可能であるが、プログラムの電圧はより高く、かつプログラムの速度はより遅い。
FNトンネリングプログラム処理の速度を高速化し且つ低電圧化するためには、トンネル酸化層の厚みを小さくする必要があり、メモリのデータ保持能力は低下することになる。
従って、本発明の目的は、上述した問題を解決する、即ち、メモリに書き込むための電圧、時間、及び電力を低減することのできる不揮発性メモリのプログラミング方法を提供することにある。
従って、本発明の目的は、上述した問題を解決する、即ち、メモリに書き込むための電圧、時間、及び電力を低減することのできる不揮発性メモリのプログラミング方法を提供することにある。
本発明は、不揮発性メモリのプログラミング方法を提供する。前記不揮発性メモリは、ソースと、ドレインと、電荷記憶デバイスと、ゲートと、基板及び電荷記憶デバイス間に設けられた底部酸化層と、前記電荷記憶デバイス及び前記ゲート間に設けられた上部酸化層とを有する。前記方法は、前記ソース又は前記ドレインのキャリアを基板内へ注入すべく前記ソース又は前記ドレインに少なくとも電圧を印加する工程と、前記電荷記憶デバイスに到達するように前記底部酸化層の障壁を通過すべく十分なエネルギーを有する前記基板の前記キャリアの勢いを増すために、前記ゲート又は前記基板に第3の電圧を印加する工程とを備える。
本発明の目的及び特徴は、添付の図面を参照して詳細な説明から明らかになるであろう。
本発明によれば、メモリに書き込むための電圧、時間、及び電力を低減することができるという効果を奏する。
本発明は、不揮発性メモリのプログラミング方法を開示する。背景技術で説明したように、FN(Fowler-Nordheim)トンネリングプログラム処理の利点は消費電力がより少ないことであるが、CHE (channel-hot-electron)プログラム処理の利点は書き込み速度がより高速であることである。本発明は、新規の不揮発性メモリのプログラミング方法を成すために、FNトンネリングプログラム処理及びCHEプログラム処理の利点を兼ね備える。以下、本発明は、図1〜図4(B)の添付の図面とともに、限定されない例示的な説明を参照して更に理解されるであろう。
図1は、本発明の一実施形態に従う、基板ホットキャリアのプログラミング方法としても参照される不揮発性メモリ100のプログラミング方法を示す図である。基板ホットキャリアのプログラミング方法を用いることにより、不揮発性メモリ100のプログラミングのための電圧、書き込み時間、及び消費電力を低減することができる。基板ホットキャリアのプログラミング方法は、酸化層112の厚みにはより関連しないものである。従って、不揮発性メモリ100ではより厚い酸化層112が使用可能であるため、不揮発性メモリ100の書き込み効率及びデータ保持能力を同時に得ることができる。
n型不揮発性メモリ100は、ソース104、ドレイン106、電荷記憶デバイス108、底部酸化層112、上部酸化層114、及びゲート110を含む。ソース104、ドレイン106、及び電荷記憶デバイス108は、別々にp型基板上102に設けられている。底部酸化層112は、基板102と電荷記憶デバイス108との間に配置されている。上部酸化層114は、電荷記憶デバイス108とゲート110との間に配置されている。ここで、電荷記憶デバイス108は、フローティングゲート又は電荷トラップ層であってもよく、従って、不揮発性メモリはフローティングゲートデバイス又は電荷トラップデバイスであってもよいことに留意されたい。
図1に示すように、基板ホットキャリアのプログラミング方法は、不揮発性メモリのプログラミング方法において基板102のキャリア120(ホットキャリア)を用いることにより、FNトンネリングプログラム処理及びCHEプログラム処理の利点を兼ね備えている。一実施形態において、基板ホットキャリアのプログラミング方法による不揮発性メモリ100のプログラミング方法は、以下の工程を含む。(1)−6ボルトのソース電圧がソース104に印加され(即ち、正バイアス電圧がソース104に印加される)、−6ボルトのドレイン電圧がドレイン106に印加され(即ち、正バイアス電圧がドレイン106に印加される)、更に0ボルトのゲート電圧がゲート110に印加され、その後にキャリア120がソース104及びドレイン106から基板102内へ注入される。(2)7ボルトのゲート電圧がゲート110に印加され、基板102は接地又はフローティング状態であり、そのため、基板102は即座に深い空乏状態となり、キャリア120(この実施形態では電子)の速度を増すためにより大きな電界が生成される。ここで、ゲートが接地され、基板102に−7ボルトの電圧(図示しない)が印加されてもよいことに留意されたい。従って、基板102のキャリア120は、十分なエネルギーを得て底部酸化層112のエネルギー障壁(図示しない)を通過すべく、電界により加速される。(3)キャリア120は、電荷記憶デバイス108に到達する。
図2(A)は、本発明の一実施形態に従うソース104/ドレイン106電圧の電圧−時間の関係を示す図である。ソース104及びドレイン106の電圧は負のパルス電圧である。−6ボルトのソース104/ドレイン106電圧は、tの期間に印加される。
図2(B)は、本発明の一実施形態に従うゲートの電圧−時間の関係を示す図である。工程(2)において、ゲート110に印加される電圧は、正のパルス電圧である。本実施形態において、ゲート110には、ソース104及びドレイン106のキャリア120(即ち、電子)が基板102に注入されるまで1マイクロ秒の間、0ボルトの電圧が印加される。その後、7ボルトのゲート電圧が1マイクロ秒の間、印加されてキャリア120が加速される。キャリア120は底部酸化層112のエネルギー障壁を通過して電荷記憶デバイス108まで到達し、プログラミング処理が完了する。
別の実施形態において、図3(A)は本発明の一実施形態に従う不揮発性メモリ300のプログラミング方法を示す図である。不揮発性メモリ300は、ソース304、ドレイン306、電荷記憶デバイス308、底部酸化層312、上部酸化層314、及びゲート310を含む。底部酸化層312は、基板302と電荷記憶デバイス308との間に配置されている。上部酸化層314は、電荷記憶デバイス308とゲート310との間に配置されている。基板ホットキャリアのプログラミング方法による不揮発性メモリ300のプログラミング方法は、以下の工程を含む。(1)−6ボルトのソース電圧がソース304に印加され(即ち、正バイアス電圧がソース304に印加される)、ドレイン306はフローティング状態であり、更に0ボルトのゲート電圧がゲート310に印加され、その後にキャリア320がソース304から基板302内へ注入される。図4(A)は本発明の別の実施形態に従うソース304の電圧−時間の関係を示す図である。この工程において、ソース304に印加されるソース電圧は、負のパルス電圧である。ここで、ドレイン306は接地又はフローティング状態(図示しない)であることに留意されたい。(2)7ボルトのゲート電圧がゲート310に印加され、基板302は接地又はフローティング状態であり、そのため、基板302は即座に深い空乏状態となり、キャリア320(この実施形態では電子)の速度を増すためにより大きな電界が生成される。ここで、ゲート310が接地され、基板302に−7ボルトの電圧(図示しない)が印加されてもよいことに留意されたい。従って、基板302のキャリア320は、十分なエネルギーを得るべく電界により加速され、キャリア320は底部酸化層312のエネルギー障壁(図示しない)を通過する。(3)キャリア320は、電荷記憶デバイス308に到達する。
図4(B)は本発明の一実施形態に従うゲート電圧の電圧−時間の関係を示す図である。工程(2)において、ゲート310には、ソース304のキャリア320(即ち、電子)が基板302に注入されるまで1マイクロ秒の間、0ボルトの電圧が印加される。その後、7ボルトのゲート電圧が1マイクロ秒の間、印加されてキャリア320が加速される。キャリア320は底部酸化層312のエネルギー障壁を通過して電荷記憶デバイス308まで到達し、プログラミング処理が完了する。
図3(B)に示すように、別の実施形態の工程(2)及び工程(3)は、工程(1)を除いて直前の実施形態と同じである。工程(1)は、−6ボルトのドレイン電圧がドレイン306に印加され(即ち、正バイアス電圧がドレイン306に印加される)、更にソース304はフローティング状態であり、その後にキャリア320がドレイン306から基板302内へ注入されるものである。ここで、ソース304は接地(図示しない)されてもよいことに留意されたい。
本発明の特定の実施形態について図示して説明したが、本発明はそれらの実施形態に限定されないことを理解されたい。当業者は、本発明の範囲及び精神から逸脱しない範囲において種々の改変を行うことが可能である。
100,300…不揮発性メモリ、102,302…基板、104,304…ソース、106,306…ドレイン、108,308…電荷記憶デバイス、110,310…ゲート、112,312…底部酸化層、114,314…上部酸化層、120,320…キャリア。
Claims (11)
- 不揮発性メモリのプログラミング方法であって、前記不揮発性メモリは、ソース及びドレインを有する基板と、電荷記憶デバイスと、ゲートと、前記基板及び電荷記憶デバイス間に設けられた底部酸化層と、前記電荷記憶デバイス及び前記ゲート間に設けられた上部酸化層とを有し、前記方法は、
前記ソース又は前記ドレインのキャリアを前記基板内へ注入すべく前記ソース又は前記ドレインに少なくとも電圧を印加する工程と、
前記電荷記憶デバイスに到達するように前記底部酸化層の障壁を通過すべく十分なエネルギーを有する前記基板の前記キャリアを提供するために、前記ゲート又は前記基板に第3の電圧を印加する工程とを備える方法。 - 前記ソース又は前記ドレインに少なくとも電圧を印加する前記工程は、前記ソースと接地又はフローティング状態の前記ドレインとに第1の電圧を印加する工程を更に備える請求項1に記載の不揮発性メモリのプログラミング方法。
- 前記ソース又は前記ドレインに少なくとも電圧を印加する前記工程は、前記ドレインと接地又はフローティング状態の前記ソースとに第2の電圧を印加する工程を更に備える請求項1に記載の不揮発性メモリのプログラミング方法。
- 前記ソース又は前記ドレインに少なくとも電圧を印加する前記工程は、前記ソースと前記ドレインとの双方に第1の電圧を印加する工程を更に備える請求項1に記載の不揮発性メモリのプログラミング方法。
- 前記ゲート又は前記基板に第3の電圧を印加する前記工程は、前記ゲートと接地又はフローティング状態の前記基板とに第3の電圧を印加する工程を更に備える請求項1に記載の不揮発性メモリのプログラミング方法。
- 前記第3の電圧は正のパルス電圧である請求項5に記載の不揮発性メモリのプログラミング方法。
- 前記ゲート又は前記基板に第3の電圧を印加する前記工程は、前記基板と接地又はフローティング状態の前記ゲートとに第3の電圧を印加する工程を更に備える請求項1に記載の不揮発性メモリのプログラミング方法。
- 前記第3の電圧は負の電圧である請求項7に記載の不揮発性メモリのプログラミング方法。
- 前記キャリアは電子又は正孔である請求項1に記載の不揮発性メモリのプログラミング方法。
- 前記不揮発性メモリはn型又はp型チャネルである請求項1に記載の不揮発性メモリのプログラミング方法。
- 前記電荷記憶デバイスは、フローティングゲート又は電荷トラップ層である請求項1に記載の不揮発性メモリのプログラミング方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW097125647A TWI389321B (zh) | 2008-07-08 | 2008-07-08 | 程式化非揮發性記憶體之方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010020878A true JP2010020878A (ja) | 2010-01-28 |
Family
ID=40352009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008329424A Pending JP2010020878A (ja) | 2008-07-08 | 2008-12-25 | 不揮発性メモリのプログラミング方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7835192B2 (ja) |
EP (1) | EP2144250A1 (ja) |
JP (1) | JP2010020878A (ja) |
KR (1) | KR20100006102A (ja) |
AU (1) | AU2008252029A1 (ja) |
TW (1) | TWI389321B (ja) |
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US9413349B1 (en) | 2015-04-01 | 2016-08-09 | Qualcomm Incorporated | High-K (HK)/metal gate (MG) (HK/MG) multi-time programmable (MTP) switching devices, and related systems and methods |
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AU2008252029A1 (en) | 2010-01-28 |
US20100034027A1 (en) | 2010-02-11 |
TW201003927A (en) | 2010-01-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110705 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111206 |